半导体检测与分析
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微结构、微缺陷的重要
纳米级材料解卷处理
样品制备困难 样品处理区域狭小 球差校正电镜的部分研究成果
四、表面和薄膜成分分析
五、扫描探针显微学在半导体中的应用
六、透射电子显微学及其在半导体研究 中的应用
七、半导体深中心的表征
半导体检测技术
温才 2012 Interest and abilБайду номын сангаасty Not knowledge
一、文献检索（2学时） 二、文献阅读（4学时）
三、半导体检测技术（26学时）
一、引论（2学时） 二、半导体晶体的高分辨X射线衍射（6学时 3*5=15人） 三、光学性质检测分析（4学时2*5=10人） 四、表面和薄膜成分分析（4学时2*5=10人） 五、扫描探针显微学在半导体中的应用（4学 时2*5=10人） 六、透射电子显微学及其在半导体研究中的 应用（4学时2*5=10人） 七、半导体深中心的表征（2学时8人）
一、引 论
二、半导体晶体的高分辨X射线衍射
1、错向角 2、表面起伏 3、外延膜的微裂缝
三、光学性质检测分析
纳米级材料
独立缺陷的性质与影响材料性能的缺陷集团 的行为之间的联系（缺陷数目有限，独立行 为也变得重要）