微电子工艺技术 复习要点答案完整版

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第四章晶圆制造法。比法和FZ1．CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ FZ三种生长方法的优

缺点。较单晶硅锭CZ、MCZ和答：

法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石CZ3、收颈4、放肩5、等径生长6、收晶。 1、溶硅2、引晶。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒）英坩埚内的高纯度电子级硅在1415度融化（需要注意的是熔硅的时间不宜过长逐渐降低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后，将籽晶缓慢拉出，同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均匀性。的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化，然后50-100cm FZ法：即悬浮区融法。将一条长度把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。法优点：①所生长的单晶的直径较大，成本相对较低；②通过热场调整及晶转，坩埚等工艺参数的优化，可以较好CZ的控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长高电阻率单晶。③高纯度、高电阻率、低法高。②无需坩埚、石墨托，污染少 CZFZ法优点：①可重复生长，提纯单晶，单晶纯度较法，熔体与晶体界面复杂，很④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。缺点：直径不如CZ氧、低碳难得到无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用，降低了缺陷密度，氧含量，提高了电阻分布的均匀MC：改进直拉法

性

2．晶圆的制造步骤【填空】

答：1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。

2、切片

3、磨片和倒角

4、刻蚀

5、化学机械抛光

3. 列出单晶硅最常使用的两种晶向。【填空】答：111和100.

4. 说明外延工艺的目的。说明外延硅淀积

的工艺流程。

答：在单晶硅的衬底上生长一层薄的单晶层。

5. 氢离子注入键合SOI晶圆的方法

答：1、对晶圆A清洗并生成一定厚度的SO2层。2、注入一定的H形成富含H的薄膜。3、晶圆A翻转并和晶圆B键合，在热反应中晶圆A的H脱离A和B键合。4、经过CMP和晶圆清洗就形成键合SOI晶圆

【填空】三种外延硅掺杂物列出三种外延

硅的原材料，6.

混FZ法工艺、SOI、HOT(7、名词解释：CZ法提拉工艺、、应变硅合晶向)

答：：HOTSOI：在绝缘层衬底上异质外延硅获得的外延材料。 CZ法：直拉单晶制造法。 FZ法：悬浮区融法。应变硅：通过向单晶硅施加应力，硅的晶格原子将混合晶向材料。使用选择性外延技术，可以在晶圆上实现110和100会被拉长或者压缩不同与其通常原子的距离。

第五章热处理工艺

1. 列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？

答：1、原生氧化层 2、屏蔽氧化层 3、遮蔽氧化层 4、场区和局部氧化层 5、衬垫氧化层 6、牺牲氧化层 7、栅极氧化层 8、阻挡氧化层

2. 栅氧化层生长的典型干法氧化工艺流程答：1、850度闲置状态通入吹除净化氮气。2、通入工艺氮气充满炉管。3、将石英或碳化硅晶圆载舟缓慢推入炉管中4、以大约10度每分钟升温。5、工艺氮气气流下稳定温度。6、关闭氮气，通入氧气和氯化氢，在晶圆表面生成SO2薄膜。7、当氧化层达到厚度时，关掉氧气和氯化氢，通入氮气，进行氧化物退火。8、工艺氮气气流下降温。9、工艺氮气气流下将晶舟拉出，闲置状态下吹除净化氮气。

3. 影响扩散工艺中杂质分布的因素

答：1、时间与温度，恒定表面源主要是时间。 2、硅晶体中存在其他类型的点缺陷 p75-p77

4. 氮化硅在IC芯片上的用途

答：1、硅局部氧化形成过程中，作为阻挡氧气扩散的遮蔽层。2、作为化学抛光的遮挡层。3、用于形成侧壁空间层、氧化物侧壁空间层的刻蚀停止层或空间层。4、在金属淀积之前，作为掺杂物的扩散阻止层。5、作为自对准工艺

的刻蚀停止层。

5. 离子注入后的RTA流程

答：1、晶圆进入2、温度急升3、温度趋稳4、退火5、晶圆冷却6、晶圆退出

6. 为什么晶体晶格离子注入工艺后需要高温退火？使用RTA退火有什么优点【填空】答：降低了退火温度或者说减少了退P112 消除晶格损伤，恢复载流子寿命以及迁移率，激活一定比列的掺杂原子。．

火时间，减少了退火时的表面污染，硅片不会产生变形，不会产生二次缺陷，对于高剂量注入时的电激活率较高。界面中存在几种电荷？对器件性能有哪些SiO2-Si7.

影响？工艺上如何降低它们的密度【综合】答：、使用含氯的氧会引起mos晶体管阈值电压的不稳定。P57 1 Li 有5种。 RB+ Cs+ K+几乎没有影响 Na+

、保证气体及气体传输过程的清洁，2、用氯周期性的清洗管道、炉管和相关的容器。3、使用超纯净的化学物质 4化工艺

保证栅电极材料不受污染。 8. 扩散掺杂工艺的三个步骤

【填空】答：

、8、覆盖氧化反应9、刻蚀2、生长遮蔽氧化层3、光刻45、去光刻胶6、清洗7、掺杂氧化物淀积1、晶圆清洗。 掺杂物驱入

、合金化RTO 、9. 名词解

释：结深、退火、RTPRTA 、 热处答： 结深：如

果扩散杂质与硅衬底原有杂质的导电类型不同，在两种杂质浓度的相等处会形成PN 结，此深度为结深。退火：将注有离子的硅片在一定温度下，经过适当时间的热处理，则硅片中的损伤就可能部分或大部分得到消除，载流子 寿命以及迁移率也会不同程度的恢复，掺杂原子得到一定比例的电激活。这样的过程叫热退火。快速加热工艺。是一种升温速度非常快的，保温时间很短的热处理方式RTP:

RT ：快速加热退火系统。高温退火消除损伤恢复单晶结构并激活掺杂原子RT ：快速加热氧化。 合金化热处理：利用热能使不同原子彼此结合成化学键而形成金属合金的一种加热工艺。 第六章 光刻工艺

1. 列出光刻胶的四种成分【填空】 答：聚合物、感光剂、溶剂和添加剂