无机合成课件

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第二讲 无机材料的制备化学ppt课件

第二讲 无机材料的制备化学ppt课件

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6
➢ 固体反应的过程 (MgO + Al2O3 → MgAl2O4)
MgO/MgAl2O4界面:
MgO
4MgO + 2Al3+ - 3Mg2+
→ MgAl2O4
反应起始界面
MgAl2O4/Al2O3界面:
Al2O3
4Al2O3 + 3 Mg2+ - 2Al3+
MgAl2O4产物层 → 3MgAl2O4
晶体 (Crystals)
完美晶体(Perfect crystals) [原子在 三维空间排列无限 延伸有序, 并有 严格周期性]
缺陷晶体 (Defect crystals) [固体中 原子排列有易位、 错位以及本体组成 以外的杂质]
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4
固体原料混合物以固体形式直接反应过程是制 备多晶固体(即粉末)最为广泛应用的方法。固体 混合物在室温下经历一段时间,并没有可觉察的反 应发生。为使反应以显著速度发生,通常必须将它 们加热至甚高温度,一般在1000 ~ 1500℃。 热力学和动力学两种因素在固体反应中都极为 重要:热力学通过考察一个特定反应的自由能来判 断该反应能否发生,动力学因素则决定反应进行的 速率。
过程分析 MgO和Al2O3两种晶体反应是相互紧密接触,共享一个公用
面,即产物先在界面生成,存在尖晶石晶核的生长困难,还有产物随之
进行扩散的困难。上图给出氧化镁和氧化铝反应生成尖晶石过程的示意
图。由图可见,当MgO和Al2O3两种晶体加热后,在接触面上局部生成一 层MgAl2O4。
反应的第一阶段是生成MgAl2O4晶核,晶核的生成是比较困难的, 这是因为:首先,反应物和产物的结构有明显的差异,其次是生成物涉

无机合成化学 合成方法PPT课件

无机合成化学     合成方法PPT课件
-111.6 -126.3 -130 -160.5 -183
液化气体的贮存和转移
实验室中少量的液氮、液氧: 贮存液化气体的容器,根据体积的大小和用途的
不同,一般有杜瓦瓶、贮槽(贮罐)、槽车和槽船 等。
液化气体贮槽由贮存液化气体的内容器、外壳体 、绝热结构以及连接内、外壳体的机械构件组成。 除此之外,贮槽上通常还设有测量压力、温度、液 面的仪表,液、气排注和回收系统,以及安全措施 等。
第25页/共96页
工业应用实例 --- 氢还原法制钨
此炉加热区长1.5~2M, 通过设计加热线圈使管内温度沿管
均匀地上升至800~900 ℃,管的一端装有冷凝器。
操作注意:
氢气要纯、钨粉的粒度要合适、还原温度要合适
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氢还原法制钨大致可分为三个阶段: (1) 2WO3+H2===W2O5+H2O (2) W2O5+H2====2WO2+H2O (3) WO2+2H2====W+2H2O
Al、In、Tl、稀土、Ge、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mn、Fe、 Co、Ni等
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①还原剂的选择依据
当两种以上金属可以作还原剂时 • 还原力强 • 不能和被还原的金属生成合金 • 可以制得高纯度的金属 • 副产物容易分离 • 成本低廉
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常用还原剂及其还原能力
②助熔剂
• 作用有两个:改变反应热,二是使熔渣易与被还原的金属分离; • 用Ca、Mg、Al还原氧化物时,生成的氧化物很难熔,一般要加入氟化物
作为助熔剂。
第31页/共96页
③ 一种重要的还原剂-铝热还原 • 还原氧化物时一般采用廉价的Al作为还原剂,缺点是形成合金,一般采用调节反应物混合比的方法,尽量 使铝不残留在生成金属中。 • 硅也作还原剂,挥发小,可用在能蒸馏法或升华法提纯的金属上。

无机合成化学- 合成晶体-PPT演示文稿

无机合成化学- 合成晶体-PPT演示文稿

水热法是一种在高温高压下从过饱和水溶液中进行结晶的 方法。
表征: X射线结构分析
在电磁波谱中,X射线的波长范围为0.005~10nm
射线
一张粉末衍射图能提供哪些信息?
获得材料成分、内部原子或分子的结构或形态等信息
随堂测试:
1.详述先进陶瓷的制备工艺流程。
2.详述晶体生长理论(层生长理论和螺旋生长理论)。
晶体的生长基础
相变过程和结晶的驱动力
• 晶体的形成是在一定热力学条件下发生的物质相变过 程,它可分为成核和晶体生长两个阶段。晶体生长又 包括两个基本过程,即界面过程和运输过程。
• 晶体的形成过程是物质由其它聚集态即气态、液态、 固态(包括非晶态和其它晶相)向特定晶态转变的过 程,其实质是相变过程。
熔融法
提拉法是被普遍采用 的晶体生长方法。在 一定温度场、提拉速 度和旋转速度下,熔 体通过籽晶生长,形 成一定尺寸的单晶。
水平区熔法:主要用于材料的物理提纯,但也常用于生长晶体。 生长晶体时,首先将原料烧结或压制成棒状,固定两端,然后 移动原料棒或加热高频线圈,使得只有受加热的部分熔融,而 绝大部分材料处于固态。随着熔区沿着原料棒由一端向另一端 缓慢移动,晶体就慢慢生长,并慢慢冷却直至完成生长过程。
石英的带状构造
晶体由小长大,许多晶面向外平行移动的轨迹 形成以晶体中心为顶点的锥状体称为生长锥或 砂钟状构造。
螺旋生长理论
合成晶体的方法和技术
人工晶体的制备实际上就是把组成晶体的基元(原子、 分子或离子)解离后又重新使它们组合的过程。按照晶体 组分解离手段的不同,人工晶体的制备有三大类。 气相法--使晶体原料蒸发或挥发,包含有化学气相沉积、 升华法、气相外延技术,化学气相运输法等。
指不考虑外来质点或表面的影响,在一个体系中各个地方成核 的概率均相等,称为均匀成核。

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4.1 水热-溶剂热合成
采用PP管及配件:根据给水设计图配 置好PP管及配 件,用 管件在 管材垂 直角切 断管材 ,边剪 边旋转 ,以保 证切口 面的圆 度,保 持熔接 部位干 净无污 物
4.1.1
概念与实例
⑴ 概念
水热-溶剂热合成是指温度为100~1000 ℃、压力为 1MPa~1GPa 条件下利用水溶液中物质化学反应所进行 的合成。在亚临界和超临界水热-溶剂热条件下,由于反应 处于分子水平,反应性提高,因而水热-溶剂热反应可以说扩 充了高温固相反应。又由于水热-溶剂热反应的均相成核 及非均相成核机理与固相反应的扩散机制不同,因而可以 创造出其他方法无法制备的新化合物和新材料。
采用PP管及配件:根据给水设计图配 置好PP管及配 件,用 管件在 管材垂 直角切 断管材 ,边剪 边旋转 ,以保 证切口 面的圆 度,保 持熔接 部位干 净无污 物
本章将系统而简洁地介绍水热溶剂热合成、无水无氧合成和电解 合成三种合成方法,以及它们的一 些重要应用。
采用PP管及配件:根据给水设计图配 置好PP管及配 件,用 管件在 管材垂 直角切 断管材 ,边剪 边旋转 ,以保 证切口 面的圆 度,保 持熔接 部位干 净无污 物
采用PP管及配件:根据给水设计图配 置好PP管及配 件,用 管件在 管材垂 直角切 断管材 ,边剪 边旋转 ,以保 证切口 面的圆 度,保 持熔接 部位干 净无污 物
采用PP管及配件:根据给水设计图配 置好PP管及配 件,用 管件在 管材垂 直角切 断管材 ,边剪 边旋转 ,以保 证切口 面的圆 度,保 持熔接 部位干 净无污 物
Nd2O3 + H3PO4 → NdP5O14 CaO·nAl2O3 + H3PO4 → Ca(PO4)3OH + AlPO4 La2O3 + Fe2O3 + SrCl2 → (La, Sr)FeO3 FeTiO3 + KOH → K2O·nTiO2 (n = 4, 6)

无机材料合成与制备课件

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实验步骤 1. 准备试剂和仪器,如硅酸乙酯、乙醇、氨水、烘箱、玻璃基板等。
2. 将硅酸乙酯、乙醇和氨水按一定比例混合,搅拌均匀。
实验一:溶胶-凝胶法制备二氧化硅薄膜
3. 将混合液滴加到玻 璃基板上,放入烘箱 中加热至一定温度。
5. 观察和测试二氧化 硅薄膜的形貌和性能 。
4. 取出玻璃基板,用 去离子水冲洗,晾干 后进行热处理。
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• 无机材料概述 • 无机材料合成方法 • 无机材料制备技术 • 无机材料合成与制备的研究进展 • 无机材料合成与制备的前景与挑战 • 无机材料合成与制备实验课程设计
01
无机材料概述
无机材料的定义与分类
无机材料定义
无机材料是指不含碳元素的化合物或 单质,主要由无机化合物组成的一类 材料。
实验二:化学气相沉积法制备氮化硅薄膜
01 实验步骤
02
1. 准备试剂和仪器,如硅烷、氨气、氢气、氮气、反
应腔等。
03
2. 将反应气体按一定比例通入反应腔中,加热至一定
温度。
实验二:化学气相沉积法制备氮化硅薄膜
3. 保持反应一定时间,使反应 物在基材表面沉积形成薄膜。
4. 停止反应,取出基材,进行 后处理。
5. 观察和测试氮化硅薄膜的形 貌和性能。
实验三:物理气相沉积法制备钛合金薄膜
实验目的
通过物理气相沉积法合成钛合金薄膜,了解 物理气相沉积法的合成过程和原理,掌握钛 合金薄膜的制备技术。
实验原理
物理气相沉积法是一种常用的材料合成方法 ,通过将金属蒸发或溅射成原子或分子,在 基材表面沉积形成薄膜。钛合金薄膜具有高 强度、耐腐蚀等特性,常用于航空、化工等 领域。
05
无机材料合成与制备的前景与挑战

资料-无机合成(PPT课件)

资料-无机合成(PPT课件)
2 合成路线和方法
1 新合成反应、路线与技术的开发以及相 关基础理论的研究
2 极端条件下的合成路线、反应方法与制 备技术的基础性研究
3 仿生合成与无机合成中生物技术的应用 4 绿色(节能、洁净、经济)合成反应与
工艺的基础性研究
5 特种结构无机物或特种功能材料的分子 设计、裁剪及分子(晶体)工程学
热力学在无机化合物制备中的应用
1 合金、金属陶瓷型二元化合物(如C、N、 B、Si 化合物)
2 酸、碱和盐类 3 配位化合物,金属有机化合物,团簇与
原子簇化合物
4 多聚酸和多聚碱及其盐类 5 无机胶态物质,中间价态或低价化合物 6 非化学计量比化合物 7 无机高聚物 8 标记化合物
1 实验技术 ● 高温、高压 ● 超高真空 ● 无氧无水 ● 中压水热合成 ● 低温真空
1 无机化合物制备反应的判据
△rGm=△rHm -T△rSm
对于封闭体系恒温恒压过程,其制备反应方向判 据:
(△rGm)T,p<0 制备反应能够进行 (△rGm)T,p=0 制备反应达平衡态
(△rGm)T,p>0 制备反应不能进行
如果制备反应在热力学上是可行的,但若反应进行 很慢,则该反应在实际上亦不可用,所以必须同时 考虑热力学和动力学这两个因素。
3 耦合反应在无机制备中的应用
(1)反应的耦合 按照热力学观点,反应的耦合是指:化学反应中把
一个在任何温度下都不能自发进行的(焓增、熵减型) 反应,或在很高温度下才能自发进行的(焓增、熵增 型)反应,与另一个在任何温度下都能自发进行的 (焓减、熵增型)反应联合在一起,从而构成一个复 合型的自发反应(焓减、熵增型),或在较高温度下 就能自发进行的(焓增、熵增型)反应。
[例4] 耦合促使氯化反应顺利进行

第5章无机材料仿生合成技术ppt课件

第5章无机材料仿生合成技术ppt课件
从使用情况来看,闭胸式的使用比较 广泛。 敞开式 盾构之 中有挤 压式盾 构、全 部敞开 式盾构 ,但在 近些年 的城市 地下工 程施工 中已很 少使用 ,在此 不再说 明。
自组装法
自组装是在无人为干涉条件下,组元通过 共价键等作用自发地缔结成热力学上稳定、 结构上确定、性能上特殊的聚集体的过程。
从使用情况来看,闭胸式的使用比较 广泛。 敞开式 盾构之 中有挤 压式盾 构、全 部敞开 式盾构 ,但在 近些年 的城市 地下工 程施工 中已很 少使用 ,在此 不再说 明。
二、 “软模板”法
软模板通常为两亲性分子形成的有序聚集体,主要 包括:胶束、反相微乳液、液晶等。
两亲性分子中亲水基与疏水基之间的相互作用是两 亲性分子进行有序自组装的主要原因。
表面活性剂是一类应用极为广泛的物质,其特点是 很少的用量就可以大大降低溶剂的表(界)面张力, 并能改变系统的界面组成与结构。表面活性剂溶液 浓度超过一定值,其分子在溶液中会形成不同类型 的分子有序组合体。。
从使用情况来看,闭胸式的使用比较 广泛。 敞开式 盾构之 中有挤 压式盾 构、全 部敞开 式盾构 ,但在 近些年 的城市 地下工 程施工 中已很 少使用 ,在此 不再说 明。
如图所示:
从使用情况来看,闭胸式的使用比较 广泛。 敞开式 盾构之 中有挤 压式盾 构、全 部敞开 式盾构 ,但在 近些年 的城市 地下工 程施工 中已很 少使用 ,在此 不再说 明。
从使用情况来看,闭胸式的使用比较 广泛。 敞开式 盾构之 中有挤 压式盾 构、全 部敞开 式盾构 ,但在 近些年 的城市 地下工 程施工 中已很 少使用 ,在此 不再说 明。
从使用情况来看,闭胸式的使用比较 广泛。 敞开式 盾构之 中有挤 压式盾 构、全 部敞开 式盾构 ,但在 近些年 的城市 地下工 程施工 中已很 少使用 ,在此 不再说 明。

第九章 典型无机化合物的合成化学 PPT课件

第九章 典型无机化合物的合成化学 PPT课件

CO
Fe CO CO Fe
CO
二[羰基(μ-羰基)(η5-环戊二烯基)铁(0)]
CH2 Cl
Cl
CH Pd Al
CH2 Cl
Cl
η3-烯丙基钯(II)二-μ-氯二氯合铝(III)
17
练习:金属有机化合物的命名
O
Fe
OC
C
Fe
Fe
V
C
CO
OC
CO
O
OC CO
Cl Zr
Cl
18
Mn
H 2C
12o
H 2C
第九章 典型无机化合物的合成化学 PPT课件
9.1 配位化合物的合成
• 配位化合物:中心金属+配位体(配体) • 直接配位反应法:溶液法,气体配体直接配位反
应法,金属蒸气法和基底分离法
• 组分交换反应法:金属交换法,配体取代法,配
体原料的组分转移和取代反应
• 元件组装反应法:配位聚合,桥联聚合, • 氧化还原反应法:金属氧化法,金属还原法,还
-2e
-2e
闭合式、巢式和蛛网 式硼烷的多面体结构 42
Lipscomb:硼烷的拓扑结构
Lipscomb 在 硼 烷 成 键 特 征 的 基 础 上 , 提 出 用 拓 扑 法 (topological approach)来描述硼烷的结构, 其要点如下:
(1) 假想在硼烷中, 每个硼原子都可以形成2C-2e的B-H键或 B-B键, 也可以形成3C-2e的氢桥键或闭式硼桥键;
23
有效原子序数规则(EAN规则)
亦称为18电子规则,这个规则实际上是金属原子
与配体成键时倾向于尽可能完全使用它的九条价 轨道(五条d轨道、1条s、三条p轨道)的表现。

无机材料合成与制备PPT课件

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29
(3) 层岛复合(Stranski-Krastanov)生长模式:
在层岛复合生长模式下,最开始的一两个原子层的层状 生长之后,生长模式从层状模式转化为岛状模式,如上 图c所示。 导致这种模式转变的物理机制比较复杂,但根本的原因 应该可以归结为薄膜生长过程中各种能量的相互消长。 被列举出来解释这一生长模式的原因至少有以下三种:
一般来说,足够厚的薄膜的晶格结构与块体相同,只有在 超薄薄膜中其晶格常数才与块材时明显不同;
薄膜的晶体结构与沉积时吸附原子的迁移率有关,它可以 从完全无序,即无定形非晶膜过渡到高度有序的单晶膜, 即薄膜的晶体结构包括单晶、多晶和非晶结构(?)。
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薄膜的四种典型组织形态:
在薄膜沉积的过程中,入射的气相原子首先会被衬底或薄 膜表面所吸附。若这些原子具有足够的能量,它们将在衬底或 薄膜表面进行一定的扩散(迁移),除了可能脱附的部分原子之 外,其他的原子将到达薄膜表面的某些低能位置并沉积下来。
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形态1型:在温度很低、气体压力较高的情况 下,入射粒子的能量很低,这种情况下形成的 薄膜微观组织。
由于温度低,原子的表面扩散能力有限,沉积到衬底表面的 原子即已失去了扩散能力。导致沉积的薄膜组织呈现一种数十纳 米直径的细纤维状的组织形态,纤维内部陷密度很高或者就是非 晶态的结构;纤维间的结构明显疏松,存在着许多纳米尺寸的孔 洞。
示振荡频率变化与薄膜质量膜厚之间关系的基本公式。
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电阻法:
由于电阻值与电阻的形状有关,利用这一原理来测量膜 厚的方法称为电阻法。
电阻法是测量金属薄膜厚度最简单的一种方法。测量原 理:金属导电膜的阻值随膜厚的增加而下降。
如果认为薄膜的电阻率与块状材料相同,则可由下式来 确定膜厚,即:

无机合成化学第三章经典合成方法 ppt课件

无机合成化学第三章经典合成方法 ppt课件
在高真空和还原气氛下,金属发热材料如钽、 钨、钼等,已被证明是适用于产生高温的。通常 都采用在高真空和还原气氛的条件下进行加热。 如果采用惰性气氛,则必须使情性气氛预先经过 高度纯化。有些惰性气氛在高温下也能与物料反 应,如氮气在高温能与很多物质反应而形成氮化 物。
钨管炉 1、可以达到3000℃的最高温度 2、在真空,惰性气氛或氢气氛中使用
• 高温下的固相合成反应(制陶反应) • 高温下的化学输运反应 • 高温下的固气合成反应 • 高温下的熔炼和合金制备 • 高温下的相变合成 • 高温熔盐电解 • 等离子体激光、聚焦等作用下的超高温合成 • 高温下的单晶生长和区域熔融提纯
3.1.3 高温固相反应
• 应用:各类复合氧化物、含氧酸盐类、二元或 多元金属陶瓷化合物(碳、硼、硅、磷、硫族 等化合物)
高温固相反应
• 影响固相反应速率的主要因素: 1)反应物固体的表面积和反应物间的接触面积; 2)产物的成核速度; 3)相界面间特别是通过生成物相层的离子扩散速 度。
• 反应物的表面积和接触面积 • 1)充分扩散和研磨; • 2)前驱体细化、比表面积大、反应活性高,主要 • 是通过共沉淀、溶胶-凝胶制备反应前驱体; • 3)加压成片以及热压成形增加接触面积。
测温装置
镍铬-镍硅热电偶外型尺寸 较小,具有热响应时间短、结构简 单、价廉、使用 方便等特点, 适 用于分析仪器设备等工业测温 。
光学高温计广泛用来测量冶 炼、浇铸、轧钢、玻璃熔窖、 锻打、热处理等温度,是冶金、 化工和机械等工业生产过程中 不可缺少的温度测温仪表之一。
3.1.2 高温合成反应类型
(一) 电阻炉中常用的几种发热体
(1) 金属发热体

在高真空和还原气氛下适用于产生高温。

《无机合成》课件11-12无机合成水解法-沉淀法

《无机合成》课件11-12无机合成水解法-沉淀法
定向速度:在聚集的同时,构晶粒子在 一定晶格中定向排列的速度称为定向速度。
《无机合成》课件11-12无机合成 水解法-沉淀法
如果聚集速度大,而定向速度小,即离子很 快地聚集生成沉淀微粒,来不及进行晶格排列, 则得到非晶形沉淀。
反之,如果定向速度大,而聚集速度小,即 离子较缓慢地聚
集成沉淀。有足够时间进行晶格排列,则得到晶 形沉淀。
《无机合成》课件11-12无机合成 水解法-沉淀法
《无机合成》课件11-12无机合成 水解法-沉淀法
《无机合成》课件11-12无机合成 水解法-沉淀法
(2)利用沉淀反应制取金属硫化物 除了K2S、Na2S、BaS等硫化物易溶于
水外,绝大多数金属硫化物都难溶于水。
金属硫化物广泛应用于颜料、荧光材料、敏感 材料、发光材料、太阳能电池材料及催化剂等领域, 后几种应用领域都要求金属硫化物有较高的纯度, 因此,通常硫化物皆由溶液沉淀法制备。
因此,溶解度较大、溶液较稀、相对过饱和度 较小,反应温度较高,沉淀后经过陈化的沉淀物一般 为晶形;
而溶解度较小、溶液较浓、相对过饱和度较大, 反应温度较低,直接沉 淀的沉淀物为非晶形。
晶形沉淀的颗粒较大,纯度较高,便于过滤和 洗涤,而非晶形沉淀颗粒细小,吸附杂质多,吸附物 难以过滤和洗涤,可通过稀电解质溶液洗涤和陈化的 方法来分离沉淀物和杂质。
存在的其它物质等因素有关。
定向速度主要决定于:沉淀物质的本性。
《无机合成》课件11-12无机合成 水解法-沉淀法
一般极性强的盐类,如BaSO4,CaC2O4等, 具有较大的定向速度,易形成晶形沉淀。
而氢氧化物只有较小的定向速度,一般形成非晶 形沉淀。特别是高价金属离子的氢氧化物,如 Fe(OH)3,Al(OH)3等,结合的OH—越多,定向排 列越困难,越容易形成非晶形或胶状沉淀。
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2.2 Ellingham 图─ 还原法提取金属
2.3 偶合反应在无机合成中的应用 2.4 标准平衡常数在无机合成中的应用
2.5 电位-pH图在无机合成中的应用
2.6 热力学相图在无机合成中的应用
本章引言
无机合成反应的首要任务是设计合成方法,合成反应设 计的方法随合成目标物的不同而有很大的不同,但都是先从 热力学的可能及经济有利开始的。根据热力学原理,从不同 角度分析各种无机化学反应,就可以得到化学反应在指定情 况下能否发生、化学反应发生的难易、产物的稳定性等信息。 这对于合成新的无机化合物,或寻找老化合物新的合成方法, 或对合成产物的分离,以及合成过程中对能量的增补、减少, 控制反应器温度等重要过程都是很有指导意义的,在很大程
(c) (d) M x O(s) CO(s) xM(s或l) CO 2 (g)
G θ G θ (CO, CO 2 ) G θ (M, M x O)
金属氧化物和CO标准生成自 由能随温度的变化(温度升 至交叉温度时原来小于1的K 值变得大于1)
表示金属氧化物生成 反应和涉及碳素的三 个氧化还原反应的 Ellingham 图
计算结果说明,在1400℃时反应C可自发进行。工业上就是将磷 矿石、硅砂、焦炭混合,在电炉中于1200℃~1400℃温度下熔融,发 生反应C,生成磷蒸气,然后在水中捕集而得到黄磷。 电炉法生产黄磷流程图
黄磷
⑵ TlCl4的制备
氯气系统 金红石
反应A + 反应B
TiO 2 (s) 2Cl 2 (g) TiCl 4 (l) O 2 (g)
r G (298) 161.94 kJ mol
θ m 1
C(s) O 2 (g) CO2 (g)
θ Δ r Gm 394.38 kJ mol 1
反应C TiO 2 (s) 2Cl 2 (g) C(s) TiCl 4 (l) CO2 (g)
θ Δ r Gm (394.38 161.94) kJ mol 1 232.44 kJ mol 1
{ p(C ) / p θ }c { p(D) / p θ }d Kθ { p( A) / p θ }a { p(B) / p θ }b
溶液中反应
多相反应
{b(C) / b}c { p(D) p}d Kθ {b(B) / b}b
⑵ 标准平衡常数与反应商的关系
{ p(C ) / p } { p(D) / p } Q { p( A) / p θ }a { p(B) / p θ }b
1400℃
θ θ θ G1673 H 298 TS 298
(3388kJ mol 1673 1.955kJ mol ) 117kJ mol 0
1
1
1
反应A + 反应B
2Ca 3 (PO 4 ) 2 (s) 10C(s) 6CaO(s) P4 (s) 10CO(g)
பைடு நூலகம்
θ Δ r Gm (298) 171.7 kJ mol 1
2.4 标准平衡常数 在无机合成中 的应用
2.4.1 标准平衡常数的概念
⑴ 标准平衡常数的表达式
气相反应
吕· 查德里
{b(C ) / bθ }c {b(D) / bθ }d Kθ {b( A) / bθ }a {b(B) / bθ }b
2.2.3 Ellingham 图应用实例
还原金属氧化物的 Ellingham 图
m—表示熔化温度 b—表示沸腾温度 ●—表示元素 ○—表示氧化物 +表示相转变
⑴ 为什么古代的铜器出现得比铁器早?
我国最早的铜器是在仰韶文化时期,距今已有6000余年。 在春秋晚期,铁器制作就极其繁荣兴盛,到了战国末年,已 经进入炼铁和铁器制造的黄金时代。不断出土的考古新发现 有力地证明了历史上我国冶铁技术成熟而趋于完备,远远领 先于世界各国。
生产。
1的过程也可以用于工业
θ 为了使碳还原金属氧化物的反应得到负的 r Gm 值,下列(a)、
(b)、(c)三个反应至少有一个反应必须比反应(d)具有更负的标 准Gibbs自由能变:
(a)C(s) (1 / 2)O 2 (g) CO(g)
G θ (C, CO)
(b) (1 / 2)C(s) (1 / 2)O 2 (g) (1 / 2)CO2 (g) G θ (C, CO 2 )
θ 当反应A的 GA 0 ,从热力学观点来看,该反应基本 上不能进行。但是如果再合并另一个反应B,反应B又符合下
面两个条件:①反应B能把反应A中不需要的产物消耗掉;② 反应B的G θ 为很大的负值,能使总反应
θ θ G θ GA GB 0
于是,原来单独不能自发进行的反应A,在反应B的帮助 下,合并在一起的总反应就可以进行了。这种情况称为偶合 反应(coupled reaction)。
O 2 PtF6 O PtF6 2
制备PtF6的装置
⑵ Bartlett 第一次证明“惰性气体”并不 惰 O Hg Ar Kr Xe Rn 离子或原子 2
+
I1/(kJ· -1) mol
1164
1007
1521
1351
1170
1037
设计Bron-Haber:
计算得到
U 437kJ mol , E 771kJ mol
工业上采用1000℃左右进行氯化。工业上制粗TlCl4的生 产方法有三种:固定床氯化、沸腾床氯化和熔盐氯化。
沸腾床氯化法生产TlCl4流程图
⑶ 氧化法制备CuSO4
金属铜不溶于稀硫酸: 反应A +
硫酸铜
Cu(s) 2H (aq) Cu 2 (aq) H 2 (g)
θ Δ r Gm (298) 65.5 kJ mol 1
θ 增大, Q K ,平衡向正向移动。
θ θ r H m和 r S m 随温度的变化,则由 若忽略
θ θ r H m TS m ln K RT
可得
θ K2 r Hm ln R K1
T2 T1 T T 2 1
θ θ θ GC GA GB
G
θ 1673
91.6kJ mol
1
θ 25℃ GC (2805 6 92.1)kJ mol 1 2252.4kJ mol 1
θ 1400℃GC (117 6 91.6)kJ mol 1 432.6kJ mol 1
无机合成化学简明教程
CONCISE INORGANIC SYNTHESIS CHEMISTRY
西北大学化学与材料科学学院
COLLEGE OF CHEMISTRY & M AT E R I A L S S C I E N C E
第 2 章化学热力学与无机 合 本章引言 成 2.1 吉布斯-亥姆霍兹方程对无机合成的指导
θ 显然,当 r Gm 为负值,相当于 K θ 1 ,即反映在热力学
上是“允许的”。由于高温下的反应往往很快,通常认为热 力学上允许的反应实际上都能发生。 自然应该指出,一是热力学上允许的反应还有动力学问 题存在;二是工业上的化学过程很少真正达到平衡;三是如
果能使产物不断离开反应体系, θ K
但是,在有充分氧气的条件下,由于存在下述反应: 反应B
1 H 2 (g ) O 2 (g ) H 2 O(l) 2
θ Δ r Gm (298) 237.22 kJ mol 1
两反应偶合后就能进行: 反应C
1 Cu(s) 2H (aq) O 2 (g ) Cu 2 (aq) H 2 O(l) 2
2.2.2 Ellingham 图
通过吉布斯-亥姆霍兹方程
θ θ θ r Gm r H m T r S m
可以很好地理解Ellingham 图,因而有如下结论: ① (C,CO) 线段位于金属氧化物线段之下的温度区间内, 碳可用于还原金属氧化物而本身被氧化为CO;
② (C,CO2) 线段位于金属氧化物线段之下的温度区间内, 碳可用于还原金属氧化物而本身被氧化为CO2; ③ (CO,CO2) 线段位于金属氧化物线段之下的温度区间 内,CO可用于还原金属氧化物而本身被氧化为CO2。
(c) CO(g) (1 / 2)O 2 ( g ) CO2 (g)
G (CO, CO 2 )
θ
(d )xM(s或l) (1 / 2)O 2 (g) M x O(s)
G θ (M, M x O)
如果这样,下列三个反应也至少有一个反应的标准Gibbs 自由能变必为负值,即反应是自发的:
θ c
θ d
用Q判断反应的进行程度
Q Kθ
反应正向进行 体系处于平衡状态 反应逆向进行
Q Kθ
Q Kθ
⑶ 标准平衡常数与温度的关系
K θ (T ) 是温度的函数:
θ 对于放热反应, H θ 0 ,温度升高, θ (T )小, K , K Q r m 平衡向逆向移动;对于吸热反应, r H m 0 ,温度升高,K θ (T ) θ
θ m
2.1.2 实例说明
⑴ Bartlett 发现二氧基阳离子
比较
PtF6 e PtF6 , E θ 2.87V
巴利特
F2 2e 2F , E θ 2.87V
在一次试验中, Bartlett将铂同氟置于玻 璃或石英仪器中反应时,意外得到一种深红 色的固体。该物质能在低于100℃ 的真空中 升华, 经X衍射分析和其他实验确定该化合物 是 O2+PtF6− 。 后 又 用 PtF6 的 蒸 气 同 氧 气 在 21℃ 混合,也得到该化合物:
(a ) (d) M x O(s) C(s) xM(s或l) CO(g)
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