内存是存储器的一种

存储器是计算机的重要组成部分，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器。外存储器通常是磁性介质和光盘，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息。

内存的分类

内存的物理实质是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。内存按存储信息的功能可分为只读存储器ROM（Read Only Memory）、可改写的只读存储器EPROM （Erasable Progrmmable ROM）和随机存储器RAM（Random Access Memory）。ROM中的信息只能被读出，而不能被操作者修改或删除，故一般用于存放固定的程序。EPROM和一般的ROM不同点在于它可以用特殊的装置擦除和重写它的内容，一般用于软件的开发过程。RAM就是我们平常所说的内存，主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器交换信息。它的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失。现在的RAM多为MOS型半导体电路，它分为静态和动态两种。静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS 电路中的栅级电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给予补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。另外，内存还应用于显卡，声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。

动态RAM按制造工艺的不同，又可分为动态随机存储器（Dynamic RAM）、扩展数据输出随机存储器（Extened Data Out RAM）和同步动态随机存储器（Sysnchromized Dynamic RAM）。

有关内存的常见技术指标

内存条通常有8MB、16MB、32MB、64MB、128MB、256MB等容量级别，其中64MB、128MB 已成为当前的主流配置。而用于诸如图形工作站的内存容量高达512MB以上。内存条芯片的存取时间是内存的另一个重要指标，其单位一纳秒（ns）度量，目前主流的SDRAM存取时间在10ns以下，而高速缓冲存储器（Cache）的存取时间更短。

存储器有哪些主要技术指标 1

8.ECC内存

ECC(Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting)是一种具有自动纠错功能的内存，Intel的82430HX芯片组就支持它，使用该芯片的主板都可以安装使用ECC内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可*性比较高的商业计算机中。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，相关的主板产品还不多，一般的家用与办公计算机也不必采用ECC内存。

9. CDRAM（Cached DRAM）

CDRAM（Cached DRAM）带高速缓存动态随机存储器）是日本三菱电气公司开发的专有技

术，它通过在DRAM芯片上集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器和同步控制接口来提高存储器的性能。这种芯片使用单一的＋3.3V电源，低压TTL输入输出电平。

10.DRDRAM（Direct Rambus DRAM）

DRDRAM (接口动态随机存储器)是Rambus在Intel支持下制定的新一代RDRAM标准，与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加芯片引脚。这种芯片可以支持400MHz外频，再利用上升沿和下降沿两次传输数据，可以使数据传输率达到800MHz。同时通过把单个内存芯片的数据输出通道从8位扩展成16位，这样在100MHz时就可以使最大数据输出率达1.6 GB/s。

11.SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）

SLDRAM(同步链接动态内存)是由IBM、惠普、苹果、NEC、富士通、东芝、三星和西门子等大公司联合制定的，一种原本最有希望成为标准高速DRAM的存储器。这是一种在原DDR DRAM基础上发展起来的高速动态读写存储器，具有与DRDRAM相同的高数据传输率，但其工作频率要低一些，可用于通信、消费类电子产品、高档的个人计算机和服务器中。不过，由于各种各样的原因，这种动态存储器难以形成气候。

12.VCM（Virtual Channel Memory）

VCM(虚拟通道存储器)由NEC公司开发，是一种新兴的缓冲式DRAM，可用于大容量的SDRAM。此技术集成了“通道缓冲”功能，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输，让带宽增大的同时还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。

13. FCRAM（Fast Cycle RAM）

FCRAM（快速循环动态存储器）是由富士通和东芝联合开发的内存技术，数据吞吐速度可超过DRAM/SDRAM的4倍，能应用于需要极高内存带宽的系统中，如服务器、3D图形及多媒体处理等场合，其主要的特点是：行、列地址同时（并行）访问，而不像普通DRAM 那样首先访问行数据，再访问列数据。此外，在完成上一次操作之前，便开始下一次操作。不过这并用于主内存，而是用于诸如显示内存这样的其他存储器上