浪涌抑制器的作用

浪涌电压抑制器的应用

[摘要]文章结合我国居民信息设备需求的不断增长，阐述了现代住宅居民信息设备瞬态过电压保护的设计原则和浪涌电压抑制器件的分类，重点论述了硅瞬变吸收二极管的特性、参数及其工程选用原则。

[关键词]设计原则 TVS 特性参数工程应用

１设计原则

对于家居信息系统的保护除了做好常规的防雷设施和处理好接地问题外，还应在信息家电的电源端加装相应的过电压保护装置，以消除电网浪涌、雷电感应电压、设备切换等意外事件对信息家电设备的冲击和毁坏。要求进入信息家电内的电源线、信号线应通过防雷、防过压处理，并将设备外壳、室内的金属门、窗、管道等进行等电位处理。

信息家电设备雷电过电压及电磁干扰防护是保护通信线路、设备及人身安全的重要技术手段和确保通信线路、设备运行不受干扰必不可缺少的技术环节。信息网络过电压保护必须运用电磁兼容原理将计算机网络局部的防护归结到整体的雷电过电压保护。

网络设备所处的建筑物作为一个欲保护的空间区域，从电磁兼容的角度出发，可由外到内分为几个雷电保护区，现已规定出各部分空间不同的雷电磁脉冲（ＬＥＭＰ）的严重程度。

根据雷电保护区的划分要求，建筑物外部是直击雷区域，在这个区域内的设备最容易遭受损害，危险性最高，是暴露区，为０区；建筑物内部所处的位置为非暴露区可将其分为１区、２区，越往内部，危险程度越低，雷电过电压对内部电子设备的损害主要是沿线路引入。保护区的界面通过外部的防雷系统、建筑物的钢筋混凝土及金属外壳等构成屏蔽层。电气通道以及金属管则必须通过这些界面，穿过各级雷电保护区的金属构件在每一穿过点做等电位联结。

２浪涌电压抑制器件

浪涌电压抑制器件基本上可以分为两大类。第一种类为橇棒（ＣｒｏｗＢａｒ）器件，其主要特点是器件击穿后的残压很低，因此不仅有利于浪涌电压的迅速泄放，而且使功耗大大降低。另外，该类型器件的漏电流小，器件极间电容量小，所以对线路影响很小。常用的撬棒器件包括气体放电管、气隙型浪涌保护器、硅双向对称开关（ＣＳＳＰＤ）等。

另一类为箝位保护器，即保护器件在击穿后，其两端电压维持在击穿电压上不再上升，以箝位的方式起到保护作用。常用的箝位保护器是氧化锌压敏电阻ＭＯＶ，瞬态电压抑制器（ＴＶＳ）等。

保护器分过电压保护元件和过电流保护元件。我们通常所称的“避雷器”和随着国外防雷器件引入的“浪涌抑制器”、“过电压限制器”、放电管、齐纳二极管等都属于电压限制元件。它们的工作原理差不多，但它们之间的通流容量、动作速度、残压等有很大差别。

而正温度系数ＰＴＣ、电感、电阻、保险丝则属于过电流保护元件。

二极管型防护器件包括开关二极管、齐纳二极管、瞬态二极管等。它们的保护性能大致相同，在承受冲击能力和限制电压等级方面稍有不同。正常情况下，管子呈高阻，当外加电压达到其门限值时，电流迅速增加。它是响应速度非常快的保护元件，限幅电压低，管子两端压降基本不受冲击电压和冲击电流的影响，保护精密设备中半导体电路非它莫属。近年来正在发展的瞬态二极管，在通流能力方面有了较大的突破，可用在第二级甚至第一级保护。

二极管型防护器件是利用硅ＰＮ结正向压降（ＶＦ）和反向雪崩击穿电压（ＶＺ）的特性制成的，如瞬变电压抑制二极管（ＴＶＳ）。二极管型防护器件有两种形式：一是齐纳型单向雪崩击穿，二是双向的硅压敏电阻。ＴＶＳ器件在规定的反向应用条件下，承受到高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低以允许大电流通过，并将电压箝制在预定水平，从而有效地保护电子产品中的精密元器件免受损坏。双向ＴＶＳ可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制在预定水平，双向ＴＶＳ适用于交流电路。ＴＶＳ的最大优点是箝位系数小，所谓箝位系数就是指ＴＶＳ上流过的电流在最大时的端电压与流过的电流为最小时的端电压的比值，箝位系数越小，抑制瞬变电压的效果越好。ＴＶＳ器件的其它优点是体积小、响应速度快（小于１ｎｓ）、可靠性高、每次经受瞬变电压后其性能不会下降等。缺点是电容大、耐电流量小。现在，国外ＴＶＳ器件已经采用气密性附壳封装，外形为ＤＯ－４１，而一般的民用器件则采用有引线或无引线的塑封形式，典型的有美国ＧｅｎｅｒａｌＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔ公司生产４００Ｗ、６００Ｗ、１５００Ｗ无引线扁平塑封，其４００Ｗ的工作电压为５．５～１６２Ｖ，型号为ＴＳＭＡ６．８～ＴＳＭＡ２００，外形为ＳＭＡ／Ｄ０２１４ＡＣ；６００Ｗ的工作电压为５．５～１６２Ｖ，型号为ＴＳＭＢ６．８～ＴＳＭＢ２００，外形为ＳＭＢ／Ｄ０２１４ＡＡ；１５００Ｗ工作电压５．５～１６２Ｖ，型号为ＴＳＭＣ６．８～ＴＳＭＣ２００，外形为ＳＭＣ／Ｄ０２１４ＡＢ。该公司也生产无引线圆柱形产品，型号为ＴＧＬ４１－６．８～ＴＧＬ４１－２００，外形为ＭＥＬＦＧＬ４１。该公司还生产５０００Ｗ的ＴＶＳ，其工作电压为５．０～１１０Ｖ，型号为５ＫＰ５．０～５ＫＰ１１０，外形为Ｐ６００。ＴＶＳ的另一发展方向是开发低电压产品，目前正在开发的产品电压范围为２．８～３．８Ｖ，以满足低压微处理器和ＩＣ的需要。

３硅瞬变吸收二极管

硅瞬变吸收二极管的工作有点象普通的稳压管，是箝位型的干扰吸收器件，其应用是与被保护设备并联使用。硅瞬变电压吸收二极管具有极快的响应速度（亚纳秒级）、相当高的浪涌吸收能力和极多的电压档次。能保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。

ＴＶＳ管有单方向（单个二极管）和双方向（两个背对背连接的二极管）两种，它们

的主要参数是击穿电压、漏电流和电容。使用中，ＴＶＳ管的击穿电压要比被保护电路工作电压高１０％左右，以防止因线路工作电压接近ＴＶＳ击穿电压，使ＴＶＳ漏电流影响电路正常工作；也避免因环境温度变化导致的ＴＶＳ管击穿电压落入线路正常工作电压的范围。ＴＶＳ管有多种封装形式，如，轴向引线产品可用在电源馈线上，双列直插的和表面贴装的适合于在印刷板上作为逻辑电路、Ｉ／Ｏ总线及数据总线的保护。

３．１ＴＶＳ的特性

ＴＶＳ的电路符号和普通的稳压管相同。其电压－电流特性曲线如图１所示。其正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的ＰＮ结雪崩器件。图２是ＴＶＳ的电流－时间和电压－时间曲线。在浪涌电压的作用下，ＴＶＳ两极间的电压由额定反向关断电压ＶＷＭ上升到击穿电压ＶＢＲ，而被击穿。随着击穿电流的出现，流过ＴＶＳ的电流将达到峰值脉冲电流ＩＰＰ，同时在其两端的电压被箝位到预定的最大箝位电压ＶＣ以下。其后，随着脉冲电流按指数衰减，ＴＶＳ两极间的电压也不断下降，最后恢复到初态，这就是ＴＶＳ抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的过程。当ＴＶＳ两极受到反向高能量冲击时，它能以１０～１２Ｓ级的速度，将其两极间的阻抗由高变低，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电位箝位于预定值，有效地保护电子设备中的元器件免受浪涌脉冲的损害。ＴＶＳ具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压容易控制、体积小等优点，目前已广泛应用于家用电器、电子仪表、通讯设备、电源、计算机系统等各个领域。

３．２ＴＶＳ的主要参数

（１）最大反向漏电流ＩＤ和额定反向关断电压ＶＷＭ。ＶＷＭ是ＴＶＳ最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加于ＴＶＳ的两极间时它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ＩＤ；

（２）最小击穿电压ＶＢＲ和击穿电流ＩＲ。ＶＢＲ是ＴＶＳ最小的击穿电压。在２５℃时，低于这个电压ＴＶＳ是不会发生雪崩的。当ＴＶＳ流过规定的１ｍＡ电流（ＩＲ）时，加于ＴＶＳ两极的电压为其最小击穿电压ＶＢＲ。按ＴＶＳ的ＶＢＲ与标准值的离散程度，可把ＶＢＲ分为５％和１０％两种。对于５％的ＶＢＲ来说，ＶＷＭ＝０．８５ＶＢＲ；对于１０％的ＶＢＲ来说，ＶＷＭ＝０．８１ＶＢＲ；

（３）最大箝位电压ＶＣ和最大峰值脉冲电流ＩＰＰ。当持续时间为２０ｍＳ的脉冲峰值电流ＩＰＰ流过ＴＶＳ时，在其两端出现的最大峰值电压为ＶＣ。ＶＣ、ＩＰＰ反映了ＴＶＳ的浪涌抑制能力。ＶＣ与ＶＢＲ之比称为箝位因子，一般在１．２～１．４之间；

（４）电容量Ｃ。电容量Ｃ是由ＴＶＳ雪崩结截面决定的，是在特定的１ＭＨｚ频率下测得的。Ｃ的大小与ＴＶＳ的电流承受能力成正比，Ｃ太大将使信号衰减。因此，Ｃ是数据接口电路选用ＴＶＳ的重要参数；

（５）最大峰值脉冲功耗ＰＭ。ＰＭ是ＴＶＳ能承受的最大峰值脉冲功率耗散值。在