武汉纺织大学_816电子技术基础2007--2017年_考研真题
武汉纺织大学07级电信学院单片机试卷
07级电信学院单片机试卷一、填空题（1分/空，共35分）：1.A/D转换器的三个重要指标分别是：、、一个10V的8为D/A转换器的分辨率约为。
2. 若80C51的晶振频率为12MHZ，则其2个定时器/计数器对重复频率高的外部事件是不能正确计数的。
3. MCS-51单片机晶振频率为12MHZ，响应单重中断的最短时间与最长时间分别是、。
4. 某存储芯片有11条地址线和8条数据线，此芯片至少可以存放二进制数个，地址范围是，每个二进制数有位，若要把每个二进制数增加到16位，则应采用办法。
5. 在R7初值为00H的情况下，DJNZ，R7，rel指令将循环执行次。
6. 若（DPTR）=5306H，（A）=49H，执行下列指令：MOVC A，@A+DPTR后，送入A的是程序存储器单元的内容。
7. 假定(SP)=45H，(ACC)=46H，(B)=47H，执行下列指令：PUSH ACCPUSH B后，(SP)= ，(ACC)= ，(B)= 。
8. 执行下列指令序列：MOV C，P1.0ANL C，P1.1OR C，/P1.2MOV P1.3，C后，所实现的逻辑运算式为。
9、假定addr11=00100011001B，标号ＭＮ的地址为２０９９H。
执行指令：ＭＮ：AJMP，addr11后，程序转移的地址_____________去执行。
10、在相对寻址方式中，“相对”两字是指相对于___________________，寻址得到得结果是____________________。
在变址寻址方式中，以___________做变址寄存器，以_________ 或___________作基址寄存器。
11、假定标号MN的地址为2000Ｈ，标号ＸY值为2022H。
应执行指令：MN：SJMP XY该指令的相对偏移量为________。
12、累加器A中存放一个其值小于63的8位无符号数，CY清“0”后执行指令：RLC ARLC A则A中数变为原来的_______倍。
武汉纺织大学_836机械制造技术基础2012--2017年_考研真题
武汉纺织大学2017年招收硕士学位研究生试卷科目代码836科目名称机械制造技术基础考试时间2016年12月25日下午报考专业1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号一二三四五六七八九十十一得分得分本试卷总分150分，考试时间3小时。
一、单项选择（在备选的四个答案中选择一个正确的，将其编号写在括号内，每小题2分，共20分）1、切削力经验公式的形式为（）。
A、线性方程B、三角函数C、指数方程D、对数方程2、通过切削刃选定点，垂直于主运动方向的平面称为（）。
A、切削平面B、进给平面C、基面D、主剖面3、在主剖面内度量的基面与前刀面的夹角为（）。
A、前角B、后角C、主偏角D、刃倾角4、在机械产品中。
相似件约占零件总数的（）。
A、30%B、50%C、70%D、90%5、对碳素钢工件进行精加工时，应选择牌号为（）。
A、YT30B、YT5C、YG5D、YG86、车床主轴采用滑动轴承时，影响主轴回转精度的主要因素是（）。
A、轴承孔的圆度误差B、主轴轴径的圆度误差C、轴径与轴承孔的间隙D、切削力的大小7、在普通车床上用三爪卡盘夹持工件外圆车内孔，车后发现内孔与外圆不同轴其原因可能是（）。
A、车床主轴轴径跳动B、卡盘装夹面与主轴回转轴线不同轴C、刀尖与主轴轴线不等高D、车床纵向导轨与主轴回转轴线不平行8、车削加工塑性材料时，大部分切削热（）A、传给工件B、传给刀具C、传给机床和夹具D、被切屑顺带走9、直线尺寸链采用概率算法时，若各组成环均接近正态分布，则封闭环的公差等于（）。
A、各组成环中公差最大值B、各组成环中公差的最小值C、各组成环公差之和D、各组成环公差平方和的平方根10、分组选择装配法适用于（）的场合。
A、装配尺寸链组成环环数较多，装配精度要求不高B、装配尺寸链组成环环数较多，装配精度要求较高C、装配尺寸链组成环环数较少，装配精度要求不高D、装配尺寸链组成环环数较少，装配精度要求较高二、多项选择（在备选的四个答案中选择2～4个正确的，将其编号写在括号内，每小题2分，共16分）1、采用工序集中原则的优点是（）。
电子技术基础试题及答案10套.doc
电子技术基础试题及答案10套.doc电子技术基础试题 (八)一、填空题 (每题 3 分，共 30 分)1、 PN 结具有单向导电特性性能。
2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大 _。
3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。
4、只有当负载电阻 R L和信号源的内阻 r s相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。
5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。
6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。
7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流 I BQ，以减少交越失真。
8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。
9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。
10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。
二、选择题 (每题 3 分，共 30 分)1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C)。
A.零偏B.反偏C.正偏2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A)。
A.集电极电流减小B.集电极与发射极电压V CE上升C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。
34．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A )。
A.保证电路满足振幅平衡条件B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C )。
A.有交越失真B.易产生自激C.效率低6．有两个2CW15 稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是： ( B )。
新版武汉纺织大学电子信息考研经验考研参考书考研真题
考研是我一直都有的想法，从上大学第一天开始就更加坚定了我的这个决定。
我是从大三寒假学习开始备考的。
当时也在网上看了很多经验贴，可是也许是学习方法的问题，自己的学习效率一直不高，后来学姐告诉我要给自己制定完善的复习计划，并且按照计划复习。
于是回到学校以后，制定了第一轮复习计划，那个时候已经是5月了。
开始基础复习的时候，是在网上找了一下教程视频，然后跟着教材进行学习，先是对基础知识进行了了解，在5月-7月的时候在基础上加深了理解，对于第二轮的复习，自己还根据课本讲义画了知识构架图，是自己更能一目了然的掌握知识点。
8月一直到临近考试的时候，开始认真的刷真题，并且对那些自己不熟悉的知识点反复的加深印象，这也是一个自我提升的过程。
其实很庆幸自己坚持了下来，身边还是有一些朋友没有走到最后，做了自己的逃兵，所以希望每个人都坚持自己的梦想。
本文字数有点长，希望大家耐心看完。
文章结尾有我当时整理的详细资料，可自行下载，大家请看到最后。
武汉纺织大学电子信息的初试科目为：（101）思想政治理论(204)英语二(302)数学二(952)软件综合参考书目为：阎石《数字电子技术基础》童诗白《模拟电子技术基础先介绍一下英语现在就可以开始背单词了，识记为主（看着单词能想到其中文章即可，不需要能拼写）从前期复习到考试前每天坚持两到四篇阅读（至少也得一篇）11月到考试前一天背20篇英语范文（能默写的程度）。
那些我不熟悉的单词就整理到单词卡上，这个方法也是我跟网上经验贴学的，共整理了两本，每本50页左右，正面写英语单词，背面写汉语意思。
然后这两本单词卡就陪我度过了接下来的厕所时光，说实话整理完后除了上厕所拿着看看外还真的没专门抽出空来继续专门学单词。
按理说，单词应该一直背到最后，如果到了阅读里的单词都认识，写作基本的词都会写的地步后期可以不用看单词了，当然基础太差的还是自动归档到按理说的类别里吧。
阅读就一个技巧，做真题、做真题、做真题，重要的事情说三遍！常规阅读就40分，加之新题型、完型填空、翻译都算是阅读的一种，总之除了作文基本都是阅读，所以得阅读者得天下啊。
武汉纺织大学2017年研究生招生考试自命题试题630操作系统
9． CPU 输出数据的速度远远高于打印机的打印速度， 为了解决这一矛盾， 可采用 A.交换技术 B.覆盖技术 C．缓冲技术 分配。 C.虚拟 D.物理 。 D.光盘 D．DMA 技术
10.Spooling 技术可以实现设备的 A.独占 B.共享
11.只适合顺序存取，不提供随机存取功能的存储介质是 A.磁盘 B.磁鼓 C.磁带
D. 数据传送
20.不同计算机上的进程之间通信，通过 A. 全局变量 B.消息传递
共 7网络
二、判断题（ 每小题 2 分，共 20 分） 1．单道程序设计不提供地址保护。 （ ） ）
2. 使用异步方式，I/O 写调用可能需要阻塞直到数据写到设备上。 （ 3. 块是磁盘上最小的可寻址的数据单位。 （ ） 4. 在 UNIX 中，在大文件中随机访问数据，比在小文件中平均要慢。 （ 5. 每个程序地址空间指向的目录为当前工作目录。 （ ） 6. 打开文件操作的目的是建立用户和文件的联系。 （ ） 7. 利用 Spooling 技术可将一台独占设备虚拟为几台“虚拟”设备。（ 8. 中断系统是由硬件和软件配合完成的。 （ ） 9．死锁危害很大，操作系统要绝对防止死锁的发生。 （ 三、简答题（ 每小题 5 分，共 20 分） 1. 简述段页式存储管理的基本思想。 2. 简述进程与线程的区别与联系。 3. 简述操作系统功能。 4. 简述计算机系统的中断机制及其作用。 四、计算题（共 15 分） ） ）
A．2
B．2
C．2
D．2
11、 在支持多线程的系统中，进程 P 创建的若干个线程不能共享的是___。 A. 进程 P 的代码段 C. 进程 P 中某线程的局部变量 B. 进程 P 中打开的文件 D. 进程 P 的全局变量
12、 哪一项不是进程控制块中的内容___。 A. CPU 的时钟频率 C.该进程所执行的程序的路径 缺页中断次数会。 B. 增加 B.进程的创建者 ID D. 进程的优先级。
武汉纺织大学630操作系统2007-2008和2017年考研专业课真题试卷
16. 在可变分区存储管理中,可能存在。
A．外碎片
B．内碎片
C．A 和 B 均不可能
17. 程序访问的局部性原理使得成为可能。
D．A 和 B 均可能
A．高速缓存
B．通道
C．中断
D．虚拟设备
18. 在 UNIX 中，通常把设备作为
文件来处理。
A．设备
B．普通
C．目录文件
D．系统
19.对磁盘进行移臂调度的目的是为了缩短
8．下列物理结构文件不便于文件扩充的是
。
A.连续文件
B.串连文件
C．索引文件
D．多重索引文件
9．CPU 输出数据的速度远远高于打印机的打印速度，为了解决这一矛盾，可采用
A.交换技术
B.覆盖技术
C．缓冲技术
D．DMA 技术
。。
10.Spooling 技术可以实现设备的
A.独占
B.共享
分配。 C.虚拟
D.物理
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武 汉 纺 织 大 学 研 究 生 入 学 考 试 试 题
原版考研真题试卷
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武汉纺织大学2017年考研专业课真题试卷（原版）
6. 打开文件操作的目的是建立用户和文件的联系。（ ） 7. 利用 Spooling 技术可将一台独占设备虚拟为几台“虚拟”设备。（ ） 8. 中断系统是由硬件和软件配合完成的。（ ） 9．死锁危害很大，操作系统要绝对防止死锁的发生。（ ）
10. 所谓并发是指两个或两个以上的事件在同一时刻发生。（ ） 三、简答题（ 每小题 5 分，共 20 分） 1. 简述段页式存储管理的基本思想。 2. 简述进程与线程的区别与联系。
【2015年武汉纺织大学考研真题】816电子技术基础
武汉纺织大学2015年招收硕士学位研究生试卷科目代码816科目名称电子技术基础考试时间2014年12月28日下午报考专业1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号一二三四五六七八九十十一得分得分本试卷总分150分，考试时间3小时。
一、选择题（每题1分，共计15分）1、共射极放大电路的交流输出电压波形有上半周失真和下半周失真。
其中共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A饱和B截止C交越D频率2、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大D.电压放大倍数大3、555定时器不可以组成()。
A.多谐振荡器B.单稳态触发器C.施密特触发器D.JK触发器4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移5、速度最快的A/D转换器是()电路A、并行比较型B、串行比较型C、并－串行比较型D、逐次比较型6、稳压管的稳压区是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿7、在某些情况下，使组合逻辑电路产生了竞争与冒险，这是由于信号的（）A.延迟B.超前C.突变D.放大8、若1101是2421BCD 码的一组代码，则它对应的十进制数是()A.9B.8C.7D.69、接通电源电压就能输出矩形脉冲的电路是()A.单稳态触发器B.施密特触发器C.D 触发器D.多谐振荡器10、微型计算机和数字电子设备中最常采用的数制是()A.二进制B.八进制C.十进制D.十六进制11、RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（）。
A 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路12、（）触发器可以构成移位寄存器。
A 、基本RS 触发器B 、主从RS 触发器C 、同步RS 触发器D 、边沿D 触发器13、3线—8线译码器处于译码状态时，当输入A2A1A0=001时，输出70~Y Y ''=（）。
武汉纺织大学电子技术基础考研真题试题2009—2017(缺2013、2014)年
2、（6 分）.试分析判断以下电路中有无反馈? 是正反馈还是负反馈? 是交流反馈 还是直流反馈? 若是负反馈, 指明其反馈的组态类型。
3、（6 分）测得放大电路中某晶体管的两个电极上的电流如下图所示。求另一电极 的电流，标出其实际电流方向，在圆 圈 中 画 出 管 子 符 号 ， 并 标 明 三 个 引 脚 e,b,c,说 明 它 们 是 NPN 型还是 PNP 型，求 出 电 流 放 大 系 数 β 。
十一 得分
模拟部分（共 60 分） 一、选择题（单选）（只填字母，不写汉字。每空 1 分，共 10 分）
1、 当 PN 结由.截止变为导通时，其空间电荷区__ _，（A.变宽, B.变窄, C.不变）。
2、 当温度降低时,晶体管的 ICBO 将_______(A 不变 B.增大 C.减小 )
3、 用晶体管放大电路构成的电压跟随器是______ 放大电路。
来分析。
（A．晶体管的混合∏模型；B．晶体管的 h 参数模型 C． 晶体管的图 解 法 ）
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9、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 Re，将使电路的
_________。
(A． .差 模 放 大 倍 数 增 大 ； B． 差 模 放 大 倍 数 减 小 ； C． 共 模 放 大 倍 数
模拟部分（共 60 分）
一、选择填空（单选）（每空 1 分，共 10 分,只填字母,不写汉字）
1、当温度升高时,晶体管的输入特性曲线将_______。(A 不动 B.左移 C.右移 )
2、一个 PNP 型硅晶体管，测得发射结电压 UBE=－0. 7V,集电结电压 UCE=1V。则 该晶体管工作在_______区。(A. 截止 B. 放大 C. 饱和)
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武汉纺织大学
2017年招收硕士学位研究生试卷科目代码816科目名称电子技术基础
考试时间2016年12月25日下午报考专业
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不留空格。
3、答案请写在答题纸上，在此试卷上答题无效。
题号一二三四五六七八九十十一得分
得分
本试卷总分150分，考试时间3小时。
一、将下列逻辑式化简成最简与或表达式。
（15分）
1、F=A+A’BC+B’C+BC’
2、Y=AC+AC’D+AB’E’F+B(D○+E)+BC’DE’+BC’D’E+ABE’F
3、Z(A,B,C,D)=Σm(3,5,6,7,10)+d(0,1,2,4,8)
二、判断题（20分）
1、判断图2-1所示电路能否作为直流稳压电源中的滤波电路，简述理由。
2、判断图2-2所示电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
3、判断图2-3所示正弦波振荡电路能否振荡？
4、判断图2-4构成的是几进制计数器？图中芯片为74LS161集成四位二进制加法计数器（异步清零，同步预置）。
图2-1图2-2
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