英特尔大连芯片厂今日落成投产
英特尔中国三城记
英特尔中国三城记作者:宋雪莲来源:《中国经济周刊》2010年第15期在英特尔中国执行董事戈峻的地图上,上海、大连、成都三座中国城市被他鲜明地标注出来,他做的注释分别是:浦东开发、振兴东北、西部大开发。
2010年,英特尔进入中国25年,在戈峻眼里,其间英特尔在中国的三次重大战略布局,无不紧随着中国政府的重大国家战略决策。
“越来越多的跨国企业意识到,要在中国取得成功,就一定要把企业的战略和中国的国家战略匹配起来,那才意味着找到了双赢的要点。
”戈峻说。
上海成长:中国战略拉开序幕3月末的上海,细雨把窗外的景色装点得颇具朦胧美。
“我记得3、4年前我们要在闵行区建两栋研发大楼时,当地的开发商还说,两幢?用得了吗?现在,两幢研发大楼都已经满了。
”在英特尔上海研发中心,戈峻指着窗外对《中国经济周刊》记者说,4年前这里还是一片荒芜,而眼前却已是草长莺飞了。
英特尔进入上海要追溯到更早前的1993年。
当时,英特尔进入中国8年,开始谋划在上海成立软件开发中心,继而决定在上海建设封装测试工厂。
“上海的投资,当时是摸着石头过河,非常不确定,压力非常大。
因为当年的投资环境以及外商投资制度与现在不可同日而语。
”戈峻说,“我们原本打算在浦西建设工厂,但等一切都准备好的时候,却听到了设备进出口要征税的消息。
”戈峻告诉《中国经济周刊》,如果百分之百征税,“对我们来讲,不如放弃这块土地。
”一番权衡之后,英特尔进入了浦东的外高桥保税区,享受设备进出口免税的待遇。
之后,英特尔一方面自己开始投资,另一方面也和中国的IT产业链发生了密切的合作关系。
“1998年5月,英特尔与联想合作推出了第100万台电脑,英特尔创始人格鲁夫还特意从美国赶来庆祝。
”戈峻说,通过和中国的IT企业合作,英特尔在中国有了一个比较完整、比较好的产业链。
在戈峻看来,英特尔投资浦东的意义重大,它不仅意味着这位芯片巨头开始看重中国市场,为今后逐步向中国进行战略倾斜拉开了序幕,而且从此以后,英特尔与中国政府似乎找到了一个战略契合点,使两者之间的合作走向良性互动,并且节奏越来越接近。
英特尔大连Fab68工厂建设取得重大进展
英特尔大连Fab68工厂建设取得重大进展 1月16日,英特尔公司在香格里拉饭店召开迎新春答谢会,柯比杰弗逊总经理代表英特尔公司,向大连市==及各有关部门对英特尔大连Fab68工厂顺利建设给予的大力支持表示衷心地感谢。
市长夏德仁代表市委、市==,向英特尔大连Fab68工厂建设取得的重要进展表示祝贺,向辛勤工作在大连的英特尔员工、向关心和支持Fab68晶圆项目建设的各相关部门及社会各界表示衷心地感谢。
夏德仁说,随着英特尔大连Fab68项目建设的不断深入,大连的半导体产业开始步入发展的快车道,英特尔大连公司首家配套企业-摩西湖(大连)化学工业有限公司在开发区正式开工建设;法国液化空气集团、英国氧气公司(BOC)、美国空气制品与化学品公司、美国美泰普(MULTIPLEX)公司等一批世界知名企业先后来连考察、洽谈合作事宜;大连半导体研发中心SEMI大厦落成揭牌。
从而为大连建设世界级集成电路产业基地奠定了良好的基础。
夏德仁表示,大连市==将继续为英特尔在大连的发展提供强有力的支持,不断拓展双方在信息化建设、嵌入式软件以及人才培养等领域的合作。
柯比总经理说,2008年,英特尔大连Fab68项目取得了重要进展:累计已完成建设施工任务1000多万人工时,主体厂房土建工程已全部完成,正在进行设备安装;厂区已实现了永久供电;主要的辅助设备顺利运抵并安装完毕;工厂的数据中心已正式交付英特尔,目前正在进行IT设备的安装;原材料库房已经投入使用;动力辅助大楼本月底即可投入使用;综合办公大楼(MSB)三月底可交付使用。
用于建设的当地物料采购已超过10亿人民币。
一年来,共计接待国家、省、市参观团1000多人次。
此外,我们还成功开展了一系列社会公益活动,获得了2008年度履行社会责任最佳外企的荣誉。
柯比总经理表示,2009年是挑战与机遇并存的一年。
我们将通过包括美国与中国在内的各国==间的合作,来战胜这场全球性的金融危机。
同样,通过辽宁省、大连市==与英特尔之间的紧密合作,让我们共同抵御这股经济寒流,并使我们的项目成果超越我们原有的期望。
W25Q64中文资料精编版
W25Q64BV出版日期:2010年7月8日- 1 - 版本E64M位与串行闪存双路和四路SPIW25Q64BV- 2 -目录1,一般DESCRIPTION (5)2。
FEATURES (5)3引脚配置SOIC208-MIL.......................................... .. (6)4,焊垫配置WSON8X6-MM.......................................... . (6)5,焊垫配置PDIP300-MIL.......................................... . (7)6引脚说明SOIC208密耳,PDIP300密耳和WSON8X6-MM................................ 7......7引脚配置SOIC300mil的.......................................... .. (8)8引脚SOIC封装说明300-MIL (8)8.1包装Types (9)8.2片选(/CS) (9)8.3串行数据输入,输出和IO(DI,DO和IO0,IO1,IO2,IO3)............................. 9.......8.4写保护(/WP) (9)8.5控股(/HOLD) (9)8.6串行时钟(CLK) (9)9座DIAGRAM (10)10功能DESCRIPTION (11)10.1 SPI OPERATIONS (11)10.1.1标准SPI Instructions (11)10.1.2双SPI Instructions (11)10.1.3四路SPI Instructions (11)10.1.4保持功能 (11)10.2写保护 (12)10.2.1写保护Features (12)11,控制和状态寄存器............................................ .. (13)11.1状态REGISTER (13)11.1.1 BUSY (13)11.1.2写使能锁存(WEL) (13)11.1.3块保护位(BP2,BP1,BP0)..................................... .. (13)11.1.4顶/底块保护(TB)....................................... .................................................. ..1311.1.5部门/块保护(SEC) (13)11.1.6状态寄存器保护(SRP,SRP0)....................................... . (14)11.1.7四路启用(QE) (14)11.1.8状态寄存器内存保护........................................... .. (16)11.2 INSTRUCTIONS (17)11.2.1制造商和设备标识........................................... .. (17)11.2.2指令集表1 (18)W25Q64BV11.2.3指令表2(阅读说明书)....................................... (19)出版日期:2010年7月8日- 3 - 修订版E11.2.4写使能(06h) (20)11.2.5写禁止(04h) (20)11.2.6读状态寄存器1(05H)和读状态寄存器2(35H).............................. (21)11.2.7写状态寄存器(01H)......................................... .................................................. .. (22)11.2.8读取数据(03h) (23)11.2.9快速阅读(0Bh) (24)11.2.10快速读双输出(3BH)........................................ .................................................. 0.25 11.2.11快速读四路输出(6BH)........................................ .. (26)11.2.12快速读双I / O (BBh) (27)11.2.13快速读取四I/ O (EBh) (29)11.2.14八进制字读取四I/ O(E3H)..................................... (31)11.2.15页编程(02h) (33)11.2.16四路输入页编程(32H)........................................ . (34)11.2.17扇区擦除(20H) (35)11.2.1832KB的块擦除(52H) (36)11.2.1964KB的块擦除(D8h) (37)20年2月11日芯片擦除(C7H/ 60h) (38)21年2月11日擦除挂起(75h) (39)22年2月11日擦除恢复(7Ah) (40)23年11月2日掉电(B9h) (41)24年2月11日高性能模式(A3H)......................................... (42)25年2月11日发布掉电或高性能模式/设备ID(ABH) (42)26年2月11日读制造商/设备ID(90H)....................................... . (44)27年2月11日阅读唯一的ID号(4BH)........................................ . (45)28年2月11日读JEDEC的ID (9Fh) (46)29年2月11日连续读取模式复位(FFH或FFFFH)...................................... .. (47)12,电气特性.............................................. (48)12.1绝对最大Ratings (48)12.2操作范围 (48)12.3上电时序和写抑制阈值......................................... (49)12.4直流电气Characteristics (50)12.5 AC测量条件.............................................. .. (51)12.6 AC电气Characteristics (52)12.7 AC电气特性(续)......................................... . (53)12.8串行输出Timing (54)12.9输入Timing (54)12.10持有Timing (54)13包装SPECIFICATION (55)W25Q64BV13.18引脚SOIC208密耳(包装代号SS)..................................... .. (55)- 4 -13.28引脚PDIP300密耳(封装代码DA)..................................... (56)13.38触点WSON8x6毫米(封装代码ZE)....................................... (57)13.416引脚SOIC300密耳(封装代码SF)..................................... . (58)14订货INFORMA TION (59)14.1有效的部件号和顶端标记.......................................... (60)15版本HISTORY (61)W25Q64BV出版日期:2010年7月8日- 5 - 修订版E1概述该W25Q64BV(64M位)串行Flash存储器提供了有限的系统存储解决方案空间,引脚和电源。
从英特尔大连建厂所想到的
2007-03-26 16:49:10
希望东北能建设更多的晶片厂.
[匿名] 新浪网友
2007-03-26 16:57:03
听上去很美,其实没多少油水,象征意义更大一点!
[匿名] 新浪网友
2007-03-26 16:59:25
是Intel的独资吗?
如果是的话,实在对本地没多大好处,除了提高政府部门的业绩,对老百姓没什么好处可言,
应该更平民化些,对老百姓到底有什么帮助,短期估计没什么,但长远来讲应该有好处没有坏处!
[匿名] supercourter
2007-03-26 17:26:40
象征
[匿名] 00兰色天使00
2007-03-26 17:28:19
俺是葫芦岛的,支持大连,我喜欢这个城市!!
[匿名] 诸葛最亮
[匿名] 新浪网友
2007-03-26 11:27:35
大连那里得罪你,抗,山炮?
[匿名] 新浪网友
2007-03-26 12:12:52
<大连,兔子不拉屎的地方,没有文化,只有东北黑社会,典型的农村,Intel建厂就代表大连有层次了吗?先把环境搞好再说吧,不要再炒作了。 >
说这话的,你去过大连么?你对大连的it和环境了解多少?
能给我们增加多少工作岗位 和 就业机会 ?
[匿名] 新浪网友
2007-03-26 17:59:00
什么时间开始招工啊 ?????
[匿名] 新浪网友
2007-03-26 18:13:43
大连有基础,但还需加快软件上的发展,人的思想水平要跟上
[匿名] 新浪网友
2007-03-26 19:02:45
英特尔芯片生产基地对大连地区物流的影响
英特尔芯片生产基地对大连地区物流的影响摘要:英特尔投资25亿元在大连建设晶圆加工厂,对大连乃至东北地区带来了新的发展机遇。
结合大连地区目前的物流发展现状,从物流软环境、物流基础设施、物流产业和物流技术四个方面,分析英特尔进入大连后对大连地区物流所带来的影响。
关键词:英特尔大连物流物流技术2007年3月英特尔公司宣布,将在中国大连投资建设其在亚洲的第一个芯片生产基地。
英特尔入住大连,是英特尔公司全球战略的重要环节。
在现代制造业的产品的成本结构中,只有10%是人工,35%是一般管理费用,而55%是物料相关的费用,包括原料费用和物料生产移动储存的费用。
大连作为我国第8大港口,此举可以大大降低其海上运输成本。
由于英特尔的下游厂商,包括主板、电脑制造厂商都聚集在中国,英特尔在中国设厂也可以降低其人力成本,更快地响应合作伙伴。
英特尔的到来也将彻底改变大连地区未来在IT产业中的角色,而它在其它方面的影响也是不可忽视的。
本文仅对物流方面的影响予以阐述。
一、对物流软环境的影响由于英特尔公司产品实行全球直运,进出口量大,交货频繁、交货期短,对物流通关将起直接推动作用。
物流通关是英特尔最为关心的问题。
英特尔严格要求按照其全球通行的标准进行通关,英特尔通关申请单送交海关窗口,两个小时内,确保货物放行,在大连海关通关后,到达产业链下游所在城市(上海、成都),要求直接放行。
目前大连已经实现了以“提前报关,实货验放”为核心内容的新的口岸通关管理模式,相继推出“24小时预约通关”、集中申报,开展区港联动,优化通关环境。
此次英特尔的到来,对通关提出了更高的要求。
这也为大连未来实行全球通行的标准提供了一个契机,相信大连在物流通关方面会取得更大的进展。
二、对物流基础设施的影响本文对物流基础设施的讨论,主要基于以下两个方面:专门化设施,包括物流园区、物流中心、配送中心。
大连的保税物流园区在建园初期,由于资金不足,园区通过招商引资的形式进行经营,现已将三分之一的土地出售。
大连获Intel巨额投资共5页文档
大连获Intel巨额投资3月26日,英特尔宣布将在中国大连市建立一个生产300毫米晶圆的工厂,投资额达25亿美元。
英特尔首席执行官欧德宁接受本报专访时称:大连厂是英特尔15年来第一次在全新的地点兴建晶圆厂,之前,英特尔于1992年在爱尔兰兴建了Fab 10号生产线。
英特尔过去在中国已经投资了13亿美元,大连工厂建成后,英特尔在中国的投资总额将达到40亿美元。
而令夏德仁倍感艰辛的:一是英特尔在中国投资建厂面临美国技术出口限制,二是来自其他国家和地区的竞争。
迂回美国技术出口限制据欧德宁介绍,一年半以前,英特尔就确定在中国兴建此晶圆厂,而拖延至今主要是因为美国对中国的技术出口限制。
根据美国对中国的技术出口限制有关规定,出口中国的芯片生产工艺必须晚美国两代。
而据了解,大连晶圆生产线计划采用90纳米技术生产工艺,目前主流的CPU生产工艺是60纳米工艺与45纳米工艺,而英特尔下一代芯片生产工艺是32纳米。
欧德宁告诉记者,大连晶圆生产线已经获得了美国政府的批准,包括美国商务部、国防部。
他表示:在大连生产的晶圆将用于芯片组,不用于电脑CPU,芯片组对芯片工艺的要求比电脑CPU低1至2代。
英特尔大连晶圆厂将于今年下半年动工,2010年之前建成投产,年产能达5.2万片。
欧德宁表示:这并不表示大连生产线永远不考虑电脑CPU芯片的生产,随着“条件”的变化,英特尔可能改进大连生产线,生产更高工艺要求的晶圆,比如使用60纳米、45纳米、32纳米的生产工艺,甚至考虑电脑CPU芯片的生产。
他说,到2010年,芯片工艺已经进步,主流的芯片生产工艺将不是45纳米,而是32纳米,那么英特尔大连生产线就可以采用60纳米的晶圆生产工艺;此外,一旦美国政府对中国技术出口管制放松,英特尔大连晶圆生产线将采用美国政府许可的最先进的工艺。
击败四国除了政策限制,在争夺英特尔此条晶圆生产线时,中国还面临来自爱尔兰、印度、美国本土、以色列的竞争。
在2004年的首轮竞争中,爱尔兰以1.7亿欧元(约2.25亿美元)补助款及其他优惠条件,击败了美国本土和以色列的提案,获得了芯片厂的设立权,当时甚至确立了具体建厂地址。
英特尔大连55 亿美元非易失性存储项目提前投产
英特尔大连55 亿美元非易失性存储项目提前投产
作者:暂无
来源:《新材料产业》 2016年第8期
经过8个多月的努力,英特尔大连非易失性存储制造新项目7月初实现提前投产。
7月25日,记者在英特尔半导体(大连)有限公司厂区内看到,1 000多名英特尔员工和来自全世界的数千名项目建设供应商员工,正井然有序地忙碌着,他们的共同目标只有一个:全力加速非易失性存储制造新项目的量产步伐。
2015年10月,英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂。
该项目是迄今为止英特尔在中国的最大一笔投资,也是大连市乃至辽宁省改革开放以来最大的外资项目。
此前的2010年,作为英特尔在亚洲的唯一晶圆制造工厂,英特尔大连工厂在大连金州新区(现已撤并入大连金普新区)投产运营。
英特尔副总裁、英特尔大连公司总经理郝弘毅,形象地把此次大连工厂的升级工程比喻为“开颅”和“换心”同时进行的一台手术,工程的挑战性和复杂性前所未有,创造了英特尔工厂建设的新历史。
(辽宁日报)。
英特尔欧德宁:在华布局更完善累计投资47亿美元.
英特尔欧德宁:在华布局更完善累计投资47亿美元英特尔大连芯片厂(Fab68)26日正式宣布投产,该厂的落成投产标志着英特尔在华投资累计达到47亿美元。
今年是英特尔在中国的25周年。
欧德宁表示,25年来,英特尔在中国不断投资,不断推动创新,与中国IT产业共同发展进步。
英特尔大连芯片厂的投产是英特尔在华25周年的又一里程碑。
截至目前,英特尔累计在华投入达到了47亿美元。
欧德宁还表示,英特尔中国是除了美国之外功能最完善的机构,出了大连芯片厂,英特尔在成都设有大型芯片封装测试工厂,并在北京、上海和中国其他城市设有销售、渠道、研发中心和研究实验室等机构和部门。
英特尔在中国大事记1985年,英特尔在北京设立了第一个代表处。
1996年11月,位于上海的芯片测试和封装工厂破土动工。
1998年11月,作为英特尔在亚太地区的第一个研究实验室,英特尔中国研究中心(ICRC)创建。
2002年10月,英特尔亚太区应用设计中心(ADC)在深圳设立。
2003年8月,英特尔宣布在四川省成都市投资建立封装和测试英特尔半导体产品的工厂。
2005年5月12日,英特尔技术开发(上海)有限公司成立。
2005年6月,英特尔宣布设立两亿美元的“英特尔投资中国技术基金”。
2005年9月,英特尔亚太区研发有限公司在上海紫竹科学园区成立。
2006年7月,英特尔与信息产业部签署了“共同推进中国农村、城市、企业和物流等信息化的合作备忘录”。
2006年10月25日,成都芯片封装测试项目二期工程竣工。
2006年10月30日,英特尔宣布为响应中国政府建设新农村的号召而推出的“世界齐步走,建设新农村”计划。
2007年1月1日,中国成为一个独立的地区进行销售与市场运做。
由此,中国成为与美国、欧洲、中东部非洲、和亚太区并列的第五个独立报告区域。
2007年3月26日,英特尔宣布在大连投资25亿美元,建立一座90纳米技术的300毫米晶圆厂。
2007年4月17日,以“多重动力,携手创新”为主题的“2007年春季英特尔信息技术峰会(IDF)”在北京国际会议中心举行。
英特尔:大连晶圆厂的升级悬念
英特尔:大连晶圆厂的升级悬念3月26日,全球芯片龙头企业英特尔在京宣布,将在大连市投资25亿美元建立一个生产300毫米(12英寸)晶圆的工厂。
这是英特尔继在上海、成都设立半导体封装测试工厂之后,在中国的最新投资设厂动作,也将是中国首座生产英特尔芯片组的工厂。
至此,英特尔在中国的战略布局得到了完善。
据了解,截至目前英特尔在中国内地已经累计投资50多家公司,总金额超过13亿美元。
新项目将使英特尔在中国的投资总额接近40亿美元,并成为在中国投资额最大的跨国企业之一。
而就在签约之前的一周左右,著名市场分析机构Gartner依然认为,英特尔的此次投资困难重重,中国方面希望引进300毫米晶圆生产线,不过是一相情愿。
事实上,根据事先的各方面情况综合,Garter的预测并不偏颇。
英特尔与大连政府官员展开投资磋商始于2004年3月。
开始的谈判意向主要是在该市建立一个芯片封装测试厂,但后被放弃。
2006年1月英特尔提出建立芯片加工厂的想法,并于当年夏天获得大连市批准,随后获得中国国务院批准。
大连市市长夏德仁曾发出感慨:谈判过程相当艰苦。
不过真正阻碍英特尔投资大连的是美国政府方面。
英特尔一直与美国商务部领导下的一个机构组织进行协商,该组织的宗旨是对军民两用技术的输出加以限制。
为了满足美国商务部的要求,英特尔的大连工厂的技术与其现有主流技术的差距必须在两代以上。
即使是在正式签约的2周前,英特尔发言人查克·穆内依然说:“我们以前已经多次强调过,我们只是对这里(指大连)很感兴趣,但是我们还没有正式宣布投资建厂计划。
我们在许多地方都有投资计划,我们还在对比考虑选择最终的投资地点。
”3月12日,国家发改委网站公布的消息称,经国务院同意,国家发改委近日已经核准英特尔半导体(大连)有限公司集成电路芯片生产线建设项目,该项目拟建设形成月产12英寸、90纳米集成电路芯片5.2万片的生产能力,主要产品为CPU芯片组。
项目总投资25亿美元。
英特尔半导体(大连)有限公司介绍
英特尔半导体(大连)有限公司介绍2007 年 3 月 26 日,英特尔宣布投资 25 亿美元在大连市建设 300 毫米(12 英寸)芯片制造工厂。
该工厂是英特尔在亚洲的第一个晶圆厂进一步体现了英特尔对中国的承诺和深入推进本地化的决心,同时也是公司在中国长期投资的延续。
秉承与中国共成长的战略,该项目将带动辽宁乃至整个老东北工业基地的经济发展,有助于本土信息技术产业形成集群效应,使产业链延伸至更广阔的市场区域。
F68 Proce ss EngineerWorking Location: DalianResponsibilities and DetailsIn this position, you will be reporting to Process Engineering Manager and working closely with process engineering, yield/integration and manufacturing teams to start up and ramp the 1st Intel 300 mm Fab in Asia and will be located in Dalian. Applying to this posting will allow you to be considered for all process engineer positions available at this time. Your responsibilities will include but not be limited to: ♦Leading and owning process and equipment qualification, tool preve ntative maintenance, management of troubleshooting activities, regular monitoring of tool/process performance, defect analysis/reduction and cost reduction to achieve both operation and equipment excellence under LEAN principle.♦Working with existing Intel 300mm Fabs around the world to improve tool and process performance, reduce cost, and increase flexibility in process transfer.♦Working and leading manufacturing equipment teams to develop inventive solutions to improve execution and efficiency in a high-volume manufacturing environmentSpecific function areas/toolsets♦Litho scanner, track, process integration and litho metrology.♦Diffusion, implant, RTA, CVD, PVD, Cu plating, CMP, Thin Film Metrology, defect metrology equipment, and wafer handling equipment.♦Wet clean/etch and plasma etch/ash.QualificationsCandidate must be on track to obtain a BS/MS/Ph.D degree, by 2010, in Electrical Engineering, Mechanical Engineering, Chemical Engineering, Materials Science, Physics, and Chemistry or in the related fields, with good skills in MS office and related software applications.Candidates should have good communication skills in Chinese and have passed CET6 test. Candidates should be able to provide some problem solving cases by applying logical thinki ng and problem solving techniques. Candidate must be able to consistently perform on a 12-hour shift schedule - Compressed Work Week (CWW) schedule.Sort Test EngineerWorking Location: DalianResponsibilities and DetailsThis position is Fab68 Sort T est Engineer for a 300 mm HVM Fab in Dalian, China. Successful candidate will be responsible for♦Working on specific Sort module equipment and process, like CMT tester, TEL Prober and Agilent T ester etc., being module owner on both equipment and process, to ensure they are in good status for Sort High Volume Manufacturing.♦Supporting factory start-up during processing tools qualification and building validation♦Transferring, validating, and supporting Sort modules and E-test test programs for production and qualification♦Supporting product engineering with respect to testing methods, procedures, device specification and yield problems, minor redesign of devices and masks, analysis of customer returns, and optimizing device production relative to cost constraints♦Interfacing with yield analysis, integration, product engineering, quality and reliability network, test content owners to support product launch and overall outgoing quality.♦Working with equipment suppliers to develop and deliver required hardware and software solutions, validating test platforms and driving equipment availability♦Evaluating the electrical and physical characteristics of integrated circuits to determine the root cause of failure, recommending corrective action to prevent reoccurrence of problems, and disposition impact material correctly.♦Mentoring/Training Sort Manufacturing Technician on process/equipment knowledge gap closure, Owning module equipment Preventive Maintenance schedule and checklist♦Owning module equipment to meet standard capacity POR and module availability goals, Owning module Continuous Improvement to keep process optimization and equipment performance enhanced♦Reporting to Sort Engineering Group Leader and Module team leaderQualificationsYou should possess a minimum of B.S. degree in Electrical Engineering, Mechanical Engineering, Automation or Material Engineering. A strong candidate will be self-motivated with good written and verbal communication skills, be proficient in written and spoken English language and have the ability to work hard in a dynamic environment. The candidate should be eager to take challenges and compete tasks under pressure. Additional qualifications would be an added advantage including:♦Knowledge of electrical device analysis and tools♦Knowledge of logic circuit design and/or programming skills♦Knowledge of test program development process and tools♦Knowledge of Computer programming languages and scripting skills♦Basic knowledge of statistics and data analytical applications.♦Basic knowledge of tester programming, product architecture and design, and associated troubleshooting skills♦Basic Knowledge of Sort test, test process development, and tester hardware♦Basic Knowledge of chipsets device operation and electrical test♦Basic Knowledge or experience of failure analysis and low yield analysisYield EngineerWorking Location: DalianResponsibilities and DetailsFab68 Yield Department is looking for highly motivated individuals with strong technical background and capabilities to join a 300mm factory in Dalian, China. These are the local RCG Yield Engineer positions and will include:- Integration Engineer- Device Engineer- Defect Reduction Engineer- Yield Analysis Engineer- Statistician- Micro-contamination Engineer- Quality & Reliability EngineerApplying to this posting will allow you to be considered for all yield engineering positions available at this time. You will be calling out their position preference in application, but will be considered for all as appropriate.Your responsibilities will include but not be limited to:♦Driving and prioritizing integrated experiments to troubleshoot and optimize process flows;♦Participating in technology start-up, transfer, and ramp activities to meet yield, reliability, cost, and device performance goals;♦Owning particular sections of process flow, and responsible for its optimization, cost reduction, and performance improvement goals;♦Maintaining and driving process qualification matrix and deliverables;♦Characterizing device structures to validate layout design rules and circuit performance goals♦Rapid response to process excursions and drive to quick integrated solutions;♦Working with Process Engineering to improve process stability and capability as well as reduce defects;♦Exercising good judgment, sometimes with insufficient data, to determine appropriate action and mitigate integrated risks;♦Sustaining and improving integrated process flow to meet cost and performance goals.QualificationsMust possess a MS or Ph.D. in Electrical Engineering, Materials Science, Physics, Chemistry or Chemical Engineering.Additional qualifications include:♦Excellent T echnical problem solving skills and the ability to think outside the box and develop creative solutions.♦Well versed in the principles of design of experiments.♦Strong understanding of device physics, semiconductor theory, Materials physics and semiconductor processing.♦Ability to multi-task, handle conflicting priorities and be effective in providing timely solutions.♦Strong organizational and communication skills to manage tasks across Process Engineering areas to effectively execute and commit to deliverables.♦Fluency in Mandarin and good command of English.。
英特尔大连芯片厂正式投产
宜 3 %至 8 %。 3 3
“ 总体 拥 有 成 本 始 终 是 采 购 的一 个
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研究人员收集 了定 量和定性 数据 ,
推动力。企业 不会基于初始的服务和操 器使 系统集 成商 的部署 时 间比竞争 产
5 对用户分 配和 We 问管理 产品 的总 作成本做出采购决定 ; b访 他们需要清楚在 品的节省高达 7 %。
体拥有成本进行评估 , 并对所有鳃决方 2年 、 、 3年 5年的时 间里解决方 案的 成
案在许可 、 配置和操作成本方 面的差 异 本表现。” 进行分析。 多用户的企业在 T O方 面的差异 , C 该项 的推动力 。 oe 在这方 面表现出众 , N vl l 而 3 %到 8 %。这 可带 来一系列 的好处 , 3 3 除 了论 证从有 2 0 50用户 到 40 0 理和操作平 台总经理 J bey 。该 00 i E zr 说 “ m 项研究 的结论 证实 了 多 年 来 我 们 已 决方 案 相 比竞 争 产 品 具 有 更 好 的 价
英特尔在华总投 资额 达到 4 7亿美 大连将起到重要 的作用 。 元。之外 , 特尔还在成都建有大 型芯片 英
已有 2 4家供应 商为了更 封装测试 工 厂 , 在北 京 、 并 上海 和 中国其 很聪显。 目前 ,
他城 市 设 有 研 发 中心 和 研 究 实 验 室 。大 连 好地与英特尔开 展业 务 , 都落户大连 。还
该项研究的其它发现包括 : ・ 系统集成商通 常对 N vH身份和 oe
公司于近 t宣 布 , 3 一项 全面的最新研究 证明, 在一个 5年期检验 中, oe 身份 N vl l
大连“芯”意:英特尔项目落户引发集群效应
“ 问卷 调 查” , 其 内容 涉及 宏 观政 策 、基 础 设 施 、人 力 资 源 、物 流 通 关等1 0 0 多个 方面 ,1 2 0 0 多个 问题 。 “ 问卷 调查 ”甚至 对 历史上 百年 以 来 的 地 震 、风 暴 、 潮 汐 以 及 洪 水 的
大连 市政 府 、英特 尔公司 在北京 人 民大会堂 联合 宣布 ,英特 尔将把 总 投资 额达2 5 亿 美元的 1 2 英 寸芯 片加
工厂设在大连 。
合创 建半导 体技 术学 院的 合作 谅解 备 忘录 。这 个学院 总投 资3 . 4 8 ' [ L人
民 币 , 占地 1 万 平 方 米 , 建 筑 面 积 5 5 0 0 平 方 米 ,年 内 启 动 建 设 ,2 0 0 8 年8 月正式投入使用 。 据 悉 ,英 特 尔 公 司 将 为 这 个 学 校 无偿捐赠一条价值 3 6 0 0 万美元的 8 英 寸生 产 线 设 备 。刘 唯 力 说 ,这 套 8
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公司要 在大 连投 资建厂 ,其 中既有 长 年跟随 英特 尔 的英 国、法 国 、美 国特种 气体 企业 ,也有 世界 知名 的 电脑制 造商 。在被 大连 市外 经 贸局 列为今年 招 商 引资 重点 的数 百个项 目中 ,有 1 2 0 多个与集成 电路 ̄ I 3 I T产 业有关 ,更 有一批 台湾 地 区的集 成
目。 英特 尔 落 户 大连 ,同 时还 将 拉 动 金 融 、证 券 、保 险 ,高 等 教 育 、技 能 教 育 、出版 、咨 询 、 中介 以 及酒 店 、 图书 、娱 乐 等相 关 服 务业 的 发展 。
贵州省贵阳市第三十六中学2022-2023学年高一地理下学期期末试卷含解析
贵州省贵阳市第三十六中学2022-2023学年高一地理下学期期末试卷含解析一、选择题(每小题2分,共52分)1. 意大利新工业区的特点的是①以轻工业为主②以重工业为主③资本集中程度较高④资本集中程度较低⑤生产过程较分散⑥生产过程较集中A.①③⑤B.②④⑥C.①④⑤D.①④⑥参考答案:C试题分析:意大利新工业区的特点是以轻工业为主,资本集中程度较低,生产过程较分散。
2. 某城市东西相距25㎞,甲、乙、丙、丁分别表示该城市不同的区域。
下图为该城市沿东西方向人口密度与土地价格分布曲线图。
读图完成27--28题。
27.该城市中心商务区可能位于()A.甲区B.乙区C.丙区D.丁区28.若甲、乙、丙、丁为四个功能区,下列说法正确的是()A.甲区人口密度小,工业区位条件最差B.乙区土地价格高,以仓储和绿地为主C.丙区以住宅用地为主,人口密度大D.丁区基础设施完善,土地价格低参考答案:B C3. 下图为“世界四种农业地域类型景观图”,读图完成小题。
19.甲、丙农业地域类型共同的优势区位条件是A.地广人稀B.接近市场C.降水丰富D.劳动力充足20.乙、丁农业地域类型的共同特征是A.机械化程度高B.水利工程量大C.投入劳动力多D.受市场影响大21.若在甲农业地域类型区盲目扩大生产规模,则可能引起A.水土流失B.土地荒漠化C.土壤酸化D.土壤盐渍化参考答案:A D B4. 阅读右图漫画,完成11~12题。
11.结合漫画中小孩的话语分析老汉的行为主要有违于可持续发展的: A.共同性原则 B.公平性原则C.持续性原则 D.阶段性原则12.产生此现象的主要原因是A.厄尔尼诺现象的产生导致气候异常B.石油污染C.修筑人工岛和海港等设施D.过量捕捞,使渔业资源严重衰退参考答案:B D5. 甲、乙两图分别为地震波速度变化示意图与地球内部构造示意图。
读图完成下列问题。
19、图中A、a表示纵波B、①表示莫霍面C、b表示横波D、②为地球内、外核的分界20、根据地震波的传播情况,可推测图中A、组成①以上物质的最小单位是岩石B、①与②之间的物质全部为固态C、③层物质可能呈液态或熔融状态D、④处物质可能为固态,以铁、镁的硅酸盐类为主参考答案:BC6. 城市空间分布具有明显的阶段性,其发展演变与经济、社会发展密切相关。
大连“芯”意:英特尔项目落户引发集群效应
大连“芯”意:英特尔项目落户引发集群效应
王凤君
【期刊名称】《中国外资》
【年(卷),期】2007()9
【摘要】2007年3月,英特尔宣布将投资25亿美元在大连兴建12英寸芯片加工厂,这将带动芯片上下游产业,形成IT硬件产业族群,使大连成为中国最大集中电路产业基地。
【总页数】2页(PI0014-I0015)
【关键词】英特尔;集群效应;大连;芯片加工厂;上下游产业;产业族群;产业基地;大集中
【作者】王凤君
【作者单位】
【正文语种】中文
【中图分类】F426.86
【相关文献】
1.成都智造“芯”耀全球——英特尔成都工厂第10亿颗芯片下线及英特尔中国西部地区分拨中心落户成都高新区 [J],
2.英特尔芯片项目落户大连的思考与启迪 [J], 程义太
3.大连"芯"意:英特尔项目落户引发集群效应 [J],
4.英特尔在华投资25亿建芯片工厂英特尔芯片项目落户大连半导体技术学院创建
签约仪式在大连举行 [J], 底洁
5.多路64位英特尔~至强~服务器集群为并行数据库系统提供高性价比硬件平台——全芯全力加速并行数据库 [J],
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英特尔大连芯片厂十月投产采用65纳米工艺
( x e lav l ,U 微影 设 备 , 全 球 六 个 E tmeUt — ie E V) r r ot 是
取得 这项 设 备 的客户 伙伴 之一 。这 项设 备将 安装 于
T MC的超 大 晶 圆厂 ( i F b) 台积 十 二 厂 , 以 S Gg a 一 a 用
发展 新世 代 的 工 艺技 术 。T MC也将 成 为 全球 第 一 S
准 备工 作有 条 不紊 , 生产 设备 已陆续安 装 调试 到位 , 而 2 0多人 的外 籍专 家 团 队和在 美 国培训 的中 国员 0 1 也 已经 回归 大连 , 保 十月 份T 厂投 产 。 二 确
T 艺 的产 品 , 其 一 代 产 品功 耗 更 低 、 积更 小 。 较 体 凭 借该 款产 品 ,泰景 信息 科技 将继 续把 创新 和领 先
时 尚 的手机设 计 。
富士 通 微 电子
UB3OST S . - A A桥 接 芯 片 获得 认证 T M 取得 A M SC S L超 紫 外 光微 影 设 备
以研 发 新 世 代 工 艺
T MC 与 A ML公 司 共 同 宣 布 , S S S T MC将 取 得
A ML 公 司 T N C N N :10 一 超 紫 外 光 S WI S A XE3 0 富 士通 微 电子 ( 海 ) 限公 司 近 日宣 布 富 士 上 有 通 微 电 子 的 U B 3 一 A A桥 接 芯 片 已通 过 美 国 S . S T 0
生 产 3 0毫 米芯 片组 。据 悉 ,英 特尔 大连 芯 片厂 的 0
泰 景 推 出 第三 代 模 拟 移 动 电视 接 收 芯 片
日前 ,移动 电视 接收 芯片 提供 商泰 景信 息科 技 宣 布 ,该 公 司研 发 出 的第 二 代 模 拟 移 动 电视 接 收 C S 芯 片 T G1 2 是 泰 景第 一 款 基 于 6 MO 单 L 1 1 5纳 米
财经快报
环球科技
中国: 新 超 级计算 机短 期 运算 速度 全 球无 敌
据 1 月1 “ 河 一 号 ” 工 程 办公 室 主 任 李 楠 介 绍 , 日 天 1 经过技 术 升级 之 后 ,我 国首 台千 万亿 次超 级 计算 机 “ 河 天 号 ”二 期 系统性 能 实现 飞 跃 ,以每 秒 4 0 万亿 次 的峰 值 70
机 库 组 成 。首 趟 商 业 航 天
这 一 桩 ,还 有 不少 收 购 及 投 资 项 目 ,如
收 购 Mc fe A e、英 飞 凌 无线 部 门 ,向手 机 游 戏平 台Op n e t 资3 0 eF i  ̄ n 0 万美 元等 。
麦考林首 日上 市涨幅达5 % 7
1 月2 曰,据 国外媒 体报 道 ,中国 女性 服装 网 站麦 考林 于 O 7 美 国 当地 时 间 周 二 登 陆纳 斯 达 克股 市 。该股 上市 首 日走 势 强 劲 ,报 收于 1 . 美 元 ,同1 美 元发 行价 相比 涨幅 高达5 .% 72 6 1 6 。 9
飞 行 有 望 在 1个 月 之 内 , 8 即 最晚 于2 1 年 实现 。 02
虽然 麦 考林 自有 品牌 利润 率较 高 ,但该 公 司一 直致 力于 在 其 网站 B入 更 多 第三 方 品 牌 。 l 这样 做 的 目的 是 希望 将 其 网 站 打 造成 中国 时 尚 门户 网站 。有
电脑 上 。
套 ” 的捕 碳材 料 如何 捕 捉 二 氧 化 碳 分 子 进 行 了 观 察 和 分 析 。科 学家 认为 ,该 项 成果 为设 计 定制 一 种高 效 率 、低能 耗 的捕 碳新 材料 指 明了 研究 方 向 ,并提 供 了实 验方 法和 计
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英特尔大连芯片厂今日落成投产
10月26日上午消息,芯片巨头英特尔公司在中国的首个晶圆制造工厂今天在大连正式落成。
大连芯片厂投资25亿美元,是英特尔在亚洲的第一
个晶圆制造工厂。
新工厂将首先采用65纳米制程技术。
亚洲首个英特尔晶圆制造工厂
英特尔大连芯片厂(Fab68)是英特尔1992年在爱尔兰建立F10晶圆厂后,新建的第一座晶圆厂,也是英特尔在亚洲的第一个晶圆制造工厂,在全球则是英特尔第八家300毫米晶圆厂。
该工厂建设历时3年多。
2007年3月,英特尔宣布投资25亿美元在大连建立一个生产300毫米的晶圆厂,并于2007年9月破土动工。
据悉,为保证顺利投产,英特尔选派了300多名员工到美国和爱尔兰接受了专业培训,也派了200多名外籍员工来中国工作,还选派了50多位专家
到大连培训员工。
该厂总使用面积达到16.3万平方米,大约是23个足球场的面积。
投产后,工厂将首先生产芯片组产品,支持从笔记本电脑,高性能台式机到基于英特尔至强处理器的服务器等各种产品。
从90纳米到65纳米
据悉,大连新工厂将首先采用65纳米制程技术。
英特尔在2007年宣布投建时,最初承诺的是采用90纳米制程。
因为美国高科技投资有关政策要求,国外技术投资必须落后于美国本土两代工艺。
当时英特尔的制程工艺为45纳米,其后两代分别是65纳米和90纳米。
随着英特尔Tick-Tock(钟摆)模式的技术演进,英特尔随后进入32纳米制程工艺。
2009年6月,英特尔宣布大连芯片厂将采用65纳米制造工艺代替。