太阳能电池片生产工艺简介解读
太阳能电池片生产工艺流程
四、生产工艺介绍
晶体硅太阳能电池工艺流程如下：
生产工艺---清洗和表面腐蚀
生产工艺---制绒
表面绒面化
由于硅片用P型（100）硅片， 可利用氢氧化钠溶液对单晶硅 片进行各向异性腐蚀的特点来 制备绒面。当各向异性因子 >10时（所谓各向异性因子就 是（100）面与（111）面单晶 硅腐蚀速率之比），可以得到 整齐均匀的金字塔形的角锥体 组成的绒面。绒面具有受光面 积大，反射率低的特点。可提 高单晶硅太阳电池的短路电流， 从而提高太阳电池的光电转换 效率。
生产工艺---制备电极（1）
生产工艺---制背电极（2）
生产工艺---背表面钝化
五、生产设备—清洗设备
生产设备—扩散炉
生产设备—刻蚀
生产设备—PECVD
生产设备—测试仪
生产设备—烘干炉
号
房间名称
A201-1 A202-1 A203-1 A204-1 A205-1 A206-1
PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜, 同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅 片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批 量生产高效多晶硅太阳电池,为上世纪末多晶硅太 阳电池的产量超过单晶硅太阳电池立下汗马功劳 。随着PECVD在多晶硅太阳电池成功,引起人们 将PECVD用于单晶硅太阳电池作表面钝化的愿望 。
单晶硅的制绒工艺：是通过NaOH和乙醇反应，在硅片上形成减反 织构，增强电池对光线的吸收能力。
多晶硅的制绒工艺：是加入铬酸和氢氟酸，利用铬酸的强氧化性将 切割后硅片上的污物清除，并产生SiO2和C2O3，达到在硅片上形 成减反织构的目的。
丝网印刷：银浆或银铝浆等导电材料印刷在硅片上，作为太阳能电 池电子导通的主要通道。
太阳能电池片的生产工艺流程
太阳能电池片的生产工艺流程
以太阳能电池片是一种将太阳能转化为电能的设备，它是太阳能发电系统的核心部件。
太阳能电池片的生产工艺流程主要包括硅片生产、晶体生长、切片、清洗、扩散、腐蚀、金属化、测试等环节。
硅片生产是太阳能电池片生产的第一步，它是将硅矿石经过多道工序加工而成的。
硅片生产的主要工艺包括矿石选矿、冶炼、精炼、晶体生长等环节。
其中，晶体生长是硅片生产的核心环节，它是将高纯度硅熔体通过晶体生长炉中的晶体种子生长成大晶体的过程。
晶体生长完成后，需要将大晶体切割成薄片，这个过程称为切片。
切片的目的是将大晶体切割成薄片，以便后续的加工。
切片完成后，需要对硅片进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
清洗完成后，需要对硅片进行扩散。
扩散是将掺杂物（如磷、硼等）通过高温处理，将其扩散到硅片表面的过程。
扩散完成后，需要对硅片进行腐蚀，以去除扩散过程中产生的氧化物和杂质。
腐蚀完成后，需要对硅片进行金属化。
金属化是将金属电极（如铝、银等）通过高温处理，将其与硅片表面结合的过程。
金属化完成后，需要对太阳能电池片进行测试，以确保其性能符合要求。
太阳能电池片的生产工艺流程是一个复杂的过程，需要经过多道工序加工而成。
随着太阳能技术的不断发展，太阳能电池片的生产工
艺也在不断改进和完善，以提高太阳能电池片的转换效率和降低成本，为太阳能发电系统的普及和应用提供更好的支持。
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测太阳能电池片的生产工艺流程一般包括硅片铸锭、硅片切割、硅片抛光、硅片清洗、P/N接面、清雾测试、电池片腐蚀、N接面增粗、金属化、设计衬底、背面电极印刷、烧结与退火、清洗与测试、切割、封装等步骤。
下面将对这些步骤进行详细介绍。
硅片铸锭是太阳能电池片生产的第一步。
在这一步骤中，通过将高纯度的硅溶解在熔融的硅中，然后将溶液浇入铸锭模具中，冷却凝固形成硅铸锭。
硅铸锭的质量和纯度会直接影响到后续工艺的效果。
硅片切割是将硅铸锭切割成薄片的过程，主要应用的是线切割技术或者砂轮切割技术。
切割后的硅片会形成所需尺寸的方形或圆形硅片。
硅片抛光是将硅片表面进行抛光处理，以去除切割过程中产生的划痕和不规则表面，提高硅片的光反射性能。
硅片清洗是在硅片抛光后对硅片进行清洁处理，以去除表面的油污和杂质。
P/N接面是将P型硅片和N型硅片连接起来的过程。
这一步骤是太阳能电池片中最关键的一步，它将决定电池片的能量转化效率。
通常采用的方法是将磷加工成磷酸，然后将其涂覆在P型硅片上，再通过将N型硅片压在P型硅片上，使得P和N接触并形成P/N结。
清雾测试是将已经形成P/N结的硅片放入高湿环境下进行测试，以检测硅片在高湿环境中的性能和可靠性。
电池片腐蚀是在清雾测试后对硅片进行化学腐蚀处理，以去除P型硅片表面的氧化层和形成纳米级的柱状结构，以提高硅片的光吸收性能。
N接面增粗是在电池片腐蚀后对N型硅片进行增粗处理，以增加硅片的表面积和提高电流收集能力。
金属化是在硅片表面沉积金属膜，以形成电池片的正、负极。
通常采用的方法是通过化学还原法或物理气相沉积法，在硅片表面沉积金属膜。
设计衬底是在金属化过程中使用的基板，用于支撑电池片，并提供电子的导电通道。
常见的材料有玻璃、不锈钢等。
背面电极印刷是在电池片的背面印刷导电层，以形成电极，提供电流收集的通道。
通常采用的方法是在硅片背面涂覆导电胶体，然后通过丝网印刷的方式进行印刷。
太阳能电池片工艺流程及原理
太阳能电池片工艺流程及原理一、简介太阳能电池片，作为太阳能光伏发电系统的核心组成部分，能够将太阳能转换为直流电能。
其工艺流程涉及多个复杂步骤，每个步骤都对最终的性能和效率有着重要影响。
了解太阳能电池片的工艺流程及工作原理，有助于更好地优化生产过程，提高光电转换效率。
二、太阳能电池片工艺流程1.硅片准备：首先，通过切割硅锭得到硅片，并进行清洗，去除表面的杂质和尘埃。
硅片的品质和厚度对电池片的性能有着至关重要的影响。
2.磷掺杂：在硅片上施加磷元素，通过扩散技术将磷元素掺入硅片中，形成n型半导体。
磷的掺杂浓度决定了电池片的导电性能。
3.镀膜：在硅片表面镀上一层减反射膜，以减少表面反射，提高光吸收效率。
常用的减反射膜材料包括二氧化硅和氮化硅。
4.印刷电极：使用丝网印刷技术在硅片背面印刷电极，并烘干。
电极的形状和尺寸影响电池片的电流收集能力。
5.烧结：通过高温烧结使电极材料与硅片紧密结合，提高电极的导电性能。
6.测试和分选：对电池片进行电性能测试，并根据测试结果进行分选。
合格的电池片进入下一道工序，不合格的则进行回收处理。
7.包装：将合格的电池片进行包装，以保护其在运输和存储过程中的性能。
包装材料一般选用防潮、防震的材料。
三、工作原理太阳能电池片的工作原理基于光伏效应，即光子照射到半导体材料上时，光子能量使电子从束缚状态进入自由状态，从而产生电流。
具体来说，当太阳光照射到硅片上时，光子能量激发硅中的电子，使电子从价带跃迁到导带，从而在价带和导带之间产生电子-空穴对。
在电场的作用下，电子和空穴分别向电池片的负极和正极移动，形成光生电流。
此时，如果将电池片的正负极短路，则会有电流流过电路，从而实现光电转换。
四、发展趋势随着技术的不断进步和应用需求的增长，太阳能电池片的发展趋势主要体现在以下几个方面：1.高效率：通过改进生产工艺、研发新型材料和优化电池结构，不断提高太阳能电池的光电转换效率，以满足日益增长的能源需求。
电池片工艺流程
电池片工艺流程
电池片工艺流程是指太阳能电池的制造过程，主要包括硅片制备、铝化膜、铝电极、N型掺杂、P型掺杂、金属化和制品检验等环节。
下面将详细介绍电池片工艺流程。
硅片制备是电池片制造的第一步。
先将硅棒放入电炉进行高温熔化，然后从熔融的硅池中拉扯出硅棒，再用电锯将硅棒切割成薄片，形成硅片。
铝化膜是指在硅片表面形成一层氧化铝薄膜，用于提高光电转换效率。
首先，将硅片放入酸性溶液中进行清洗；然后，将硅片在氟酸溶液中进行蚀刻，去除氧化层；最后，将硅片浸泡在氧化铝溶液中，在表面形成一层薄膜。
铝电极是电池片上的电极，用于将太阳能转化为电能。
通过在硅片表面涂覆一层铝粉末，并进行高温烧结，将铝粉末固定在硅片上，形成铝电极。
N型掺杂和P型掺杂是为了改变硅片材料的电性质，使其在光照下产生电荷。
通过在硅片表面喷射掺杂源，如硫酸或磷酸，然后进行高温退火处理，使掺杂源扩散到硅片内部，形成N 型和P型区域。
金属化是为了使电流能够从硅片中流出，通过在硅片上涂覆一层金属化膜，如银膏或铝膏，并进行高温烧结，将金属固定在硅片上，形成金属接触电极。
制品检验是在制程中和制程结束后对电池片进行检验和测试，以确保其质量和性能。
主要包括外观检查、光感度测量、电流电压特性测试等。
总结起来，电池片工艺流程是一个复杂而精细的制造过程，涉及到多个步骤和工艺。
这些工艺通过将硅片制备、铝化膜、铝电极、N型掺杂、P型掺杂、金属化和制品检验等环节结合在一起，最终形成高效的太阳能电池片，为太阳能发电提供了可靠的技术支持。
太阳能电池片生产制造工艺
太阳能电池（硅片）的生产工艺原理太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。
具体介绍如下：一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
太阳能电池片生产工艺
太阳能电池片生产工艺以太阳能电池片生产工艺为标题，我们来探讨一下太阳能电池片的制造过程。
太阳能电池片是太阳能光伏发电系统的核心组成部分，它能将太阳光能转化为电能。
太阳能电池片的制造工艺主要包括晶体硅的制备、电池片的制备以及电池片的封装三个步骤。
晶体硅的制备是太阳能电池片生产的第一步。
晶体硅是太阳能电池片的主要材料，它可以通过多种方法制备。
其中最常用的方法是通过化学气相沉积法制备单晶硅。
这种方法主要是将硅源气体（如三氯硅）在高温下分解，生成单晶硅。
另外，还可以通过多晶硅的溶液法、多晶硅的熔融法等方法制备晶体硅。
接下来是电池片的制备过程。
首先，将制备好的晶体硅切割成薄片，然后在薄片表面进行蚀刻处理，形成PN结。
蚀刻处理是通过在硅片表面涂覆一层光刻胶，然后使用光掩膜和紫外线照射的方法来实现的。
在蚀刻过程中，只有光刻胶覆盖的区域会被蚀刻掉，形成PN结。
接着，将蚀刻过的硅片进行扩散处理，使得PN结中的硼和磷原子扩散到硅片的表面，形成P型和N型硅片。
最后，将P型和N型硅片叠加在一起，并进行金属导线的连接，形成太阳能电池片。
最后是电池片的封装过程。
电池片封装主要是为了保护电池片，并将多个电池片组装成太阳能电池板。
首先，将电池片放置在透明的玻璃或塑料基板上，然后使用导电胶水将电池片固定在基板上。
接着，将多个电池片串联或并联，形成太阳能电池板。
最后，使用胶水或密封胶将电池板与框架固定在一起，并进行防水处理，以确保电池板的稳定性和耐用性。
总结一下，太阳能电池片的生产工艺包括晶体硅的制备、电池片的制备以及电池片的封装三个步骤。
这些步骤都是非常关键的，每个步骤都需要严格控制工艺参数，以确保太阳能电池片的质量和性能。
通过不断改进工艺技术，提高生产效率和降低生产成本，太阳能电池片的生产工艺将会得到进一步的发展和完善。
太阳能电池生产工艺原理
太阳能电池生产工艺原理太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的装置，其中的关键元件是太阳能电池片。
太阳能电池片是通过特殊的工艺流程和原材料制造而成，本文将介绍太阳能电池片的生产工艺原理。
1. 太阳能电池片的组成太阳能电池片通常由多个层次的材料组成，包括：•表面保护层：用于保护电池片免受外界环境的损害。
•正极层：接收太阳能并进行光电转换的层次。
•负极层：为电池提供电子流动的导电层。
•背电极层：接受电子流动的层次。
•P-N 结构层：将光能转化为电能的关键组成部分。
2. 大致的制造工艺流程太阳能电池片的制造工艺可简单概括为以下几个步骤：2.1 材料准备制造太阳能电池片前，需要准备各种材料，包括：硅晶片、化学品、导电材料等。
这些材料需要经过严格的筛选和处理，以确保电池片的质量和性能。
2.2 清洗和切割硅晶片首先，需要对硅晶片进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
之后，将硅晶片切割成合适的尺寸，用作太阳能电池片的基底。
2.3 表面处理对硅晶片的表面进行处理，以增加其光吸收能力和光电转换效率。
常见的处理方法包括：化学溶液处理、氧化处理、抛光处理等。
2.4 涂层将各层次的材料涂敷在硅晶片的表面，依次形成保护层、正极层、负极层等。
这些材料需要具有良好的导电性和光吸收性能。
2.5 制备 P-N 结构在正极层和负极层之间形成 P-N 结构，用于光能转化。
这个过程涉及到将一种材料偏向 P 型，而将另一种材料偏向 N 型。
2.6 电极制备制备电极，其中包括背电极和正极电极。
电极需要具有良好的导电性能，以便电子流动。
2.7 封装和测试最后，将制造好的太阳能电池片封装起来，以保护其免受外界环境的影响。
同时，对电池片进行测试，以确保其性能和质量满足要求。
结论太阳能电池片的生产工艺是一个复杂的流程，需要经过多个步骤和材料的处理。
通过合理的制造工艺和严格的质量控制，太阳能电池片可以具备较高的光电转换效率和稳定性，从而更好地发挥太阳能的利用价值。
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培训资料前道一制绒工艺制绒目的1•消除表面硅片有机物和金属杂质。
2.去处硅片表面机械损伤层。
3•在硅片表面形成表面组织，增加太阳光的吸收减少反射。
工艺流程来料，开盒，检查，装片，称重，配液加液，制绒，甩干，制绒后称重，绒面检查，流出。
单晶制绒1号机2号机基本原理1#超声去除有机物和表面机械损伤层。
目前采用柠檬酸超声，和双氧水与氨水混合超声。
3#4#5#6#制绒利用NaOH 溶液对单晶硅片进行各向异性腐蚀的特点来制备绒面。
当各向异性因子（（100）面与（111）面单晶硅腐蚀速率之比）=10 时，可以得到整齐均匀的金字塔形的角锥体组成的绒面。
绒面具有受光面积大，反射率低的特点。
可以提高单晶硅太阳能电池的短路电流，从而提高太阳能电池的光转换效率。
化学反应方程式：Si+2NaOH+H 2O=Nasio 3+2H 2 f影响因素1.温度温度过高，首先就是IPA 不好控制，温度一高，IPA 的挥发很快，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了PN 结的有效面积，反应加剧,还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加。
可控程度：调节机器的设置，可以很好的调节温度。
2.时间金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少数开始成长；金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较低的情况；金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下降。
可控程度：调节设备参数，可以精确的调节时间。
3.IPA1.协助氢气的释放。
2.减弱NaOH 溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。
纯NaOH 溶液在高温下对原子排列比较稀疏的100 晶面和比较致密的111 晶面破坏比较大，各个晶面被腐蚀而消融，IPA 明显减弱NaOH 的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向异性，有利于金字塔的成形。
乙醇含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱，各向异性因子又趋于1。
可控程度：根据首次配液的含量，及每次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不高。
4.NaOH 形成金字塔绒面。
NaOH 浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成核密度近似不受NaOH 浓度影响，碱溶液的腐蚀性随NaOH 浓度变化比较显著，浓度高的NaOH 溶液与硅反映的速度加快，再反应一段时间后，金字塔体积更大。
NaOH 浓度超过一定界限时，各向异性因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。
可控程度：与IPA 类似，控制精度不高。
5.Na 2SiO 3SI 和NaOH 反应生产的Na2SiO3 和加入的Na2SiO3 能起到缓冲剂的作用，使反应不至于很剧烈,变的平缓。
Na 2SiO 3使反应有了更多的起点，生长出的金字塔更均匀，更小一点Na2SiO3多的时候要及时的排掉，Na2SiO3 导热性差，会影响反应,溶液的粘稠度也增加，容易形成水纹、花蓝印和表面斑点。
可控程度：很难控制。
4#酸洗HCL 去除硅片表面的金属杂质盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与多种金属离子形成可溶与水的络合物。
6#酸洗HF 去除硅片表面氧化层，SiO2+6HF=H 2[siF6]+2H 2O。
控制点1．减薄量定义：硅片制绒前后的前后重量差。
控制范围单晶125,硅片厚度在200土25微米以上，减薄量在0.5 ± 0.2g；硅片厚度在200 ± 25微米以上，减薄量在0.4 ± 0.2g。
单晶156，首篮减薄量在0.7 土0.2g ;以后减薄量在0.6 土0.2g。
2.绒面判断标准：成核密度高，大小适当，均匀。
控制范围：单晶：金字塔尺寸3~10um。
3.外观无缺口，斑点，裂纹，切割线，戈U痕，凹坑，有无白斑，赃污。
异常处理在来料硅片P型硅片的基础上扩散一层N型磷源，形成PN结。
扩散原理P0CI3在高温下（＞600 C）分解生成五氯化磷（PC"）和五氧化二磷（P2O5）,其反应式如下：5POCI3 =3PCl5+P2O5生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下：2P2O5 + 5Si = 5SiO 2 + 4PPOCI3热分解时，如果没有外来的氧（。
2）参与其分解是不充分的，生成的PCI5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。
但在有外来O2存在的情况下，PCI5会进一步分解成P2O5并放出氯气（CI2）其反应式如下：4PCI5+5O2 =2P2O5+10CI 2生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCI3 充分的分解和避免PCI5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。
就这样POCI3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。
扩散类型1•恒定源扩散：在稳态扩散的条件下，单位时间内通过垂直于扩散方向的单位面积的扩散质量与该截面处的浓度梯度成正比。
2•限定源扩散：在再分布过程中，扩散是在限定源的条件下进有的，整个扩散过程的杂质源，限定于扩散前积累在硅片表面的无限薄层内的杂质总量，没有外来杂质补充即在硅片表面处的杂质流密度。
车间使用的是两步扩散：预淀积+扩散。
预扩散是恒定源扩散，主要是使得硅片表面气体浓度一致，保持整批方块电阻是均匀性。
主扩散是限定源扩散，并且在主扩散后通入大氮气体，作为推进气体，加大PN结深度。
工艺流程TempressStep No.Step Name Message说明0 Load/Uni oad Sta nd By 等待并准备开始，温度为Temp.NormaIRecipe:0，舟的位置在起点，只通大N21 Load In Boat In 进舟2 PaddIe Out Boat Out 出浆3 Recovery StabiIize 升高温度，等待温度达到扩散温度4 StabiIize StabiIize 稳定温度5 Prepurge Prepurge 预扩散，大N2流量增加，通小N2和。
26 POCL3 Dep Depositi on 扩散7 Postpurge Postpurge 再分布8 CooI dow n CooI dow n 冷却，温度为Temp.NormaI Recipe:0，只通大29 PaddIe In Boat In 进浆10 Load Boat Boat Out 出舟11 Retur n Load/Unioad返回Step 0,等待开始影响因素1•温度温度T 越高，扩散系数 D 越大，扩散速度越快。
2时间对于恒定源：时间t 越长结深越深，但表面浓度不变。
对于限定源：时间t 越长结深越深，表面浓度越小。
3•浓度决定浓度是因素：氮气流量、源温。
表面浓度越大，扩散速度越快。
4•第三组元主要是掺硼量对扩散的影响，杂质增强扩散机制。
在二元合金中加入第三元素时， 扩散系数也会发生变化。
掺硼量越大，扩散速率越快。
即电阻率越小，越容易扩散。
控制点方块电阻，外观，单片均匀性，整管均匀性。
方块电阻：表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。
R=电阻率*L/S,对方块硅片，长度等于宽度，则 R=电阻率/厚度，方块电阻〜(1/ Ns*Xj) Ns ：电化学浓度，Xj : 扩散结深。
控制范围中心方块电阻：单晶：42~48。
同一硅片扩散方块电阻中心值不均匀度：小于等于 12% (48) 10% ( T )。
同一炉扩散方块电阻中心值不均匀度：小于等于25% (48) 15% (T )。
所扩散过程中问题解决方案rH. 口、步号时间Zonel Zone2 Zone3 小％ 大％干02说明1 540 850 840 840 0 25000 0 进舟，准备并升温，此 时只通大N 22 600 890 880 880 0 25000 0 将温度升到扩散的要 求，只通大N 23 600 890 880 880 1200 32000 2200 预扩散，小量小N 2和干02,大N 2流量增加4 700 890 880 880 0 25000 1000 将源气体反应完全，只 通干大N 2和O 251200890 880 880 150032000 2500扩散再分布，通足量的 大N 2, 小 N 2和干O 2 6 1200 850 840 840 0 25000 1000同步47 300 850 850 850250000 降低温度，此时只通大N 2854085085085025000出舟并等待开始Critical Stop Sta ndBy 48所 __________________________________________________________________________________________________________12紧急停止跳步程序扩散过程中问题解决方案方块电阻不在规定范围内：1•轻微超出范围要求重新扩散，严重超出要求重新制绒。
2•低于范围要求从新制绒。
氧化发蓝：去PSG工序，反面扩散。
色斑等由硅片表面问题引起的玷污：去PSG后从新制绒。
偏磷酸：去PSG后，重新制绒。
三刻蚀工艺刻蚀目的将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免PN结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理采用干法刻蚀。
采用高频辉光放电反应，采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四氟化硅而被去除。
化学公式：CF4+SIO2=SIF4+CO 2工艺流程预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽，充气。
影响因素1.射频功率射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。
在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。
2时间刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净，PN结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4.压力压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。
注意事项1.操作人员必须随时观察气流量、反射功率、反应室压力和辉光颜色的稳定性。
辉光颜色或功率如有异常，应及时报告相关设备人员。
必须抽测刻蚀效果，如有异常，重新刻蚀，并通知工艺人员。
注意，不能将扩散面弄混。
2.夹具、环氧板、刻蚀机石英罩等要定期清洗，保持刻蚀间的工艺卫生，长时间停止使用，再次使用之前必须辉光清洗。
去磷硅玻璃扩散过程中，POC13分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子，这一含有磷原子的二氧化硅层称之为磷硅玻璃。