介电常数和介质损耗角正切讲解

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最新介电常数和介质损耗角正切

最新介电常数和介质损耗角正切
0. 001 <0. 005 0.040.08(1016Hz) 0. 01 0. 014 0.021 0.005 0.006 0. 0002 0.01-0.006 0.004
其它电性能指标
• 相比漏电起痕指数(CTI) 材料表面能经受住50滴电解液而没有形成漏电痕迹的最高 电压值,以伏(v)为单位。
26-28
30 24 15-25 22 15-19
18-6 17-22 25-40 16-2Hz) 2.5(1016Hz) 3.2-3.6(1016Hz) 4.1 4.0 3.4 3.7 3.0 2.0-2.2 2.9-3.1 2.2
<0. 05
(2) 温度
影响因素
(3)测试电压
板状试样:电压2KV影响不大,过高则增加附加损耗. 薄膜:电压低于500V.过大使tgδ明显增加. (4) 测试用接触电极 高频下,电极的附加损耗变大,因而电极材料本身的电阻一定要小.
高聚物
ρv体积电阻率 (.m)
高聚物的介电性能
击穿强度 (MV/m)
介电常数和介质损耗角正切
介电常数和介质损耗角正切
在电场作用下,能产生极化的一切物质又被称之为电介质。电 介质在电子工业中用来做集成电路的基板、电容器等。如果将一 块电介质放入一平行电场中,则可发现在介质表面感应出了电荷, 即正极板附近的电介质感应出了负电荷,负极板附近的介质表面 感应出正电荷。这种电介质在电场作用下产生感生电荷的现象, 称之为电介质的极化。 感应电荷产生的原因在于介质内部质点 (原子、分子、离子)在电场作用下正负电荷重心的分离,变成了偶 极子。不同的偶极子有不同的电偶极矩,电偶极矩的方向与外电 场方向一致。
不允许的。因而试验时,电极和样品系统放在一个密封罩内进行.

介质损耗角正切值

介质损耗角正切值

介质损耗角正切值
介质损耗角正切就是对电介质施加交流电压,介质内部流过的电流向量与电压向量之间的夹角的余角的正切值,表征了每个周期内介质损耗能量与每个周期内介质储存的能
量之比。

介电常数即:以绝缘材料为介质与以真空为介质制成同尺寸电容器的电容量之比。

表示在单位电场中,单位体积内积蓄的静电能量的大小,表征电介质极化并储存电荷的能力,是一个宏观量。

介质损耗置于交流电场当中的介质,以内部发热(温度升高)形式表现出来的能量损耗。

绝缘的介质损失角正切值tanδ可以用来反映介质损耗的大小。

从介质损耗这一角度看,要求它的tanδ值越小越好。

当绝缘受潮、老化时,通过电阻的有功电流I R将增大,测量tanδ可以反映出整个绝缘的分布性缺陷。

如果缺陷是集中性的,此时测量tanδ就不很灵敏。

对电气设备进行tanδ试验是基于视被试品为电容和电阻的并联等值电路,利用交流电桥平衡原理,用电桥臂中的已知电容和电阻来求出被试品的tanδ和电容C x。

介电常数和介质损耗角正切-PPT课件

介电常数和介质损耗角正切-PPT课件
• 试样应水平放置在支撑板上,按图将电极装好,并施加1N的 压力,用量规检查两电极间的距离为4.0土0.1mm。先对两电极 加25v倍数的适当电压,调整可变电阻,使电极短路电流为1.0+0.1 A。在两电极供电下,以30+5s的时间间隔下将电解液液滴滴入 两电极间的试样上,直到试样发生破坏或滴下50滴为止。 • 试样发生以下两种情况之一视为破坏: (1)试样表面两电极间的导电通路电流达0.5A以上,且过流继电 器延时2s发生动作; (2)虽过流继电器未发生动作,但试样燃烧了
材料极化
四、介电常数和介质损耗角正切
基本概念:
• 介电常数:以绝缘材料为介质与以真空为介质制成同尺寸电 容器的电容量之比值。 表示在单位电场中,单位体积内积蓄的静电能量的大小。是 表征电介质极化并储存电荷的能力,是个宏观物理量。 • 介质损耗 置于交流电场中的介质,以内部发热(温度升高)形 式表现出来的能量损耗。
介电性的应用
tg 大,损耗大,材料发热。 • 电容介质 大,tg 小
作绝缘材料或电容器材料的高聚物,介电损耗越小越好
航空航天材料 小,tg 大,静电小 • 高频焊接:薄膜封口,tg 大

需要通过高频加热进行干燥,模塑或对塑料进行高频焊接时,要求 高不用PVC (极性)
影响因素
(1)试样表面状态 表面应清洁,无灰尘、脏物、指印、油脂、脱模剂或 其他影响结果的污物。表面污染极易使电极间的试样产生漏痕,因此试 验前应对试样表面进行清洁处理。 (2)试验点间距选择 如果在同一片试样上做多点试验,则应注意试验点之 间要有足够的距离。该间距的大小应选在前一次试验后飞溅出的污物所 污染的部分以外,否则使结果发生偏差。 (3)环境条件的影响 除保持温度在23±1℃条件下试验外,还应注意周 围的空气尽量不要流动。空气的流动导致液滴落点的偏离,这是试验所 不允许的。因而试验时,电极和样品系统放在一个密封罩内进行.

介质损耗怎样计算_介质损耗计算公式

介质损耗怎样计算_介质损耗计算公式

介质损耗怎样计算_介质损耗计算公式介质损耗是指电磁波在介质中传播时产生的能量损耗。

介质损耗的计算方法主要有两种:基于电导率的计算方法和基于介电常数和磁导率的计算方法。

1.基于电导率的计算方法:介质的电导率表示了介质中导电性能的好坏程度。

通常情况下,电导率与介质的材料成分和温度有关。

计算介质的电导率可以通过测量介质的电阻率来获得,然后通过以下公式计算介质的电导率G:G=1/ρ其中,G为电导率,ρ为电阻率。

介质的损耗角正切(tanδ)是电导率的另一种表示形式,可以通过以下公式计算:tanδ = G / (ωε)其中,tanδ为损耗角正切,ω为角频率,ε为介质的介电常数。

2.基于介电常数和磁导率的计算方法:介电常数(ε)和磁导率(μ)是电磁波在介质中传播的重要参数。

它们决定了电磁波的相对传播速度和传播路径中的能量损耗。

计算介质的介电常数和磁导率可以通过实验测量得到,然后通过以下公式计算介质损耗:损耗密度(P)=ωε''E^2+ωμ''H^2其中,损耗密度表示单位体积内的能量损耗,ω为角频率,ε''和μ''为介质的虚部介电常数和虚部磁导率,E为电场强度,H为磁场强度。

衰减常数(α)表示单位长度内的能量损耗,可通过以下公式计算:α=2π/λ*√(ε''/2+μ''/2)其中,λ为波长。

总体上说,介质损耗的计算公式与介质的材料性质和测量方法密切相关。

在进行介质损耗的计算时,需要根据具体情况选择合适的计算方法和公式。

同时,需要注意实际测量过程中的误差和实验条件对计算结果的影响。

介电常数和介质损耗角正切讲解

介电常数和介质损耗角正切讲解

在电场作用下,能产生极化的一切输质又放称之为电介质. 电金质在电子工业中用来做集成电路的基板、电容器宇.如果将一*电介质放入一平行电场需则可发现在介痕表面点应出了电荷.即正极板附近的电介质感应出了负电荷,贲极板附近的介质莫面感应出正电荷.这种电介廈在电场程用下产生不生电荷的现篆,称之为电介质的极化. 虜应电荷〉生的長因玉于介质内部质点(原子、分子.离子)在电场作用下正%电需重心的分& 隻蔑了偶极子.不同的偶极子有不同的电偶菽矩,电偶极矩的方向与外电场方向一致.材料极化(a) (b)基本■念:•介电常数:以绝缘材料为介应与以真空为介质制成同尺寸电容器的电容童之比值.表示在单位电场中,单位体积内积蓄的静电能量的大小. 是表征电介质极化并储存电荷的能力,是个宏观物•介质损耗置于交流电场中的介质.以内部发热(温度升高)形式表现出来的能童损耗・釜本概念:•介质损耗角对电介质施加交流电压.介质内部流过的电流相量与电压相量之间的央角的余角••介质损耗角正切对电介质施以正孩波电压,外施电压与相同频率的电流之间相角的余角6的正切值一其物理龙义是:毎个周期内介质损耗的能址 '"一每个周期内介质储存的能量一些材料的£数值:石美一3.8:纶塚肉克一6・0:耐热玻璃 3.8 - 3.9; 纸一:0PE —2.3: PVC — 3.8有机玻璃一2. 63高分子材料的£由主链结构中的皱的性能和排列所决定。

韭极性材耕的极化程度小£ Qtg8耶较小.•极性取代基团部响史大•其敦目越$・E *>电6越大介电性的应用M山=细电8大,损耗大,材料发热。

・电容介质£大,tg8小作绝缘材料或电容器材料的高聚物,介电損耗越小越好*航空航天材料£小,tgS大,静电小・高频坪接:薄膜封口,tg8大需要通过高频加热进行干燥,模塑或对室#1■进行高频焊接时,要求拓象物的介电損枪电大越好.・高频电缆一用PE(非极性)而不用PVC (极性)I山h編影响因亲(1)湿度材料的极性熄强受3L度的衫响越明显.主要原因是高混的作用.使水分子扩散到高分子的分子间,使其极性增加;同时,潮湿的空气作用于塑料表面,几乎是在几分钟內就使介质表面形成一个水膜层,它具有离子性质,增加表面电导•因此■材料的介电常数£和介质损耗角正切tg 6都随之增加.343~~353 363~~373温度/K⑶测试电压板状试样:电压2切彩响不大,过高则增加附加損耗. 薄膜:电压低于500V.过大使tg 6明显增加. (4)测试用接越电极高频下,电极的附加损耗变大,因而电极材料本身的电阻一定要小.O60HzO 1000HzO・71高聚物的介电性囱聚物P,体积电阻率(Q.m)击穿强度(MV/m)介电常数<60Hz)介电损耗角正 切值< 60Hz)聚乙烯 (高密度) I0'4 26-28 2.2-2.4(IO 16Hz) <0. 05 聚丙烯 >10«4 30 2.0-2.61 IO l6Hz) 0.001 聚苯乙烯 1O U24 2.5(1016Hz) <0. 005 聚氯乙烯 10,2-1015 15-253・2・3・6HO 叫0.04-尼龙6 10210 竹 224」 0.08( 10l$Hz) 尼龙6610门 g|OI6 15-19 4.0 3.4 0.01 0. 01410门 18-6 3.7 0.021 聚碳酸甬 10" 17-22 3.0 0.005 翠四氛乙烯10怡 25-40 2.O-2.2 0.0061014 16-20 2.93.10. 0002 10n202.20.01-0.006 0.004其它电性能指标・相比漏电起痕指数(5)材料表面能经受住50滴电解液而没有形成漏电痕迹的最高 电压值,以伏(V)为单位。

介电常数和介质损

介电常数和介质损

不允许的。因而试验时,电极和样品系统放在一个密封罩内进行.
介电常数和介质损耗角正切
介电常数和介质损耗角正切
在电场作用下,能产生极化的一切物质又被称之为电介质。电介 质在电子工业中用来做集成电路的基板、电容器等。如果将一块 电介质放入一平行电场中,则可发现在介质表面感应出了电荷, 即正极板附近的电介质感应出了负电荷,负极板附近的介质表面 感应出正电荷。这种电介质在电场作用下产生感生电荷的现象, 称之为电介质的极化。 感应电荷产生的原因在于介质内部质点 (原子、分子、离子)在电场作用下正负电荷重心的分离,变成了偶 极子。不同的偶极子有不同的电偶极矩,电偶极矩的方向与外电 场方向一致。
高分子材料的ε由主链结构中的键的性能和排列所决定。
• 分子结构极性越强, ε和tg越大. 非极性材料的极化程度小,ε和tg都较小.
• 极性取代基团影响更大,其数目越多, ε和tg越大
介电性的应用
tg 大,损耗大,材料发热。 • 电容介质 大,tg 小
作绝缘材料或电容器材料的高聚物,介电损耗越小越好
• 试样发生以下两种情况之一视为破坏: (1)试样表面两电极间的导电通路电流达0.5A以上,且过流继电 器延时2s发生动作; (2)虽过流继电器未发生动作,但试样燃烧了
影响因素
(1)试样表面状态 表面应清洁,无灰尘、脏物、指印、油脂、脱模剂或
其他影响结果的污物。表面污染极易使电极间的试样产生漏痕,因此试
验前应对试样表面进行清洁处理。
(2)试验点间距选择 如果在同一片试样上做多点试验,则应注意试验点之
间要有足够的距离。该间距的大小应选在前一次试验后飞溅出的污物所
污染的部分以外,否则使结果发生偏差。
(3)环境条件的影响
除保持温度在23±1℃条件下试验外,还应注意周

常用绝缘材料的电性能

常用绝缘材料的电性能

常用绝缘材料的电性能1.介电常数介电常数是绝缘材料表征其存储能力的重要参数。

它是绝缘材料中电场与介质中本身极化所产生的电场之比。

介质的介电常数一般大于真空介电常数1,在绝缘应用中,常用绝缘材料的介电常数通常在2到15之间。

较高的介电常数意味着绝缘材料可以存储更多的电荷,具有较高的电容性能。

在常用绝缘材料中,空气的介电常数接近于真空的介电常数,约为1、聚乙烯的介电常数约为2.2,聚氯乙烯的介电常数约为3,聚酰亚胺的介电常数约为3.4,云母的介电常数约为6-7,而玻璃的介电常数较高,通常达到9-112.介质损耗角正切介质损耗角正切是绝缘材料中电能转换为热能损耗的参数。

它与介质的损耗性能密切相关。

较低的损耗角正切表示绝缘材料更能有效地存储电能而不产生大量的热能损耗。

在常用绝缘材料中,空气和聚乙烯的损耗角正切非常低,常常小于0.0001、而聚氯乙烯的损耗角正切较高,一般在0.01左右。

聚酰亚胺的损耗角正切约为0.006,云母的损耗角正切为0.002-0.007,玻璃的损耗角正切在0.001-0.01范围内。

3.绝缘电阻绝缘电阻是衡量绝缘材料导电性能的参数。

它表示绝缘材料对电流的阻碍能力,越高则表示绝缘材料的导电性能越差。

常见绝缘材料的绝缘电阻在不同条件下可能有所不同。

例如,在标准温度和湿度条件下,聚氯乙烯的绝缘电阻通常在10^12 Ω·cm以上,聚酰亚胺的绝缘电阻可达10^14 Ω·cm,而云母的绝缘电阻通常在10^12-10^15 Ω·cm范围内。

4.耐电压耐电压是指绝缘材料能够承受的最大电压,它衡量了绝缘材料对电压的耐受能力。

高耐电压意味着绝缘材料能在高电场强度下仍能保持绝缘状态。

综上所述,介电常数、介质损耗角正切、绝缘电阻和耐电压是常用绝缘材料的主要电性能指标。

不同绝缘材料在这些指标上存在差异,需根据具体应用需求选择合适的材料。

介电常数和介质损耗角正切PPT教案

介电常数和介质损耗角正切PPT教案

影响因素
(1)湿度 材料的极性越强受湿度的影响越
明显。主要原因是高湿的作用,使水分子扩散到高分 子的分子间,使其极性增加;同时,潮湿的空气作用 于塑料表面,几乎是在几分钟内就使介质表面形成一 个水膜层,它具有离子性质,增加表面电导. 因此,材料
和 的介电常数 介质损耗角正切tgδ都随之增加.
试样的状态调节和测试都应在标准环境.
(2)试验点间距选择 如果在同一片试样上做多点试验,则应注意试验点 之间要有足够的距离。该间距的大小应选在前一次试验后飞溅出的污 物所污染的部分以外,否则使结果发生偏差。
(3)环境条件的影响 除保持温度在23±1℃条件下试验外,还应注意 周围的空气尽量不要流动。空气的流动导致液滴落点的偏离,这是试 验所不允许的。因而试验时,电极和样品系统放在一个密封罩内进行.
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(2) 温度
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影响因素
(3)测试电压
板状试样:电压2KV影响不大,过高则增加附加损耗. 薄膜:电压低于500V.过大使tgδ明显增加. (4) 测试用接触电极 高频下,电极的附加损耗变大,因而电极材料本身的电阻一定要小.
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高 聚 物 的 介 电性能
高聚物
26-28
30 24 15-25 22 15-19
18-6 17-22 25-40 16-20 20
2.2-2.4(1016Hz)
2.0-2.6(1016Hz) 2.5(1016Hz) 3.2-3.6(1016Hz) 4.1 4.0 3.4 3.7 3.0 2.0-2.2 2.9-3.1 2.2
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耐漏电起痕指数(PTI) 材料表面能经受住50滴电解液而没有形成 漏电痕迹的耐电压值,以伏(v)为单位。

介电常数与损耗角正切间的关系

介电常数与损耗角正切间的关系

介电常数与耗散因数间的关系介电常数又称电容率或相对电容率,是表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要数据,常用ε表示。

介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数。

其表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力,例如一个电容板中充入介电常数为ε的物质后可使其电容变大ε倍。

介电常数愈小绝缘性愈好。

如果有高介电常数的材料放在电场中,场的强度会在电介质内有可观的下降。

介电常数还用来表示介质的极化程度,宏观的介电常数的大小,反应了微观的极化现象的强弱。

气体电介质的极化现象比较弱,各种气体的相对介电常数都接近1,液体、固体的介电常数则各不相同,而且介电常数还与温度、电源频率有关有些物质介电常数具有复数形式,其实部即为介电常数,虚数部分常称为耗散因数。

通常将耗散因数与介电常数之比称作耗散角正切,其可表示材料与微波的耦合能力,耗散角正切值越大,材料与微波的耦合能力就越强。

例如当电磁波穿过电解质时,波的速度被减小,波长也变短了。

介质损耗是指置于交流电场中的介质,以内部发热的形式表现出来的能量损耗。

介质损耗角是指对介质施加交流电压时,介质内部流过的电流相量与电压向量之间的夹角的余角。

介质损耗角正切是对电介质施加正弦波电压时,外施电压与相同频率的电流之间相角的余角δ的正切值--tgδ. 其物理意义是:每个周期内介质损耗的能量//每个周期内介质存储的能量。

介电损耗角正切常用来表征介质的介电损耗。

介电损耗是指电介质在交变电场中,由于消耗部分电能而使电介质本身发热的现象。

原因是电介质中含有能导电的载流子,在外加电场作用下,产生导电电流,消耗掉一部分电能,转为热能。

任何电介质在电场作用下都有能量损耗,包括由电导引起的损耗和由某些极化过程引起的损耗。

用tgδ作为综合反应介质损耗特性优劣的指标,其是一个仅仅取决于材料本身的损耗特征而与其他因素无关的物理量,tgδ的增大意味着介质绝缘性能变差,实践中通常通过测量tgδ来判断设备绝缘性能的好坏。

介电损耗 和正切角

介电损耗 和正切角

介电损耗和正切角
介电损耗是指在电场作用下,介质内发生的能量损耗。

当交变电场在介质中传播时,由于介质分子中存在电偶极矩的定向运动,导致介质内部发生了能量损耗,这种能量消耗被称为介电损耗。

介电损耗主要由两个部分组成:介质分子的摩擦损耗和电子的导体损耗。

正切角(tanθ) 是指介质的损耗角度,它是介电损耗与介质介电常数和介电导率之间的关系。

正切角越大,介质中的能量损耗越大。

正切角可以用来描述介质中的能量耗散情况,反映了介质对交变电场的阻尼效应。

正切角的大小与介质的性质有关,一般来说,高分子介质(如橡胶、聚合物等)的正切角较大,金属等导体的正切角相对较小。

正切角也与频率有关,在低频和高频时,正切角的大小也会有差异。

介电常数和介质损耗角正切

介电常数和介质损耗角正切

材料极化
四、介电常数和介质损耗角正切
基本概念: 基本概念:
• 介电常数:以绝缘材料为介质与以真空为介质制成同尺寸电 介电常数: 容器的电容量之比值。 容器的电容量之比值。 表示在单位电场中,单位体积内积蓄的静电能量的大小。 表示在单位电场中,单位体积内积蓄的静电能量的大小。 是表征电介质极化并储存电荷的能力,是个宏观物理量。 是表征电介质极化并储存电荷的能力,是个宏观物理量。 • 介质损耗 置于交流电场中的介质,以内部发热(温度升高) 置于交流电场中的介质,以内部发热(温度升高) 形式表现出来的能量损耗。 形式表现出来的能量损耗。
相比漏电起痕指数测定

相比漏电起痕指数测定
相比漏电起痕指数测定
• 试样应水平放置在支撑板上,按图将电极装好,并施加1N的 试样应水平放置在支撑板上,按图将电极装好,并施加1N的 1N 压力,用量规检查两电极间的距离为4.0土0.1mm。先对两电极 压力,用量规检查两电极间的距离为4.0土0.1mm。 4.0 25v倍数的适当电压 调整可变电阻,使电极短路电流为1.0 倍数的适当电压, 1.0+ 加25v倍数的适当电压,调整可变电阻,使电极短路电流为1.0+0.1 在两电极供电下, 30+5s的时间间隔下将电解液液滴滴入 A。在两电极供电下,以30+5s的时间间隔下将电解液液滴滴入 两电极间的试样上,直到试样发生破坏或滴下50滴为止。 50滴为止 两电极间的试样上,直到试样发生破坏或滴下50滴为止。 • 试样发生以下两种情况之一视为破坏: 试样发生以下两种情况之一视为破坏: (1)试样表面两电极间的导电通路电流达0.5A以上 试样表面两电极间的导电通路电流达0.5A以上, (1)试样表面两电极间的导电通路电流达0.5A以上,且过流继电 器延时2s发生动作; 2s发生动作 器延时2s发生动作; (2)虽过流继电器未发生动作 虽过流继电器未发生动作, (2)虽过流继电器未发生动作,但试样燃烧了

介质损耗 介质损耗角 介质损耗正切值tgδ

介质损耗 介质损耗角 介质损耗正切值tgδ

介质损耗介质损耗角介质损耗正切值tgδ关于介质损耗的一些基本概念1、介质损耗什么是介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。

也叫介质损失,简称介损。

2、介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。

简称介损角。

3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。

介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。

因此现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因数。

测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。

绝缘能力的下降直接反映为介损增大。

进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。

测量介损的同时,也能得到试品的电容量。

如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变化,因此电容量也是一个重要参数。

4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。

功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。

一般cosΦ<tgδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。

5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。

通过比对电流相位差测量tgδ,通过出比电流幅值测量试品电容量。

因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。

接线也十分烦琐。

国内常见高压电容电桥有:6、高压介质损耗测量仪简称介损仪,是指采用电桥原理,应用数字测量技术,对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。

一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。

介质损耗 介质损耗角 介质损耗正切值tgδ

介质损耗 介质损耗角 介质损耗正切值tgδ

介质损耗介质损耗角介质损耗正切值tgδ关于介质损耗的一些基本概念1、介质损耗什么是介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。

也叫介质损失,简称介损。

2、介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。

简称介损角。

3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。

介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。

因此现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因数。

测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。

绝缘能力的下降直接反映为介损增大。

进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。

测量介损的同时,也能得到试品的电容量。

如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变化,因此电容量也是一个重要参数。

4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。

功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。

一般cosΦ<tgδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。

5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。

通过比对电流相位差测量tgδ,通过出比电流幅值测量试品电容量。

因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。

接线也十分烦琐。

国内常见高压电容电桥有:6、高压介质损耗测量仪简称介损仪,是指采用电桥原理,应用数字测量技术,对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。

一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。

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