光刻技术
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二．
光刻
曝光
刻蚀
光源
曝光方式
评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率、对 准精度和生产效率。。
光刻技术的原理
利用光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的 特点，将掩膜板上的图形刻制到被加工表面上。
光刻技术的工艺
HMDS
1 气相成底模
2 旋转涂胶t Application
3 软烘 Al Soft CF Bake
全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML称 2015在10nm节点上采用极紫外光刻技术。
X射线光刻技术
X射线光刻技术是用波长为 0.2-4nm的 X射线作为 曝光光源的光刻技术。 X射线光刻技术采用接近式曝光方式，因而又称 为PXL。 X射线光刻技术已经突破50nm节点。优点：速度 快，高分辨率0.5μm ；难点：需要较高的X射线源， 掩膜制作困难。
目前微细加工领域的几大流派：
以美国为代表的硅基MEMS技术 以德国为代表的LIGA技术 以日本为代表的机械加工方法的微细化
他们的研究与应用情况基本代表了国际微细加工的 水平和方向。
光刻技术 光刻技术概述 在微电子制造技术中，最为关键的是用于电路图 形生产和复制的光刻技术，光刻技术的研究与开发， 在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导 的角色。似于洗印照片的原理通 光刻就是利用类似于洗印照片的原理通过曝光和 选择性化学腐蚀等工序将掩膜版上的集成电路图形 印制到硅片上的精密表面加工技术。
基于光刻技术的微细加工技术进展
一．
微细加工技术概述
微细加工技术的出现 制造技术是直接创造财富的基础，是国民经济得 以发展和制造业本身赖以生存的主体技术。
发展趋势
向着自动化、集成化、智能化等方向发展; 寻求固有制造技术的自身加工极限。
微细加工技术是制造微小尺寸零件的加工技术。
微细加工的概念
4
4 5 对准和曝光 Expose 显影 O2
6 坚膜
7 显影检查
8 刻蚀
plasm a
9 去膜
plasm a
10 终检
光刻技术的进展
曝光光源
436nm
R = kλ/ NA
分辨率 曝光光源波长
k是与光刻胶的光强响应特性有关的常数，约为 0.75 NA 为镜头的数值孔径，
365nm
248nm
极紫外 X射线 电子束
193nm
来自百度文库
曝光方式
焦深代表当硅片沿光路方向移动时能保持良好聚焦的移动距离。
接触式 曝 光 方 式 有掩膜方式 非接触式 接近式 反射 折射
投影式
无掩膜方式
先进的光刻技术
极紫外光刻技术（EUV）
极紫外光刻技术是用波长为13.5nm的极紫外辐射 作为曝光光源的光刻技术。 极紫外光刻技术用反射式掩模的曝光方式。
纳米压印技术突破了传统光刻在特征尺寸减小过 程中的难题,具有分辨率高、低成本、高产率特点。 NIL 的基本思想是通过模版，将图形转移到相应 的衬底上，转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜， 通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下 转移的图形。整个过程包括压印和图形转移两个过 程。
由于纳米压印技术采用的是 1:1 比例的掩模板进 行图形的转移，无需考虑分辨率受限的问题，目前 利用纳米压印技术制备出的微结构特征线宽可达 2.4nm。
微细加工技术就是指能够制造微小尺寸零件的加工 技术的总称。 广义地讲，微细加工技术包含了各种传统精密加工 方法和与其原理截然不同的新方法，如微细切削磨 料加工、微细特种加工、半导体工艺等；
狭义地讲，微细加工技术是在半导体集成电路制造 技术的基础上发展起来的，微细加工技术主要是指 半导体集成电路的微细制造技术，如气相沉积、热 氧化、光刻、离子束溅射、真空蒸镀等。
电子束光刻技术(EBL)
电子束光刻技术（EBL)就是用电子源发出电子束, 波长 0.01nm, 经过掩膜和电子透镜 ,将图案投射到硅 片上,从而形成电子线路的工艺技术。 电子束光刻技术使用的曝光方式有 : 直写式与投 影式。 电子束光刻技术可以制备小于10nm节点的纳米器 件。
纳米压印技术(NIL)
光刻技术的展望
90-32nm 阶段将仍然由深紫外和极紫外结合一些 新的技术手段去完成。 32nm 以下的规模生产光刻有 X 射线光刻技术，电 子束光刻技术和纳米压印技术。 同时，采用一些新手段极紫外光刻技术也可以制 作32nm以下的规模。
Thank you!
光刻
曝光
刻蚀
光源
曝光方式
评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率、对 准精度和生产效率。。
光刻技术的原理
利用光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的 特点，将掩膜板上的图形刻制到被加工表面上。
光刻技术的工艺
HMDS
1 气相成底模
2 旋转涂胶t Application
3 软烘 Al Soft CF Bake
全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML称 2015在10nm节点上采用极紫外光刻技术。
X射线光刻技术
X射线光刻技术是用波长为 0.2-4nm的 X射线作为 曝光光源的光刻技术。 X射线光刻技术采用接近式曝光方式，因而又称 为PXL。 X射线光刻技术已经突破50nm节点。优点：速度 快，高分辨率0.5μm ；难点：需要较高的X射线源， 掩膜制作困难。
目前微细加工领域的几大流派：
以美国为代表的硅基MEMS技术 以德国为代表的LIGA技术 以日本为代表的机械加工方法的微细化
他们的研究与应用情况基本代表了国际微细加工的 水平和方向。
光刻技术 光刻技术概述 在微电子制造技术中，最为关键的是用于电路图 形生产和复制的光刻技术，光刻技术的研究与开发， 在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导 的角色。似于洗印照片的原理通 光刻就是利用类似于洗印照片的原理通过曝光和 选择性化学腐蚀等工序将掩膜版上的集成电路图形 印制到硅片上的精密表面加工技术。
基于光刻技术的微细加工技术进展
一．
微细加工技术概述
微细加工技术的出现 制造技术是直接创造财富的基础，是国民经济得 以发展和制造业本身赖以生存的主体技术。
发展趋势
向着自动化、集成化、智能化等方向发展; 寻求固有制造技术的自身加工极限。
微细加工技术是制造微小尺寸零件的加工技术。
微细加工的概念
4
4 5 对准和曝光 Expose 显影 O2
6 坚膜
7 显影检查
8 刻蚀
plasm a
9 去膜
plasm a
10 终检
光刻技术的进展
曝光光源
436nm
R = kλ/ NA
分辨率 曝光光源波长
k是与光刻胶的光强响应特性有关的常数，约为 0.75 NA 为镜头的数值孔径，
365nm
248nm
极紫外 X射线 电子束
193nm
来自百度文库
曝光方式
焦深代表当硅片沿光路方向移动时能保持良好聚焦的移动距离。
接触式 曝 光 方 式 有掩膜方式 非接触式 接近式 反射 折射
投影式
无掩膜方式
先进的光刻技术
极紫外光刻技术（EUV）
极紫外光刻技术是用波长为13.5nm的极紫外辐射 作为曝光光源的光刻技术。 极紫外光刻技术用反射式掩模的曝光方式。
纳米压印技术突破了传统光刻在特征尺寸减小过 程中的难题,具有分辨率高、低成本、高产率特点。 NIL 的基本思想是通过模版，将图形转移到相应 的衬底上，转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜， 通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下 转移的图形。整个过程包括压印和图形转移两个过 程。
由于纳米压印技术采用的是 1:1 比例的掩模板进 行图形的转移，无需考虑分辨率受限的问题，目前 利用纳米压印技术制备出的微结构特征线宽可达 2.4nm。
微细加工技术就是指能够制造微小尺寸零件的加工 技术的总称。 广义地讲，微细加工技术包含了各种传统精密加工 方法和与其原理截然不同的新方法，如微细切削磨 料加工、微细特种加工、半导体工艺等；
狭义地讲，微细加工技术是在半导体集成电路制造 技术的基础上发展起来的，微细加工技术主要是指 半导体集成电路的微细制造技术，如气相沉积、热 氧化、光刻、离子束溅射、真空蒸镀等。
电子束光刻技术(EBL)
电子束光刻技术（EBL)就是用电子源发出电子束, 波长 0.01nm, 经过掩膜和电子透镜 ,将图案投射到硅 片上,从而形成电子线路的工艺技术。 电子束光刻技术使用的曝光方式有 : 直写式与投 影式。 电子束光刻技术可以制备小于10nm节点的纳米器 件。
纳米压印技术(NIL)
光刻技术的展望
90-32nm 阶段将仍然由深紫外和极紫外结合一些 新的技术手段去完成。 32nm 以下的规模生产光刻有 X 射线光刻技术，电 子束光刻技术和纳米压印技术。 同时，采用一些新手段极紫外光刻技术也可以制 作32nm以下的规模。
Thank you!