常见内存型号
怎样识别内存条
怎样识别内存条我想为电脑填加一个内存,但我不知道到内存条的编号和型号,我看很多朋友对内存条编号识别的知识,点怎么都是现代产品厂商,那别的怎么识别?比如:RME860MG28C5T_400PC3200_33332Mχ64 DDR都是什么意思?怎么样识别编号和型号?请帮帮忙谢谢检举 1.怎样识别内存条内存条(RAM条)，它的全称为单列存储器模块(SIMM)，是一块装有3～36片动态随机存贮器(DRAM)的电路板。
早期PC机的主存储器采用的是双列直插封装(DIP)的DRAM芯片，因其安装位置较大，不便于扩展，故现在普遍采用SIMM，因为安装一条SIMM相当于安装原来的9片DIP型DRAM芯片。
识别内存条容量和速度可以采用以下办法，拿出一内存条，看其芯片的背面，找出2的幂数64、128、256、512或数字10、100、1000，其中2的幂数直接指出芯片容量为64K、128K、256K、512K，10的倍数表示1M，它们都代表了这条SIMM的容量。
要确定内存条速度，可以看芯片连字符后面的数字，增加1个或2个0即得到以纳秒(ns)为单位表示的速度，常见的有70ns、80ns、120ns三种，数字越小、速度越快。
而数字串中的第2位表示该芯片的位数。
请注意，因生产厂家的不同，有些芯片的标写方法也不一样，但总的规则基本一致。
例如：4164-1表示64K×1位芯片(9片一起构成64KB)，速度100ns；41256-7表示256K×1位芯片(9片一起构成256KB)，速度70ns；441000表示1M×4位芯片，用两片441000和1片411000(奇偶校验用)即可构成1MB内存条。
(辽宁刘赤兵)2.常见内存条介绍内存条是每台计算机不可或缺的重要部件，目前我们在市场上常见到和在计算机中经常用到的内存条大致有三种：30 线SIMM 内存条、72 线SIMM 内存条和168 线DIMM 内存条。
如何看内存条型号(容量)
金士顿1.KVR代表kingston value RAM2.外频速度单位：兆赫3.一般为X4.64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是效劳器内存6.一般为C C3：CAS=3；C2.5：CAS=2.5；C2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验CAS=2.5256M内存HY〔现代HYNIX〕现代是韩国著名的内存消费厂，其产品在国内的占用量也很大.HY的编码规那么：HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代.2、一般是57，代表SDRAM.3、工艺：空白那么是5V, V是3V, U是2.5V.4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新.5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白那么为普通，L为低功耗.10、封装：一般为TC〔TSOP〕11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS〔CL2&3〕，10S：10NS，〔PC100，CL3〕，10：10NS，12：12NS，15：15NSLGS(LG Semicon)LGS的内存编码规那么：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司.2、72代表SDRAM.3、V代表3V电压.4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F.9、功耗：空白那么是普通，L是低功10、封装形式：一般为T〔TSOP〕11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS〔CL2〕，7J〔10NS，CL2&3〕，10K〔10NS[一说15NS]，PC66〕，12〔12NS，83HZ〕，15〔15NS，66HZ〕SEC〔三星SAMSUNG〕做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.SEC编码规那么：KM4 XX S XX 0 X X XT－XX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、I／O界面：一般为08、版本号9、封装形式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS〔CL2&3〕，L：10NS〔CL3〕，10：10NS.Micron〔美光〕以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规那么.含义：MT——Micron的厂商名称.48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M〔地址〕×8位数据宽度.A2——内存内核版本号.TG——封装方式，TG即TSOP封装.-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB〔兆字节〕.Winbond〔华邦〕含义说明：WXXXXXXXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond消费2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZMosel〔台湾茂矽〕台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5nsNANY A〔南亚〕、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S〞表示是SDRAM 显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.Kingmax(胜创)Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量进步三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热途径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3〔有些能上CL=2〕的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：局部是-8的〔例如编号KSV884T4A0-08〕，局部是-7的〔例如编号KSV884T4A0-07〕.Geil(金邦、原樵风金条)金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝〞五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133效劳器系统，合适双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32其中GL2000代表芯片类型GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族〔6=SDRAM〕；16M8是设备号码〔深度*宽度，内存芯片容量= 内存基粒容量* 基粒数目= 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB〕；4表示版本；TG是封装代码〔DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP 〔第二代〕，U=μBGA〕；-7是存取时间〔7=7ns〔143MHz〕〕；AMIR是内部标识号.MT〔MICRON美凯龙〕美凯龙是美国著名的计算机消费商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品出名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.MT48 XX XX M XX AX TG－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM.3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量.5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr)，A2那么代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装形式.9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS〔其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322，222，222，所以D和E较好〕，10：10NS10、如有L那么为低功耗，空白那么为普通.HITACHI〔日立HITACHI〕日立是日本的著名的微电子消费厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT－XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立.2、52代表SDRAM，51那么为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A－F7、功耗：L为低耗，空白那么为普通8、TT为TSOP封装形式9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS〔CL2&3〕，B60：10NS〔CL3〕SIEMENS〔西门子〕西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一〔另一是PHILIPS〕.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错. HYB39S XX XX 0 X T X －X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS〔CL2〕，8B：10NS〔CL3〕，10：10NS FUJITSU〔富士通FUJITSU〕富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供给OEM商，市场上仅有少量零售产品.MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS〔CL2&3〕，103：10NS〔CL3〕，100：10NS，84：12NS，67：15NSTOSHIBA〔东芝〕东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.TC59S XX XX X FT X－XX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：A－B6、FT为TSOP封装形式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS〔CL3〕MITSUBISHI〔三菱〕三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化开展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供给商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见. M2 V XX S X 0 X TP－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、M2代表三菱产品2、I／O界面.一般为V3、容量4、一般为S，说明是SDRAM5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位6、一般为07、产品系列8、TP代表TSOP封装9、速度：8A：8NS，7：10NS〔CL2&3〕，8：10NS〔CL3〕，10：10NS.10、空白为普通，L为低耗.。
选购内存条的基本本流程
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G.SKILL DDR3内存型号参考清单说明书
G.SKILL F3-3000C12Q-16GTXDG16GB (4 x 4GB )SS--- 1.65V●●●G.SKILL F3-2933C12D-8GTXDG8GB (2 x 4GB )SS--12-14-14-35 1.65V●●G.SKILL F3-2933C12Q-16GTXDG16GB (4 x 4GB )SS--12-14-14-35 1.65V●●●G.SKILL F3-2800C11Q-16GTXD(XMP)16GB(4GBx4)DS--11-13-13-35 1.65V●●CORSAIR CMD16GX3M4A2666C11 (XMP)4GB DS--11-13-13-35 1.65V●●●G.SKILL F3-2666C11Q-16GTXD(XMP)16GB(4GBx4)DS--11-13-13-35 1.65V●●●Team TXD34G2666HC11CBK8GB ( 2x 4GB )SS--11-13-13-35 1.65V●●●Team TXD38G2666HC11CBK16GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●G.SKILL F3-2600CL10Q-16GBZMD(XMP)16GB(4x 4GB)DS--10-12-12-31 1.65V●●G.SKILL F3-2600CL11Q-32GBZHD(XMP)32GB(8GBX4)DS--11-13-13-35 1.65V●●ADATA AX3U2600GW8G1116GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●CORSAIR CMGTX8(XMP)8GB (2GBx 4)SS--10-12-10-27 1.65V●●G.SKILL F3-2400C10D-8GTX(XMP)8GB(2x 4GB)SS--10-12-12-31 1.65V●●●G.SKILL F3-19200CL11Q-16GBZHD(XMP1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--11-11-11-31 1.65V●●G.SKILL F3-19200CL 10Q-32GBZHD(XMP)8GB DS--10-12-12-31 1.65V●●●KINGMAX FLLE88F-C8KKAA HAIS(XMP)2GB SS--10-11-10-30 1.8V●●●KINGSTON KHX24C11T2K2/8X(XMP)4GB DS--- 1.65V●●●ADATA AX3U2400GW8G1116GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●ADATA AX3U2400G4G10-DG2(XMP)4GB DS--10-12-12-31 1.65V●●Team TXD38G2400HC10QBK8GB DS--10-12-12-31 1.65V●●●KINGSTON KHX2250C9D3T1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●●GEIL GET34GB2200C9DC(XMP)2GB DS--9-10-9-28 1.65V●●GEIL GET38GB2200C9ADC(XMP)4GB DS--9-11-9-28 1.65V●●KINGMAX FLKE85F-B8KJAA-FEIS(XMP)2GB DS--- 1.5V●●CORSAIR CMT16GX3M4X2133C9(XMP 1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--9-11-10-27 1.50V●●●CORSAIR CMT4GX3M2A2133C9(XMP)4GB(2x 2GB)DS--9-10-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMT4GX3M2B2133C9(XMP)4GB(2x 2GB)DS--9-10-9-27 1.50V●CORSAIR CMT8GX3M2B2133C9(XMP)8GB ( 4GB x 2)DS--9-11-9-27 1.50V●●●G.SKILL F3-17000CL9Q-16GBZH(XMP1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--9-11-10-28 1.65V●●●G.SKILL F3-17000CL11Q2-64GBZLD(XMP)8GB DS--11-11-11-31 1.5V●●●G.SKILL F3-2133C11Q-32GZL(XMP)8GB DS--11-11-11-31 1.5V●●●GEIL GE34GB2133C9DC(XMP)2GB DS--9-9-9-28 1.65V●●GEIL GU34GB2133C9DC(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-28 1.65V●●KINGSTON KHX2133C11D3K4/16GX(XMP)16GB ( 4GB x4 )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX2133C11D3T1K2/16GX(XMP)16GB(8GB x 2)DS--- 1.6V●●●KINGSTON KHX21C11T1BK2/16X(XMP)16GB(8GBx2)DS--- 1.6V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3T1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3X2K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-11-9-27 1.65V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3T1K4/8GX(XMP)8GB(4 x 2GB)DS--9-11-9-27 1.65V●KINGSTON KHX21C11T1BK2/8X(XMP)8GB(4GBx2)DS--- 1.6V●●●KINGSTON KHX2133C9AD3T1FK4/8GX(XMP)8GB(4x 2GB)DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX21C11T3K4/32X8GB DS--- 1.65V●●●ADATA AX3U2133XW8G1016GB ( 2x 8GB )DS--10-11-11-30 1.65V●●●ADATA AX3U2133XC4G10-2X(XMP)4GB DS--10-11-11-30 1.65V●●●ADATA AX3U2133XW8G10-2X(XMP)8GB DS--10-11-11-30 1.65V●●●Team TXD34096M2133HC11-L4GB SS--- 1.5V●●●Team TLD38G2133HC11ABK8GB DS--11-11-11-31 1.65V●●●Apacer78.AAGD5.9KD(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●●CORSAIR CMZ4GX3M2A2000C10(XMP)4GB(2 x 2GB)SS--10-10-10-27 1.50V●●●CORSAIR CMT6GX3M3A2000C8(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--8-9-8-24 1.65V●●●G.SKILL F3-16000CL9D-4GBFLS(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●G.SKILL F3-16000CL9D-4GBTD(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-27 1.65V●●G.SKILL F3-16000CL6T-6GBPIS(XMP)6GB (3x 2GB )DS--6-9-6-24 1.65V●●●GEIL GUP34GB2000C9DC(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-28 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3T1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3W1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3W1K3/6GX(XMP)6GB ( 3x 2GB )DS--- 1.65V●●KINGSTON KHX2000C9AD3T1K3/6GX(XMP)6GB (3x 2GB )DS--- 1.65V●●CORSAIR CMT4GX3M2A1866C9(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMT6GX3MA1866C9(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.65V●●CORSAIR CMZ8GX3M2A1866C9(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--9-10-9-27 1.50V●●●CRUCIAL BLE4G3D1869DE1TXO.16FMD(XMP)4GB DS--9-9-9-27 1.5V●●●CRUCIAL BLT4G3D1869DT1TX0.13FKD(XMP)4GB DS--9-9-9-27 1.5V●●●CRUCIAL BLT4G3D1869DT2TXOB.16FMR(XMP)4GB DS--9-9-9-27 1.5V●●G.SKILL F3-14900CL9Q-16GBZL(XMP1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--9-10-9-28 1.5V●●●G.SKILL F3-14900CL10Q2-64GBZLD(XMP1.3)64GB ( 8GBx 8 )DS--10-11-10-30 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Micron9KF27D9KPT9-●●●Crucial BL25664BN1337.16FF (XMP)6GB(3 x 2GB)DS--7-7-7-24 1.65V●●●ELPIDA EBJ21UE8EDF0-DJ-F2GB DS ELPIDA J1108EDSE-DJ-F- 1.35V(low voltage)●●●G.SKILL F3-10666CL8D-4GBECO(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8-8-8-8-24XMP 1.35V●●●G.SKILL F3-10666CL7T-6GBPK(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--7-7-7-18 1.5~1.6V●G.SKILL F3-10666CL7D-8GBRH(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--7-7-7-21 1.5V●●●GEIL GG34GB1333C9DC4GB(2 x 2GB)DS GEIL GL1L128M88BA12N9-9-9-24 1.3V(low voltage)●●●GEIL GV34GB1333C9DC4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.5V●●●GEIL GVP34GB1333C7DC4GB(2 x 2GB)DS--7-7-7-24 1.5V●●●Hynix HMT325U6BFR8C-H92GB SS Hynix H5TQ2G83BFRH9C--●●●Hynix HMT125U6TFR8A-H92GB DS Hynix H5TC1G83TFRH9A- 1.35V(low voltage)●●●Hynix HMT351U6BFR8C-H94GB DS Hynix H5TQ2G83BFRH9C--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KF9 CAES2GB SS KINGMAX KFC8FMFXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KL9 NAES2GB SS KINGMAX KFC8FNLXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KM9 NAES2GB SS KINGMAX KFC8FNMXF-BXX-15A--●●KINGMAX FLFE85F-B8KL9 NEES2GB DS KINGMAX KKB8FNWBFGNX-26A--●●●KINGMAX FLFF65F-C8KL9 NEES4GB DS KINGMAX KFC8FNLXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFF65F-C8KM9 NEES4GB DS KINGMAX KFC8FNMXF-BXX-15A--●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G(矮版)2GB SS Hynix H5TQ2G83AFRH9C9-●●●KINGSTON KVR1333D3S8N9/2G2GB SS Micron IID77 D9LGK- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3S8N9/2G-SP(矮版)2GB SS ELPIDA J2108BCSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G(矮版)2GB DS ELPIDA J1108BFBG-DJ-F9 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G-SP(矮版)2GB DS KTC D1288JEMFNGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G-SP(矮版)2GB DS KINGSTON D1288JPSFPGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KHX1333C7D3K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--7 1.65V●●●KINGSTON KHX1333C9D3UK2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9XMP 1.25V●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G(矮版)4GB DS ELPIDA J2108BCSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G4GB DS KTC D2568JENCNGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G4GB DS Hynix H5TQ2G83AFR--●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G-SP(矮版)4GB DS KINGSTON D2568JENCPGD9U- 1.5V●●●Micron MT8JTF25664AZ-1G4D12GB SS Micron OJD12D9LGK--●●●Micron MT8JTF25664AZ-1G4M12GB SS MICRON IJM22 D9PFJ--●●●Micron MT16JTF51264AZ-1G4D14GB DS Micron OLD22D9LGK--●●●NANYA NT4GC64B8HG0NF-CG4GB DS NANYA NT5CB256M8GN-CG--●●●PSC AL8F8G73F-DJ22GB DS PSC A3P1GF3FGF--●●●SAMSUNG M378B5773DH0-CH92GB SS SAMSUNG K4B2G0846D--●●●SAMSUNG M378B5673FH0-CH92GB DS SAMSUNG K4B1G0846F--●●●SAMSUNG M378B5273CH0-CH94GB DS SAMSUNG K4B2G0846C--●●●SAMSUNG M378B1G73AH0-CH98GB DS SAMSUNG K4B4G0846A-HCH9--●●Super Talent W1333UB2GS2GB DS SAMSUNG K4B1G0846F9-●●●Super Talent W1333UB4GS4GB DS SAMSUNG K4B2G0846C--●●●Super Talent W1333UX6GM6GB(3x 2GB)DS Micron0BF27D9KPT9-9-9-24 1.5V●●●Transcend JM1333KLN-2G2GB SS HYNIX H5TQ2G83BZRH9C--●●●Transcend8G DDR3 1333 DIMM CL98GB DS Transcend E207X8BO643Y--●●Transcend8G DDR3 1333 DIMM CL98GB DS-N/A--●●●KINGSTEK KSTD3PC-106002GB SS MICRON PE911-125E--●●●TEAM TED34G1333HC9BK4GB DS--9-9-9-24-●●TEAM TED38G1333HC9BK8GB DS--9-9-9-24-●●●Crucial CT25664BA1067.16FF2GB DS Micron9HF22D9KPT7-●●●ELPIDA EBJ21UE8EDF0-AE-F2GB DS ELPIDA J1108EDSE-DJ-F- 1.35V(low voltage)●●●KINGSTON KVR1066D3N7/2G2GB DS ELPIDA J1108BFSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1066D3N7/4G4GB DS Hynix H5TQ2G83AFR7 1.5V●●●4 DIMM Slots• 1 DIMM: Supports one module inserted in any slot as Single-channel memory configuration• 2 DIMM: Supports one pair of modules inserted into eithor the yellow slots or the dark brown slots as one pair of Dual-channel memory configuration• 4 DIMM: Supports 4 modules inserted into both the yellow and dark brown slots as two pairs of Dual-channel memory configuration-When installing total memory of 4GB capacity or more, Windows 32-bit operation system may only recognize less than 3GB. Hence, a total installed memory of less than 3GB is recommended.-It is recommended to install the memory modules from the yellow slots for better overclocking capability.-The default DIMM frequency depends on its Serial Presence Detect (SPD), which is the standard way of accessing information from a memory module.Under the default state, some memory modules for overclocking may operate at a lower frequency than the vendor-marked value.。
电脑内存条型号选择有哪些技巧
电脑内存条型号选择有哪些技巧在如今的数字化时代，电脑已经成为我们生活和工作中不可或缺的工具。
而电脑的性能很大程度上取决于其硬件配置，其中内存条就是一个关键的部件。
选择合适的内存条型号对于提升电脑的运行速度和稳定性至关重要。
那么，在面对众多的内存条型号时，我们应该如何做出明智的选择呢？下面就为大家介绍一些实用的技巧。
首先，我们需要了解内存条的类型。
目前常见的内存条类型有DDR4、DDR3 和 DDR2 等。
DDR4 是最新的一代，具有更高的频率和更低的功耗，性能相对更为出色。
如果您的电脑主板支持DDR4 内存，那么优先选择 DDR4 是个不错的选择。
但如果您的电脑较旧，主板只支持 DDR3 或 DDR2 ，那么就只能选择相应的型号。
其次，关注内存条的频率。
频率越高，内存的数据传输速度就越快。
例如，常见的 DDR4 内存频率有 2133MHz、2400MHz、2666MHz、3000MHz 甚至更高。
但需要注意的是，内存频率并不是越高越好，还需要考虑您的电脑主板和 CPU 是否支持。
如果主板和 CPU 不支持过高的频率，那么购买高频率的内存条也无法发挥其全部性能。
容量也是选择内存条时需要重点考虑的因素。
对于一般的日常办公和娱乐使用，8GB 的内存通常已经足够。
但如果您经常进行大型游戏、图形设计、视频编辑等高强度的任务，那么 16GB 甚至 32GB 的内存可能会更合适。
在选择内存容量时，要根据自己的实际需求和预算来决定。
除了上述几个关键因素外，还有一些细节也需要留意。
比如，内存条的时序。
时序参数越低，内存的性能通常会越好，但这通常也意味着价格会更高。
对于大多数普通用户来说，不必过于追求低时序，只要在合理范围内即可。
另外，品牌也是一个重要的参考因素。
一些知名品牌通常在质量和售后方面更有保障，例如金士顿、三星、海盗船等。
但这并不意味着其他品牌就不好，只是在选择时可以多做一些品牌的比较和了解。
在购买内存条之前，一定要确认自己电脑主板支持的内存类型、频率和最大容量。
内存芯片型号
内存芯片型号内存芯片是一种常见的集成电路芯片，用于存储和处理计算机数据。
在计算机系统中，内存芯片承担着临时存储和快速数据访问的功能，是计算机运行和数据传输的重要组成部分。
下面是一些常见的内存芯片型号的详细介绍：1. DDR3：DDR3是一种双数据速率3的SDRAM（同步动态随机存取存储器），在2007年首次推出。
DDR3内存芯片具有高带宽和低功耗的优点，广泛应用于个人电脑、工作站和服务器等计算设备。
2. DDR4：DDR4是DDR3的后继产品，在2014年发布。
DDR4内存芯片相比于DDR3芯片在带宽和能效方面有所提升，能够提供更快的数据传输速度和更低的功耗，适用于高性能计算和数据中心等领域。
3. LPDDR4：LPDDR4（低功耗高速动态随机存取存储器4）是一种专门用于移动设备的内存芯片。
相比于DDR4，LPDDR4芯片功耗更低，且具有更高的数据传输速度和更高的带宽，适合于手机、平板电脑和笔记本电脑等便携设备。
4. XDR：XDR（eXtreme Data Rate）内存芯片是由Rambus公司开发的一种高端内存技术。
XDR芯片在带宽和时钟速度上相比于其他内存技术有很大提升，适用于高性能计算和高要求多媒体应用等领域。
5. HBM：HBM（高带宽内存）是一种先进的堆叠式内存技术，提供了优异的带宽和能效。
HBM芯片具有多个独立的内存层次，可以实现大容量的数据存储和高速数据传输，广泛应用于显卡、服务器和人工智能等领域。
6. SLC NAND：SLC NAND（单层单元闪存）是一种高性能、高可靠性的闪存存储技术。
SLC NAND芯片以单层存储单元来存储数据，速度快、寿命长，适用于需要高速读写和长时间数据保持的应用，如车载导航、工业控制等。
总结起来，以上是一些常见的内存芯片型号。
每种型号的内存芯片都有其特定的优点和应用领域，根据不同的需求和预算，选择适合的内存芯片可以提升计算机系统的性能和稳定性。
如何看内存条型号(容量)
金士顿1.KVR代表kingston value RAM2.外频速度单位：兆赫3.一般为X4. 64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存6. 一般为C C3：CAS=3；C2.5：CAS=2.5；C2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验CAS=2.5256M内存HY（现代HYNIX）现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大.HY的编码规则：HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代.2、一般是57，代表SDRAM.3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V.4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新.5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白则为普通，L为低功耗.10、封装：一般为TC（TSOP）11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12：12NS，15：15NSLGS(LG Semicon)LGS的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司.2、72代表SDRAM.3、V代表3V电压.4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F.9、功耗：空白则是普通，L是低功10、封装模式：一般为T（TSOP）11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66），12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）SEC（三星SAMSUNG）做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.SEC编码规则：KM4 XX S XX 0 X X XT－XX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、I／O界面：一般为08、版本号9、封装模式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS.Micron（美光）以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.含义：MT——Micron的厂商名称.48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.A2——内存内核版本号.TG——封装方式，TG即TSOP封装.-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.Winbond（华邦）含义说明：WXXXXXXXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond生产2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZMosel（台湾茂矽）台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5nsNANY A（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM 显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.Kingmax(胜创)Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）.Geil(金邦、原樵风金条)金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32其中GL2000代表芯片类型GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量= 内存基粒容量* 基粒数目= 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP （第二代），U=μBGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号.以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度.MT（MICRON美凯龙）美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.MT48 XX XX M XX AX TG－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM.3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量.5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装模式.9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322，222，222，所以D和E较好），10：10NS10、如有L则为低功耗，空白则为普通.HITACHI（日立HITACHI）日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT－XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立.2、52代表SDRAM，51则为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A－F7、功耗：L为低耗，空白则为普通8、TT为TSOP封装模式9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）SIEMENS（西门子）西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错. HYB39S XX XX 0 X T X －X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS FUJITSU（富士通FUJITSU）富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品.MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84：12NS，67：15NSTOSHIBA（东芝）东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.TC59S XX XX X FT X－XX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：A－B6、FT为TSOP封装模式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）MITSUBISHI（三菱）三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见. M2 V XX S X 0 X TP－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、M2代表三菱产品2、I／O界面.一般为V3、容量4、一般为S，说明是SDRAM5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位6、一般为07、产品系列8、TP代表TSOP封装9、速度：8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS.10、空白为普通，L为低耗.。
内存常用颗粒识别
内存颗粒编号识别内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。
现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low V oltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
内存条的几种大小型号识别
我们在攒电脑的时候一般只是注意内存的容量和内存的性能指标，例如DDR266 DDR333之类的。
但是你知道吗，同样的内存根据他的品牌，出厂时间以及批号不同，它具有着不同的性能和稳定性，本文将着重和您探讨不同品牌内存之间的性能和稳定性的差异以及同品牌但批号不同的内存的性能差异。
另外，本文还将重点涉及内存的制假和售假的方法。
将向您彻底揭露正品内存和深圳“油条”的鉴别方法。
(什么是油条？这里不卖豆浆，下文中将相信向您讲授油条的做法)鉴于SDRAM已经走到了生命的尽头，即将完全脱出市场，RDRAM应用不广DDRII内存还未量产。
所以本文将只涉及市场主流的DDR内存。
我们先来说一下内存的基本知识，归纳成一句话就是：什么是内存？内存就是随机存贮器（Random Access Memory，简称为RAM）。
RAM分成两大类：静态随机存储器，即Static RAM（SRAM）和动态随机存储器，Dynamic RAM（DRAM），我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。
SRAM是一种重要的内存，它的用途广泛，被应用在各个领域。
SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。
SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，为了实现这种结构，SRAM的电路结构非常复杂，往往要采用大量的晶体管来构造寄存器以保留数据。
采用大量的晶体管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面积，无形中增加了制造成本。
制造相同容量的SRAM比DRAM的成本贵许多，因此，SRAM在PC平台上就只能用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。
而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。
由于SRAM的成本昂贵，其发展受到了严重的限制，目前仅有少量的网络服务器以及路由器上使用了SRAM。
DRAM的应用比SRAM要广泛多了。
DRAM的结构较SRAM要简单许多，它的内部仅仅由一个MOS管和一个电容组成，因此，无论是集成度、生产成本以及体积，DRAM都比SRAM具有优势。
内存品牌
作为全球几大内存颗粒生产厂家的现代公司自从进入中国以后假货也随之而来并且花样之多令人发寒。以往所谓的现代原厂内存不过是使用些小伎俩比如贴塑料纸，喷漆等下三滥的REMARK手段，而现在真正的仿冒品出来了，不仔细看的话真的会被假货所蒙骗。同时HY公司的内存颗粒一直以来算的上中规中矩，除了稳固TSOP II封装的颗粒外，根本没有生产过其他封装的产品，这里就暴露了假货的致命点。虽然外观漂亮，但是最终难逃假货的命运。
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
三星TCB3颗粒：
TCB3是三星推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700, 2-2-2-X的时序，参数非常优秀，此外它同样可以工作在PC3200，但是不能继续维持这么高的时序，200MHz时的时序为2-3-3-6，不过也已经很不错了。TCB3的频率极限在230MHz左右，对于对于默认为166MHz的内存来说超频幅度很大，TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大。现在来看这种颗粒有些过时。
三星TCCC颗粒：
TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。此外不少DDR500内存同样采用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留给这款内存的超频空间已经很小了。电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，不过在2.8V时已经基本可以达到最高频率。
笔记本常用知识
笔记本常用知识
以下是笔记本的常用知识：
1. 电池使用和保存：使用时，开始的几次充电一定要充满8个小时以上，以充分激活锂电池。
注意不要过度放电，最好不要在使用电源适配器的同时使用电池。
保存时，一个月最好拿出来充一次电。
保存时电池不要充满，充入40%~50%的电量为宜，并且放在干燥阴凉的地方。
2. 接口类型：常见的接口类型包括USB、HDMI、VGA、SD卡槽等，不同型号的笔记本可能会支持不同的接口类型和数量。
3. 处理器：处理器是笔记本的大脑，性能越强，运行速度越快。
常见的处理器品牌有Intel和AMD。
4. 内存：内存是笔记本存储数据的地方，越大能同时运行的程序越多。
常见的内存类型有DDR3和DDR4，容量有4GB、8GB、16GB等。
5. 硬盘：硬盘是笔记本存储数据的地方，分为机械硬盘和固态硬盘（SSD）两种。
SSD读取速度更快，价格更贵，而机械硬盘存储容量更大，价格更便宜。
6. 屏幕：屏幕是笔记本的重要输出设备，分为LCD和LED两种类型。
LED 屏幕更薄、更轻、更省电，是当前主流屏幕类型。
屏幕尺寸常见的有13英寸、14英寸、15英寸等。
分辨率越高，屏幕画质越清晰。
7. 操作系统：笔记本操作系统有Windows、macOS、Chrome OS等，不同操作系统支持的软件不同，用户需要根据需求选择合适的操作系统。
8. 品牌与售后服务：不同品牌的笔记本在品质、性能、售后服务等方面存在差异，用户在购买时应考虑自己的需求和预算，选择合适的品牌和型号。
以上内容仅供参考，如需获取更多信息，建议查阅笔记本相关书籍或咨询专业人士。
内存芯片型号对照表
AET760UD00-30DB97X
1GB
V OK
(AENEON AET93R30DB)
V OK
Apacer 78.01G9O.9K5 1GB
V OK
(Apacer AM4B5808CQJS7E)
V OK
Bufaullo D2U667C-1GMDJ 1GB
AENEON AET860UD00-30DB08X 2GB
V OK
(AENEON AET03F30DB)
V OK
Apacer 78.A1G9O.9K4 2GB
V OK
(Apacer AM4B5808CQJS7E)
V OK
Buffalo Select D2U667C-2GMEJ 2GB
PSC AL7E8E63B-6EA1T 1GB V OK
(PSC A3R12E3GEF-G6EA) V OK
Qimonda HYS64T128020EU-3S-B2 1GB
V OK
(Qimonda HYB18T512800B2F3S)
V OK
V OK
(UMAX U2S24D30TP-6E)
V OK
ADATA ADQPE1B16 2GB
V OK
(Adata AD20908A8A-3EC)
V OK
GOODRAM GR667D264L5/2G 2GB
V OK
(Elpida E1108ACBG-6E-E)
Supertalent T667UB2G/S 2GB
V OK
(SEC K4T1G084QD-ZCE6)
V OK
TakeMS TMS2GB264D081-665UY 2GB
内存芯片型号对照表
内存芯片型号对照表Memory ModulesPC5300 DDR II RAM (DDR-667)Model Size 2 DIMMs 4 DIMMs R.S.TMicron MT4HTF3264AY-667D3 256MBV OK(MICRON D9GMG)V OKSEC M378T3253FZ3-CE6 256MB V OK (SEC K4T56083QF-ZCE6) V OKAENEON AET660UD00-30DB97X 512MB V OK (AENEON AET93R30DB) V OKApacer 78.91G92.9K5 512MBV OK(Apacer AM4B5708JQJS7E)V OKGeil GX21GB5300LDC 512MBV OK(鐵殼)V OKHYNIX HYMP564U64CP8-Y5 512MBV OK(HYNIX HY5PS12821CFP-Y5)V OKKINGMAX KLCC28F-A8KB5[FGES] 512MB V OK (KINGMAX KKEA88B4LAUG-29DX) V OK KINGMAX KLCC28F-A8KI5[EGES] 512MB V OK (KINGMAX KKA8FEIBF-HJK-30A)Micron MT4HTF6464AY-667E1 512MBV OK(Micron D9HNZ)V OKNanya NT512T64U88B0BY-3C 512MBV OK(Nanya NT5TU64M8BE-3C)V OKOCI 04751208CX5S1G 512MB V OK (Infinity 64M8PC5300) V OKOCZ OCZ2667512 512MBV OK(OCZ X42P120840G-3)V OKProMOS V916764K24QBFW-F5 512MB V OK (ProMOS V59C1512804QBF3) V OKPSC AL6E8E63B-6EA1T 512MB V OK (PSC A3R12E3GEF-G6EA) V OKQimonda HYS64T6400EU-3S-B2 512MBV OK(Qimonda HYB18T512800B2F3S)V OKSEC M378T6553CZ3-CE6 512MB V OK (SEC K4T51083QC-ZCE6 ) V OKAENEONAET760UD00-30DB97X1GBV OK(AENEON AET93R30DB)Apacer 78.01G9O.9K5 1GBV OK(Apacer AM4B5808CQJS7E)V OKBufaullo D2U667C-1GMDJ 1GBV OK(Micron D9GNH)V OKCORSAIR VALUESELECT VS1GB667D2 1GB V OK (CORSAIR 64M8CFEG) V OKCrucial BL12864AA663.16FD4 1GBV OK(鐵殼)V OKGeil GX22GB5300LDC 1GBV OK(鐵殼)V OKHYNIX HYMP112U64CP8-Y5 1GBV OK(HYNIX HY5PS1G831CFP-Y5)V OKHYNIX HYMP512U64CP8-Y5 1GBV OK(HYNIX HY5PA12821CFP-Y5)V OKKINGBOX UP1GD2667PS1GB V OK(KINGBOX ULD264082200P-4)V OKKINGMAX KLCD48F-A8KB5 [FHES]1GBV OK(KINGMAX KKEA88B4LAUG-29DX)V OK KINGMAX KLCD48F-A8KI5[EHES] 1GBV OK(KINGMAX KKA8FEIBF-HJK-30A)V OKKINGSTON KVR667D2N5/1G 1GBV OK(HYNIX HY5PS12821CFP-Y5)V OKMicron MT8HTF12864AY-667E1 1GBV OK(MICRON D9HNL)V OKNANYA NT1GT64U88B0JY-3C 1GB V OK (NANYA NT5TU128M8BJ-3C) V OK Nanya NT1GT64U8HB0BY-3C 1GBV OK(Nanya NT5TU64M8BE-3B)V OKOCI 04701G16CX5S1G 1GB V OK (Infinity 64M8PC5300) V OKOCZ OCZ26671024 (Auto run 1GB(OCZ X42P120840A-3)V OKProMOS V916765K24QBFW-F5 1GB V OK (ProMOS V59C1512804QBF3) V OK PSC AL7E8E63B-6EA1T 1GB V OK (PSC A3R12E3GEF-G6EA) V OK Qimonda HYS64T128020EU-3S-B2 1GB V OK(Qimonda HYB18T512800B2F3S)V OKSEC M378T2863DZS-CE6 1GBV OK(SEC K4T1G084QD-ZCE6)V OKSEC M378T2953CZ3-CE6 1GB V OK (SEC K4T51083QC-ZCE6) VOKSupertalent T667UB1GC 1GBV OK(SEC K4T51083QE-ZCE6)V OKTakeMS TMS1GB264C081-665QI 1GBV OK(TakeMS MS18T51280-3)V OKUMAX D46701GP3-63BJU 1GBV OK(UMAX U2S12D30TP-6E)ADATA ADQPE1A08 1GBVOK(Adata AD20908A8A-3EC)VOKGOODRAM GR667D264L5/1G 1GB VOK(Goodram GE5108GC-JN)VOKKINGSTON KVR667D2N5/1G 1GBVOK(Elpida E5108AJBG-8E-E)VOKSEC M378T2863QZS-CE6 1GBVOK(SEC K4T1G084QQ-HCE6)VOKAENEON AET860UD00-30DB08X 2GB V OK(AENEON AET03F30DB)V OKApacer 78.A1G9O.9K4 2GB(Apacer AM4B5808CQJS7E)V OKBuffalo Select D2U667C-2GMEJ 2GBV OK(Micron D9HNL)V OKCORSAIR VALUESELECT VS2GB667D22GB V OK(Micro D9HNL)V OKCrucial CT25664AA667.16FA 2GBV OK(Micron D9FTB)V OKHYNIX HYMP125U64CP8-Y5 2GBV OK(HYNIX HY5PS1G831CFP-Y5)V OKKingston KVR667D2N5/2G 2GBV OK(Elpida E1108ACBG-6E-E)V OKMicron MT16HTF25664AY-667E12GBV OK(Micron D9HNL)V OKNANYA NT2GT64U8HB0JY-3C 2GB V OK(NANYA NT5TU128M8BJ-3C) V OK QimondaHYS64T256020EU-3S-B2GBV OK (Qimonda HYB18T1G800BF-3S)V OKQimonda HYS64T256020EU-3S-C2 2GB V OK(Qimonda HYB18T1G800C2F-3S)V OKSupertalent T667UB2G/S 2GBV OK(SEC K4T1G084QD-ZCE6)V OKTakeMS TMS2GB264D081-665UY 2GB V OK(ELPIDA E1108AB-6E-E)V OKUMAX D46702GP0-73BCU 2GBV OK(UMAX U2S24D30TP-6E)V OKADATA ADQPE1B16 2GBV OK(Adata AD20908A8A-3EC)V OKGOODRAM GR667D264L5/2G 2GBV OK(Elpida E1108ACBG-6E-E)SEC M378T5663QZ3-CE6 2GBV OK(SEC K4T1G084QQ-HCE6)V OKPC 5300(DDRII 667) ECCModel Size 2 DIMMs 4 DIMMs R.S.T Hynix HYMP564U72CP8-Y5 512MBV OK(Hynix HY5PS12821CFP-Y5) ECCV OKHynix HYMP512U72CP8-Y5 1GBV OK(Hynix HY5PS12821CFP-Y5) ECCV OKKingston KVR667D2E5/1G 1GBV OK(Hynix HY5PS12821BFP-Y5) ECCV OKPC6400 DDR II RAM (DDR-800) Model Size 2 DIMMs 4 DIMMs R.S.T Micron MT4HTF3264AY-80ED3 256MB V OK(MICRON D9GZS)V OKApacer 78.91G91.9K5 512MBV OK(Apacer AM4B5708JQJS8E)GEIL GX21GB6400DC 512MB V OK(鉄殼) V OKHYNIX HYMP564U64BP8-S5 512MBV OK(HYNIX HY5PS12821BFP-S5)V OKHYNIX HYMP564U64CP8-S6 512MBV OK(Hynix HY5PS12821CFP-S6)V OKHYNIX HYMP564U64CP8-S5 512MBV OK(HYNIX HY5PS12821CFP-S5)V OKKINGMAX KLDC28F-A8KI5 [EGES]512MBV OK(KINGMAX KKA8FEIBF-HJK-25A)V OKKingmax KLDC28F-A8KB5 [FGES] 512MB V OK(PSC SEF145-L93G)V OKKingston KVR800D2N5/512 512MBV OK(ProMOS V59C1512804QCF25)V OKKingston KVR800D2N6/512 512MBV OK(Elpida E5108AJBG-8E-E)V OKMicron MT8HTF6464AY-80ED4 512MBV OK(Micron D9GKX)V OKMicron MT4HTF6464AY-80EE1 512MBV OKNanya NT512T64U88B0BY-25C 512MBV OK(Nanya NT5TU64M8BE-25C)V OKOCI 04751208CZ5U2D 512MB V OK(Infinity 64M8PC6400) V OK PSC AL6E8E63H-8E1K 512MB V OK(PSC A3R12E3HEF-G8E) V OKQimonda HYS64T6400EU-2.5-B2 512MBV OK(Qimonda HYB18T512800B2F2S)V OKSEC M378T6553CZ3-CE7 512MBV OKADATA ADQVE1A16 1GBV OK(ADATA AD29608A8A-25EG)V OKA-DATA AD2800E001GU 1GBV OKAENEON AET760UD00-25DB97X 1GBV OK(AENEON AET93R25DB)V OKAENEON AET760UD00-25DC08X 1GBV OK(Aeneon AET03R25DC)V OKAeneon AXT760UD00-25CC97X (1066 EPP) 1GB V OK(鐵殼)V OKApacer 78.01GA0.9K5 1GBV OK(Apacer AM4B5808CQJS8E)V OKBufaullo D2U800C-1GMDJ 1GBV OK(Micron D9GKX)V OKCORSAIR CM2X1024-6400 1GBV OK(鐵殼)V OKCrucial BL12864AA804.8FE5 1GBV OK(鐵殼)V OKElixir M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GBV OK(Elixir N2TU51280BE-25C)V OKElixir M2Y1G64TU88D4B-AC 1GBV OK(Elixir N2TU1680DE-ACV OKGEIL GX22GB6400DC 1GB V OK(鉄殼)V OKHYNIX HYMP112U64CP8-S5 1GBV OK(HYNIX HY5PS1G831CFP-S5)V OKHYNIX HYMP512U64CP8-S5 1GBV OK(HYNIX HY5PS12821CFP-S5)V OKKINGBOX EP1GD2800PS [KINGBOX] 1GB V OKKINGMAX KLDD48F-A8KI5[EHES] 1GBV OK(KINGMAX KKA8FEIBF-HJK-25A)Kingmax KLDD48F-A8KB5 [FHES] 1GBV OK(PSC SEF145-L93G)V OKKingston KHX6400D2ULK2/2G 1GBV OK(鐵殼)V OKKingston KVR800D2N5/1G 1GBV OK(Elipida E5108AJBG-8E-E)V OKKingston KVR800D2N5/1G [ProMOS] 1GB V OK(ProMOS V59C1512804QCF25)V OKKingxcon KIN800D2N4/1G [Elixir] 1GBV OK(Elixir N2TU51280BE-25C)V OKKingston KVR800D2N6/1G 1GBV OK(Elpida E5108AJBG-8E-E)V OKKINGXCON KIN800D2N4/1G [GeeDom] 1GB V OK(GeeDom GDT126408C-25)V OKMicron MT8HTF12864AY-80EE1 1GB(MICRON D9HNQ)V OKMicron MT16HTF12864AY-80ED41GB V OK(Micron D9GKX)V OKNanya NT1GT64U8HB0BY-25C 1GBV OK (Nanya NT5TU64M8BE-25C)V OKNANYA NT1GT64U8HCOBY-25D 1GBV OK(NANYA NT5TU64M8CE-25D)V OKOCI 04701G16CZ5U2D 1GB V OK (Infinity 64M8PC6400) V OKOCZ OCZ2P800R22GK 1GBV OK(鐵殼)V OKOCZ OCZ2G800R22GK 1GBV OK(鐵殼)V OKPSC AL7E8E63H-8E1K 1GB V OK (PSC A3R12E3HEF-G8E) V OK Qimonda HYS64T128020EU-2.5-B2 1GB V OKSupertalent T800UB1GSA 1GBV OK(SEC K4T51083QE-ZCF7)V OKTakeMS TMS1GB264D082-805AP 1GB V OK(TakeMS MS18T1G80-25F)V OKTranscend JM800QLU-1G 1GBV OK(TRANSCEND TQ243PCF8)V OKTwinMos8DE25KK5MTFTP 1GBV OK(Twinmos TMM6208G8M25B)V OKUMAX D48001GP3-63BJU 1GBV OK(UMAX U2S12D30TP-8E)V OKSEC M378T2863QZS-CF7 1GBVOK(SEC K4T1G084QQ-HCF7)VOKAeneon AET860UD00-25DC08X 2GB V OK(Aeneon AET03R25DC)V OKApacer 78.A1GA0.9K4 2GBV OKVCORSAIR CM2X2048-6400C5 2GB V OK(鐵殼)V OKElixir M2Y2G64TU8HD4B-AC 2GB V OK(Elixir N2TU1680DE-AC)V OKGEIL GB28GB6400C5QC 2GBV OK(Geil GL2L128M088BA25Y)V OKHYNIX HYMP125U64CP8-S5 2GB V OK(HYNIX HY5PS1G831CFP-S5)V OKHynix 2GBV OK(Hynix HY5PS1G831CFP-S5C)V OKKINGBOX EP2GD2800PS 2GBV OK(Micron D9HNL)V OKKINGMAX KLDE88F-B8KB5[FHES] 2GB V OK(KINGMAX KKB8FFBXF-CFA-25A)V OKKINGSTON KVR800D2N5/2G 2GBV OK(ELPDA E1108ACSE-8E-E)V OKMicron MT16HTF25664AY-80EE1 2GBV OK(MICRON D9HNQ)V OKSupertalent T800UB2GC5 2GBV OK(鐵殼)V OKNanya NT2GT64U8HC0BY-AC 2GBV OK(Nanya NT5TU128M8CE-AC)V OKOCZ OCZ2P8004GK 2GBV OK(鐵殼)V OKQimonda HYS64T256020EU-25F-C2 2GB V OK(Qimonda HYB18T1G800C2F-25F)V OKQimonda HYS64T256020EU-2.5-C2 2GB V OK(Qimonda HYB18T1G800C2F-2.5)V OK TakeMS TMS2GB264D082-805AP 2GB V OK(TakeMS MS18T1G80-25F)V OKTranscend JM800QLU-2G 2GBV OK(Transcend TQ243PCF8)V OKUMAX D48002GP0-73BCU 2GBV OK(UMAX U2S24D30TP-8E)V OKADATA ADQVE1B16 2GBV OK(Adata AD20908A8A-25EC)V OKGOODRAM GR800D264L6/2G 2GBV OK(Elpida E1108ACBG-6E-E)V OKPC 6400(DDRII 800) ECCModel Size 2 DIMMs 4 DIMMs R.S.T HYNIX HYMP564U72CP8-S5 512MBV OK(HYNIX HY5PS12821CFP-S5) ECCV OKHYNIX HYMP512U72CP8-S5 1GBV OK(HYNIX HY5PS12821CFP-S5) ECCV OKDDRII 1000Model Size 2 DIMMs 4 DIMMs R.S.T Kingston Kingston 1GBV OKDDRIII-800Model Size 2 DIMMs 4 DIMMs R.S.T Qimonda IMSH51U03A1F1C-08E 512MB V OK (Qimonda IDSH51-03A1F1C-08E) V OKSEC M378B6573EZ0-CF-7 512MB V OK (SEC K4B510846E-ZCF7) V OKDDRIII-1066Model Size 2 DIMMs 4 DIMMs R.S.TADATA EL6YG1908 512MB V OK(ELPIDA J5308BASE-AC-E) V OKAeneon Aeneon AEH660UD00-10FA98X512MB V OK(Aeneon AEH93R10F) V OKELPIDA EBJ51UD8BAFA-AC-E 512MB V OK (ELPIDA J5308BASE) V OKQimonda IMSH51U03A1F1C-10F 512MB V OK (Qimonda IDSH51-03A1F1C-10F) V OK Qimonda IMSH51U03A1F1C-10G 512MB V OK (Qimonda IDSH51-03A1F1C-10G) V OKADATA SC6YG1A08 1GB V OK(SEC K4B1G0846C-ZCF8) V OKADATA SC6YG1A08 1GB V OK(SEC K4B1G0846D-HCF8) V OKAeneon Aeneon AEH760UD00-10FA98X 1GB V OK (AeneonAEH93R10F) V OKApacer 78.01GC4.331 1GBV OK(Qimonda IDSH51-03A1F1C-10F) V OKBufaulloD3/1066-1G 1GB V OKCorsair CM3X1024-1066C7 1GBV OK (鉄殼) V OKCrucial CT12864BA1067.8SFD 1GBV OKHYNIX HMT112U6AFP8C-G7N01GB V OK(Hynix H5TQ1G83AFP-G7C)V OKELPIDA EBJ11UD8BAFA-AC-E 1GB V OK (ELPIDA J5308BASE) V OKMicron MT8JTF12864AY-1G1D1 1GBVOK(Micron D9JNL)KINGSTONKVR1066D3N7/1G 1GBVOK(ELPIDA J5308BASE-DG-E S)V OKQimondaIMSH1GU03A1F1C-10G 1GBVOK(Qimonda IDSH1G-03A1F1C-10G) V OKQimondaMSH1GU03A1F1C-10F 1GBVOK(Qimonda IDSH1G-03A1F1C-10F) V OKQimondaIMSH1GU13A1F1C-10F1GB VOK(Qimonda IDSH51-03A1F1C-10F) VOKQimondaIMSH1GU13A1F1C-10GOK(Qimonda IDSH51-03A1F1C-10G)VOKSEC M378B2873DZ1-CF81GB VOK(SEC K4B1G0846D-HCF8)VOKSupertalent W1066UA1GS 1GBVOK(SEC K4B1G0846C-ZCF8)VOKBufaulloD3/1066-2G 2GB VOKCrucial CT25664BA1067.16SFD 2GB V OK(Micron D9JNL)VOKMicron MT16JTF25664AY-1G1D1 2GB VOKQimonda IMSH2GU13A1F1C-10F 2GBVOK(Qimonda IDSH1G-03A1F1C-10F) VOKQimonda IMSH2GU13A1F1C-10G 2GBVOK(Qimonda IDSH1G-03A1F1C-10G) VOKSECM378B5673DZ1-CF82GBVOK(SEC K4B1G0846D-HCF8) VOKSupertalent W1066UB2GS 2GBVOKDDRIII-1333Model Size 2 DIMMs 4 DIMMs R.S.T Qimonda IMNH51U03A1F1C-13G 512MB VOKOKQimonda IMSH51U03A1F1C-13H 512MB VOK(Qimonda IDSH51-03A1F1C-13H) V OK Micron MT8JTF12864AY-1G4D1 1GBVOK(Micron D9JNM) VOKNANYA NT1GC64B88A0NF-CF1GBVOK(Nanya NT5CB128H8AN-CF) VOKOCZ OCZ3P13332GK 1GBVOK(鐵殼) VOKQimonda IMSH1GU03A1F1C-13H 1GB VOK(Qimonda IDSH1G-03A1F1C-13H) VOKQimonda IMNH1GU13A1F1C-13G 1GB VOKOKQimonda IMSH1GU13A1F1C-13H 1GB VOK(Qimonda IDSH51-03A1F1C-13H) V OK SEC M378B2873DZ1-CH9 1GBVOK(SEC K4B1G0846D-HCH9) VOKSupertalent W1333UB1GQ 1GBVOK(Qimonda IDSH51-03A1F1C-13H) V OKADATASC63I1B162GBVOK(SEC K4B1G0846D-HCH9) VOKOCZ OCZ3P13334GK2GBVOK(鐵殼) VOKQimonda IMSH2GU13A1F1C-13H 2GBVOK(Qimonda IDSH1G-03A1F1C-13H) VOKSEC M378B5673DZ1-CH9 2GBVOK(SEC K4B1G0846D-HCH9) VOKCorsair CMX1024-1333C9 1GBVOK(鉄殼)GeIL GV32GB1333C7DC 1GBVOK鐵殼GeIL GV34GB1333C7DC 2GBVOK鐵殼DDRIII-1375Model Size 2 DIMMs 4 DIMMs R.S.T Kingston KHX11000D3LL/512 512MB V OK 鐵殼Kingston KHX11000D3LLK2/2GX1GBVOK鐵殼Kingston KHX11000D3UL/1G 1GBVOK鐵殼。
服务器性能指标范文
服务器性能指标范文CPU性能是服务器性能的重要指标之一、CPU性能直接影响服务器的计算能力和响应速度。
主要包括CPU型号、核心数量、主频、运算能力等指标。
常见的CPU型号有Intel的Xeon系列和AMD的EPYC系列，其中Xeon系列适合高性能计算、虚拟化等需求，而EPYC系列适合数据处理、大规模存储等应用。
核心数量和主频决定了CPU的并行计算能力和单线程性能。
运算能力可以通过主流的性能测试软件进行评测。
内存容量和频率也是服务器性能的重要指标之一、内存容量直接影响服务器的并发处理能力和数据存储能力。
对于运行大型数据库、大规模虚拟化等应用场景，需要较大的内存容量。
内存的频率越高，数据传输速度越快，可以提高服务器的数据处理效率。
常见的内存类型有DDR3、DDR4等，其中DDR4内存相对于DDR3内存在传输速度和能效方面都有较大提升。
网络带宽也是评估服务器性能的重要指标之一、网络带宽决定了服务器与外界的数据传输速度。
对于需要大量传输数据的网络应用，如视频直播、大规模文件传输等，需选择带宽较大的服务器。
常见的网络带宽有千兆、万兆等。
除了以上几个方面，服务器性能还与操作系统、硬件架构、数据中心位置等相关。
操作系统可以通过对比不同操作系统在性能测试方面的表现来评估，如Windows Server、Linux等。
硬件架构主要有x86架构和ARM架构，x86架构的服务器一般适用于通用计算需求，而ARM架构的服务器适用于高性能低功耗的应用场景。
数据中心位置可以影响服务器的访问延迟，对于需要低延迟的应用，需要选择距离用户较近的服务器。
在选择服务器时，我们需要根据自身需求来综合考虑这些性能指标。
如果是运行大型数据库、大规模虚拟化的应用，我们需要选择具有较高CPU性能、大内存容量和高速度硬盘的服务器。
如果是运行高性能计算、数据处理等应用，我们可以选择具有较大内存容量、高速度硬盘和网络带宽的服务器。
如果是运行低功耗、高性能的应用，我们可以选择具有较高运算能力和较低功耗的服务器。
内存条一根16g和两根8g有什么区别
内存条一根16g和两根8g有什么区别在日常使用电脑或组装电脑时，我们经常会听到关于内存的不同规格和容量的说法。
在这其中，常见的规格是16GB和8GB的内存条。
那么，一根16GB的内存条和两根8GB的内存条之间有什么区别呢？本文将为你解答这个问题。
1. 总容量首先，最明显的区别在于总容量。
一根16GB的内存条的总容量是16GB，而两根8GB的内存条的总容量也是16GB。
两种方案的总容量相同，但是内存条的数量有所不同。
2. 单通道和双通道内存条的数量对于计算机的性能也有一定影响。
一根16GB的内存条属于单通道配置，而两根8GB的内存条则可以实现双通道配置。
双通道配置可以提高内存的访问速度，对于提升系统的整体性能有一定的帮助。
在双通道配置中，两根8GB的内存条可以同时读取和写入数据，提高数据传输效率。
而单通道配置下，16GB的内存条只能依次读取和写入数据，效率相对较低。
3. 扩展性和灵活性两根8GB的内存条相对于一根16GB的内存条更具有扩展性和灵活性。
当你需要增加内存容量时，如果你已经使用两根8GB的内存条，你可以再添加两根8GB 的内存条，扩展到16GB或更高的容量。
但是，如果你使用的是一根16GB的内存条，你就只能通过替换为更高容量的内存条来增加内存。
此外，两根8GB的内存条还可以选择不同的品牌和型号，以满足个人需求和预算。
而一根16GB的内存条只能选择相同规格的品牌和型号。
4. 电力消耗在电力消耗方面，两种方案并没有明显区别。
无论是一根16GB的内存条还是两根8GB的内存条，它们的电力消耗都相对较低，对整个系统的功耗影响不大。
5. 价格和性价比在价格方面，两种方案可能会有一定的差异。
通常情况下，一根16GB的内存条的价格会略高于两根8GB的内存条的总价格。
单根16GB的内存条往往需要更高的制造成本，因此相对较贵。
从性价比来看，两根8GB的内存条可能更具吸引力。
它们可以更好地发挥双通道配置的性能提升，并且在价格上相对较低。
内存芯片型号
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
笔记本内存说明的几个参数
笔记本内存说明的几个参数
“笔记本内存说明的几个参数”这句话指的是在购买或使用笔记本电脑时，需要了解的关于内存（Memory）的一些关键参数或规格。
内存是计算机的重要组件，它负责存储和检索数据，以及运行程序。
一般来说，笔记本内存的几个重要参数包括：
1.内存类型：这是指内存条的类型，如DDR3、DDR4、DDR5等。
这些类型
代表了内存的规格和性能。
2.内存容量：这是指内存条可以存储的数据量，以GB为单位。
一般来说，
8GB、16GB、32GB等是常见的内存容量。
3.内存速度：这通常用频率来表示，如1600MHz、2400MHz、3200MHz
等。
它描述了内存条在单位时间内可以处理多少数据。
4.内存通道：这是指内存条如何与处理器通信。
例如，单通道、双通道和四
通道，它们对内存的性能有不同程度的影响。
5.ECC（Error Checking and Correcting）：这是一种错误检查和纠正技术，
可以帮助检测和纠正内存中的错误，保证数据的完整性和准确性。
6.内存模块类型：这描述了内存条的物理特性，如它是单条还是套装，或者
是SO-DIMM（Small Outline DIMM）或U-DIMM（Ultra-DIMM）等。
7.其他特性：这包括其他与内存相关的特性，如时钟周期、延迟等。
最后总结来说，“笔记本内存说明的几个参数”是指使用笔记本电脑时需要了解的关键内存参数，包括内存类型、容量、速度、通道、ECC以及其他特性等。
这些参数可以帮助用户了解并比较不同产品之间的内存性能和规格，以便做出更明智的选择。
内存条
内存条在电脑的位置：一般来说， 内存条在台式机上是纵向插入到主 板的边缘。（在笔记本电脑上是横 向插入在电脑底部位置）
按照包 装（bi） 规格来看，内存条可分 为马甲条和普条，马甲条优金属外壳， 散热更好，性能一般也更强（主要是b格 满满啊！），常用于游戏发烧友。右图 为影驰名人堂3600mhz，16g套装条。
CPU在工作即处理问题时要从硬盘调用数据存放在内存条内，然后再从 内存中读取数据供自己使用，CPU与内存之间进行数据交换的速度是最快 的，所有CPU要处理的数据会先从硬盘里提出来暂时放在内存里，CPU处 理的时候需要的数据会直接从内存寻找，内存只是暂时（临时）用来放数 据的，断电后内存里的东西就会消失，所以有什么需要留下来的都得保存 起来放硬盘里。
内存条初级扫盲
谌志超 李钦才 邓柏龄 薛鼎鼎 王 冉 张 华
大体部分
1.介绍一下内存条的外形和功能 2.解说内存条的型号，基本参数 3.当今内存颗粒生产的三大巨头：三星、海力士、 镁 光(重点介绍三丧)。 4.聊一聊一下行情，规避购买风险！
内存条的外型和功能
一句话概括，用于辅助cpu处理已存储的数据的“条状物”。
聊一聊一下行情
还是那句话：京东自营和淘宝老店比较靠谱，正品的内存条提供的是三年以 上的质保，甚至是终身质保
凑合用的话可以考虑二手，因为内存条很难坏，前提是正品！市面上甚至有 一些小作坊把旧内存的颗粒抠下来按照新的pcb板上当新内存卖！
三星，镁光和海力士这两年不生产自家内存条，所以淘宝上那些品牌是三星， 镁光海力士的牌子一律pass 金士顿假货多，只推荐京东自营，海盗船存在以次充好的嫌疑，慎入！ 购买内存条之前请观察原有内存条的参数，尽量购买一样参数的 现在内存条在降价，是个购买的好时机，但是量力而为，避免吃土
内存条型号 各种内存是怎么定型号的 型号规则
4，DDR2 SDRAM金手指也是一个缺口，猛一看和DDR的差不多，这个要看内存的芯片，就是上面黑色的集成块，DDR的是长方形的，DDR2的为正方形。
理解了这些分类，你可以上网查下自己的主板型号。
而且：接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。
因为内存是插在主板的插槽上，所以内存的构造要能适应主板，就是能插进去的意思。
最常见的可以分4类
1，RDRAM 这个内存上面都带有散热片，也就是铝片。一般都是三星的。这种内存上有2个缺口，缺口之间的距离很近！
2，SDRAM，一般810或815的主板这种内存较多，也是有两个缺口，缺口之间的距离大些！
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常见内存型号
DDR=Double Data Rate双倍速率同步固态随机处理器
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
什么是DDR1?
有时候大家将老的存储技术DDR 称为DDR1 ，使之与DDR2 加以区分。
尽管一般是使用“DDR” ，但DDR1 与DDR 的含义相同。
什么是DDR2?
DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
换句话说，DDR2 内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
什么是DDR3?
DDR3是针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16M X 32bit，搭配中高端显卡常用的
128MB显存便需8颗。
而DDR3显存颗粒规格多为32M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。
如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。
由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。