内存规格参数

内存规格参数内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。

而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。

而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。

如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。

内存种类目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。

DDR1内存第一代DDR内存DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。

DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

DDR2内存第二代DDR内存DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。

它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。

DDR3内存第三代DDR内存DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。

DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。

三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。

即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。

内存SPD芯片内存SPD芯片SPD(Serial Presence Detect): SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器）, 容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。

SPD的内容一般由内存模组制造商写入。

支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。

启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。

上述情况实现的前提条件是在BIOS 设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。

当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。

从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。

如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。

因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。

更有甚者，一些不法厂商通过专门的读写设备去更改SPD信息，以骗过计算机的检测，得出与实际不一致的数据，从而欺骗消费者。

XMP技术支持XMP技术的内存产品BIOS里的XMP设置Intel Extreme Memory Profiles 简称XMP，它是一种提高内存性能的技术，与NVIDIA的SLI Memory 技术类似。

Intel制定了Intel Extreme Memory Profiles (Intel XMP Specification)，会对DDR3内存作出认证，芯片组会自动识别通过认证的指定品牌和指定型号的内存模组产品，通过提高数据吞吐量，增加带宽等手段使其性能增加。

英特尔公司表示，由于主要面向未来的高端平台，因此这项技术并不会出现在DDR2内存模组上，要想使用“Extreme Memory”技术的首要条件就是要使用DDR3内存。

内存控制器（Memory Controller）内存控制器是计算机系统内部控制内存并且通过内存控制器使内存与CPU之间交换数据的重要组成部分。

内存控制器决定了计算机系统所能使用的最大内存容量、内存BANK数、内存类型和速度、内存颗粒数据深度和数据宽度等等重要参数，也就是说决定了计算机系统的内存性能，从而也对计算机系统的整体性能产生较大影响。

早期内存控制器集成在主板北桥芯片传统的计算机系统其内存控制器位于主板芯片组的北桥芯片内部，CPU要和内存进行数据交换，需要经过“CPU--北桥--内存--北桥--CPU”五个步骤，在此模式下数据经由多级传输，数据延迟显然比较大从而影响计算机系统的整体性能；而AMD的K8系列CPU（包括Socket 754/939/940等接口的各种处理器）内部则整合了内存控制器，CPU与内存之间的数据交换过程就简化为“CPU--内存--CPU”三个步骤，省略了两个步骤，与传统的内存控制器方案相比显然具有更低的数据延迟，这有助于提高计算机系统的整体性能。

AMD率先在桌面平台将内存控制器集成在CPU英特尔新酷睿家族处理器也集成了内存控制器CPU内部整合内存控制器的优点，就是可以有效控制内存控制器工作在与CPU核心同样的频率上，而且由于内存与CPU之间的数据交换无需经过北桥，可以有效降低传输延迟。

打个比方，这就如同将货物仓库直接搬到了加工车间旁边，大大减少了原材料和制成品在货物仓库和加工车间之间往返运输所需要的时间，极大地提高了生产效率。

这样一来系统的整体性能也得到了提升。

内存规格参数内存性能规格标签内存频率和CPU一样，内存也有自己的工作频率，频率以MHz为单位内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。

内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。

目前最为主流的内存频率为DDR2-800和DDR3-1333，作为DDR2的替代者，DDR3内存的频率已经在向3000MHz进发。

内存容量内存的容量不但是影响内存价格的因素，同时也是影响到整机系统性能的因素。

过去Windows XP平台，512M的内存还是主流，1GB已经是大容量；到了现在，64位系统开始普及，Windows Vista、Windows 7越来越多人使用，没有2GB左右的内存都不一定能保证操作的流畅度。

目前，单根内存的容量主要有1GB、2GB两种，高端的还有很罕有的单根4GB超大容量内存工作电压内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。

DDR2内存的工作电压一般在1.8V左右，而DDR3内存则在1.6V左右。

有的高频内存需要工作在高于标准的电压值下，具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了。

只要在允许的范围内浮动，略微提高内存电压，有利于内存超频，但是同时发热量大大增加，因此有损坏硬件的风险。

内存时序参数BIOS内存时序设置tCL : CAS Latency Control(tCL)一般我们在查阅内存的时序参数时，如“8-8-8-24”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。

这个第一个“8”就是第1个参数，即CL参数。

CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency 是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。

CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。

因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。

一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。

首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。

期间从CAS 开始到CAS结束就是CAS延迟。

所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。

同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。

这个参数越小，则内存的速度越快。

必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据。

而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。

内存标签tRCD : RAS to CAS Delay该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第2个参数，即第2个“8”。

RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。

对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。

在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。

如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

tRP : Row Precharge Timing(tRP)该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第3个参数，即第3个“8”。

Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。

tRAS : Min RAS Active Timing该值就是该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的最后一个参数，即“24”。

Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在24~30之间。

这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。