晶体管和场效应管
复合管 晶体管+场效应管
复合管晶体管+场效应管
晶体管与场效应管的复合管
晶体管和场效应管是两种常见的半导体器件，它们在电子设备中广泛应用。
晶体管是一种三端器件，通过控制一个输入信号来控制另一个输出信号。
而场效应管是一种四端器件，通过改变栅极电场来控制电流流动。
为了将它们的优点结合起来，人们发展了一种新型器件，即晶体管与场效应管的复合管。
复合管兼具了晶体管和场效应管的特点。
它能够在低电平控制下工作，具有低功耗和高开关速度的特性。
同时，它还继承了晶体管的电流放大和场效应管的高输入电阻的优势。
因此，在一些特定的应用场景中，复合管比单独使用晶体管或场效应管更具优势。
复合管的结构和工作原理可以根据具体的设计而有所差异，但一般来说，它的结构包括了基底、栅极、源极和漏极。
基底用来提供电流传导的路径，栅极用来控制电流的流动，源极和漏极则用来连接外部电路。
通过调节栅极电压来控制电流的大小，从而实现对复合管的控制。
在实际应用中，复合管可以用于控制电池管理系统、电源管理系统、电机驱动系统等。
它的高效率和可靠性使得电子设备可以在更低功耗的情况下实现更高的性能。
此外，由于复合管结构相对简单，制造成本相对较低，也可以降低电子设备的制造成本。
总之，晶体管与场效应管的复合管是一种具有晶体管和场效应管特性的新型器件。
它的出现在一定程度上克服了晶体管和场效应管的局限性，提高了电子设备的性能和可靠性。
随着科技的发展，复合管有望在更多领域中得到应用，为电子技术的进步贡献力量。
常用场效应管及晶体管参数
常用场效应管及晶体管参数场效应管（FET）和晶体管（BJT）是现代电子设备中广泛使用的两种主要的电子器件。
他们在放大、开关和电路控制等方面起着重要作用。
下面将详细介绍常用场效应管和晶体管的参数。
一、场效应管（FET）的参数1. 空载传导（Idss）：空载传导是指当栅极-源电压为零时的最大漏极-源极电流。
这个参数表示了当栅极完全封闭时，通过FET的最大电流。
2. 门源截止电压（VGS(off)）：当栅极-源电压为零时，FET将完全关闭，不传导漏极电流。
这个参数可以用来确定FET的静态工作点。
3. 饱和电压（VDS(sat)）：饱和电压是指，在给定的栅极-源极电压和栅极电压下，漏极-源极电流达到饱和状态时的漏极-源极电压。
在这个电压下，FET可以传导最大电流。
4. 输入电容（Ciss）：输入电容是指当栅极电压变化时，所需的输入电荷的数量，单位为法拉。
这个参数表示了栅极电压对FET的效果。
5. 输出电导（Drain-to-Source On-Resistance，RDS(on)）：输出电导是指当FET完全开启时，漏极-源极电阻的值。
值越小，FET的效果越好。
二、晶体管（BJT）的参数1. 最大集电极电流（Ic(max)）：最大集电极电流是指晶体管能够承受的最大电流值。
超过这个电流值会导致晶体管损坏。
2. 饱和电流（Ic(sat)）：饱和电流是指当基极电流大到一定程度时，集电极-发射极电流稳定在最大值的状态。
此时，晶体管工作在饱和区，可以作为开关使用。
3. 直流增益（DC Current Gain，hFE）：直流增益是指当基极电流增大时，集电极电流相对于基极电流的放大倍数。
该参数用来描述晶体管的放大能力。
4. 射极漏电流（Iceo）：射极漏电流是指当基极电流为零时，集电极-发射极间的非控制电流。
此时，晶体管处于关闭状态。
5. 输入电容（Cbe）：输入电容是指当基极电压变化时，所需的输入电荷的数量。
这个参数表示了基极电压对晶体管的效果。
常用场效应管和晶体管全参数大全
常用场效应管和晶体管全参数大全1.常用场效应管参数：(1)静态参数：a.离子阱截止电压（Vp）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流为零的栅极-源极电压。
b. 饱和漏极电流（Idss）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流的最大值。
c. 调整电压（Vto）：指在栅极与源极间电压为零时，栅极与源极间的电流。
d. 输入电容（Ciss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极之间的电容。
e. 输出电容（Coss）：指当栅极-源极电压为零时，漏极之间的电容。
f. 反馈电容（Crss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极与漏极之间的电容。
(2)动态参数：a.输入电导（Gm）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与栅极-源极电压之比。
b. 输入电阻（Rin）：指在栅极-源极电压为零时，输入电阻的值。
c. 输出电导（Gds）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与漏极电压之比。
d. 输出电阻（Rout）：指在栅极-源极电压为零时，输出电阻的值。
e. 转封闭电压（Breakdown Voltage）：指在栅极-源极电压为零时，输出特性曲线开始变弯的电压。
2.晶体管参数：(1)静态参数：a. 饱和电压（Vce）：指在负载线上工作时，集电极与发射极之间的电压。
b.饱和电流（Ic）：指在负载线上工作时，通过集电极的电流。
c. 漏电流（Iceo）：指在基极与集电极之间断开时，通过集电极的漏电流。
d. 输入电容（Cib）：指输入电容的值。
e. 输出电容（Cob）：指输出电容的值。
(2)动态参数：a. 横向混频增益（hfe）：指输入电流与输出电流之比。
b. 纵向封闭电流放大因数（hie）：指基极-发射极之间的电阻。
c.输出电流（Ib）：指基极电流。
d. 纵向式封闭输出电阻（hre）：指输出电流与输入电流之比。
值得一提的是，晶体管比场效应管多一种参数：工作频率。
此参数指示了晶体管在给定频率下的性能。
这些是常见的场效应管和晶体管的主要参数。
不同的型号和规格的场效应管和晶体管可能会有其他额外的参数依赖于具体应用和要求。
场效应管与晶体管的比较
3.3 场效应管的参数和小信号模型
3.3.1 场效应管的主要电参数 3.3.2 场效应管的小信号模型 3.3.3 场效应管与晶体管的比较
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路 结型（JFET）符号
N沟道
P沟道
d
d
g
g
s
s
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路
绝缘栅型(MOSFET)符号
g
s
(2) 管子工作在放大区有
iD
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
IDSS [1
uGS ]2 U G S(of f )
不同点：
耗尽型
耗尽型：UGS 可正可负可为零 结型： UGS 0， 只能小于或等于零 0
d
g
s
结型
0
模拟电子技术
谢 谢！
模拟电子技术
耗尽型
N沟道
D
G
S
增强型
D
G
S
P沟道
D G
S D
G S
模拟电子技术
3. 场效应管及其放大电路
3.3.3 场效应管与晶体管的比较
d
c
g
b
（1） 导电机理
T
场效应管是利用一种极性载流子导电的。 s
e
在双极型晶体管中两种极性的载流子（电子和空穴）
同时参与了导电。
（2）结构对称性
场效应管的结构对称，漏极和源极可以互换使用。
增强型： 当
时，
iD K[uGS - UGS(th) ]2 gm 2 KIDQ
0
耗尽型： 当
时，
iD
I DSS
(1
uGS )2 U G S(of f )
场效应管和晶体管的区别
场效应管和晶体管的区别2009年03月26日星期四 16:041. 场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。
绝缘栅型场效应管的衬底（B）与源极（S）连在一起，它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。
晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极（b）、集电极（c）、发射极（e）。
场效应管的G、D、S极与晶体管的b、c、e极有相似的功能。
绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同，结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。
它们性质的差异使结型场效应管往往运用在功放输入级（前级），绝缘栅型场效应管则用在功放末级（输出级）。
2. 双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。
场效应管是电压控制器件，栅极（G）基本上不取电流，而晶体管的基极总要取一定的电流，所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管。
而在允许取一定量电流时，选用晶体管进行放大，可以得到比场效应管高的电压放大倍数。
3. 场效应管是利用多子导电（多子：电子为多数载流子，简称多子），而晶体管是既利用多子，又利用少子（空穴为少数载流子，简称少子），由于少子的浓度易受温度，辐射等外界条件的影响，因此在环境变化比较剧烈的条件下，采用场效应管比较合适。
4. 功率放大电路是一种弱电系统，具有很高的灵敏度，很容易接受外界和内部一些无规则信号的影响，也就是在放大器的输入端短路时，输出端仍有一些无规则的电压或电流变化输出，利用示波器或扬声器就可觉察到。
这就是功率放大器的噪声或干扰电压。
噪声所产生的影响常用噪声系数Nf 表示，单位为分贝（dB），Nf越小越好，Nf=输入信号噪声比/输出信号噪声比，晶体管的噪声来源有三种：⑴热噪声：由于载流子不规则的热运动，通过半导体管内的体电阻时而产生；⑵散粒噪声：通常所说的三极管中的电流只是一个平均值，实际上通过发射结注入基区的载流子数目，在各个瞬时都不相同，因而引起发射极电流或集电极电流有一无规则的流动，产生散粒噪声；⑶颤动噪声：晶体管产生颤动噪声的原因现在还不十分清楚，但被设想为载流子在晶体表面的产生和复合所引起，因此与半导体材料本身及工艺水平有关。
晶体管,场效应晶体管工作原理
晶体管，场效应晶体管工作原理 晶体管工作原理
利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看下。
下图中的S是指源极（Source），D是指漏极（Drain），G是栅极（Gate）。
晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。
晶体管工作原理
源极和漏极之间是沟道，当没有对栅极（G）施加电压的时候，沟道中不会聚集有效的电荷，源极（S）和漏极（S）之间不会有有效电流产生，晶体管处于关闭状态。
可以把这种关闭的状态解释为“0”。
当对栅极（G）施加电压
的时候，沟道中会聚集有效的电荷，形成一条从源极（S）到漏极（D）导通的通道，晶体管处于开启状态，可以把这种状态解释为“1”。
这样二进制的两个状态就由晶体管的开启和关闭状态表示出来了。
晶体管工作原理
场效应晶体管工作原理
场效应晶体管，英语名称为Field Effect Transistor，简称为场效应管，是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。
可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道，接下来我们就以N沟道结型场效应管为例来对场效应管的工作原理进行说明。
晶体管工作原理
对应于三极管的基极、集电极和发射极，场效应管分别是栅极、漏极和源极。
在其栅-源间加负向电压、漏-源间加正向电压以保证场效应管可以正常工作。
所加负向电压越大，在PN结处所形成的耗尽区越厚，导电沟道越窄，沟道电阻越大，漏极电流越小；反之，所加负向电压越小，在PN结处所形成的
耗尽区越薄，导电沟道越厚，沟道电阻越小，漏极电流越大。
由此通过控制栅-源间所加负向电压完成了对沟道电流的控制。
常用场效应管及晶体管参数66681
常用场效应管及晶体管参数66681场效应管（Field-Effect Transistor，FET）和晶体管（Transistor）是现代电子学中最常用的两种电子元件。
它们广泛应用于电子设备中的放大、开关和数码电子电路等方面。
本文将对常用的场效应管和晶体管参数进行介绍。
1.场效应管的参数1.1耐压（VDSS）:表示场效应管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。
1.2额定电流（ID）:表示场效应管的最大额定电流，单位为安培（A）。
1.3 漏极-源极导通电阻（RDS(on)）: 表示在漏极-源极之间，当场效应管处于导通状态时的阻值，单位为欧姆（Ω）。
1.4 阈值电压（VGS(th)）: 表示在栅极和源极之间，场效应管刚开始导通时所需的栅极-源极电压，单位为伏特（V）。
1.5 输入电容（Ciss）: 表示场效应管的输入电容，单位为法拉（F）。
1.6 输出电容（Coss）: 表示场效应管的输出电容，单位为法拉（F）。
1.7 开关时间（ton、toff）: 表示场效应管从导通到截止以及从截止到导通的时间，单位为纳秒（ns）。
2.晶体管的参数2.1最大耐压（VCEO）:表示晶体管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。
2.2最大额定电流（IC）:表示晶体管的最大额定电流，单位为安培（A）。
2.3 饱和压降（VCE(sat)）: 表示晶体管在饱和区时，集电极和发射极之间的电压降，单位为伏特（V）。
2.4 开路电流放大倍数（hfe）: 表示晶体管的直流电流放大倍数。
2.5 输入电阻（hie）: 表示晶体管的输入电阻，单位为欧姆（Ω）。
2.6 输出电阻（hoe）: 表示晶体管的输出电阻，单位为欧姆（Ω）。
2.7 动态电阻（rce、Rce）: 表示晶体管在放大区时，集电极和发射极间的动态电阻，单位为欧姆（Ω）。
3.总结场效应管和晶体管是现代电子设备中非常重要的元件，具有各自独特的特性和参数。
在实际应用中，我们需要根据具体情况选择适合的场效应管或晶体管，并合理使用其参数进行设计和调整。
场效应管和晶体管的异同
晶体管的结构和特性
晶体管由三个半导体层（发射极、基极和集电极）组成，通过电流控制其开关状态。
晶体管具有放大信号的作用，可用于信号放大、振荡和开关电路等。
根据结构不同，晶体管可分为NPN和PNP两种类型，其工作原理和特性略有不同。
晶体管的特性曲线包括输入特性曲线和输出特性曲线，反映了晶体管在不同工作条件下的性能表 现。
在模拟电路和数字电路中均 有广泛应用
晶体管定义
晶体管是由半导体材料制成的电子器件 晶体管具有放大、开关、振荡等功能 晶体管由三个电极（基极、集电极和发射极）组成 晶体管可分为NPN和PNP两种类型
异同点概述
同处：都是半导体器件，具 有放大作用。
异处：场效应管是电压控制器 件，晶体管是电流控制器件。
晶体管工作原理
晶体管由三个半 导体组成，包括 两个N型和一个P 型半导体，中间 是P型半导体，两 侧是两个N型半导 体。
当基极（B）电压 变化时，基极-发 射极（B-E）之间 的电压发生变化， 进而控制集电极 （C）和发射极 （E）之间的电流。
晶体管的工作原 理是通过控制基 极电流来控制集 电极电流，从而 实现信号放大或 开关作用。
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场效应管输入阻抗高，适用于低噪 声放大器；晶体管输出阻抗低，适 用于功率放大器。
场效应管在开关状态下的效率较高； 晶体管在放大状态下的效率较高。
结构和特性的异 同
场效应管的结构和特性
结构：由源极、栅极、漏极三个电极组成，源极和漏极之间是导电沟道 特性：电压控制型器件，输入阻抗高，噪声低，热稳定性好 工作原理：通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流 应用：放大器、振荡器、开关电路等
晶体管的放大系 数取决于基极和 发射极之间的电 压差，以及集电 极和基极之间的 电压。
电子管,晶体管,三极管,场效应管,MOS以及CMOS的区别和联系
电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS的区别和联系
电子管：一种在气密性封闭容器中产生电流传导，利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振
荡的电子器件，常用于早期电子产品中。
晶体管（transistor）：一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。
晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常
之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
电子管与晶体管代表了电子元器件发展过程中的两个阶段：电子管——晶体管——集成电路。
电子管可分为电子二极管，电子三极管等，晶体管也分为半导体二极管，半导体三极管等。
三极管：半导体三极管的简称，是一种电流控制型半导体器件，由多子和少子同时参与导电，也称双极型
晶体管（BJT）或晶体三极管。
场效应管(FET)：Field Effect Transistor，一种电压控制型半导体器件，由多数载流子参与导电,也称为单极
型晶体管。
MOS：场效应管的一种。
CMOS：互补金属氧化物半导体，是一种类似MOS管设计结构的多MOS结构组成的电路，是一种由无数
电子元件组成的储存介质。
有机电化学晶体管和场效应晶体管的区别
有机电化学晶体管和场效应晶体管的区别有机电化学晶体管和场效应晶体管，这俩家伙在电子世界里可是各有各的精彩。
想象一下，有机电化学晶体管就像是一个新潮的艺术家，喜欢用各种有机材料画出绚丽的电路。
而场效应晶体管呢，嗯，更多像个稳重的工程师，凭着严谨的规则和技术，默默无闻地推动着现代电子设备的发展。
先说说有机电化学晶体管，这个名字听上去就像是个高大上的科技玩意儿。
它们主要用有机化合物作为活性材料，像炫彩的颜料，能在电场作用下变化，哇，简直就是电子世界里的变色龙。
最酷的是，这种晶体管能在柔软的基材上工作，可以做成弯弯曲曲的形状，想想未来的智能手机、电子纸，咱们可不可以把它们卷起来放口袋里，简直是个科幻小说里的情节，眼前一亮！有机电化学晶体管的功耗低，响应速度快，真是个省电小能手，大家都希望能在环保的路上多走几步。
再聊聊场效应晶体管，简称FET。
这东西可是电子设备的“大拿”，就像电路里的灵魂人物，可靠性极高，应用广泛。
它利用电场来控制电流，听起来简单，但里头的原理可复杂呢。
场效应晶体管常见的有MOSFET，简单来说就是金属氧化物半导体场效应晶体管，哦，别被这个名字吓到，实在是让人觉得科技感满满。
它们在各种电子产品里默默奉献，手机、电脑、甚至是电视，都离不开它的帮助。
虽然外表不如有机电化学晶体管那样光鲜亮丽，但它的内在可是相当强大，堪称电子设备的“老黄牛”。
说到应用，真是千差万别。
有机电化学晶体管一般用在柔性显示器、传感器和新型的太阳能电池里。
你想想，未来的显示器轻薄得可以卷起来，简直是把黑科技搬回了家。
而场效应晶体管呢，几乎所有的数字电路里都有它的身影，像是万众瞩目的明星，总是光彩夺目。
在电源管理、信号处理等方面也能大显身手，真是个多面手。
不过，这两种晶体管也不是没有缺点。
有机电化学晶体管虽然花哨，但稳定性和寿命上还是有待提高。
有时候在高温和潮湿环境下表现不佳，简直让人心累。
而场效应晶体管，虽说成熟，但在某些高频应用场合，可能会出现效率下降的问题。
晶体管和场效应管工作原理详解
IC
RC UCE USC
晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？
RB
USB
USB =2V时：
U SB U BE 2 0.7 IB 0.019mA RB 70 I C I B 50 0.019mA 0.95mA
IC< ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。
1放大区 e结为正偏，c结为反偏的工作区域为放大区。在 放大区有以下两个特点： (1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用， 即iB有很小的变化量ΔIB时， iC 就会有很大的变 化量ΔIC。为此，用共发射极交流电流放大系数β 来表示这种控制能力。β定义为 I C u CE 常数 I B 反映在特性曲线上，为两条不同IB曲线的间隔。
由于 , 都是反映晶体管基区扩散与 复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以 两者之间必有内在联系。由 , 的定义可 得
I CN I CN IE IB I E I CN IE IE 1 I CN I CN I BN IE I BN I CN I BN I BN 1
2.集-基极反向截止电流ICBO ICBO是集 电结反偏 由少子的 漂移形成 的反向电 流，受温 度的变化 影响。
ICBO A
3. 集-射极反向截止电流ICEO
集电结反 偏有ICBO C
ICEO= IBE+ICBO ICEO受温度影响
很大，当温度上 升时，ICEO增加 很快，所以IC也 相应增加。三极 管的温度特性较 差。
IC I B I E (1 ) I B
为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比 例关系，定义共基极直流电流放大系数 为
第3章 场效晶体管及场效晶体管放大电路
3.3 场效晶体管的比较
场效晶体 管的分类
FET 场效晶体管
JFБайду номын сангаасT 结型
MOSFET (IGFET) 绝缘栅型
N沟道 P沟道 增强型
（耗尽型）
N沟道 P沟道
耗尽型
N沟道 P沟道
3.3 各种场效晶体管的比较
N
沟
道
绝增
缘 栅
强 型
场P
效沟
应道 管增
强
型
N 沟 道 耗
绝尽 缘型
栅
场P 效沟 应道 管耗
UDS
UGS
iD
++++ + +++
电沟M道O，SF在EUT是DS的利作用用栅下源形电成压i的D.
----
大 电小荷当，的UG来 多S>改少U变，GS(半从th)导而时体控, 沟表制道面漏加感极厚生电， 沟流道的电大阻小减。少，在相同UDS的作 用下，iD将进一步增加。
反型层
开始时无导电沟道，当在UGSUGS(th)时才形成沟 道,这种类型的管子称为增强型MOS管
iD(mA)
漏极饱和电流，用IDSS表示。
当UGS＞0时,将使iD进一步增加。
当UGS＜0时，随着UGS的减小漏
极电流逐渐减小，直至iD=0，对应
iD=0的UGS称为夹断电压，用符号
UP表示。
UP
UGS(V)
N沟道耗尽型MOS管可工作在UGS0或UGS>0
N沟道增强型MOS管只能工作在UGS>0
3. N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线
)2
(
UGS（off）
uGS
0)
常用场效应管及晶体管参数
常用场效应管及晶体管参数场效应管（FET）和晶体管（BJT）是现代电子设备中常见的两种半导体器件。
它们广泛应用于放大器、开关和逻辑电路等各种电子设备中。
下面将介绍常用的场效应管和晶体管的参数。
一、场效应管参数1. 栅极截止电压（VGS(off)）：当栅极、源极之间的电压低于这个截止电压时，场效应管处于截止状态，不导电。
2. 栅极漏极饱和电压（VGS(sat)）：当栅极、源极之间的电压高于这个饱和电压时，场效应管处于饱和状态，完全导通。
3. 输出导通电阻（RDS(on)）：当场效应管处于导通状态时，源极、漏极之间的电阻。
这个电阻越小，场效应管的导通性能越好。
4. 最大漏源电压（VDS(max)）：场效应管允许的最大漏源电压。
超过这个电压，场效应管可能被击穿损坏。
5. 最大漏极电流（ID(max)）：场效应管允许的最大漏极电流。
超过这个电流，场效应管可能被烧毁。
6.负温度系数（TC）：场效应管的温度特性参数。
它表示场效应管的电流与温度的关系。
一般来说，希望它越小越好，以保证工作温度下的稳定性。
7. 栅源电容（Cgs）：栅极与源极之间的电容。
它会影响场效应管的频率特性。
1.基极开路电流（ICBO）：当集电极、基极之间没有连接负载时，基极开路电流就会通过晶体管。
它可以看作是一个小的反向饱和电流。
2.发射极开路电流（IEBO）：当基极、发射极之间没有连接负载时，发射极开路电流就会通过晶体管。
它也可以看作是一个小的反向饱和电流。
3.饱和电流增益（hFE）：晶体管的放大倍数。
它表示晶体管的集电极电流与基极电流之间的比例关系。
4.最大集电极电压（VCEO）：晶体管允许的最大集电极电压。
超过这个电压，晶体管可能被击穿损坏。
5. 最大集电极功耗（PC(max)）：晶体管允许的最大功耗。
超过这个功耗，晶体管可能被烧毁。
6. 最大结温（Tj(max)）：晶体管允许的最大结温。
超过这个温度，晶体管可能出现热敏失效。
7. 输入电阻（Rin）：晶体管的输入电阻。
第4讲晶体三极管及场效应管
2. 绝缘栅型场效应管
增强型管
大到一定 值才开启
高掺杂 耗尽层 空穴
衬底 SiO2绝缘层
反型层
uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当 反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。
动画演示
增强型MOS管uDS对iD的影响
刚出现夹断
iD随uDS的增 大而增大，可
uGD＝UGS（th）, 预夹断
变电阻区
夹断 电压
在恒流区iD时 ID， O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
3. 场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟 沟道 道((uuGGS＞ S＜00， ，uuDDS＜ S＞00)) 场效应管 绝缘栅型 耗 增尽 强型 型 PPN N沟 沟 沟 沟道 道 道 道((((uuuuG GG GSS＜ 极 SS＞ 极00， 性 ， 性uu任 D任 DS＜ S＞ 意 意 00)u)u， ， DDS＜ S＞00))
区
区
低频跨导：
夹断区（截止区）
iD几乎仅决 定于uGS
击 穿 区
夹断电压
gm
iD uGS
UDS常量
不同型号的管子UGS（off）、IDSS 将不同。
动画演示Байду номын сангаас
（1）可变电阻区
i
是uDS较小，管子尚未预夹断时
的工作区域。虚线为不同uGS是预夹
断点的轨迹，故虚线上各点
uGD=UGS(off)，则虚线上各点对应的 uDS=uGS-UGS(off)。
uDS的增大几乎全部用 来克服夹断区的电阻
iD几乎仅仅 受控于uGS，恒 流区
用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N 沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？
场效应管与晶体管的比较
场效应管与晶体管的比较
• 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广
泛应用于各种电子设备中。
尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
• 2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
如图1-1-1是两种型号的表示符号：
•3、场效应管与晶体管的比较
•（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
•（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。
被称之为双极型器件。
•（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
•（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
晶体管和场效应管工作原理详解
晶体管和场效应管工作原理详解一、晶体管工作原理晶体管是一种由半导体材料制成的三极管，包含有一个发射极（Emitter）、一个基极（Base）和一个集电极（Collector）。
晶体管中的基极由一种特殊掺杂的半导体材料制成，称为P型材料；发射极和集电极由另一种特殊掺杂的半导体材料制成，称为N型材料。
当晶体管的基极接收到一个输入信号时，由于基极和发射极之间是pn结，当基极发生正向偏置时，使得pn结带来较宽的导电区域，基极电流会流过这个导电区域。
这个基极电流进一步影响了集电极电流的流动，通过集电极电流的变化，就可以实现对信号的放大。
晶体管工作的关键在于基极电流和集电极电流之间的放大效应。
晶体管的放大效应由pn结引入，当基极电流变化时，pn结的导电区域也会变化，从而影响到集电极电流。
这种影响是通过指数函数的方式来进行放大的，使得晶体管能够根据输入信号的微小变化，控制较大的输出信号。
因此，晶体管是一种具有放大功能的电子器件。
二、场效应管工作原理场效应管是一种基于场效应原理的电子器件，它由一个掺杂有杂质的半导体材料制成。
它由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）三个部分组成，其中栅极周围包覆着一个绝缘薄膜，以阻止栅极与其他部分直接接触。
场效应管的工作原理是通过改变栅极电场的强弱来控制源漏电源之间的电流流动。
当栅极电压为零时，场效应管处于截止状态，源漏间几乎没有电流流动。
当栅极电压大于零时，栅极电场会使得源漏之间产生一个导电通道，从而允许电流流动。
栅极电场的强弱由栅极电压控制，当栅极电压变化时，电场的强度也随之变化。
场效应管的导通与否取决于电场是否足够强以形成导电通道。
如果电场足够强，导电通道就会形成，电流会从漏极流向源极；如果电场不够强，导电通道就会断开，电流无法从漏极流向源极。
场效应管工作原理的优势在于，控制电流流动的是电场，而不是电流本身。
因此，场效应管的控制信号能够产生较小的功率损耗，从而提高了电子设备的效率。
晶体管和场效应管
《晶体管和场效应管，电子世界的好搭档》嘿，朋友们！今天咱来聊聊晶体管和场效应管这俩电子世界的宝贝。
先说说晶体管吧。
这小家伙可不得了，就像个小超人。
它能放大信号，让微弱的信号变得强大起来。
想象一下，你在听收音机的时候，那些小小的声音信号就是通过晶体管被放大，然后才变成我们能听到的清晰声音。
晶体管还能当开关用呢，开开合合，控制着电流的流动。
就像一个交通警察，指挥着电子在电路里跑来跑去。
晶体管有各种各样的形状和大小，有的小小的，像个米粒；有的大大的，像个小盒子。
不管啥样的晶体管，都有自己的本事。
而且啊，晶体管还很耐用，能在各种环境下工作。
不管是热得能烤熟鸡蛋的地方，还是冷得能冻成冰棍的地方，晶体管都能坚持工作，不喊累。
再说说场效应管。
这家伙也不简单，就像个魔法棒。
它能通过控制电场来控制电流。
听起来是不是很神奇？场效应管的速度还特别快，就像闪电一样。
在一些需要高速处理信号的地方，场效应管可就派上大用场了。
场效应管也有不同的类型，有的是增强型的，有的是耗尽型的。
就像不同口味的糖果，各有各的特点。
增强型的场效应管就像一颗甜甜的草莓糖，能让电流变得更大；耗尽型的场效应管就像一颗酸酸的柠檬糖，能让电流变得更小。
晶体管和场效应管虽然不一样，但它们可是好搭档呢。
在很多电子设备里，它们一起合作，发挥着巨大的作用。
就像两个好朋友，一起并肩作战。
比如说在电脑里，晶体管和场效应管一起工作，让电脑变得更强大、更快速。
而且啊，学习晶体管和场效应管也很有意思。
你可以拿着它们，仔细观察，看看它们的结构是啥样的。
还可以做一些小实验，感受一下它们的神奇之处。
说不定你一研究，就爱上它们了呢。
总之啊，晶体管和场效应管是电子世界里的宝贝。
它们各有各的本领，又能一起合作。
让我们一起认识它们，了解它们，让它们为我们的生活带来更多的便利和乐趣吧。
双极晶体管与mos管的异同点
双极晶体管与mos管的异同点
双极晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）是两种常见的晶体管类型，它们在结构、工作原理和应用方面存在一些异同点。
相同点：
1.放大作用：双极晶体管和MOSFET都具有放大作用，能够将微弱的输入信号放大到较大的输出信号。
2.开关作用：双极晶体管和MOSFET都可以作为开关使用，能够控制电路的导通和关断。
不同点：
1.结构：双极晶体管由三个区域组成，即发射区、基区和集电区，分为NPN和PNP两种类型。
而MOSFET有两个PN结和一层门电极，分为N通道和P通道两种类型。
2.工作原理：双极晶体管是通过控制电流来实现信号的放大和调节等操作。
而MOSFET则是通过控制栅压来实现这些操作。
因此，MOSFET具有更好的可控性和稳定性。
3.电流控制：双极晶体管的电流是直接受控于基极，而MOSFET 的电流是受控于栅极。
因此，MOSFET具有更高的开关速度和更低的导通电阻。
4.耐压能力：双极晶体管的耐压能力取决于集电结的反向电压，而MOSFET的耐压能力取决于漏极与源极之间的电压。
因此，MOSFET 具有更高的耐压能力。
5.应用：双极晶体管主要用于低频信号放大和开关电路中，而MOSFET主要用于高频信号放大和开关电路中。
综上所述，双极晶体管和MOSFET在结构、工作原理和应用方面存在一些异同点。
虽然它们具有相同的放大和开关作用，但在实际应用中需要根据具体的需求来选择使用哪种晶体管类型。
有机电化学晶体管与场效应晶体管
有机电化学晶体管与场效应晶体管嘿，朋友！咱今天来聊聊有机电化学晶体管和场效应晶体管这俩神奇的玩意儿。
你知道吗？这有机电化学晶体管就像是一个聪明灵活的小精灵。
它能对微小的化学信号做出快速而精准的反应，就像你在捉迷藏时能迅速发现小伙伴的藏身之处一样敏锐。
它在生物传感领域那可是大显身手，能检测到生物体内那些细微的变化，比如说检测血糖水平的变化，就像一个贴心的小卫士，时刻关注着你的健康。
再来说说这场效应晶体管，它就像是一位严谨的管家。
对电流的控制那叫一个井井有条，就好比你在家里管理自己的零花钱，每一笔支出都安排得明明白白。
它在集成电路里可是中流砥柱，让各种电子设备能够稳定高效地运行，仿佛是给这些设备注入了强大的动力。
想象一下，如果把有机电化学晶体管比作是短跑健将，那么场效应晶体管就是长跑冠军。
短跑健将速度快，反应敏捷，能在瞬间爆发出强大的力量；而长跑冠军则有着持久的耐力和稳定的发挥，能一直保持良好的状态。
有机电化学晶体管在柔性电子领域可是大放异彩。
你想想，要是能有一个可以随意弯曲折叠的电子设备，像一张柔软的纸一样，那得多酷啊！而这就得归功于有机电化学晶体管的独特性质，它能适应各种形状的变化，就像个柔软的“变形金刚”。
场效应晶体管呢，在大规模集成电路中那是不可或缺的角色。
就好像一个庞大的交响乐团里的指挥家，掌控着每一个音符的奏响，让整个乐章和谐有序。
你说，要是没有这有机电化学晶体管和场效应晶体管，咱们的生活得失去多少精彩和便利啊？现代科技的飞速发展，它们可是功不可没！所以啊，有机电化学晶体管和场效应晶体管，虽然它们看起来复杂神秘，但其实就像我们身边那些默默付出却又至关重要的存在。
它们用自己独特的方式，为我们的生活带来了无数的可能和惊喜。
咱们可得好好感谢它们，不是吗？。
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晶体管和场效应管
晶体管和场效应管是现代电子技术中使用广泛的两种重要元件。
它
们在电路中发挥着非常重要的作用，促进了电子设备的不断发展和进步。
本文将对晶体管和场效应管进行详细介绍，包括它们的结构、工
作原理以及应用领域。
一、晶体管
晶体管是一种半导体器件，由三个不同掺杂的层级组成，分别是基底、发射区和集电区。
晶体管的结构决定了它具有放大和开关两种基
本功能。
1. 结构
晶体管由两种材料构成，一种是N型半导体，另一种是P型半导体。
晶体管的三个层级——发射区、集电区和基底分别对应着NPN和PNP
的结构。
发射区和集电区之间夹着一个非掺杂的绝缘材料，称为垫片。
2. 工作原理
当在发射区施加一个正向电压时，由于PN结的压降，使得PN接
触的区域形成开路。
而一旦发射区施加的电压大于某一阈值，PN接触
区域就会呈现导电状态，电子可以从发射区跨过PN结，流入集电区。
这样一来，晶体管就可以实现电流放大的功能。
晶体管的工作过程可以分为三个阶段：放大阶段、切换阶段和截断
阶段。
在放大阶段，晶体管的发射区电流和集电区电流的比值决定了
信号的放大倍数；在切换阶段，发射区电流不足以跨过PN结的电压并形成导电状态，导致晶体管切换到关断状态；在截断阶段，晶体管实
际上是一个开关，完全截断了电流的流动。
3. 应用领域
晶体管的广泛应用领域包括电子通讯、计算机、音频和视频设备等。
晶体管的小体积、低功耗以及可靠性等优点使得它成为现代电子产品
中的关键元件。
二、场效应管
场效应管是另一种重要的半导体器件，通过电场控制电载流子的通道，从而实现对电流的控制。
与晶体管相比，场效应管具有更高的输
入阻抗和更低的功耗。
1. 结构
场效应管由多层不同掺杂的半导体材料构成。
通常包括掺杂浓度较
高的汇集区、控制区和栅极。
2. 工作原理
场效应管的工作原理是基于阻挡层控制电流的流动。
通过施加栅极
电压，可以改变阻挡层的电场，从而调节通道中的载流子数量。
当栅
极电压为0时，阻挡层完全堵塞了载流子的通道，电流无法通过；而
当栅极电压发生变化时，阻挡层会减弱或消失，允许电流通过。
3. 应用领域
场效应管在集成电路和微电子领域得到广泛应用。
由于其高输入阻抗、低噪声以及快速响应的特点，使得场效应管在放大器、开关电路、电压控制振荡器等电子设备中具有重要地位。
总结：
晶体管和场效应管作为现代电子技术中的两种重要元件，各自具有
独特的结构和工作原理。
晶体管通过电流放大来实现信号增强和开关
功能，而场效应管则是通过改变电场控制电流的流动。
它们在电子通讯、计算机和音频等领域发挥着重要作用，推动了电子设备的不断发
展和进步。
随着技术的不断创新，晶体管和场效应管仍有着广阔的应
用前景。