Flash闪存
flash 闪存封装
MCP封装优点 MCP封装优点
实现高密度封装 采用垂直互联方式，引线长度短
• 信号的传输延时大大减小 • 寄生电容、电感也大为减小 • 这有利于高速传输、改善高频性能、减少 功耗 • 提高可靠性。
实例1 实例1
加拿大公司MOSAID Technologies与2012年4月6日 宣布，他们已经试产了全球第 一颗采用惊人十六die封装的 NAND闪存芯片，让他们和谐地 运行在了一个高性能通道内。 这颗闪存采用了MOSAID独家的HLNAND MCP技术，利 用两个HyperLink NAND接口将多达16颗业界标准的4GB NAND Flash die放到了一起，总容量达到了64GB。 该闪存的封装格式为100-ball BGA，长宽尺寸仅18×14 毫米。
2011年为 31亿GB
2012年 预计为57 亿GB
2016年会上 升到120亿GB？
NAND flash市场和应用 flash市场和应用
今年NAND行业——超级本电脑。NAND厂商一直在 极力宣传在超级本中使用固态硬盘。 由于超级本电脑重量轻、电池续航时间长和启动 速度快，因此对企业用户和消费者用户都有很大 的吸引力。这将推动NAND产品在PC领域的消费量 占其总消费量比例上升到15%以上。
记忆卡：COB、PIP、MCP
• U盘、SD卡等
NAND flash市场和应用 flash市场和应用
预计全球NAND闪存市场今年增长率将达8% 智能手机：2011年为31亿GB。预计2012年的智能手机销 量将达到6.26亿部，平均每部手机使用的NAND闪存容量 为9GB,总容量将达到57亿GB。2016年平均每部手机使用 的NAND闪存容量将增加到18.9GB
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1920
flash 存储原理
flash 存储原理Flash 存储是一种基于闪存技术的非易失性存储器。
它使用电子存储介质来存储数据，并且数据可以在无电源状态下保持不变。
Flash 存储由许多个存储单元组成，每个存储单元可以存储一个字节的数据。
Flash 存储采用了一种称为 NAND 的结构。
NAND Flash 存储单元是按矩阵形式排列的，每个存储单元由一个电荷存储单元和一个控制器组成。
控制器可以读取或写入存储单元中的数据。
Flash 存储的最基本单位是页 (Page)。
一个页通常包含多个字节的数据，通常是 512 字节、2KB 或 4KB。
要读取或写入这个页，控制器会从存储单元中读取或写入数据。
Flash 存储的写入操作稍微复杂一些。
写入时，控制器首先将整个块的数据读取到内部的缓冲区中。
然后，它会将要写入的数据添加到缓冲区中，并更新存储单元的状态。
最后，它会将整个块的数据再次写回到存储单元中。
Flash 存储的主要优点是非易失性和快速的读写速度。
Flash 存储可以在断电的情况下保持数据，这使得它非常适合用于移动设备和嵌入式系统。
此外，Flash 存储的读取速度非常快，可以迅速访问存储的数据。
然而，Flash 存储也有一些限制。
首先，Flash 存储的写入操作比读取操作更慢，而且每个存储单元只能写入有限次数。
这意味着频繁的写入操作可能会导致存储单元的寿命减少。
其次，Flash 存储的价格相对较高，比传统的硬盘驱动器更昂贵。
综上所述，Flash 存储是一种常用的非易失性存储器，适用于各种移动设备和嵌入式系统。
它的快速读写速度和保存数据的能力使其成为许多应用的理想选择。
然而，我们也需要注意Flash 存储的限制，特别是写入操作的速度和存储单元的寿命。
flash闪存工作原理
flash闪存工作原理
flash闪存是一种非易失性存储器件，通过在晶体管栅极和通道之间形成电子隧穿效应来存储数据。
具体来说，flash闪存是由许多电子存储单元组成的，每个存储单元由一对栅极和通道组成，在其中嵌入了一些氧化物。
当加上合适的电压时，电子可以穿越氧化物并在通道中存储，当然这个过程需要高电压、隧穿电子和较长的时间（毫秒数量级）。
反之，当电压减小，电子会重新回到栅极中，因此电子能否存储取决于电压大小。
因此，当我们需要读取闪存存储的数据时，需要施加较小的电压，然后从通道中读取电子来判断该存储单元是否存储了数据。
总的来说，闪存中的每个存储单元都可以被反复写入，这是由于数字形式的1和0都可以通过在栅极和通道之间施加不同大小的电压来实现存储。
这种工作原理使得闪存在很多应用场合都可以替代传统的硬盘和磁带存储。
浅析Flash闪存技术
浅析Flash闪存技术Flash闪存技术是一种高速、大容量、低功耗和可靠性高的非易失性存储器技术。
它是一种特殊的EPROM（可编程只读存储器）技术，在EPROM基础上加入了可编程的擦除和写入电路，使得其可以反复擦除和写入数据，实现大容量的数据存储和快速读取。
Flash技术主要分为两类：NOR Flash和NAND Flash。
NOR Flash适用于需要快速随机读取的应用，比如操作系统、程序代码等；而NAND Flash适用于大容量、高速顺序读取的应用，比如照片、音乐、视频等媒体文件。
下面将分别对NOR Flash和NAND Flash进行浅析。
1. NOR FlashNOR Flash是一种支持快速随机读取的闪存技术。
它可以通过地址总线和数据总线完成与CPU的数据交互。
NOR Flash内部以页为单位进行数据操作，每页大小一般为512字节至4KB，且页面之间可以随意读取。
此外，NOR Flash还具有快速的随机存取能力，可以读写单个字节，而且不需要进行擦除操作，因此更适用于存储启动代码、系统代码等需要快速读取的程序。
但是，NOR Flash的缺点也是显而易见的，其擦除和写入速度十分缓慢，而且成本较高，因此在大容量存储上一般不适用。
2. NAND FlashNAND Flash是一种适用于大容量存储的闪存技术。
它可以通过数据总线来与CPU进行数据交互，但不支持随机读写，只能顺序读写。
NAND Flash内部以块为单位进行数据操作，每个块的大小通常为128KB至4MB，且块与块之间不能随意读写，必须要进行擦除操作。
由于NAND Flash在读取块数据时，需要先进行擦除操作，因此其读写速度较慢。
然而，NAND Flash具有比NOR Flash更高的存储密度和更低的成本，因此被广泛应用于各种媒体存储中。
NAND Flash还有一些特殊的应用，比如笔记本电脑的SSD（solid state disk）硬盘、手机的内置存储等等。
FLASH闪存
闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种。
不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存则是一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
NAND 闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 I/O 端口只有 8 个，比 NOR 要少多了。
这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。
再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。
NAND 闪存被广泛用于移动存储、数码相机、 MP3 播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。
由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长.NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别
SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别SRAMSRAM的全称是Static Rnadom Access Memory，翻译过来即静态随机存储器。
这⾥的静态是指这种存储器只需要保持通电，⾥⾯的数据就可以永远保持。
但是当断点之后，⾥⾯的数据仍然会丢失。
由于SRAM的成本很⾼，所以像诸如CPU的⾼速缓存，才会采⽤SRAM。
DRAMDRAM全称是Dynamic Random Access Memory，翻译过来即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。
DRAM 只能将数据保持很短的时间。
为了保持数据，DRAM使⽤电容存储，所以必须隔⼀段时间刷新(refresh)⼀次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
FlashFlash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，⼜名闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位⽽是以固定的区块为单位，区块⼤⼩⼀般为256KB到20MB。
闪存是电⼦可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，EEPROM能在字节⽔平上进⾏删除和重写⽽闪存是按区块擦写，这样闪存就⽐EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。
由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被⽤来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本输⼊输出程序)、PDA(个⼈数字助理)、数码相机中保存资料等。
另⼀⽅⾯，闪存不像RAM(随机存取存储器)⼀样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
NOR Flash与NAND FlashNOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的⾮易失闪存技术。
Intel于1988年⾸先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)⼀统天下的局⾯。
Flash存储器-读写原理及次数
Flash存储器-读写原理及次数 FLASH存储器⼜称闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，由于其断电时仍能保存数据，FLASH存储器通常被⽤来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输⼊输出程序）、PDA（个⼈数字助理）、数码相机中保存资料等。
本⽂将探讨FLASH存储器的读写原理及次数。
⼀、FLASH存储器的读写原理 FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。
但是第⼀层栅介质很薄，作为隧道氧化层。
写⼊⽅法与EEPROM相同，在第⼆级浮空栅加以正电压，使电⼦进⼊第⼀级浮空栅。
读出⽅法与EPROM相同。
擦除⽅法是在源极加正电压利⽤第⼀级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注⼊⾄浮空栅的负电荷吸引到源极。
由于利⽤源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在⼀起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，⽽是全⽚或分块擦除。
到后来，随着半导体技术的改进，FLASH存储器也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加⼊了浮动栅和选择栅，在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电⼦的浮动棚。
浮动栅包裹着⼀层硅氧化膜绝缘体。
它的上⾯是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。
数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电⼦。
有电⼦为0，⽆电⼦为1。
FLASH存储器就如同其名字⼀样，写⼊前删除数据进⾏初始化。
具体说就是从所有浮动栅中导出电⼦。
即将有所数据归“1”。
写⼊时只有数据为0时才进⾏写⼊，数据为1时则什么也不做。
写⼊0时，向栅电极和漏极施加⾼电压，增加在源极和漏极之间传导的电⼦能量。
这样⼀来，电⼦就会突破氧化膜绝缘体，进⼊浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加⼀定的电压，电流⼤为1，电流⼩则定为0。
浮动栅没有电⼦的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于⼤量电⼦的移动，就会产⽣电流。
⽽在浮动栅有电⼦的状态（数据为0）下，沟道中传导的电⼦就会减少。
flash名词解释
flash名词解释
Flash是一个英文名词，有多个不同的含义和用法：
1. 闪光：Flash可以指代一种瞬时而强烈的亮光或闪光灯的功能。
例如，相机上的闪光灯可以提供额外的光线来拍摄在低光条件下的照片。
2. 一瞬间：Flash还可以表示一个非常短暂的时间段或瞬间，通常指某事物的突然出现或消失。
例如，“他在一瞬间跑得飞快。
”
3. 快闪：Flash也可以指称一种突发且短暂的社交活动，叫做“闪存事件”（Flash mob）或“快闪”，通常在公共场合集结大量人群，并同时执行一项特定的行动或表演。
这种活动通常通过社交媒体等渠道组织和推广。
4. 闪回：在电影、电视剧或小说中，Flash可以指代一个突然插入的回忆场景，常用于展示主角的过去经历或解释故事发展。
5. Adobe Flash：Flash还可以指代Adobe公司开发的一种多媒体技术和软件平台，用于创建富媒体内容和互动应用程序。
然而，请注意，自从2020年12月31日起，Adobe已停止支持和分发Flash Player，因此Flash技术已逐渐被其他替代方案取代。
需要根据具体上下文来确定“Flash”所指的具体含义。
flash的读写原理
flash的读写原理
Flash的读写原理主要涉及到闪存器件中的电荷在晶体管中的存储和释放过程。
闪存是一种非易失性存储器，它采用了一种称为浮动栅（Floating Gate）的结构，具有很高的存储密度和较低的功耗。
闪存中的每个存储单元由一个晶体管组成，该晶体管包含一个控制栅（Control Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）之间的通道。
在晶体管的通道上面，有一个浮动栅，它可以在晶体管中存储电荷，从而改变晶体管的导电性。
在闪存的写入过程中，需要将晶体管的漏极和源极之间的电压加高，使得电荷通过通道注入到浮动栅中。
这个过程称为快速注入（Hot Electron Injection），它通过高电压和电子的能量将电子注入到浮动栅中，从而改变晶体管的导通状态。
在闪存的擦除过程中，需要将晶体管的漏极和源极之间的电压加低，以便将浮动栅中的电荷释放掉。
这个过程称为快速电子隧道注入（Fast Electron Tunneling Injection），它通过低电压和电子的能量将电子从浮动栅中释放出来，从而恢复晶体管的高阻状态。
在读取闪存中的数据时，需要对晶体管的控制栅施加一定的电压，并通过检测源极和漏极之间的电流来确定晶体管的导通状态，从而判断出存储单元中存储的数据。
总之，闪存的读写原理是通过控制栅和浮动栅之间的电荷存储和释放来改变晶体管的导通状态，从而实现数据的写入和读取。
flash 工作原理
flash 工作原理
Flash（闪存）是一种电子存储器技术，使用非挥发性存储介质来存储数据。
其工作原理是通过应用电场来控制存储介质中的电荷状态，从而实现数据的存储和读取。
Flash 存储芯片由许多存储单元组成，每个存储单元通常存储一个比特的数据。
每个存储单元内有一个浮动栅，用来控制存储介质上的电荷状态。
当栅上施加正电压时，栅下的介质会发生电子注入，存储单元被写入的状态为1；当栅上施加负电压时，存储单元中的电荷被释放，存储单元被写入的状态为0。
读取数据时，通过在存储单元的栅上施加一个读取电场，根据存储单元中电荷的不同，可以检测到存储单元是处于0还是1状态，从而读取出正确的数据。
由于Flash存储器是非挥发性的，即使没有外部电源供应，存储的数据也会长期保持。
这使得Flash技术非常适用于需要长期存储的应用，如闪存卡、USB闪存驱动器、手机内存等。
总结来说，Flash存储器利用电场调节存储介质中的电荷状态来存储和读取数据。
其非挥发性的特点使其成为广泛应用于各种电子设备中的存储技术。
Flash简介
Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM（同步动态随机存储器）等存储器所说的。
即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。
Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash 和AG-AND Flash，而升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。
大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
Nor Flash常常用于存储程序，最初MP3芯片不太成熟的时，曾经有使用过Nor Flash，比如炬力ATJ2075，SunplusSPCA7530等。
目前这种Flash已经使用的不多了，只有少数的读卡MP3和数码相框中还有见到，因为这种支持SD卡的产品中没有内存，芯片内的ROM不够存储程序，所以需要用到Nor Flash存储程序。
另外AG-AND Flash 是日本Renesas(瑞萨)公司的技术，良品率不是很高，而且有效容量也比较低。
原厂推出的Flash，容量有88%、92%、96%，96%可以用于MP3产品中，而另外两种只能用于U盘和SD卡产品中。
我个人认为其性能比较差，尽量不要使用。
现在Renesas已经退出Flash的生产商行列，而AG-AND技术也转给台湾力晶公司在继续生产。
Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。
SLC是Single level cell的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。
而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。
而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。
SLC与MLC的参数对比：可想而知，SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。
然而MLC可以在一个单元中有2bit数据，这样同样大小的晶圆就可以存放更数据。
这也是MLC价格比SLC低很多的原因。
FLASH和EEPROM的区别
掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的想少量参数保存在EEPROM中，其擦除次数较Flash多，Flash用来做程序和一些掉电保护和不需要修改的数据。
Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM 的改进产品，它的最大特点是必须按块（Block）擦除（每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格），而EEPROM则可以一次只擦除一个字节（Byte），目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进行程序的升级。
其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM 就显的不合适，因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM做不到。
FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同。
FLASH和EEPROM 的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH 和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，EEPROM在运行中可以被修改，而FLASH在运行时不能修改，EEPROM可以存储一些修改的参数，Flash中存储程序代码和不需要修改的数据，所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。
所以，理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory。
EEPROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的，现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类，一类是Floating Gate Debice，一类是Charge Trapping Debice，这里的分类标准主要是program与crase的机制不同。
浅析Flash闪存技术
浅析Flash闪存技术Flash闪存技术是一种非易失性存储设备，使用了特殊的内存芯片进行数据存储。
它具有很多优点，比如可靠性高、速度快、体积小、功耗低等，因此在很多领域都得到了广泛应用。
Flash闪存技术的核心是其特殊的内存芯片。
与传统的RAM(Random Access Memory)不同，Flash芯片具有自主记忆能力，可以长期存储数据而不需要电力的支持。
Flash芯片通常由许多个晶体管构成，这些晶体管被用来存储电荷，每个晶体管存储一个Bit(比特)。
数据被写入Flash芯片时，晶体管会被充电，以表示1；当数据被读取时，晶体管将被检测，以确定是否充电，从而确定1或0。
Flash闪存技术具有很多优点。
比如，相比于传统的机械磁盘，Flash闪存技术的读写速度更快，尤其是对于大文件和数据传输。
而且Flash芯片结构简单，不含运动部件，因此不会产生机械故障和噪音。
此外，Flash闪存技术信息的可靠性非常高，因为其内存芯片采用了特殊的纠错编码和坏块管理技术，可以自动检测和修复电荷的改变，从而保持数据的完整性。
另外，Flash闪存技术还非常节能，因为其芯片在不使用时可以进入睡眠模式，从而大大降低功耗。
虽然Flash闪存技术有很多优点，但它也存在一些缺点。
由于Flash芯片具有一定的写入次数限制，因此需要采取一些措施来延长其寿命，如均衡使用存储单元、垃圾回收等。
此外，Flash芯片的价格和存储容量也有限制，目前大容量的Flash存储器比传统的机械式硬盘还要昂贵。
总之，Flash闪存技术是一种非常重要的存储技术，并在各个领域广泛应用，如手机、MP3、数码相机等等。
随着技术的不断发展，Flash技术的容量、速度和可靠性将会不断提高，使得它在未来会有更广泛的应用。
手机Flash存储卡详细介绍
手机Flash存储卡详细介绍手机的Flash存储卡是什么呢?下面是店铺为大家介绍手机Flash 存储卡,欢迎大家阅读。
手机Flash存储卡什么是Flash Memory?FLASH存储器又称闪存(快闪存储器)，是一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的形式，允许在操作中被多次擦或写，EEPROM与高速RAM成为当前最常用且发展最快的两种存储技术。
计算机的BIOS 、数字照相机等的存储卡中都使用闪存。
不同的是，EEPROM 是以字节为单位进行数据更新，而闪存则以块为单位。
由于闪存可以比 EEPROM具有更小的电路，这使其能够达到更高的集成度，有利于降低价格。
FLASH结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。
在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备，近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储BootLoader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。
闪存卡(Flash Card)是利用闪存(Flash Memory)技术达到存储电子信息的存储器。
目前市场上主要的闪存或者多媒体卡主要为：TF卡、SM卡、CF卡、MicroDrive、MemoryStick、MemoryStick PRO, MMC卡、Micro SD Card、MiniSD卡、SD卡、SDHC卡和xD卡。
我们常见的FLASH Memory有储存卡与U盘。
TF卡(TransFLash卡)、SD卡(Secure Digital Memory Card)、CF卡(Compact Flash卡)等。
CF卡(Compact Flash)是1994年由SanDisk最先推出的一种闪存卡，它革命性的使用了闪存技术，对所保存的数据来说，CF卡比传统的磁盘驱动器安全性和保护性都更高。
Flash存储器
Flash存储器FLASH闪存闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种。
不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存则是一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
NAND 闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 I/O 端口只有 8 个，比 NOR 要少多了。
这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。
再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。
NAND 闪存被广泛用于移动存储、数码相机、 MP3 播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。
由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长.NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
电脑存储器(ROM)与闪存(Flash)的区别与应用
电脑存储器（ROM）与闪存（Flash）的区别与应用随着电子设备的普及和发展，电脑存储器的种类也不断增多。
今天我们将重点讨论电脑存储器中的ROM（只读存储器）和闪存（Flash存储器），探究它们的区别以及各自的应用。
一、ROM的定义和特点ROM是一种只能读取而不能写入或擦除的存储器。
它的内部存储内容在制造过程中被预先设定，用户不能修改其中的数据。
ROM的特点如下：1. 只读性：ROM内部存储的数据是由生产厂商在制造过程中设定的，用户无法对其进行修改或删除。
2. 非易失性：ROM中的存储数据不会因为断电或重新启动而丢失。
3. 高稳定性：由于ROM的内容无法改写，其存储数据的稳定性极高。
二、闪存的定义和特点闪存是一种易擦写、非易失性的存储器。
它能够多次读取和写入数据，并且即使断电后仍能保持存储数据。
闪存的特点如下：1. 可擦写性：与ROM不同，闪存可以通过擦除操作将存储的数据修改或删除。
2. 非易失性：闪存与ROM一样，断电或重新启动后仍能保持存储数据。
3. 高容量：闪存技术的发展使得其容量不断扩大，现在已经有单个存储芯片容量可达数TB。
三、ROM与闪存的区别ROM和闪存虽然都属于只读存储器，但它们在使用方法、修改与擦写能力以及应用场景上有一些显著的区别：1. 使用方法：ROM的存储内容在制造过程中被预先设定，在使用过程中无法修改；而闪存可以通过写入或擦除操作实现数据的修改。
2. 修改与擦写能力：ROM的存储内容无法修改，而闪存可以重复擦写、写入和删除存储的数据。
3. 应用场景：由于ROM的只读性，它通常被用于存储只需读取而不需要修改的数据，如固件（firmware）等。
而闪存由于可擦写性，在很多应用中被广泛使用，比如操作系统、游戏储存设备、数码相机等。
四、ROM与闪存的应用1. ROM的应用场景主要包括：a. 固件存储：ROM被广泛应用于存储设备固件，如计算机的BIOS（基本输入输出系统）。
b. 光盘或DVD-ROM：光盘或DVD-ROM中的数据在制造过程中被预设，用户只能读取其中的内容。
flash存储器
Flash存储器的简介 Flash存储器的发展 Flash存储器的工作原理 Flash存储器的分类
Flash存储器的应用
Flash存储器的简介 Flash存储器的发展 Flash存储器的工作原理 Flash存储器的分类
Flash存储器的应用
Flash存储器的简介 Flash存储器的发展 Flash存储器的工作原理 Flash存储器的分类
Flash存储器的应用
三、Flash存储器的工作原理
• 计算机用的是二进制，也就是0与1。在 二进制中，0与1可以组成任何数。而电 脑的器件都有两种状态，可以表示0与1。 • Flash芯片并不是像光盘那样把信息刻上 去的。 • 硬盘采用磁性物质记录信息的，因为磁 性在断电后不会丧失，所以硬盘断电后 依然能保存数据。
一、Flash 存储器的简介
• Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单 位对齐的地址并指定哪一区块被擦除， 或者全部擦除。也就是说以区块为 flash 擦除的最小单位。
Flash存储器的简介 Flash存储器的发展 Flash存储器的工作原理 Flash存储器的分类
Flash存储器的应用
Flash存储器的简介 Flash存储器分类
Flash存储器的应用
五、Flash存储器的应用
• NAND 闪存被广泛用于移动储存设备、 MP3 播放器、数码相机、 掌上电脑等新 兴数字设备中。 • “flash存储器”经常可以与“NOR存储器”互 换使用。大多数情况下闪存只是用来存储 少量的代码,而NOR闪存更适合一些。 NAND则是高数据存储密度的理想解决方 案。
Flash存储器的应用
四、Flash存储器的分类
DDR,LPDDR,NAND Flash,eMMC,eMCP的区别
LPDDR2/LPDDR3/LPDDR4这些主要用于手机等移动电子设备，体积非 Flash和NNAD Flash。
Nor Flash容量较小，价格贵，用于读取速度要求快的地方，多用于存储操作系统重要信息。
NNAD Flash容量大，价格相对于Nor Flash较低。用于大容量的外部存储。
另SSD固态硬盘，也是由NNAD Flash颗粒阵列加上相应的存储控制管理芯片封装而成。
DDR,LPDDR,NAND Flash，eMMC,eMCP的区别
NAND FLASH（闪存）、DRAM（DDR2/DDR3/DDR4）、LPDDR2/LPDDR3/LPDDR4、eMMC、MCP、eMCP、SSD，其实他们的区别很简单，主要分为三个大的方向就掌握了。
1，内存
DDR/DDR2/DDR3/DDR4 是内存颗粒，内存条是把多颗颗粒一起嵌入板中而成，用于电脑等。
例如 华为p20 内存配置：6G+64G 6G指LPDDR4容量是6G，64G指NAND Flash是64G
3，嵌入式存储
eMMC、MCP、eMCP都是NNAD Flash颗粒封装制成。
eMMC=NNAD Flash + 主控（存储控制管理芯片）
eMCP=eMMC + LPDDR
flash闪存原理
flash闪存原理小伙伴！今天咱们来唠唠Flash闪存这个超酷的东西的原理，可有意思啦。
你知道吗，Flash闪存就像是一个超级迷你的小仓库，专门用来存放数据。
它的世界是微观的，小到我们肉眼根本看不到里面到底发生了啥。
那这个小仓库是怎么工作的呢？在Flash闪存里啊，有好多好多的小单元，就像一个个小房间一样。
这些小房间有两种状态，就像开关的开和关，或者说像灯的亮和灭。
这两种状态就可以用来表示数据啦，比如说一种状态表示0，另一种状态表示1。
是不是很神奇？这就像是用一种超级简单的密码来记录信息呢。
那这些小房间是怎么从一种状态变成另一种状态的呢？这就涉及到一些电子魔法啦。
想象一下，有一些小小的电子精灵在这些小房间里跑来跑去。
当我们要写入数据的时候，就像给这些电子精灵下命令，让它们按照我们想要的方式来改变小房间的状态。
这个过程有点像指挥一群小蚂蚁干活，不过这些小蚂蚁可是超级小的电子哦。
而且啊，Flash闪存还有个很贴心的设计呢。
它不会轻易地忘记自己存储的数据。
就像一个记忆力超好的小助手。
不过呢，它也不是永远不会忘的。
随着时间的推移或者经过很多次的写入和擦除操作，这些小房间可能会变得有点迷糊，就像人老了记性会变差一样。
但是呢，现在的技术已经很厉害啦，能够让Flash闪存保持很长时间的数据记忆。
再说说它的擦除操作吧。
擦除就像是把小房间重新整理一遍，让它们回到初始的状态，这样就可以重新写入新的数据啦。
这个过程就像是把小仓库里的东西都清空，然后再重新摆放新的东西一样。
不过呢，擦除可不是一件随随便便就能做的事情，它需要一定的能量和时间。
你可能会想，这么小的东西，怎么能存那么多数据呢？这就靠它的数量优势啦。
就像一群小蚂蚁虽然单个很小，但是聚在一起就能完成很大的工程一样。
Flash闪存里有海量的这些小单元，它们组合在一起就能存储大量的0和1，也就是我们各种各样的文件，像照片、音乐、文档啥的。
而且Flash闪存的速度也很值得夸一夸呢。
Flash闪速存储器--(NAND和NOR比较)
Flash闪速存储器--（NAND和NOR比较）一、闪速存储器的特点闪速存储器（FlashMemory）是一类非易失性存储器NVM（Non-VolatileMemory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。
FlashMemory集其它类非易失性存储器的特点：与EPROM相比较，闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压（某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作）；与EEPROM相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的特点。
其独特的性能使其广泛地运用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理（PDA）。
Flash的技术特点如下：（1）区块存储单元：在物理结构上分成若干个被称为区块的存储单元，不同区块之间相互独立，每个区块几KB~几十KB。
（2）先擦后写：任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
（3）位交换：有时一个比特位会发生反转，就是位交换。
（4）区块损坏：使用过程中，某些区块可能会被损坏，区块损坏后就不可修复。
二、闪速存储器的技术分类全球闪速存储器的主要供应商有AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不同，分为几大阵营。
1 NOR技术NOR技术（亦称为Linear技术）闪速存储器是最早出现的FlashMemory，目前仍是多数供应商支持的技术架构。
它源于传统的EPROM器件，与其它FlashMemory技术相比，具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC 的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
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UltraNAND
AMD 与 Fujistu 共同推出的 UltraNAND 技术，称之为先进的 NAND 闪速存储器技术。它与 NAND 标准兼容：拥有比 NAND 技 术更高等级的可靠性；可用来存储代码，从而首次在代码存储的 应用中体现出 NAND 技术的成本优势；它没有失效块，因此不用 系统级的查错和校正功能，能更有效地利用存储器容量。
三、Flash Memory 供应商
20nm
三星4月26日宣布正式量产20奈米制程NAND Flash芯片，为 32Gb容量MLC(Multi-Level Cell)规格产品，未来应用面包括SD闪 存和嵌入式解决方案，主要针对智能型手机和高阶手机，预计将 于2010年下半进入量产。 三星指出，相较于目前30奈米制程世代，20奈米制程新技术产出 可大幅增加50%，且在写入速度方面，以8GB容量以上SD卡为例 ，20奈米制程NAND Flash芯片比30奈米制程芯片速度快上30%， 并可用在高等级Class 10记忆卡上，最高容量可达64GB水平。
3，AND 技术
AND 技术是 Hitachi 公司的专利技术。 Hitachi 和 Mitsubishi 共 同支持 AND 技术的 Flash Memory 。 AND 技术与 NAND 一样 采用 “ 大多数完好的存储器 ” 概念，目前，在数据和文档存储领域 中是另一种占重要地位的闪速存储技术。
DINOR
DINOR(Divided bit-line NOR) 技术是 Mitsubishi 与 Hitachi 公司 发展的专利技术，从一定程度上改善了 NOR 技术在写性能上的 不足。 DINOR 技术 Flash Memory 和 NOR 技术一样具有快速随 机读取的功能，按字节随机编程的速度略低于 NOR ，而块擦除速 度快于 NOR 。这是因为 NOR 技术 Flash Memory 编程时，存储 单元内部电荷向晶体管阵列的浮栅极移动，电荷聚集，从而使电 位从 1 变为 0 ；擦除时，将浮栅极上聚集的电荷移开，使电位从 0 变为 1 。而 DINOR 技术 Flash Memory 在编程和擦除操作时电 荷移动方向与前者相反。 DINOR 技术 Flash Memory 在执行擦 除操作时无须对页进行预编程，且编程操作所需电压低于擦除操 作所需电压，这与 NOR 技术相反。
一、闪速存储器的特点
闪速存储器（ Flash Memory ）是一类非易失性存储器 NVM （ Non-Volatile Memory ）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信 息；而诸如 DRAM 、 SRAM 这类易失性存储器，当供电电源关闭 时片内信息随即丢失。 Flash Memory 集其它类非易失性存储器的特点：与 EPROM 相 比较，闪速存储器具有明显的优势 —— 在系统电可擦除和可重 复编程，而不需要特殊的高电压（某些第一代闪速存储器也要求 高电压来完成擦除或编程操作）；与 EEPROM 相比较，闪速存储 器具有成本低、密度大的特点。
谢谢
TCL集团股份有限公司
NOR 技术Flash Memory 具有以下特点
（ 1 ） 程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地 址总线，能快速随机读取，允许系统直接从 Flash 中读取代码执 行，而无需先将代码下载至 RAM 中再执行； （ 2 ） 可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单 位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对 块或整片进行预编程和擦除操作。
二、 闪速存储器的技术分类
NOR技术
NAND技术
AND技术
EEPROM派生
NOR
DINOR
NAND
UltraNAND
Small Sector Flash
DataFlash
1，NOR 技术
NOR 技术（亦称为 Linear 技术）闪速存储器是最早出现的Flash Memory ，目前仍是多数供应商支持的技术架构。它源于传统的 EPROM 器件，与其它Flash Memory 技术相比，具有可靠性高、 随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码 的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如 PC 的 BIOS 固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
2，NAND 技术
Samsung 、TOSHIBA 和 Fujistu 支持NAND 技术Flash Memory 。 这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为 SmartMedia 卡、 CompactFlash 卡、 PCMCIA ATA 卡、固态盘的 存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。
四、公司用到的FLASH
基本上是使用NAND技术的FLASH，也有NOR技术的FLASH。 1，13-EN25Q3-2AB EN25Q32A 32 Megabit Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector 厂家：Eon Silicon Solution.Inc.
由 EEPROM 派生的闪速存储器特点
这类器件具有 EEPROM 与 NOR 技术 Flash Memory 二者 折衷的性能特点： （ 1 ） 读写的灵活性逊于 EEPROM ，不能直接改写数据。在 编程之前需要先进行页擦除，但与 NOR 技术 Flash Memory 的块结构相比其页尺寸小，具有快速随机读取和快 编程、快擦除的特点。 （ 2 ） 与 EEPROM 比较，具有明显的成本优势。 （ 3 ） 存储密度比 EEPROM 大，但比 NOR 技术 Flash Memory 小
NAND技术的FLASH
2，13-MX25L8-00B MX25L8006E 8M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH 厂家：Macronix International Co.，Ltd.
NOR Flash
3，13-S29GL1-28B S29GL-P MirrorBit® Flash Family S29GL-P MirrorBit® Flash Family Cover Sheet S29GL01GP, S29GL512P, S29GL56P, S29GL128P 1 Gigabit, 512 Megabit, 256 Megabit and 128 Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology 厂家：Spansion
4，由 EEPROM 派生的闪速存储器
EEPROM 具有很高的灵活性，可以单字节读写（不需要擦除，可 直接改写数据），但存储密度小，单位成本高。部分制造商生产出 另一类以 EEPROM 做闪速存储阵列的 Flash Memory ，如 ATMEL 、 SST 的小扇区结构闪速存储器（ Small Sector Flash Memory ）和 ATMEL 的海量存储器（ Data-Flash Memory ）。
一、闪速存储器的特点
闪速存储器（ Flash Memory ）是一类非易失性存储器 NVM （ Non-Volatile Memory ）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信 息；而诸如 DRAM 、 SRAM 这类易失性存储器，当供电电源关闭 时片内信息随即丢失。 Flash Memory 集其它类非易失性存储器的特点：与 EPROM 相 比较，闪速存储器具有明显的优势 —— 在系统电可擦除和可重 复编程，而不需要特殊的高电压（某些第一代闪速存储器也要求 高电压来完成擦除或编程操作）；与 EEPROM 相比较，闪速存储 器具有成本低、密度大的特点。
NAND 技术 Flash Memory 具有以下特点
（ 1 ） 以页为单位进行读和编程操作， 1 页为 256 或 512B （字节 ）；以块为单位进行擦除操作， 1 块为 4K 、 8K 或 16KB 。具有快 编程和快擦除的功能，其块擦除时间是 2ms ；而 NOR 技术的块 擦除时间达到几百 ms 。 （ 2 ） 数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢 且不能按字节随机编程。 （ 3 ） 尺寸小，引脚少，是位成本 (bit cost) 最低的固态存储器。 （ 4 ） 芯片包含有失效块，其数目最大可达到 3~35 块（取决于存 储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效 块在地址映射表中屏蔽起来。
Flash Memory 2010.4.29
一、闪速存储器的特点
闪速存储器（ Flash Memory ）是一类非易失性存储器 NVM （ Non-Volatile Memory ）即使在供电电源关闭后仍 能保持片内信息；而诸如 DRAM 、 SRAM 这类易失性存 储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。 Flash Memory 集其它类非易失性存储器的特点：与 EPROM 相比较，闪速存储器具有明显的优势 —— 在系 统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压（某些 第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除或编程操作）； 与 EEPROM 相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的