硅片的清洗与制绒

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硅片制绒和清洗

硅片制绒和清洗

利用接触角测量仪测量硅 片表面的接触角,评估表 面的润湿性和清洁度。
使用反射率测量仪测量硅 片表面的反射率,判断绒 面质量和减反射效果。
使用颗粒计数器检测清洗 后硅片表面的颗粒数量和 大小,评估清洗效果。
05 环境因素与安全生产管理
环境因素对制绒和清洗影响分析
01
温度
温度的变化会影响化学反应的速 率和效果,需要控制在适宜的范 围内。
硅片制绒和清洗
目录
• 硅片制绒概述 • 硅片清洗技术 • 制绒与清洗工艺参数优化 • 质量控制与检测方法 • 环境因素与安全生产管理 • 总结与展望
01 硅片制绒概述
制绒目的与意义
提高硅片对光的吸收能力
改善硅片表面的润湿性
通过制绒在硅片表面形成一层具有陷光作 用的绒面结构,增加光在硅片表面的反射 次数,从而提高硅片对光的吸收能力。
全。
工艺参数对清洗效果影响
清洗液种类
不同种类的清洗液对硅片 的清洗效果不同,需要根 据硅片表面的污染物种类 选择合适的清洗液。
清洗液浓度
浓度过高可能对硅片表面 造成损伤,浓度过低则可 能使清洗效果不佳。
清洗时间
时间过长可能浪费资源, 时间过短则可能使清洗不 彻底。
参数优化策略及实施
01
02
03
04
智能制造与自动化
随着工业4.0和智能制造的推进,硅片制ห้องสมุดไป่ตู้和清洗生产线将更加智能 化和自动化,提高生产效率和降低成本。
行业挑战与机遇
环保政策压力
随着全球对环保问题的关注度不断提高,光伏行业面临的环保政策压力也将加大,企业需要采取 更加环保的生产方式和技术。
市场竞争加剧
光伏市场竞争日益激烈,企业需要不断提高产品质量和降低成本,才能在市场中立于不败之地。

清洗和制绒工艺

清洗和制绒工艺
16
关键因素的分析 ——NaOH的影响
维持制绒液中乙醇的含量为10 vol%, 温度85 ℃,时间30分钟条件下: NaOH浓度5g/l时绒面形貌
17
关键因素的分析 ——NaOH的影响
NaOH浓度15g/l时绒面形貌
18
关键因素的分析 ——NaOH的影响
NaOH浓度55g/l时绒面形貌
19
关键因素的分析 ——NaOH的影响
7
硅片表面的机械损伤层
(三)切割损伤层的腐蚀(初抛)
若损伤层去除不足会出现3种可能情况:残余 缺陷、残余缺陷在后续高温处理过程中向材 料深处继续延伸、切割过程中导致的杂质未 能完全去除。 硅酸钠的热导性很差。一般硅酸钠超过一定 的量时,腐蚀产生的热量超过从溶液表面和 容器侧面所散发的热量,使溶液的温度持续 升高。所以初抛液必须定期更换或排出部分 溶液。
1min 5min 10min
1100
33
工艺控制方法
若出现雨点状的斑点,只要加入少量乙醇或 异丙醇即可消除。 若硅片上端部分光亮,表明液位不够或溶液 粘稠度过大,使篮框漂浮起来。 若硅片表面有流水印,说明溶液内硅酸钠过 量,适当加大NaOH的用量;还有可能喷淋效
果不理想。
34
硅酸钠含量的检测
37
12
绒面光学原理
制备绒面的目的: 减少光的反射率,提高短路电流(Isc), 最终提高电池的光电转换效率。 陷光原理:当光入射到一定角度的斜面,光 会反射到另一角度的斜面,形成二次或者多 次吸收,从而增加吸收率。
13
绒面光学原理
陷光原理图示:
14
影响绒面质量的关键因素
1. NaOH浓度 2. 无水乙醇或异丙醇浓度源自31关键因素的分析

晶体硅太阳能电池生产线清洗制绒工序

晶体硅太阳能电池生产线清洗制绒工序

总结词
去除表面污垢,提高表面清洁度
详细描述
碱洗工序主要利用碱性溶液清洗硅片表面,去除油脂、污垢等杂质,提高表面的 清洁度和吸附能力,为后续的制绒工序提供良好的表面条件。
制绒流程
总结词
形成绒面结构,提高光吸收效率
详细描述
制绒工序是利用化学反应在硅片表面形成绒面结构,使入射光在硅片表面产生漫反射和散射,从而提高太阳能电 池的光吸收效率。制绒过程中需控制反应温度、时间和溶液浓度等参数,以保证绒面结构的均匀性和一致性。
硅片在生产过程中会沾染各种污 染物,如灰尘、油脂等,清洗制 绒的目的是将这些污染物去除,
恢复硅片表面的洁净。
去除切割损伤
晶体硅太阳能电池的制造过程中, 硅片需要进行切割,这个过程中会 在硅片表面产生损伤,清洗制绒可 以去除这些切割损伤。
增强表面活性
通过清洗制绒,可以去除硅片表面 的氧化层,暴露出新鲜的硅表面, 增强其表面活性。
定期进行应急演练,提高员工的应急 处理能力。
配备相应的应急处理设备和物资,如 急救箱、灭火器等。
在发生紧急情况时,应迅速采取相应 措施,确保人员安全和设备稳定。
环保措施及排放标准
清洗制绒过程中应采用环保型清洗剂,减少对环境的污 染。
定期对生产线进行清洁和维护,确保生产环境的整洁和 卫生。
废气、废液等废弃物应按照国家相关标准进行排放和处 理。
展方向。企业致力于研发环保型清洗制绒工艺,降低能源消耗和环境污
染。
03
高精度与高效率
为了提高产品质量和生产效率,生产线清洗制绒技术向高精度和高效率
方向发展。企业不断优化清洗制绒工艺,提高设备的精度和稳定性,实
现高效生产。
市场前景及竞争态势

晶硅片制绒与清洗

晶硅片制绒与清洗
制绒液质量监控
定期检测制绒液的成分和质量,确保其符合工艺 要求,及时更换不合格的制绒液,避免对硅片造 成不良影响。
制绒设备维护与校准
定期对制绒设备进行维护和校准,确保设备运行 正常,制绒槽、喷头等部件无磨损、堵塞等现象。
清洗质量控制
清洗流程监控
对清洗流程进行严格监控,确保每一步骤都按照规定的工艺要求 进行,防止遗漏或错误操作。
半自动清洗
02
03全自动清洗源自采用机械或简单的自动化设备进 行清洗,提高了效率和清洗质量。
利用先进的自动化设备和控制系 统,实现高效、高精度的清洗, 是目前主流的清洗技术。
清洗技术的应用场景
光伏产业
晶硅片是光伏电池的主要原料,清洗技术用于制 备高质量的光伏电池。
半导体产业
晶硅片用于制造集成电路、微电子器件等,清洗 技术用于制备高纯度、高精度的半导体器件。
制绒技术的应用场景
制绒技术主要应用于太阳能电池制造领域,特别是晶体硅 太阳能电池制造领域。通过制绒技术可以提高太阳能电池 的光电转换效率,从而提高整个光伏系统的发电效率。
制绒技术还可以应用于其他需要增加光散射和吸收的领域 ,如光电子、光通信、照明等领域。
02 晶硅片清洗技术介绍
清洗技术原理
物理清洗
新型制绒技术
制绒工艺优化
通过不断优化制绒工艺参数,提高制 绒效果和降低成本,以满足光伏产业 对晶硅片质量、效率和经济性的要求。
为了提高晶硅片的表面质量和效率, 新型制绒技术的研究和开发将不断涌 现,如离子注入、激光刻蚀等。
清洗技术未来发展趋势
环保清洗技术
随着环保意识的提高,环保清洗 技术将成为未来的发展趋势,如 超声波清洗、激光清洗等。
高效清洗设备

硅片制绒和清洗

硅片制绒和清洗

400
500
600
700 Wavelength (nm) smooth texture
800
900
1000
1100
单晶硅片表面反射率
8
绒面腐蚀原理
利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具 有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性,在硅片表面腐 蚀形成角锥体密布的表面形貌 ,就称为表面织构化。 角锥体四面全是由〈111〉面包围形成。
Si+2NaOH+H2O →Na2SiO3 +2H2 ↑
9
单晶的各种形貌
单晶原始形貌(500倍) 单晶绒面 (500倍)
单晶粗抛(500倍)
单晶绒面(SEM)
10
化学腐蚀液的配制
单晶硅片的清洗和制绒
超声波清洗
单晶硅片的表面油污比较严重,需要在60℃清洗剂的水溶液中, 利用超声波震荡清洗15分钟。 九槽清洗机
乙醇的含量在3vol%至20vol%的范围内变化时,制绒
反应的变化不大,都可以得到比较理想的绒面,而5 vol%至10vol%的环境最佳。
25
关键因素的分析 ——乙醇或异丙醇的影响
制绒液中NaOH的浓度为15克/升,反应温度85 ℃。无乙醇时的绒面形貌:
26
关键因素的分析 ——乙醇或异丙醇的影响
0.16
Average Reflectance
0.15
0.14
0.13 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
Concentration of NaOH (g/l)
22
关键因素的分析 ——硅酸钠的影响
硅酸钠在溶液中呈胶体状态,大大的增加了溶液的粘

晶硅片制绒与清洗

晶硅片制绒与清洗
HRM 36
单晶硅片清洗制绒设备
HRM
37
单晶硅片清洗制绒设备
HRM
38
单晶硅片清洗制绒设备
HRM
39
单晶硅片清洗制绒设备
HRM
40
单晶硅片清洗制绒设备
HRM
41
HRM
16
单晶硅片清洗制绒原因

17
单晶硅片清洗制绒原因
正常片制绒后图片:
HRM
18
单晶硅片清洗制绒
1、制绒前清洗 2、制绒前去除硅片表面损伤 3、硅片制绒 4、制绒后清洗 5、烘干
HRM
19
单晶硅片清洗制绒
制绒前清洗: 原因:
• • • •
硅片有手指印,在清洗前看不见,但是清洗后却清晰可见;
HRM
4
HIT电池结构
• 1、p-n结通过PECVD的方式,将本征非晶硅 和p型非晶硅层沉积到n型单晶硅层的衬底 上;
• 2、在另一侧,背面场结构由本征非晶硅和 n型非晶硅层构成。
HRM
5
HIT主要工艺
1、硅片 的 清 洗 制绒
2、正面用PECVD 制备本征非晶硅 薄膜和P型非晶 硅薄膜 3 、 背 面 用 PECVD 制备本征非晶硅薄 膜和N 型非晶硅薄 膜
HRM
23
单晶硅片清洗制绒
制绒:
利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各 向异性腐蚀特性,在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌 ,就称 为表面织构化。角锥体四面全是由〈111〉面包围形成。
反应式为: 2NaOH+H2O+Si=Na2 SiO3+2H2 ↑ HRM
24
单晶硅片清洗制绒
污染片制绒:

topcon工艺流程详细解读

topcon工艺流程详细解读

TOPCon工艺流程详细解读一、清洗制绒1.1 清洗目的去除硅片表面的污垢和杂质,保证硅片表面的洁净度和均匀性,以便后续工艺的正常进行。

1.2 制绒原理利用硝酸和氢氟酸的混合溶液对硅片进行腐蚀,形成绒面结构,以增加硅片表面的陷光效应,提高太阳能电池的光电转换效率。

二、正面硼扩散2.1 硼扩散目的将硼元素注入硅片正面,形成P型半导体层,为后续的电极接触和钝化层沉积做准备。

2.2 硼扩散原理利用高温条件下的硼源扩散作用,将硼元素注入硅片正面。

三、BSG去除3.1 BSG去除目的去除硅片正面和背面的BSG(硼硅酸盐玻璃),以暴露出硅片的晶体结构,便于进行后续的工艺处理。

3.2 BSG去除原理利用化学腐蚀或机械研磨的方式,去除硅片正面和背面的BSG。

四、背面刻蚀4.1 背面刻蚀目的对硅片的背面进行机械研磨或化学腐蚀,以形成背面场结构,降低电池片的串联电阻,提高电池片的电流输出。

4.2 背面刻蚀原理利用机械研磨或化学腐蚀的方式,对硅片的背面进行减薄处理,形成背面场结构。

五、氧化层钝化接触制备5.1 氧化层钝化接触制备目的在硅片的正面形成氧化层,以钝化接触表面,同时增加一层绝缘层,防止电流短路。

5.2 氧化层钝化接触制备原理利用高温氧化作用,在硅片的正面形成一层氧化层,实现钝化接触表面的目的。

六、正面氧化铝沉积6.1 正面氧化铝沉积目的在硅片的正面沉积一层氧化铝薄膜,以提高硅片的抗反射能力和耐候性,同时保护硅片不受环境因素的影响。

6.2 正面氧化铝沉积原理物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)的方式,在硅片的正面沉积一层氧化铝薄膜。

七、正背面氮化硅沉积 7.1 正背面氮化硅沉积目的在硅片的正面和背面沉积一层氮化硅薄膜,以提高硅片的抗反射能力和耐候性八、丝网印刷8.1 丝网印刷目的利用丝网印刷技术将电极材料印涂在硅片表面,形成电极结构九、烧结 9.1 烧结目的通过高温烧结过程使电极材料与硅片表面形成良好的欧姆接触十、测试分选10.1 测试分选目的对太阳能电池片进行电性能测试和分选,保证产品的质量和性能一致性十一、其他注意事项在整个TOPCon工艺流程中,需要注意以下几点:1.严格控制各道工序的工艺参数和环境条件,确保工艺的稳定性和重复性;2.对于关键工艺步骤需进行严格的质量控制和检测,防止出现质量问题;3.不断优化工艺流程和设备配置,提高生产效率和产品质量;4.重视环境保护和安全生产,确保生产过程对环境不产生污染,同时保证员工的健康和安全。

光伏电池制备工艺项目二清洗制绒(000002)

光伏电池制备工艺项目二清洗制绒(000002)

第一讲:
任务一 制绒工艺的目的与原理 1)制绒目的 2)制绒原理
任务一 :制绒工艺的目的与原理
制绒目的: ① 去除硅片表面的机械损伤层;
② 并清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质 ③减少光的反射率,提高短路电流,最终提高电池的光电转 换效率。
制绒的原理
晶硅电池分为单晶硅电池、多晶硅电池, 在电池片的制备工艺中,由于单晶、多晶的 晶颗排列不同,制绒工艺的原理也不同,单 晶主要采用各向异性碱腐蚀、多晶主要采用 各向同性酸腐蚀。
3)对绒面质量合格的硅片,收片员详细填写“工 艺流程卡”,并装在小花篮内(每200片为一批, 每个小花篮装25片硅片),每一批硅片有一张流程 卡,流入到扩散工序;
4)操作员在设备自动运行过程中,不能离开,需 时刻监视设备运行情况;
生产
5)收片

收片员在小花篮下垫
海绵垫片,双手轻轻拿硅
片两端,将硅片轻轻插入
理? 4、作业指导书P26
出现的原因是IPA添加 过多;或者出制绒槽后, 没有立即放入漂洗槽,导 致药液残留在硅片表面反 应
解决的方法:重新进行清 洗
表面污染
c图出现的是在同一批 片子中相同位置有类似于 油污的污渍;出现的原因 主要是来料问题,可能在 硅片包装时引入;
解决的方法:与硅片车 间协商解决
表面污染
5、生产 1)放片 放片员从硅片盒中一次性拿起一叠硅片(最多不能超过
100片),用右手将硅片旋开; 捏住硅片的中间(不能拿硅片的角,容易产生碎片)一
片一片放到轨道上面
轨道共5道,每一道前后2片硅片的距离应大于5cm
2)工序长每隔1000片抽测5片减重情况,并将相关 数据记录在“一次清洗减薄量记录表”中,控制在 0.4~0.5g之间,确定绒面质量合格后,硅片方可流 入下道工序;

硅片的清洗与制绒

硅片的清洗与制绒

硅片的清洗与制绒导语:硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗,清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各类污染物,并制做能够减少表面太阳光反射的绒面结构(制绒),且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。

制绒是制造晶硅电池的第一道工艺,又称“表面织构化”。

有效的绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射,增加了光的吸收,降低了反射率,有助于提高电池的性能。

一.清洗二.制绒1.制绒的目的和原理目的:减少光的反射率,提高短路电流(Isc ),最终提高电池的光电转换效率。

原理:①单晶硅:制绒是晶硅电池的第一道工艺,又②多晶硅:利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性,对硅进行氧化和络合剥离,导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀,从而形成类似“凹陷坑”状的绒面,如图3所示。

理想的绒面效果,应该是金字塔大小均匀,覆盖整个表面。

金子塔的高度在3~5μm 之间,相邻金字塔之间没有空隙,具有较低的表面反射率,如图6所示。

有效的绒面结构,有助于提高电池的性能。

由于入射光在硅片表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,其反射率很低,主要体现在短路电流的提高。

3.影响绒面质量的关键因素(1) 无水乙醇或异丙醇浓度气泡的直径、密度和腐蚀反应的速率限定了硅片表面织构的几何特征。

气泡的大小以及在硅片表面停留的时间,与溶液的粘度、表面张力有关系。

所以需要乙醇或异丙醇来调节溶液的粘滞特性。

乙醇的含量在3 vol%至20 vol%的范围内变化时,制绒反应的变化不大,都可以得到比较理想的绒面,而5 vol%至10 vol%的环境最佳。

(2) 制绒槽内硅酸钠的累计量硅酸钠在溶液中呈胶体状态,大大的增加了溶液的粘稠度。

对腐蚀液中OH 离子从腐蚀液向反应界面的输运过程具有缓冲作用,使得大批量腐蚀加工单晶硅绒面时,溶液中NaOH 含量具有较宽的工艺容差范围,提高了产品工艺加工质量的稳定性和溶液的可重复性。

硅酸钠在制绒溶液中的含量从2.5%~30%wt 的图9 不同时间制绒后,硅片的反射谱(5)制绒腐蚀的温度 根据阿伦尼乌斯方程(k=Aexp (-Ea/RT )),温度升高,反应速度常数会成指数增大。

硅片制绒工艺

硅片制绒工艺

单晶制绒
温度影响:
温度过高,IPA挥发加剧,晶面择优性下降,绒面连 续性降低;同时腐蚀速率过快,控制困难;
温度过低,腐蚀速率过慢,制绒周期延长; 制绒温度范围:75-90oC。
单晶制绒
IPA影响:
1、降低硅片表面张力,减少气泡在硅片表面的粘附,使金 字塔更加均匀一致;
2、气泡直径、密度对绒面结构及腐蚀速率有重要影响。气 泡大小及在硅片表面的停留时间,与溶液粘度、表面张 力有关,所以需要异丙醇来调节溶液粘滞特性。
表面有机物进行去除。
单晶绒面: 单晶制绒
单晶绒面显微结构(左:金相显微镜;右:扫描电镜)
绒面一般要求:制绒后,硅片表面无明显色差;绒 面小而均匀。
单晶制绒
制绒原理:
简言之,即利用硅在低浓度碱液中的各向异性腐蚀 ,即硅在(110)及(100)晶面的腐蚀速率远大于(111)晶面的 腐蚀速率。经一定时间腐蚀后,在(100)单晶硅片表面留 下四个由(111)面组成的金字塔,即上图所示金字塔。
影响硅片腐蚀速率及绒面显微结构的因素众多,主 要包括如下因子:NaOH浓度;溶液温度;异丙醇浓度 ;制绒时间;硅酸钠含量;槽体密封程度;异丙醇挥发 ;搅拌及鼓泡等。
多晶制绒
多晶制绒工艺:
由于多晶硅片由大小不一的多个晶粒组成,多晶面 的共同存在导致多晶制绒不能采用单晶的各向异性碱腐 蚀 (Orientation Dependent Etching)方法完成。 已有研究的多晶制绒工艺:
制绒温度6-10℃,制绒时间120-300sec。 反应方程式:HNO3+Si=SiO2+NOx+H2O
SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O
多晶制绒
多晶制绒工艺:

硅片的清洗与制绒

硅片的清洗与制绒

8
硅片化学清洗
HF和DHF 作用: 去除硅表面氧化物,清洗后的表面形成Si-H键荷层。 配制方法: 40%HF与去离子水(DI Water)以1:10-1:1000比例混 合。当比例为1:50-1:1000时,溶液又成为DHF。 清洗方法: 室温条件下,将硅片置于酸液中浸泡1至数分钟。
9
硅片化学清洗
14
硅片化学清洗
DI Water (De-Ionized Water Rinse) 作用: 在常规RCA清洗过程中,在室温下,利用超净高阻 的DI Water对硅片进行冲洗是十分重要的步骤。 在常规RCA清洗过程中,在前一个步骤完成后,进 行第二个步骤前都需要用去离子水对硅片进行清洗,一 个作用是冲洗硅片表面已经脱附的杂质,另外一个作用 是冲洗掉硅片表面的残余洗液,防止对接下来的洗液产 生负面影响。
24
硅片清洗与制绒
单晶制绒
单晶制绒工艺:
NaOH,Na2SiO3,IPA混合体系进行硅片制绒。 配比要求: NaOH浓度0.8wt%-2wt%; Na2SiO3浓度0.8wt%2wt%;IPA浓度5vol%-8vol%。 制绒时间:25-35min,制绒温度75-90oC。
25
硅片清洗与制绒
13
硅片化学清洗
RCA Ⅱ作用机理 作用机理: SCⅡ洗液并不能腐蚀氧化层以及硅,经SCⅡ洗液处 理,会在硅片表面产生一层氢化氧化层。 SCⅡ洗液尽管 可以有效去除硅片中的金属杂质离子,但是它并不能使 硅片的表面粗糙程度得到改善,相反地,由于电位势的 相互作用,硅片表面的粗糙程度将变得更差。 与SCⅠ洗液中H2O2的分解由金属催化不同,在 SCⅡ洗液中的H2O2分解非常迅速,在80℃下,约20min 左右,H2O2就已全部分解。只有在硅片表面含有金等 其他贵重金属元素时,H2O2的存在才非常必需。

硅片清洗过程

硅片清洗过程

太阳能电池硅片清洗过程制绒-扩散-刻蚀-清先(去PSG)-沉积减反射膜-丝网印刷-烧结-分选-组装以下为制绒工艺1、去损伤层目的:用高温NaOH或KOH去除硅表面的切割损伤层,划痕、手印、杂质等要求:浓度20%,温度80C,时间5min达到:硅片表面减薄10-20μm注意事项:1、浓度保证为20%,要求有补液槽,补充每次清洗的消耗。

2、80C温度要有加热管。

3、30S时间准确控制。

4、有自动盖,减少挥发。

2、温水隔离目的:稀释硅表面或洗篮上残留的碱液。

要求:水50C,时间5min达到:浓碱被稀释注意事项:1、要有鼓泡2、鼓泡要均匀3、换水:a、溢流:1-2方/小时,快排7S,30S上水,补水管口径1寸,水压2kg。

3、A单晶制绒面目的:通过高温低浓度的NaOH/KOH将硅表面腐蚀出均匀的金字塔型表面,减少硅片对光的反射。

要求:在浓度为3%左右时,在80C上下的温度,约25min增加一定量的乙醇,加快溶液反应,起到消除气泡的作用。

达到:硅片表面形成金字塔,大小均匀,单体尺寸2-10μm之间,相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。

工艺要求:有鼓泡,有加热管,循环泵,使溶液均匀,温度均匀,浓度均匀。

注意事项:a、浓度、温度和清洗时间有一定的比例。

b、在制绒过程中不能有鼓泡。

c、测温点靠近硅片中部。

d、从制绒槽到水洗槽的时间控制在20s以内。

(否则在高温状态下残留的碱液会挥发留下硅表面。

B多晶制绒目的:通过恒定温度,较高浓度的酸液制绒(HNO3+HF)要求:浓度60%左右温度:15-20C,时间3-4min达到:硅片表面形成金字塔,大小均匀,单体尺寸2-10μm之间,相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。

注意事项:a、硅与酸反应是放热过程,需要降温,制冷。

b、有循环泵和溢流,保证温度。

工艺流程:注酸——放料——排酸——注水喷淋——鼓泡——提料——排水——注酸c、加自动盖和喷淋:HNO3+HF在高温下有很强的挥发性,有害酸气会会腐蚀设备和损害人体,加盖保护。

清洗和制绒工艺55764

清洗和制绒工艺55764
12
绒面光学原理
• 制备绒面的目的: 减少光的反射率,提高短路电流(Isc),
最终提高电池的光电转换效率。 • 陷光原理:当光入射到一定角度的斜面,光
会反射到另一角度的斜面,形成二次或者多 次吸收,从而增加吸收率。
13
绒面光学原理
• 陷光原理图示:
14
影响绒面质量的关键因素
1. NaOH浓度 2. 无水乙醇或异丙醇浓度 3. 制绒槽内硅酸钠的累计量 4. 制绒腐蚀的温度 5. 制绒腐蚀时间的长短 6. 槽体密封程度、乙醇或异丙醇的挥发程度
39
制绒和清洗工艺
目录
1. 硅片表面损伤层的形成及处理方法 2. 绒面腐蚀的原理 3. 影响绒面质量的关键因素及分析 4. 工艺控制方法 5. 化学清洗原理 6. 安全注意事项
2
概述
硅片表面处理的目的:
去除硅片表面的机械损伤层 清除表面油污和金属杂质 形成起伏不平的绒面,增加硅片对 太阳光的吸收
3
硅片表面的机械损伤层
15
关键因素的分析 ——NaOH的影响
• 制绒液中的乙醇或异丙醇、NaOH、硅酸纳三者 浓度比例决定着溶液的腐蚀速率和角锥体形成情 况。
• 溶液温度恒定在80℃时发现腐蚀液NaOH浓度在 1.5~4%范围之外将会破坏角锥体的几何形状 。
• 当NaOH处于合适范围内时,乙醇或异丙醇的浓 度的上升会使腐蚀速率大幅度下降。
33
工艺控制方法
• 若出现雨点状的斑点,只要加入少量乙醇或 异丙醇即可消除。
• 若硅片上端一部分光亮,表明液位不够或溶 液粘稠度太大,使篮框漂浮起来。
• 若硅片表面有流水印,说明溶液内硅酸钠过 量,适当加大NaOH的用量;还有可能喷淋效 果不理想。
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硅片的清洗与制绒 The manuscript was revised on the evening of 2021硅片的清洗与制绒导语:硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗,清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各类污染物,并制做能够减少表面太阳光反射的绒面结构(制绒),且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。

制绒是制造晶硅电池的第一道工艺,又称“表面织构化”。

有效的绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射,增加了光的吸收,降低了反射率,有助于提高电池的性能。

一.清洗1.清洗的目的经切片、研磨、倒角、抛光等多道工序加工成的硅片,其表面已吸附了各种杂质,如颗粒、金属粒子、硅粉粉尘及有机杂质,在进行扩散前需要进行清洗,消除各类污染物,且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。

清洗主要是利用NaOH、HF、HCL等化学液对硅片进行腐蚀处理,完成如下的工艺:①去除硅片表面的机械损伤层。

②对硅片的表面进行凹凸面(金字塔绒面)处理,增加光在太阳电池片表面的折射次数,利于太阳电池片对光的吸收,以达到电池片对太阳能价值的最大利用率。

③清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质。

图1 金属杂质对电池性能的影响2.清洗的原理①HF去除硅片表面氧化层。

②HCl去除硅片表面金属杂质:盐酸具有酸和络合剂的双重作用,氯离子能与溶解片子表面可能沾污的杂质,铝、镁等活泼金属及其它氧化物。

但不能溶解铜、银、金等不活泼的金属以及二氧化硅等难溶物质。

3.安全提示NaOH、HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品,其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道,所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。

一旦有化学试剂伤害了员工的身体,马上用纯水冲洗30分钟,送医院就医。

二.制绒1.制绒的目的和原理目的:减少光的反射率,提高短路电流(Isc),最终提高电池的光电转换效率。

原理:①单晶硅:制绒是晶硅电池的第一道工艺,又称“表面织构化”。

对于单晶硅来说,制绒是利用碱对单晶硅表面的各向异性腐蚀,在硅表面形成无数的四面方锥体。

目前工业化生产中通常是根据单晶硅片的各项异性特点采用碱与醇的混合溶液对<100>晶面进行腐蚀,从而在单晶硅片表面形成类似“金字塔”状的绒面,如图2所示。

②多晶硅:利用硝酸的强氧化性和氢氟酸的络合性,对硅进行氧化和络合剥离,导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀,从而形成类似“凹陷坑”状的绒面,如图3所示。

图2 电子显微镜下的多晶硅表面绒面效果图3 电子显微镜下的多晶硅表面绒面效果以单晶硅绒面为例,金字塔形角锥体的表面积S等于四个边长为a的正三角形面积之和,可计算得表面积s为:即绒面表面积比平面提高了1.732倍。

如图4所示,光线在表面的多次反射,有效增强了入射太阳光的利用率,从而提高光生电流密度。

既可获得低的表面反射率,又有利于太阳能电池的后续制作工艺。

图4 光线在绒面中的多次反射图5 单晶硅片制绒前后的表面反射率对比2.制绒工艺目前在大工业生产中一般采用成本较低的氢氧化钠或氢氧化钾稀溶液(浓度为1%~2%)来制备绒面,腐蚀温度为80℃±5℃。

另外,为了有效地控制反应速度和绒面的大小,会添加一定量的IPA作为缓释剂和络合剂。

理想的绒面效果,应该是金字塔大小均匀,覆盖整个表面。

金子塔的高度在3~5μm之间,相邻金字塔之间没有空隙,具有较低的表面反射率,如图6所示。

有效的绒面结构,有助于提高电池的性能。

由于入射光在硅片表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,其反射率很低,主要体现在短路电流的提高。

图6 较为理想的绒面效果图3.影响绒面质量的关键因素(1)无水乙醇或异丙醇浓度气泡的直径、密度和腐蚀反应的速率限定了硅片表面织构的几何特征。

气泡的大小以及在硅片表面停留的时间,与溶液的粘度、表面张力有关系。

所以需要乙醇或异丙醇来调节溶液的粘滞特性。

乙醇的含量在3 vol%至20 vol%的范围内变化时,制绒反应的变化不大,都可以得到比较理想的绒面,而5 vol%至10 vol%的环境最佳。

图7 乙醇浓度3vol%(左)和10 vol%(右)时的绒面形貌(2)制绒槽内硅酸钠的累计量硅酸钠在溶液中呈胶体状态,大大的增加了溶液的粘稠度。

对腐蚀液中OH离子从腐蚀液向反应界面的输运过程具有缓冲作用,使得大批量腐蚀加工单晶硅绒面时,溶液中NaOH含量具有较宽的工艺容差范围,提高了产品工艺加工质量的稳定性和溶液的可重复性。

硅酸钠在制绒溶液中的含量从%~30%wt的情况下,溶液都具有良好的择向性,同时硅片表面上能生成完全覆盖角锥体的绒面。

随着硅酸钠含量的增加,溶液粘度会增加,结果在硅片与片匣边框接触部位会产生“花篮印”,一般浓度在30%以下不会发生这种变化(NaOH浓度达到一定程度的基础上)。

硅酸钠来源大多是反应的生成物,要调整它的浓度只能通过排放溶液。

若要调整溶液的粘稠度,则采用加入添加剂乙醇或异丙醇来调节。

(3) NaOH浓度制绒液中的乙醇或异丙醇、NaOH、硅酸纳三者浓度比例决定着溶液的腐蚀速(4)制绒腐蚀时间的长短经热的浓碱去除损伤层后,硅片表面留下了许多肤浅的准方形的腐蚀坑。

1分率和角锥体形成情况。

溶液温度恒定在80℃时发现腐蚀液NaOH浓度在~4%范围之外将会破坏角锥体的几何形状。

当NaOH处于合适范围内时,乙醇或异丙醇的浓度的上升会使腐蚀速率大幅度下降。

图8 绒面的平均反射率随NaOH浓度的变化钟后,金字塔如雨后春笋,零星的冒出了头;5分钟后,硅片表面基本上被小金字塔覆盖,少数已开始长大。

我们称绒面形成初期的这种变化为金字塔“成核”。

10分钟后,金字塔密布的绒面已经形成,只是大小不均匀,反射率也降到了比较低的水平。

随着时间的延长,金字塔向外扩张兼并,体积逐渐膨胀,尺寸趋于均等。

图9 不同时间制绒后,硅片的反射谱(5)制绒腐蚀的温度根据阿伦尼乌斯方程(k=Aexp(-Ea/RT)),温度升高,反应速度常数会成指数增大。

液体的粘度也与温度成指数关系,液体的粘度和密度随温度的升高(6)槽体密封程度、乙醇或异丙醇的挥发程度制绒过程中乙醇的主要作用有以下几点:而减小,而粘度反映了液体的传输性质。

因此,腐蚀液的温度能影响动力学阻,也可影响物质-传输阻。

温度升高,反应物的扩散系数增大,物质-传输速度增大。

下图为不同温度下多晶绒面的显微镜照片。

①腐蚀的过程中会产生氢气,酒精能够辅助氢气泡的释放;②可以减弱氢氧化钠对硅片的腐蚀力度,容易控制绒面结构;③增加各向异性因子,加速形成金字塔绒面结构。

值得注意的是,这里的乙醇,可以用异丙醇(IPA)来代替,而且工业上用的更多的也是后者。

单晶硅的绒面制备,能够有效地提高电池转换效率,由于市场的变化,对绒面质量的要求也变的越来越高,如何做出高质量的绒面,不仅仅是工艺技术的问题,还需要与优异的设备进行配合,而设备的相关性能也决定了工艺的效果。

针对市场变化的需求,中国电子科技集团公司第四十五研究所研制开发了适应于大规模生产、可靠性高,单、多晶硅片的SFQ.1508ZT型全自动制绒清洗设备(见右图)。

SFQ一1508ZT型全自动制绒清洗设备(1)设备概述设备共配置14个工艺槽位(除上、下料位外),用户在手动上料后全过程由三套机械传动装置完成腐蚀、清洗等工艺过程,全过程自动化,减少人工干预。

设备具有自动化程度高,运行成本低,生产效率高、性能稳定、安全可靠等特点。

用户可根据工艺要求通过在线的工艺设置软件,对各槽相应工艺参数进行设置,包括液体温度、腐蚀/清洗工艺时间、工艺设置、鼓泡功能设置、手动/自动转换等,系统提供故障检测、报警信息、历史记录、维护信息等详尽的记录。

(2)制绒槽的结构优化设计考虑到制绒工艺段对整个生产线的重要作用,针对影响制绒反应的因素,对设备工艺段的设计进行更加精细的调整:1.作为化学反应,首先应考虑反应的条件,即化学液的温度及各组分的浓度等。

现在的工业生产对制绒工艺温度控制提出了较高的要求,为了保证反应条件的一致性,温控精度要在±1℃内,整个工艺槽内化学反应才能更稳定和可控,实现有效控制溶液的反应速度和挥发量,便于工艺调整。

考虑到这个因素,制绒槽内选用了响应速度快、精度高的PTl00铂电阻作为工艺槽内的温度传感器,测量及显示精度为0.1℃,可实时显示槽内溶液温度。

同时,加热系统的设计也充分考虑了均匀性的要求,选用特别定制的进口316L不锈钢材料的加热管,采用分立式结构,单一加热管损坏不影响其他系统,同时采用螺纹式接口设计,便于维修及更换。

为防止加热管周围局部温度过高造成溶液温度分布不均匀,在加热管区域上部安装了热量匀流隔板,再加上槽体配置的溶液循环系统,使得溶液经过匀流隔板后的均匀性大大加强,根据实际工艺中工艺人员的实测结果统计,槽内各处溶液温度的偏差不超过±0.3℃。

2.考虑到在实际生产中,操作人员要经常更换溶液,为了保证整条工艺线的生产效率,对于加热系统的容量也做了仔细的考量。

加热功率过高,会引起槽内溶液温度波动太大;功率太小则可能造成每次换液后溶液升温时间过长影响生产效率。

考虑这种情况,我们采用在线加热方式实现换液时直接注入70℃左右的DI水,槽内配置12 kW的加热管,以实现维持工艺温度的要求。

相比传统的外接DI水预热槽的方式,在线加热方式具有升温快(3 min内可实现将流量为3.5 L/min的DI水由室温升至70℃,后续持续保持出水温度在70℃左右)、体积小(可安装在设备内部,减少净化厂房占地面积)、对DI水电阻率影响小(在线方式可最大限度地降低DI水因长时间储存而引起的电阻率下降等问题)等优势。

有效的减少生产过程的配液时间,提高了生产效率。

3.槽体结构对溶液均匀性的影响,主要包括循环系统分布的均匀性和N:鼓泡的细密性,对工艺槽内硅片绒面质量的稳定性及均匀性有很大影响。

循环系统包括循环入口、循环泵、管路系统、底部多通道注入管及匀流隔板等。

选用进口磁力循环泵及进口PP管件,保证循环系统的效果及洁净度。

底部的多通道注入管及匀流隔板设计保证了循环效果的均匀性,循环角度可根据需要进行调整。

经实际工艺验证,循环功能启动后溶液以平稳的波纹状实现循环。

循环的角度全面,流向与硅片平行。

同时N:鼓泡功能细密,能够覆盖硅片所在的所有区域。

可满足批量处理工艺中对硅片表面绒面效果一致性的要求。

(3)减少"边缘花片"的考虑通过对整个工艺运行的跟踪了解,硅片在平移、提升运动中需要整体考虑机械臂运行稳定性,同时在平稳运行的前提下尽可能的减少硅片暴露在空气中的时间。

为了防止平移/提升过程中由于水分挥发在硅片表面产成水纹印,在制绒段的机械手臂上安装了可根据工艺要求设置的DI水喷淋装置,当料篮从溶液中提出后,喷淋装置启动,DI水以雾状方式喷射,保证了硅片各个角度都可以喷淋到,尤其是硅片与料篮接触的部分,经过喷淋后可有效避免出现“边缘花片”的情况。

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