10 第八章 薄膜的结构与缺陷
薄膜的结构特征和缺陷
高分子薄膜
如聚乙烯膜、聚丙烯膜等, 具有良好的柔韧性和加工 性,广泛应用于包装、印 刷等领域。
PART 02
薄膜结构特征分析
表面形貌与粗糙度
表面形貌
薄膜表面通常呈现出不同的形貌特征,如平滑、粗糙、颗粒状等。这些形貌特 征受到制备工艺、材料性质等因素的影响。
粗糙度
粗糙度是描述薄膜表面不平整程度的参数,常用算术平均粗糙度(Ra)或均方 根粗糙度(Rq)来表示。粗糙度对薄膜的光学、电学等性能有重要影响。
WENKU
REPORTING
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度、湿度和化学物质等,导致结构和性能的不稳定。
缺陷控制难题
02
薄膜中常常存在各种缺陷,如空位、杂质、位错等,这些缺陷
对薄膜的性能产生严重影响,而控制缺陷的难度较大。
大面积制备技术瓶颈
03
目前薄膜的制备技术难以实现大面积、高质量薄膜的制备,限
制了薄膜材料在实际应用中的推广。
未来发展趋势预测
新型薄膜材料的开发
01
晶界
不同晶粒之间的界面,由于晶粒取向不同而形成面缺陷。晶界可能是由
于晶体生长过程中的形核、长大等因素导致。
02
相界
不同相之间的界面,由于相结构或化学成分不同而形成面缺陷。相界可
能是由于薄膜制备过程中的成分偏析、热处理等因素造成。
03
面缺陷对薄膜性能的影响
可能导致薄膜力学性能降低、耐腐蚀性变差等。
2
精确控制沉积速率、温度、压力等关键工艺参数, 以确保薄膜具有所需的结构和性能。
3
采用先进的工艺控制技术,如实时监测与反馈调 整,确保制备过程的稳定性和可重复性。
优化原材料质量和纯度
选用高纯度、高质量的原材料, 以减少杂质和缺陷的引入。
薄膜基础
薄膜基础
汇报人:冯杰
17.09.29
薄膜的形成、结构和缺陷
薄膜形核和生长
1. 凝结过程
①蒸发粒子重新蒸发 ②吸附粒子在表面迁移扩散 ③形成原子对凝结到基片表面
2. 形核生长
原子对形成稳定原子团,即临界核
3. 薄膜生长
晶核长大、合并,进而形成连续薄膜 ①岛状生长模式(三维晶核) ②层状生长模式(二维晶核) ③混合型生长模式
基体的表面状态 基体温度
用内插法在分级的固定载荷下进行压入实验,求
开始剥落的临界载荷Pc 3.接触疲劳法
用几除疲劳Δτ-N曲线测定界面疲劳强度
薄膜硬度及厚度的测定
薄膜测定的时,压入时要避 免受基体变形的影响,必须用小 载荷压入。 • 显微硬度计测薄膜硬度
分维氏压头与努氏压头两种
• 纳米压入仪测薄膜硬度
测量方法
①用力学法、电容法光学法测出曲率 ②带入Stoney公式即可求得薄膜中的 平均应力
E ts 2 1 1 ( ) 6(1 ) tf R 2 R1
式中E和ν分别是基底的弹性模量和 泊松比,ts和tf分别对应于基底和薄 膜的厚度,R1 和R2为薄膜沉 积前后基片的曲率半径。
膜基结合强度
连续载荷下得出载荷-位移曲线
• 薄膜硬度的间接测量法
建立面积、体积、能量等效模型
膜厚影响薄膜的各种性能 和用途。为提高耐磨性要求膜厚 些,但膜厚会降低结合强度;因 为膜表面不平整,所以膜厚具有 统计概念。 • 球痕法 • 轮廓仪法 • 光干涉法
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薄膜中的缺陷
• 点缺陷 空位:基片温度越低,空位密度越大 杂质原子:多数由环境气氛混入薄膜 • 位错 两小岛相遇或空位聚集形成位错 薄膜与基片由于晶格常数失配产生位错 • 晶界
薄膜的结构与缺陷
总结词
薄膜在电子器件领域的应用广泛,包括集成电路、显示器、 太阳能电池等。
详细描述
薄膜材料具有优异的电学、光学和机械性能,能够提高电子 器件的效率、稳定性和可靠性。例如,在集成电路中,薄膜 可以作为导电层、绝缘层和介质层,实现高速、低功耗的电 路传输。
光学器件领域
总结词
薄膜在光学器件领域的应用主要涉及反射、折射、滤光等功能。
点缺陷
定义
点缺陷是指薄膜中仅有一个或几个原子尺度的缺陷。
形成原因
在薄膜制备过程中,由于原子或分子的迁移率低,导致某些位置上 的原子或分子无法到达预期位置,从而形成点缺陷。
影响
点缺陷的存在会影响薄膜的物理和化学性质,如导电性、光学性能 等。
线缺陷
定义
线缺陷是指沿某一特定方向延伸的缺陷,如位错、晶界等。
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薄膜的结构与缺陷
目录
• 薄膜的简介 • 薄膜的结构 • 薄膜的缺陷 • 薄膜的制备方法 • 薄膜的检测与表征 • 薄膜的应用与展望
01
薄膜的简介
薄膜的定义
薄膜是指在固体表面上的一个薄层, 其厚度通常在纳米到微米级别。
薄膜的特性与基底材料、制备工艺、 环境条件等多种因素有关。
薄膜的分类
根据材料分类
影响
面缺陷的存在会影响薄膜的光学性能和表面平整度,如反射率、透光 率等。
04
薄膜的制备方法
物理气相沉积法
01
真空蒸发沉积
利用加热蒸发材料,使其原子或分子从蒸发源中逸出,并在基底表面凝
结成膜的方法。
02
子或分子被溅射出来并在基底表面
沉积成膜的方法。
03
离子镀
钙钛矿相关功能薄膜的界面及缺陷原子结构
钙钛矿相关功能薄膜的界面及缺陷原子结构钙钛矿是一种具有重要应用潜力的材料,其在能源转换、光电子器件等领域具有广泛的应用前景。
在钙钛矿相关功能薄膜中,界面和缺陷的原子结构起着关键作用。
本文将从界面结构和缺陷结构两个方面进行探讨。
一、界面结构界面是指两种不同材料之间的交界面,钙钛矿薄膜中的界面结构对其性能具有重要影响。
钙钛矿薄膜的界面结构通常分为两类:内部界面和外部界面。
1. 内部界面内部界面是指钙钛矿薄膜中不同晶体之间的交界面。
钙钛矿薄膜通常由多个晶粒组成,晶粒之间存在内部界面。
这些内部界面通常由晶粒的排列方式和晶体结构的差异所决定。
内部界面的存在对钙钛矿薄膜的光电子性能具有重要影响,因为界面的存在会引入能带弯曲、电荷分布不均等现象,从而影响材料的导电性和光吸收性能。
2. 外部界面外部界面是指钙钛矿薄膜与其他材料之间的交界面。
钙钛矿薄膜在实际应用中通常需要与其他材料进行结合,形成复合材料或器件结构。
外部界面的性质决定了钙钛矿薄膜与其他材料之间的相互作用和能量传递方式。
外部界面的稳定性和适应性对钙钛矿薄膜的性能和寿命具有重要影响。
二、缺陷原子结构缺陷是指材料中的点缺陷、线缺陷或面缺陷等。
在钙钛矿薄膜中,缺陷的存在对其光电子性能具有重要影响。
常见的钙钛矿薄膜缺陷包括空位缺陷、离位缺陷和杂质缺陷等。
1. 空位缺陷空位缺陷是指晶格中原子位置上的空位。
钙钛矿薄膜中的空位缺陷可以影响电子和离子的迁移和输运行为,从而影响材料的导电性和光吸收性能。
2. 离位缺陷离位缺陷是指晶格中原子位置上存在替代原子。
钙钛矿薄膜中的离位缺陷可以引入能带弯曲和电荷分布不均等现象,从而影响材料的电子结构和光学性能。
3. 杂质缺陷杂质缺陷是指材料中掺入了其他杂质元素。
钙钛矿薄膜中的杂质缺陷可以改变材料的能带结构和电子结构,从而影响其光电转换性能。
总结:钙钛矿相关功能薄膜的界面和缺陷原子结构对其性能具有重要影响。
界面结构可以分为内部界面和外部界面,它们的性质和稳定性决定了钙钛矿薄膜的光电子性能和应用前景。
薄膜的结构与缺陷
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原因:
① 晶格常数不匹配
晶格常数失配数 m=(b-a)/a
当m≈2%时,晶格畸变层厚度为n个Å 当m≈4%时,晶格畸变层厚度可达几百Å
当m>12%时,晶格畸变到完全不匹配
② 薄膜中有较大的内应力和表面张力
简单理论计算:
设基体表面一个半球形晶粒,半径为r,单位长度表面自 由能为σ 。表面张力作用对晶粒产生的压力 f 为
(8-3)
说明晶格常数变化比(即应变)
a a
与半径
r
成反比,
r 越小, a 越大。说明薄膜中晶格常数不同于
块状材料a的晶格常数。
③ 热胀系数不同
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三、薄膜的表面结构
1、表面形态
(1) 不连续膜(岛状、颗粒),一般厚度较小,50Å以下。 (2) 多孔网状膜
(3) 连续状膜
热力学能量理论分析:理想的薄膜表面应具有最小表面积,
才能使其总能量达到最低值,但实际上是不可能的。
实际情况:
◆ 薄膜的表面具有一定的粗糙度,厚度在各处不均匀。
若薄膜的平均厚度为d,它按无规则变量的泊松几率分布,
由此可得到膜厚的平均偏离值 d d
薄膜的表面积随着其厚度的平方根值而增大。
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A、硫化物和卤化物薄膜在基体温度低于77K时可形 成无定形薄膜。
B、10-2~10-3Pa氧分压中蒸发铝、镓、铟等超导薄 膜,由于氧化层阻挡晶粒生长而形成无定形薄膜。
C、83%ZrO2 -17%SiO2的掺杂薄膜中,由于两种沉
201积9/10原/15 子尺寸的不同也可形成无定形薄膜。
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2.多晶结构
薄膜的结构与缺陷
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薄膜表面结构与构成薄膜整体的内部结构相关, 因此应研究薄膜内部结构。
2、内部结构
由于薄膜表面结构和构成薄膜整体的微型体状密 切相关,大多数蒸发薄膜具有下述特点:
形成无定形薄膜的工艺条件:
降低吸附原子的表面扩散速率(通过降低基体温度Ts、引 入反应气体和搀杂方法实现),使原子扩散速率降低到凝结 在本身射点及入射点附近。
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二.薄膜的晶体结构
◆ 薄膜的晶体结构是指薄膜中各晶粒的晶型状况。
◆ 晶体的主要特征是其中原子有规则的排列。 ◆ 由于晶体结构具有对称性,可以用三维空间中的三个矢 量a’、b’ 、c’ 以及对应的夹角α、β、γ来描述。
四、层错缺陷
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在真空蒸发薄膜中存在层错缺陷,由原子错排 产生,
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在完整的面心立方晶体中应以ABC顺序堆垛,每三层一个 反复,周而复始,ABCABC……(若在原子排列中缺少某 一层,如A层),则为ABC BC ABC,于是产生了层错。
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◆ 若薄膜的平均厚度为d,它按无规则变量的泊松 几率分布,由此可得到膜厚的平均偏离值 d d
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1—在N2气压为133.3Pa下淀积的;2—在高真空下淀积的 14
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◆ 薄膜的表面积随着其厚度的平方根值而增大。但由于
入射原子沉积到基体表面上之后,释放出能量就吸附在 基体表面上。然后依靠横向扩散能量在表面上作扩散, 占据表面上的一些空位,使薄膜表面上的谷被填平,峰 被削平,导致薄膜表面面积不断缩小,表面能逐步降低。
光学薄膜的结构与缺陷PPT53页
71、既然我已经踏上这条道路,那么,任何东西都不应妨碍我沿着这条路走下去。——康德 72、家庭成为快乐的种子在外也不致成为障碍物但在旅行之际却是夜间的伴侣。——西塞罗 73、坚持意志伟大的事业需要始终不渝的精神。——伏尔泰 74、路漫漫其修道远,吾将上下而求索。——屈原 75、
21、静念园林好,人间良可辞。 22、步步寻往迹,有处特依依。 23、望云惭高鸟,临木愧游鱼。 24、结庐在人境,而无车马喧;问君 何能尔 ?心远 地自偏 。 25、人生归有道,衣食固其端。
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薄膜的结构特征和缺陷
3、薄膜的表面结构 在薄膜的沉积、形成、成长过程中,入射到基体表 面上的气相原子是无规律的,所以薄膜表面都有一定的 粗糙度。粗糙度对光学性能关,在基体温度和真空度较低时,容易出现多孔结构。 所有真空蒸发薄膜都呈现柱状体结构,溅射薄膜的 柱状结构是由一个方向来的溅射粒子流在吸附原子表面 扩散速率很小的情况下凝聚形成的。
薄膜的结构特征与缺陷
薄膜的结构和缺陷在很大程度上决定着薄膜的性能, 主要讨论影响薄膜结构与缺陷的因素,以及对性能的影 响。
一、薄膜的结构 薄膜的组织结构是指它的结晶形态,薄膜结 构可分为三种类型: 1、组织结构 2、晶体结构 3、表面结构
1、薄膜的组织结构 (1)非晶态结构。 从原子排列情况来看它是一种近程有序、远程 无序的结构,只有少数原子排列是有秩序的,显示 不出任何晶体的性质,这种结构称为非晶结构或玻 璃态结构。 形成非晶薄膜的工艺条件是降低吸附原子的表 面扩散速率。可以通过降低基体温度、引入反应气 体和掺杂等的方法制成非晶薄膜。
(2)多晶结构。 多晶结构薄膜是由若干尺寸大小不等的晶粒所 组成。在薄膜形成过程中生成的小岛就具有晶体的 特征(原子有规则的排列)。由众多小岛聚结形成的 薄膜就是多晶薄膜。 用真空蒸发法或阴极溅射法制成的薄膜,都是 通过岛状结构生长起来的,所以必然产生许多晶粒 间界,从而形成多晶结构。
(3)纤维结构。 纤维结构薄膜是晶粒具有择优取向的薄膜,根据取 向方向、数量的不同分为单重纤维结构和双重纤维结构。 生长在薄膜中晶粒的择优取向可发生在薄膜生长的 各个阶段:初始成核阶段、小岛聚结阶段和最后阶段。
(4)单晶结构。 单晶结构薄膜通常是用外延工艺制造的。外延生长 需要满足三个基本的条件。 a、吸附原子必须有较高的表面扩散速率,所以基体温 度和沉积速率就相当重要。在一定的蒸发速率条件下, 大多数基体和薄膜之间都存在着发生外延生长的最低温 度,即外延生长温度。 b、基体与薄膜材料的结晶相溶性。 c、基体表面清洁、光滑和化学稳定性好。 满足以上三个基本条件,才能制备结构完整的单晶薄膜。
薄膜的缺陷
薄膜的缺陷
位错 位错是薄膜中最常遇到的缺陷之一。 薄膜中的位错密度: 10
12
1013 / cm2 106 / cm2 1012 / cm2
优质体单晶位错密度:104
10 10 强烈塑性变形晶体位错密度:
刃型位错
螺型位错, 混合位错
薄膜的缺陷
形成原因:a.基体引起的位错;b.小岛的凝结
薄膜的缺陷
薄膜的缺陷
晶粒间界
薄膜的缺陷
薄膜缺陷
薄膜的缺陷 ★ 薄膜的缺陷
点缺陷
薄膜的缺陷
薄膜的缺陷
薄膜的缺陷
薄膜的缺陷 空位是热力学稳定的缺陷 不同金属空位形成能不同 空位浓度与空位形成能、温度密切相关
n C exp(SV / k ) exp(EV / kT) Aexp(EV / kT) N
薄膜中原子空位的主要效果主要表面在晶体体积和 密度上。薄膜中空位浓度在平衡浓度以上,所以它的密 度比体材料小。
薄膜的结构特征和缺陷
二、薄膜的缺陷
所有在块状晶体材料中可能出现的各类晶格缺陷在 薄膜中也都可能出现。但是由于薄膜及其成膜过程的特 殊性,因而薄膜中缺陷的形成原因和分布等也表现出一 定的持续性,特别是其数量一般都大大超过块状材料。 与此同时,薄膜中的晶格常数也与材料块状时的值有较 大的差别。
薄膜的缺陷可以分为以下三种类型 1、点缺陷 2、线缺陷 3、薄膜的晶界与层错
(2)层错 层错是在薄膜的生长过程中由于晶面的正常堆垛次 序遭到破坏而出现的晶格缺陷。
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晶体的主要特征是其中原了有规则的排列。
(晶2体)的层主错要表特征面是其的中原原了有子规则来的排不列。及完整地排列就被后来的原子层所覆盖, 这样就可能在薄膜中产生高浓度的空位缺陷。 生长在薄膜中晶粒的择优取向可发生在薄膜生长的各个阶段:初始成核阶段、小岛聚结阶段和最后阶段。
薄膜的缺陷可以分为以下三种类型
薄膜的结构特征和 缺陷
一、薄膜的结构 薄膜的组织结构是指它的结晶形态,薄膜结构
可分为三种类型: 1、组织结构 2、晶体结构 3、表面结构
1、薄膜的组织结构 (1)非晶态结构。
从原子排列情况来看它是一种近程有序、远程 无序的结构,只有少数原子排列是有秩序的,显示 不出任何晶体的性质,这种结构称为非晶结构或玻 璃态结构。
点缺陷的典型构型是空位和填隙原子。逃离原位的原 所有在块状晶体材料中可能出现的各类晶格缺陷在薄膜中也都可能出现。
薄膜的组织结构是指它的结晶形态,薄膜结构可分为三种类型:
子或跃迁到晶体表面的 正常位置,形成 Schottky 缺陷, 粗糙度对光学性能影响较大。
在大多数情况下,薄膜中晶粒的晶格结构与块状晶体是相同的,只是晶粒取向和晶粒 尺寸与块状晶体不同。
这两种缺陷均为本征点缺陷。
薄膜的缺陷
薄膜的组织结构是指它的结晶形态.分为四种类型;非晶态结构、多品结构、纤维结构和单晶结构。
(1)非晶态结构。
从原子排列情况来看它是一种近程有序结沟,只有少数原子排列是有秩序的,显示不出任何晶体的性质,这种结构称为非晶结构或玻璃态结构。
形成非晶薄膜的工艺条件是降低吸附原子的表面扩散速率。
可以通过降低基体温度、引入反应气体和掺杂的方法实现上述条件。
(2)多晶结构。
多晶结构薄膜是由若干尺寸大小不等的晶粒所组成。
在薄膜形成过程中生成的小岛就具有晶体的特征(原子有规则的排列)。
由众多小岛聚结形成的薄膜就是多晶薄膜。
用真空蒸发法或阴极溅射法制成的薄膜,都是通过岛状结构生长起来的,所以必然产生许多晶粒间界,形成多晶结构。
(3)纤维结构。
纤维结构薄膜是晶粒具有择优取向的薄膜,根据取向方向、数量的不同分为单重纤维结构和双重纤维结构。
前者是各晶粒只在一个力向上择优取向,后者则在两个方向上有择优取向。
有时前者称为一维取向薄膜,后者称为二维取向薄膜。
沿C轴择优取向AlN膜的结构在玻璃基体上的的A1N压电薄膜是纤维结构薄膜的典型代表。
生长在薄膜中晶粒的择优取向可发生在薄膜生长的各个阶段:初始成核阶段、小岛聚结阶段和最后阶段。
若吸附原子在基体表面上有较高的扩散速率,晶粒的择优取向可发今年薄膜形成的初期阶段。
在起始层中原了排列取决于基体表面、基体温度、晶体结构、原子半径和薄膜材料的熔点。
如果吸附原于的表面扩散速率较小,初始膜层不会产生择优取向,当膜层层较厚时则形成强烈的对着蒸发源方向的取向。
晶粒向蒸发源的倾斜程度依赖于基体温度、气相原于入射角度和沉积速率等。
(4)单晶结构。
单晶结构薄膜通常是用外延工艺制造的。
外延生长的第一个基本条件是吸附原子必须有较高的表面扩散速率.所以基体温度和沉积速率就相当重要。
在一定的蒸发速率条件下,大多数基体和薄膜之间都存在着发生外延生长的最低温度,即外延生长温度。
第二个基本条件是基体与薄膜材料的结晶相溶性。
薄膜的结构与缺陷课件
薄膜的生长速度也会影响缺陷的形成。如果生长速度过快,会导致 原子或分子的堆积不均匀,从而形成缺陷。
应力
在薄膜形成过程中,由于应力的作用,会导致原子或分子的错位,从 而形成缺陷。
生长条件的影响
温度
温度是影响薄膜缺陷形成的重要因素。在高温下,原子或 分子的活动能力增强,容易发生迁移和错位,从而形成缺 陷。
表面能差异
薄膜表面的原子或分子的排列与体内不同,导致表面能差异,这种 差异会导致原子或分子的迁移,从而形成缺陷。
相变
薄膜在形成过程中,可能会发生相变,即晶体结构的变化,这种变 化会导致原子或分子的重新排列ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ从而形成缺陷。
动力学因素
扩散
在薄膜形成过程中,原子或分子的扩散速度会影响缺陷的形成。如 果扩散速度过快,会导致原子或分子的分布不均匀,从而形成缺陷 。
扫描电子显微镜检测
总结词
扫描电子显微镜可以提供高分辨率的表面形貌图像,能够观察到薄膜表面的微观 结构。
详细描述
扫描电子显微镜利用电子束扫描薄膜表面,通过收集二次电子和背散射电子信号 ,生成高分辨率的表面形貌图像。通过观察图像,可以了解薄膜表面的微观结构 、颗粒大小和分布等信息。
原子力显微镜检测
总结词
影响
点缺陷的存在会影响薄膜 的物理和化学性质,如导 电性、光学性能等。
线缺陷
定义
影响
在薄膜中,沿着某一方向出现连续的 不规则排列现象。
线缺陷的存在会对薄膜的力学性能产 生影响,如强度、韧性等。
形成原因
在薄膜制备过程中,由于温度梯度或 化学反应速率的不均匀性,导致沿某 一方向出现连续的不规则排列。
面缺陷
通过掺杂或合金化,改变薄膜的成分和结构,提高其性能。
第八章 薄膜的结构与缺陷
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2.多晶结构 由若干尺寸大小不等的晶粒所组成。
分类: 晶粒尺寸10-100nm------微晶薄膜(如低熔点金属 薄膜)
晶粒 <10nm----------超微粒薄膜
无序多晶薄膜(包括多熔点金属薄膜)
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二.薄膜的晶体结构
◆ 薄膜的晶体结构是指薄膜中各晶粒的晶型状况。 ◆ 在大多数情况下,薄膜中晶粒的晶格结构与块 状晶体是相同的。(7个晶系14 种布拉非格子)
◆不同之处:1、晶粒取向和晶粒寸不同。2、晶格常数不同。
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原因:
① 晶格常数不匹配 当m≈2%时,晶格畸变层厚度为n个Å 当m≈4%时,晶格畸变层厚度可达几百Å 当m>12%时,晶格畸变到完全不匹配 ② 薄膜中有较大的内应力和表面张力
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若沉积薄膜时真空度较低,由于残余气压过高, 入射的气相原子和残余气体分子相碰撞,先在 气相中凝结成烟尘,然后再到达基体表面沉积 形成薄膜。由于这种薄膜由微粒松散堆积而成, 也是多孔性的。
在基体温度较低时,也易出现这种多孔性结构, 是因为入射微粒或原子在基片上淀积以后,难 以发生表面扩散和重新排列。
晶粒择优取向薄膜(包括锥形结构、纤维结构和柱
状结构) 在多晶薄膜中,常常出现一些块状材料中未曾发 现的介稳相结构。 8
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晶界:多晶薄膜中不同晶粒间的交界面,具有与晶 粒内部不同的特征。 晶界特点: ①由于晶界中晶格畸变较大,晶界上原子的平均能 量高于晶粒内部原子的平均能量,它们的差值称 为晶界能。
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薄膜的结构和缺陷——薄膜的结构
多晶薄膜织构形成机理比较复杂,比体材料的织构问题复 杂的多,研究工作不够深入。一般受到如下因素影响: 基片性质 非晶态基片:fcc结构薄膜择优方向[111];hcp结构薄 膜的择优方向[0001],bcc结构薄膜择优方向[110]。 单晶基片也有织构现象:硅基片沉积AlN,择优方向
c轴。
基片本身的织构诱导薄膜形成织构。
薄膜的结构和缺陷——薄膜的结构
基片温度 基片温度影响到达基片成膜原子在基片表面的粘附系
数和迁移率。
低温基片有利于原子表面冷凝而形成非晶态结构。提 高基片温度有利于原子规则排列,形成取向良好的薄膜。 例:MOCVD在(100)硅片上沉积ZnO薄膜, TS=160℃时,择优方向[1010] TS=325℃时,择优方向[1010]和[0001] TS=400℃时,择优方向[0001]
薄膜的结构和缺陷——薄膜的结构
沉积速率 一般来说,沉积速率愈大,薄膜中晶粒的择优取向 愈弱。 沉积速率与基片温度是相互制约的两个因素。要得 到择优趋向良好的薄膜,两者之间有一个最佳匹配范围。 沉积速率增加时,基片温度也要相应增加,否则先 到达基片的粒子由于迁移率过低影响定向排列。
薄膜的结构和缺陷——薄膜的结构
形成原因:a.基体引起的位错;b.小岛的凝结
薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷
薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷
晶粒间界
薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷
薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷
层错缺陷
薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
★ 薄膜结构与组分的分析方法
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
X射线衍射技术
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
电子衍射法 比X射线衍射法更优越。
(1)在透射电镜中观察薄膜结构的同时进行电子衍射分析;
扫描电子显微镜分析
优点: 1、分辨本领高(50Å) 2、景深大。 3、放大倍数连续可调。
4、与X射线色谱仪或X射线能谱仪配合使用,可进行成分 分析。
5、可进行加热、冷却、断裂、拉伸、加电压等动态分析。 6、可对样品不同部位进行分析。 7、制样简单,可直接观察断口。
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
每 种 元 素 的 各 种 Auger 电 子 的 能 量 是识别该元素的重 要依据。
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
从1967年L.A.Harris采用微分方法和锁定放大
技术,建立第一台实用的Auger电子谱仪以来,
Auger电子谱仪无论是在结构配置上,还是在
性能上都有了长足的改进。
界面特性影响多晶薄膜与输运相关的性质。
薄膜的结构和缺陷——薄膜的结构
薄膜的结构和缺陷——薄膜的结构
纤维结构(织构) 概念:纤维结构薄膜是指晶粒具有择优取向的薄膜。 • • 单重纤维结构(一个方向) 双重纤维结构(两个方向)
择优取向可以发生在薄膜生长的各个阶段。
如果吸附原子具有较高的表面扩散速率,则晶粒的 则优取向可以发生在薄膜形成的初期。 如果吸附原子的表面扩散速率较小,初始膜层不会 出现则优取向。
气体组分和压强 压强不同,基片表面上原子吸附系数和表面迁移率不 同; 活性反应气体的分压影响成膜速率和不同晶面的表面
能,因而影响则优取向。
例:离子镀膜TiN PN2≻5.3x10-2 Pa时,几乎所有晶粒按[200]方向取向; PN2较低时,出现较强的[111]方向取向;
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薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
Auger过程
(a) KL1L3 Auger 跃迁 (b) K1 辐射跃迁
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
Auger跃迁
Auger 跃迁的标记以空位、 跃迁电子、发射电 子所在的能级为基础。如初态空位在K能级,L1
能级上的一个电子向下跃迁填充K空位,同时激
结构特性:近程有序、长程无序;
不具备晶体的性质; 亚稳态
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晶态
非晶态
薄膜的结构和缺陷——薄膜的结构
形貌无序
自旋无序
薄膜的结构和缺陷——薄膜的结构
替代无序
振动无序
薄膜的结构和缺陷——薄膜的结构
晶体的特性: 1. 具有固定的熔点; 2. 各向异性; 3. 特定的几何外形。 形成无定形结构的条件:降 低吸附原子的表面扩散速率。
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
特征X射线与原子序有莫塞莱定律:
c
K (Z )
2d sin n
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俄歇电子能谱(AES)
1 9 2 5 年 P.Auger 已 经 在 Welson 云 室 内 观 察 到
Auger电子径迹,并正确地解释了这种电子的 来源。 尽管当时人们已经认识到它可以成为一种成分 分析的手段,但直到六十年代中期,随着超高
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分பைடு நூலகம்分析方法
电子能量分析器
电子能量分析器是分析电子能量的装置,是Auger 电子谱仪的重要组成部分。在表面分析技术中使用的电 子能量 分 析器都 是 静电型的 ,可分为 “ 色散型 ”和 “(带通)减速场型”两大类。对于前者,电子在能量 分析器中偏转成像,而后者是建立在拒斥场减速的基本 原理之上的。在实际的应用中,有三种能量分析器最为 常用,即:筒镜型能量分析器(CMA), 半球性能量分析 器(SDA)和Staib能量分析器。
手段之一。
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
Auger过程
Ejected core electron Outer electron fills core level hole Transfer of excess energy
Energy source
Auger electron emitted
电压一般在5 keV以上。 为 了 能 采 集 Auger 电 子 像 , 扫 描 Auger 电 子 谱 仪 (SAM)的电子枪加速电压一般为10~15 keV。 电子枪的电子束斑直径,决定着 SAM 的空间分辨 率。目前,商品仪器中,最小的电子束斑直径为
<15 nm,最大加速电压为20 keV。
呈柱状颗粒和空位组合结构; 柱状体几乎垂直于基片表面生长,而且上下端尺 寸基本相同; 平行于基片表面的层与层之间有明显的界面。 表面结构包括外表面和内表面。
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薄膜晶粒织构(组织结构)模型 薄膜织构与基片温度 TS 和蒸发材料熔点温度 Tm 的 比值 TS / Tm相关。
1. 吸附原子具有较高的表面扩散速率;
2. 晶格匹配; 3. 基片表面清洁、光滑、化学稳定。 晶态和非晶态的转变
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薄膜的晶体结构 多数情况下,薄膜中晶粒的晶格结构与体材料相同, 只是晶粒取向和晶粒尺寸不同,晶格常数也不同。原因如
下:
薄膜材料本身的晶格常数与基片材料晶格常数不 匹配;
薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷
位错 位错是薄膜中最常遇到的缺陷之一。 薄膜中的位错密度: 10 10 / cm
12 13 2
优质体单晶位错密度:104 106 / cm2
10 12 2 10 10 / cm 强烈塑性变形晶体位错密度:
刃型位错
螺型位错, 混合位错
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(2)波长与加速电压存在下列关系
V 1 0.97810 V
12.27
6
V>1000伏后,波长小于0.37Å,此时
L Rd
(3)电子束受表面原子周围电子散射,穿透能力减弱,非 常适合薄膜和表面
(4)适合分析晶粒较小和膜厚较薄的薄膜。
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法`
EWXY(Z) = EW(Z) EX(Z) EY(Z) A
其中EW(Z), EX(Z), EY(Z)是各壳中电子的结合 能,A 是脱出功。
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
Perkin-Elmer 公 司 的 Auger 电 子 能 谱 手册,其中给出了 各种原子不同系列 的Auger峰位置。
薄膜中有较大的内应力和表面张力。
薄膜的结构和缺陷——薄膜的结构
表面结构 薄膜表面形成过程 由热力学能量理论,薄膜表面平化 晶粒的各向异性生长,薄膜表面粗化 低温基片上,薄膜形成多孔结构 B A
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薄膜表面结构与显微结构有关
大多数蒸发薄膜具有如下特点:
真空系统和高效的微弱信号电子检测系统的发
展,才出现了可以用于表面分析的实用 Auger 电子能谱仪。
薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法
随着科学技术的不断发展,使 Auger 电子能谱
仪的性能不断改进,并出现了扫描 Auger 电子
显微术(SAM), 成为微区分析的有力工具。 电子计算机的引入,使 Auger 电子能谱仪的功 能更趋完善。目前, Auger电子能谱已成为许 多科学领域和工业应用中的最重要的表面分析
空位是热力学稳定的缺陷 不同金属空位形成能不同 空位浓度与空位形成能、温度密切相关
n C exp(SV / k ) exp(EV / kT) Aexp(EV / kT) N
薄膜中原子空位的主要效果主要表面在晶体体积和 密度上。薄膜中空位浓度在平衡浓度以上,所以它的密 度比体材料小。