中南大学期末模拟电子技术试卷1

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中南大学2021年《模拟电子技术基础》期末试题

中南大学2021年《模拟电子技术基础》期末试题

一、填空题1、半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是(√2U2)。

2、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而(下降)。

共基极电路比共射极电路高频特性(好)。

3、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用(串联)负反馈。

为了稳定输出电流,采用()负反馈。

4、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

5、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。

6、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位_________,有奇数级组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位__________。

7、电压负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________,电流负反馈稳定的输出量是__________,使输出电阻__________。

8、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。

9、晶体管工作在放大状态的外部条件是。

10、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V,发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态.11、多级放大电路的耦合方式有、、等。

12、如果想要改善电路的性能,使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小,应该在电路中引入反馈。

13、有源滤波器的功能是,按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、、和全通滤波五种。

14、在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区,在比例运算电路中工作在区。

=0时,漏源之间存在导电沟道的称为型场效应管,漏源之间不15、当UGs存在导电沟道的称为型场效应管。

16、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100,即电压增益为 dB,第二级电压增益为26dB,则两级总电压增益为 dB。

17、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V,Ui2=1.98V,则该电路的差模输入电压Uid 为 V,共模输入电压Uic为 V。

【2024版】模拟电子技术试题库及答案

【2024版】模拟电子技术试题库及答案
3、PN结正向偏置时,内、外电场方向相反,PN结反向偏置时,内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时,需选用欧姆挡的R×1k档位,检测中若指针偏转较大,可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?
答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大,且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同?其导通和阻断的条件有什么不同?
答:普通二极管根据其单向导电性可知,阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通,反之阻断,可用于整流、钳位、限幅和电子开关;普通三极管在放大电路中起放大作用,在数字电子技术中起开关作用,普通三极管用于放大作用时,只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用,当发射极反偏时就会阻断放大信号通过;用作开关元件时,当发射结和集电结都正偏时,它就会饱和导通,当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时,晶体管就截止,阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件,只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构,有阳极,阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通,即:晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的,还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通(晶闸管一旦导通后,门控极即失去作用);当晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受多大电压,晶闸管都处于阻断状态,或者晶闸管在导通情况下,其主回路电压(或电流)减小到接近于零值时,晶闸管也会自动关断。

模拟电子技术期末考试复习试题及答案(2020版 共8套)

模拟电子技术期末考试复习试题及答案(2020版 共8套)

《模拟电子技术》复习试题一一、填空(每空1分,共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式,T接成共1基组态,T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基2极偏置。

6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。

7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答(共3小题,每小题5分,共15分)1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示(1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分)(2)估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===B C I I β, 985.01≈+=ββα (各1分,共2分)2.电路如图3所示,试回答下列问题(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?R应如何接入?(在图中连接)f答:应接入电压串联负反馈(1分)R接法如图(1分)f(2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。

答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分)3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。

模拟电子技术 期末考试试卷

模拟电子技术 期末考试试卷

学校 学年度第 学期模拟电子技术 期末考试试卷 2021年12月4日题号 一 二 三 四 五 总分分数一、填空题()1.和开路PN 结的结区宽度相比,当PN 结加上正偏电压时其结区宽度 ;当PN 结加上反偏电压时,其结区宽度 。

2.理想运算放大器的开环电压增益为 ,输出电阻为 。

3.在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级 的,而前级的输出电阻则也可视为后级 的。

4.设晶体三极管在信号周期T 内的导电时间为t ,试写出甲类、乙类和甲乙类三种功放电路的t 与T 的关系。

甲类 ,乙类 ,甲乙类 。

5.设如图电路中,D 1为硅二极管,D 2为锗二极管,则D 1处于 状态,D 2处于 状态。

6.在RC 正弦波振荡器中,除正反馈支路外,一般都加入负反馈环节,其作用是和 。

7.有两级共射极放大电路。

已知1v A =-50,R i1 = 2k Ω,R o1 = 5.1k Ω;402-=v A ,R i2 =5.1k Ω,R o2 =10k Ω。

则两级放大电路的总电压增益=vA ,输入电阻R i = ,输出电阻R o = ,输出与输入信号的相位 。

8.若一个放大电路具有交流电流并联负反馈,则可以稳定输出 和 输入电阻。

9.在基本OCL 功放电路中,电源电压为±15V ,负载电阻R L = 8Ω,可以推算出其最大的输出功率P omax 约为 W ;电路最大效率约为 。

10.理想运放接有负反馈电路时,将工作在区 ,而开环运行或接有正反馈时,将工作在 区。

11.产生单一频率的振荡器,称为 。

12.在差分放大电路中,R e 的作用是 ,对 呈现很强的负反馈作用。

13.在放大电路中,为了稳定输出电压,应引入 反馈;为了使输入电阻提高,应引入 反馈。

14.小功率直流电源一般由电源变压器、整流、 、 四部分组成, 15.场效应管的三个电极g 、d 、s 类同晶体三极管的 电极,而N 沟道、P 沟道场效应管则分别类同于 两种类型的晶体三极管。

模拟电子技术期末试卷及答案5套

模拟电子技术期末试卷及答案5套

学院 202 -202 学年第 学期《模拟电子技术》试卷(A 卷 专业 级)考试方式: 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %(本题共5小题,每小题4分,共 20 分)一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用 耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用耦合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用 耦合方式。

2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。

由此可知:电极1是 极,电极2是 极,电极3是极。

若已知I 1电流方向流入晶体管,则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I1电流方向 。

3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ;NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管;PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于 失真;幅频失真和相频失真属于 失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为 反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为 反馈。

放大电路通常采取 反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。

(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ) 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

( ) 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时,才能称为具有放大作用。

( ) 4. 发光二极管正常工作在正向导通区,其导通压降为0.7V 。

( )5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管,复合管的类型取决于第一个管子的类型。

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
1.
答案:
2.
答案:
6
3.晶体管能够实现放大的外部条件是()。

答案:
发射结正偏,集电结反偏
4.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是()。

答案:
晶体管参数受温度影响
5.实现输入电阻高、输出电压稳定,应该引入()负反馈。

答案:
电压串联
6.
答案:
-u I 7.
答案:
8.
答案:
方波9.
答案:
b
10.现有阻容耦合基本放大电路如下,输出电压与输入电压同相的电路是
()。

答案:
共集电路
共漏电路
11.
答案:
R b2开路
R b1短路
Rc短路
答案:
Uo(av)=9V
Uo(av)=18V
Uo(av)=28.2V
13.MOS管只有多子参与导电。

()
答案:
正确
14.MOS管一旦预夹断,管子立即进入截止区。

()
答案:
错误
15.
答案:
正确
16.二极管具有()导电特性。

答案:
单向
17.
答案:
饱和
18.
答案:
截止19.
答案:
100 20.
答案:
-12。

模拟电子技术基础期末试题

模拟电子技术基础期末试题

单项选择题1、半导体二极管加正向电压时,有()A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大2、PN结正向偏置时,其内电场被()A、削弱B、增强C、不变D、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中掺入()构成P型半导体。

A、3价元素B、4价元素C、5价元素D、6价元素5、 PN结V—I特性的表达示为()A、)1(/-=TDVvSDeIiB、DvSDeIi)1(-=C、1/-=TDVvSDeIiD、TDVvDei/=6、多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()A、变宽B、变窄C、不变D、与各单级放大电路无关7、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为()A、 10kΩB、2kΩC、4kΩD、3kΩ8、三极管工作于放大状态的条件是()A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏9、三极管电流源电路的特点是()A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大10、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC应当()A、短路B、开路C、保留不变D、电流源11、带射极电阻R e的共射放大电路,在并联交流旁路电容C e后,其电压放大倍数将()A、减小B、增大C、不变D、变为零12、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小13、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入()A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路14、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示,当V CE=6V,其电流放大系数β为()A 、β=100B 、β=50C 、β=150D 、β=2515、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ,(见图2所示)则此三极管为( )A 、PNP 型锗三极管B 、NPN 型锗三极管C 、PNP 型硅三极管D 、NPN 型硅三极管 16、多级放大电路的级数越多,则其( )A 、放大倍数越大,而通频带越窄B 、放大倍数越大,而通频带越宽C 、放大倍数越小,而通频带越宽D 、放大倍数越小,而通频带越窄 17、当放大电路的电压增益为-20dB 时,说明它的电压放大倍数为( ) A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 18、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时,要求( ) A 、独立信号源短路,负载开路 B 、独立信号源短路,负载短路 C 、独立信号源开路,负载开路 D 、独立信号源开路,负载短路 19、场效应管放大电路的输入电阻,主要由( )决定A 、管子类型B 、g mC 、偏置电路D 、V GS 20、场效应管的工作原理是( )A 、输入电流控制输出电流B 、输入电流控制输出电压C 、输入电压控制输出电压D 、输入电压控制输出电流 21、场效应管属于( )A 、单极性电压控制型器件B 、双极性电压控制型器件C 、单极性电流控制型器件D 、双极性电压控制型器件 22、如图3所示电路为( )图2 图1A 、甲类OCL 功率放大电路B 、乙类OCL 功率放大电路C 、甲乙类OCL 功率放大电路D 、甲乙类OTL 功率放大电路23、与甲类功率放大方式比较,乙类OCL 互补对称功放的主要优点是( ) A 、不用输出变压器 B 、不用输出端大电容 C 、效率高 D 、无交越失真 24、与乙类功率放大方式比较,甲乙类OCL 互补对称功放的主要优点是( ) A 、不用输出变压器 B 、不用输出端大电容 C 、效率高 D 、无交越失真 25、在甲乙类功放中,一个电源的互补对称电路中每个管子工作电压CEV 与电路中所加电源CC V 关系表示正确的是( ) A 、CC CEV V = B 、CC CE V V 21= C 、CC CE V V 2= D 、以上都不正确26、通用型集成运放适用于放大( )A 、高频信号B 、低频信号C 、任何频率信号D 、中频信号 27、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是( ) A 、反相输入端为虚地 B 、输入电阻大 C 、电流并联负反馈 D 、电压串联负反馈 28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是( )A 、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路B 、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路C 、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路D 、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路 29、共模抑制比K CMR 越大,表明电路( ) A 、放大倍数越稳定 B 、交流放大倍数越大 C 、抑制温漂能力越强 D 、输入信号中的差模成分越大30、差动放大器由双端输入变为单端输入,差模电压增益是( ) A 、增加一倍 B 、为双端输入时的一半 C 、不变 D 、不确定 31、电流源的特点是直流等效电阻( )A 、大B 、小C 、恒定D 、不定32、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的( ) A 、1+AF 倍 B 、1/(1+AF)倍 C 、1/F 倍 D 、1/AF 倍图333、为了使放大电路的输入电阻增大,输出电阻减小,应当采用( ) A 、电压串联负反馈 B 、电压并联负反馈 C 、电流串联负反馈 D 、电流并联负反馈34、为了稳定放大电路的输出电流,并增大输入电阻,应当引入( ) A 、电流串联负反馈 B 、电流并联负反馈 C 、电压串联负反馈 D 、电压并联负反馈 35、如图4为两级电路,接入R F 后引入了级间( )A 、电流并联负反馈B 、电流串联负反馈C 、电压并联负反馈D 、电压串联负反馈36、某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈37、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流),经过放大后希望输出电压与信号成正比,此放大电路应选( )A 、电流串联负反馈B 、电压并联负反馈C 、电流并联负反馈D 、电压串联负反馈 38、某电路有用信号频率为2kHz ,可选用( )A 、低通滤波器B 、高通滤波器C 、带通滤波器D 、带阻滤波器 39、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数( )才能满足起振条件A 、为1/3时B 、为3时C 、>3D 、>1/3 40、LC 正弦波振荡器电路的振荡频率为( )A 、LCf 10=B 、LCf 10=C 、LCf π210=D 、LCf π210=41、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是( )A 、2n π,n 为整数B 、(2n+1)π,n 为整数C 、n π/2,n 为整数D 、不确定 42、RC 串并联正弦波振荡电路的振荡频率为( ) A 、RCf 621π=B 、RCf π21=图4 图4C 、RCf π21=D 、RCf π41=43、桥式整流电路若变压器二次电压为t u ωsin 2102=V ,则每个整流管所承受的最大反向电压为( )A 、210V B 、220V C 、20V D 、2V44、图5为单相桥式整流滤波电路,u i 为正弦电压,其有效值为U i =20V ,f=50Hz 。

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷四套附答案资料

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷四套附答案资料

精品文档中南大学信息院《数字电子技术基础》期终考试试题(110分钟)(第一套)一、填空题:(每空1分,共15分).逻辑函数1的两种标准形式分别为CAB?Y?()、()。

2.将2004个“1”异或起来得到的结果是()。

3.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是()、()、()。

4.8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。

若只有最低位为高电平,则输出电压为()v;当输入为10001000,则输出电压为()v。

5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。

6.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。

7.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。

二、根据要求作题:(共15分)1.将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式,并用“集电极开路与非门”来实现。

图1、2中电路均由CMOS门电路构成,写出P、Q 的表达式,并画出对应A、.2B、C的P、Q波形。

精品文档.精品文档10分)(三、分析图3所示电路:1数据选择器的输出函数式;)试写出8选1 的波形图;000~111连续变化时,YA2)画出、A1、A0从2 )说明电路的逻辑功能。

3。

要求只设定一8421BCD码)四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路(采用(个输出,并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。

15分)、,试”所示,设触发器的初态均为“0五、已知电路及CP的波形如图A4(a) (b) 分)(和画出输出端BC的波形。

8精品文档.精品文档BC在示波器上观察到波形5(a)所示,六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图并标所示。

试问该电路是如何连接的?请在原图上画出正确的连接图,如图5(b)分)6 (的取值。

明T组成的脉冲74LS161位ROM和同步十六进制加法计数器16*4七、图6所示是、D3、D2中的数据见表ROM1所示。

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)讲课教案

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)讲课教案

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)中南大学信息院《数字电子技术基础》期终考试试题(110分钟)(第一套)一、填空题:(每空1分,共15分)=+的两种标准形式分别为()、1.逻辑函数Y AB C()。

2.将2004个“1”异或起来得到的结果是()。

3.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是()、()、()。

4.8位D/A转换器当输入数字量10000000为5v。

若只有最低位为高电平,则输出电压为()v;当输入为10001000,则输出电压为()v。

5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。

6.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。

7.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。

二、根据要求作题:(共15分)1.将逻辑函数 P=AB+AC写成“与或非”表达式,并用“集电极开路与非门”来实现。

2.图1、2中电路均由CMOS门电路构成,写出P、Q 的表达式,并画出对应A、B、C的P、Q波形。

三、分析图3所示电路:(10分)1)试写出8选1数据选择器的输出函数式;2)画出A2、A1、A0从000~111连续变化时,Y的波形图;3)说明电路的逻辑功能。

四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路(采用8421BCD码)。

要求只设定一个输出,并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。

(15分)五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示,设触发器的初态均为“0”,试画出输出端B和C的波形。

(8分)BC六、用T触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示,在示波器上观察到波形如图5(b)所示。

试问该电路是如何连接的?请在原图上画出正确的连接图,并标明T的取值。

(6分)七、图6所示是16*4位ROM和同步十六进制加法计数器74LS161组成的脉冲分频电路。

模拟电子技术考试题及答案

模拟电子技术考试题及答案

模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子电路中,放大器的基本功能是()。

A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是()。

A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是()。

A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ,输出电阻是50Ω,那么它的电压增益是()。

A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V,当通过它的电流为20mA时,消耗的功率是()。

A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线,说明这个电路是()。

A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10,电压增益是-100,那么它的输出电阻是()。

A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是()。

A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中,什么是“饱和区”?A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波,输出信号是方波,这个放大器可能应用在()。

A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案:1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电子电路中,________是用来测量电路输出电压的仪器。

2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。

3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。

4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。

5. 负反馈可以提高放大器的________和________。

模拟电子技术基础期末考试试题18套及答案

模拟电子技术基础期末考试试题18套及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、结正偏时(),反偏时(,所以结具有()导电性。

2、(反向饱和电流)漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管()是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数()。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度(),其中(),()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。

13、电路是()电源互补功率放大电路;电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。

二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在(反偏)状态,但其两端电压必须(大于)它的稳压值才有导通电流,否则处于(截止)状态。

中南大学电子技术模拟卷-第1套

中南大学电子技术模拟卷-第1套

---○---○------○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间100分钟一、选择题(本题10分,每小题2分) 1、电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为()。

A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 2、存储器的电路结构中包含( )、存储电路和输入/输出电路(或读写控制电路)这三个组成部分。

3、已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( )条,数据线( )条。

4、右图所示波形反映的逻辑函数是( )。

(其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5、对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( )。

A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 6、位D/A 转换器当输入数字量10000000为5v 。

若只有最低位为高电平,则输出电压为( )v ;当输入为10001000,则输出电压为( )v 。

7、已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( )。

二、简答题(16分)1.测得放大电路中晶体管的直流电位如图,在圆圈中画出管子,标出各电极的名称,并指出是硅管还是锗管?(4分)2.写出下图电路输出逻辑表达式。

(8分)3.图中各触发器的初始状态Q=0,试画出在CP信号连续作用下各触发器Q端的电压波形。

(4分)4.如图所示为一555定时器应用电路(1)说明该电路的功能;(2)试画出电路的电压传输特性曲线。

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)中南大学信息院《数字电子技术基础》期终考试试题( 110 分钟) ( 第一套 )一、填空题:(每空 1 分,共 15 分)1.逻辑函数Y AB C 的两种标准形式分别为()、()。

2.将 2004 个“ 1”异或起来得到的结果是()。

3 .半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是()、()、()。

4.8 位 D/A 转换器当输入数字量10000000 为 5v。

若只有最低位为高电平,则输出电压为()v;当输入为10001000,则输出电压为()v。

5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D 转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。

6.由 555 定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。

7.与 PAL 相比,GAL 器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。

二、根据要求作题:(共 15 分)1.将逻辑函数P=AB+AC 写成“与或非”表达式,并用“集电极开路与非门”来实现。

2.图1、2中电路均由CMOS 门电路构成,写出P、Q 的表达式,并画出对应 A 、B、C 的 P、Q 波形。

三、分析图 3 所示电路:(10 分)1)试写出 8 选 1 数据选择器的输出函数式;2)画出 A2、 A1、 A0 从 000~111连续变化时, Y 的波形图;3)说明电路的逻辑功能。

四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路(采用8421BCD 码)。

要求只设定一个输出,并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。

(15 分)五、已知电路及、4(a) (b)所示,设触发器的初态均为“ 0”,试CP A 的波形如图画出输出端 B 和 C 的波形。

(8分)BC六、用T 触发器和异或门构成的某种电路如图5(a)所示,在示波器上观察到波形如图5(b)所示。

模拟电子技术II样卷(一)

模拟电子技术II样卷(一)

---○---○------○---○………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷 2012~2013 学年 2学期 模电II 课程 时间100分钟 48 学时, 3 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 70 %—、填空题(10分,每空1分) 1.在本征半导体中加入_ ___元素可形成N 型半导体,加入__ __元素可形成P 型半导体。

2.稳压管的稳压区是其工作在__ __。

3.当晶体管工作在放大区时,发射结电压应 ,集电结电压应 。

4.集成运放的输入级采用差动放大电路的原因是_ __。

5.对于放大电路,所谓开环是指 ___________,而所谓闭环是指 __ __。

6.为了获得输入电压中的低频信号,应选用_______滤波电路。

7.功率放大电路的转换效率是指__________ _。

二、基本题(共22分) 1.已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。

试求图所求电路中电阻R 的取值范围。

(本题6分)2.现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位如表所示,各晶体管b-e间开启电压U on均为0.5V。

试分别说明各管子的工作状态。

(本题8分)3.图中的哪些接法可以构成复合管?标出它们等效管的类型(如NPN型、PNP型)及管脚(b、e、c)。

(本题4分)4.通用型集成运放一般由几部分电路组成?每一部分常采用哪种基本电路?通常对每一部分性能的要求分别是什么?(本题4分)---○---○------○---○………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 三、电路如图所示,晶体管的β=60,r bb '=100Ω。

模拟电子技术期末试卷5套及答案

模拟电子技术期末试卷5套及答案

《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。

(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。

(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。

(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。

(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。

(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。

(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。

(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。

二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。

(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。

(A )感性 (B ) 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。

(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D ) 差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。

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1.误差放大器的同相在下方、反相端在上方。
2.电路由四个部分构成:(1)由R1、R2和RW构成的取样电路;(2)由运放构成负反馈误差放大器;(3)由R和DW构成基准电压电路;(4)由T1和T2复合管构成调整管。
3.
八、一串联型稳压电路如图所示。已知误差放大器的Au>>1,稳压管的Uz=6V,负载RL=20Ω。
1.试标出误差放大器的同相、反相端;
2.说明电路由哪几部分组成?
3.求Uo的调整范围;(10分)
参考答案
一、
1.电流、正向、反向;电压。
2.线性、非线性。
3.共基、共射、共集。
4.差模、共模、 。
5.低通、200、200。
五、电路如图所示。试用相位条件判断下面的电路能否振荡,将不能振荡的电路加以改正。(6分)
六、用理想运放组成的电压比较器如图所示。已知稳压管的正向导通压降UD=0.7V,UZ= 5V。
1.试求比较器的电压传输特性;
2.若ui=6sinωtV,UR为方波如图所示,试画出uo的波形。(10分)
七、理想运放电路如图所示,设电位器动臂到地的电阻为KRW,0≤K≤1。试求该电路电压增益的调节范围。(10分)
6.乙类、0、 、0.2。
二、
2.放大状态。Βιβλιοθήκη 4.电压-串联、增大、宽。
三、
1.
2.
四、反馈组态为:电压-串联负反馈
五、该放大电路为共基接法,根据瞬时极性法可知引入了负反馈,不能振荡。
更正:将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。
六、
1.
七、运放构成差动输入形式,反相端输入为UI,同相端输入 。
八、
4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为;
其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。
三、如图所示电路中,β=100, ,试计算:(15分)
1.放大电路的静态工作点;(6分)
2.画出放大电路的微变等效电路;(3分)
3.求电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro;(6分)
四、判断如图所示电路中引入了何种反馈,并在深度负反馈条件下计算闭环放大倍数。(9分)
4.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极Re公共电阻对信号的放大作用无影响,对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比KCMR=。
5.设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 ,则此滤波器为滤波器,其通带放大倍数为,截止频率为。
6.如图所示的功率放大电路处于类工作状态;其静态损耗为;电路的最大输出功率为;每个晶体管的管耗为最大输出功率的
倍。
二、基本题:(每题5分,共25分)
1.如图所示电路中D为理想元件,已知ui= 5sinωtV,试对应ui画出uo的波形图。
2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。
3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN或PNP)并在圆圈中画出管子。
中南大学
模拟电子技术试卷(第1套)
一、一、填空题(20分,每空1分)
1.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。场效应管是控制器件。
2.在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。
3.在三极管多级放大电路中,已知Au1=20,Au2=-10,Au3=1,则可知其接法分别为:Au1是放大器,Au2是放大器,Au3是放大器。
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