华中科技大学电子技术基础考纲

合集下载

华中科技大学908电子制造技术基础考研大纲

华中科技大学908电子制造技术基础考研大纲

华中科技大学硕士研究生入学考试《电子制造技术基
础》考试大纲
(科目代码:908)
第一部分考试说明
1. 本课程学习的基本目标及要求
1.1全面了解从硅片到电子产品/电子系统的物理实现过程所涉及的各种制造技术,主
要包括半导体制造工艺、电子封装与电子组装两大制造技术。

1.2了解电子工艺材料、无源元件制造技术、光电子封装技术、微机电系统工艺技术以
及微电子制造设备相关内容。

2. 考试形式与试卷结构
2.1考试时间180分钟,采用闭卷笔试。

2.2题型为名词解释、简答题、简单计算和分析论述题。

第二部分考查要点
1. 电子制造概述
●电子制造技术的发展历程
●集成电路的发展历史与封装结构的演变
●电子制造中前道、后道工艺的各子工序及执行顺序
●电子封装的基本功能与分级
●电子封装技术的发展趋势
2. 芯片制造技术
●晶圆制造流程
●半导体工艺
3. 元器件的互连封装技术
●引线键合技术
●倒装芯片技术
●QFP与BGA的封装结构与封装工艺设计
4. 无源元件制造技术
●什么是无源器件
●无源元件的制造方法
5. 基板技术
●PCB制作工艺流程
●微过孔技术
6. 电子组装技术
●表面贴装工艺技术(SMT工艺)
●焊膏与焊料
●回流曲线设计及加热因子
●波峰焊工艺
7. 先进封装技术
●3D封装技术(TSV、POP)
●系统级封装(SIP)
●系统级芯片(SOC)。

华中科技大学2013年831《电子技术基础》复习指南及考研资料

华中科技大学2013年831《电子技术基础》复习指南及考研资料

2013年华中科技大学831《电子技术基础》
复习指南&考研资料
如果你是2013届的考研学子,如果你想报考华中科技大学《电子技术基础》,如果你不知道该使用哪些资料,如果你想在专业课上拿高分,本文会对你有所帮助。

笔者是华中科技大学的研究生,根据2012年华中科技大学的同学使用资料的情况,整理出了《电子技术基础》全套资料清单。

考生朋友可以根据实际情况选择使用这些资料,本文旨在告诉你我所知道的——哪些资料比较实用。

笔者还会利用身边的资源,在自己的能力范围内,为研友们提供更多的帮助。

资料清单:
1、《电子技术基础》历年真题及标准答案;
2、《电子技术基础》辅导班笔记;
3、《数字电子技术基础》和《模拟电子技术基础》本科试卷和答案;
4、《电子技术基础》本科提高班期末试卷;
5、《电子技术基础》重点习题;
6、《数字电子技术基础》和《模拟电子技术基础》出题老师上课课件;
7、《电子技术基础》模拟题和答案;
8、《电子技术基础》高分学子考研复习心得。

此外,咨询类的信息包括:
1、华中科技大学2013年考研硕士研究生入学考试招生简章;
2、华中科技大学2013《电子技术基础》考研大纲;
3、华中科技大学2013年复试细则等。

参考书目:康华光,《电子技术基础》(第五版),高等教育出版社。

如果你想寻求帮助,想了解更多相关考研信息,想获得这些资料,请联系QQ:2569066998。

或访问博客/s/blog_93ffbbad0100zuzb.html
真诚希望能给你提供帮助。

华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH07-1

华中科技大学《模拟电子技术基础》——CH07-1
+VDD IREF d1 + VDS1 T1 g T2 + VGS R NMOS d2
ID2=IO EF
两臂电流互相相等。 称为电流源是因为工作在饱和区
-VSS
iD2=iO ID2 1 斜率= ro 击穿
2.为什么采用这样的结构?
用T1管为T2提供稳定的VGS电压使 T2管工作在饱和区。
Rd ID2=IO + VDS2 -
(VGS2 VTN2 )2 ID2 (W2 / L2 )Kn2 (VGS1 VTN1 )2 IREF (W1 / L1 )Kn1
-VSS
iD2=iO 1 斜率= ro 击穿
IO I D2 W2 / L2 I REF I D1 W1 / L1
I B 2 rce
i C 2 1 ro ( ) vCE 2
R c1 T1
2IB c2 b1 b2
IC1
iC2=IC2 = IO= IREF T2 vCE
一般ro在几百千欧以上
-VEE
33
华中科技大学 刘勃
7.1.2 BJT电流源电路
1. 镜像电流源
其他形式
+VCC IREF IC1 T1 R c1
24
可用范围
0
VGS-VTN
VDS
VBR
vDS2
华中科技大学 刘勃
7.1.1 FET电流源电路
1. MOSFET镜像电流源
I O I D2 I REF VDD VSS VGS R
2
+VDD IREF d1 + VDS1 T1 g T2 + VGS R NMOS d2 d2
Rd ID2=IO ID2=IO + VDS2 -

93“电子技术基础”考研大纲

93“电子技术基础”考研大纲

“电子技术基础”复试大纲
一、考试性质
《电子技术基础》硕士研究生复试科目之一,供有关专业选用。

二、考试的学科范围
电子技术包扩模拟和数字电路两部分,其中模拟部分约占60%,数字部分约占40%。

要求如下:
1.了解常用电子器件(包括集成组件)的外特性及其应用;了解放大电路的主要技术指标。

2.掌握基本放大电路的组成、分析方法和应用,会估算基本放大电路的静态工作点、放大倍数、输入电阻和输出电阻;掌握正弦波振荡器的组成及工作原理;掌握负反馈的基本组态及其对放大电路性能的影响掌握深度负反馈放大电路计算方法。

3.熟练掌握基本放大电路的工作原理;熟练掌握反馈的判别;熟练掌握集成运放组成的电路的分析方法。

4. 掌握逻辑函数的代数化简法和卡诺图化简法;
5. 掌握组合逻辑电路的分析与设计方法;
6. 掌握时序逻辑电路的分析方法(设计不要求)。

三、考试形式
答卷方式:闭卷,笔试,所列题全部为必答题。

答题时间:120分钟。

题型:选择题、化简题、分析计算题、分析设计题。

四、参考教材
1、《电子技术基础》(模拟部分),康华光主编,高等教育出版社
2、《电子技术基础》(数字部分),康华光主编,高等教育出版社
3、《模拟电子技术基础》童诗白、华成英主编,高等教育出版社
4、《数字电子技术基础》阎石主编,高等教育出版社。

华中科技大学《831电子技术基础》历年考研真题专业课考试试题

华中科技大学《831电子技术基础》历年考研真题专业课考试试题

L1、L2是两个水泵;A、B、C是三个水位检测器; 当水位检测器检测到有水时,输出为低电平; 当水位在C时,L1、L2都停止工作; 当水位在B以上在C以下,L1工作,L2不工作; 当水位在A以上在B以下,L2工作,L1不工作; 当水位在A一下,L1、L2都工作; 要求: 1、规划输入输出; 2、画出真值表; 3、写出输入输出件的函数表达式,并化简中科技大学831电子技术基础考研 真题(回忆版)
2011年华中科技大学831电子技术基础考研 真题(回忆版)
2010年华中科技大学831电子技术基础考研 真题(回忆版)
2007年华中科技大学431电子技术基础考研 真题
2006年华中科技大学456电子技术基础考研 真题
2005年华中科技大学448电子技术基础考研 真题
2004年华中科技大学462电子技术基础考研 真题
2003年华中科技大学457电子技术基础考研 真题
2002年华中科技大学442电子技术基础考研 真题
数电第三题:
标准三角波A经过第一个电路变成方波B; 第二个电路,输入B四个方波脉冲后,输出C的一个方波脉冲; C经过第三个电路变成一个稍微延时了的方波脉冲,并且脉宽也变 了。 三角波变成方波是用什么电路实现的。(因为三角波变成方波有一 些延迟,所以,肯定是用施密特触发器) 第二个波形转换用什么方法实现的?请用2个Jk触发器和少量逻辑 门电路实现,并且画出电路的状态图和状态表。(个人觉得是脉冲计数 器) 第三个电路应该是什么电路?请用555设计该电路。延时时长为 0.1ms,D的脉宽为0.5ms。(个人认为是单稳态触发器)
目 录
2015年华中科技大学831电子技术基础考研真题(回忆版) 2014年华中科技大学831电子技术基础考研真题 2013年华中科技大学831电子技术基础考研真题(回忆版) 2012年华中科技大学831电子技术基础考研真题(回忆版) 2011年华中科技大学831电子技术基础考研真题(回忆版) 2010年华中科技大学831电子技术基础考研真题(回忆版) 2007年华中科技大学431电子技术基础考研真题 2006年华中科技大学456电子技术基础考研真题 2005年华中科技大学448电子技术基础考研真题 2004年华中科技大学462电子技术基础考研真题 2003年华中科技大学457电子技术基础考研真题 2002年华中科技大学442电子技术基础考研真题

831电子技术基础.doc831电子技术基础

831电子技术基础.doc831电子技术基础

华中科技大学硕士研究生入学考试《电子技术基础》考试大纲(专业代码:831)一、考试说明1. 考试性质该入学考试是为华中科技大学电子科学与技术一级学科招收硕士研究生而设置的.它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平,以保证被录取者具有较好的电子技术理论基础.考试对象为全国硕士研究生入学考试的考生。

3。

评价目标本课程考试的目的是考察学生对电子技术的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用其解决电子技术领域相关问题的能力。

4. 考试形式与试卷结构(1)答卷方式:闭卷,笔试。

(2)答题时间:180分钟。

(3)各部分内容的考查比例:满分150分.模拟电子技术40%数字电子技术60%(4)题型:以分析、计算题为主。

二、考察要点1.基本半导体器件PN结的形成,半导体二极管、半导体三极管和半导体场效应管工作原理,晶体管的开关作用,TTL门电路,MOS门电路2.基本放大电路微变等效电路,反馈的基本概念及类型判断,负反馈对放大电路性能的影响,频率特性,多级放大电路及其级间耦合,差动放大电路,场效应管及其放大电路3.集成运算放大器比例运算、加法运算、减法运算、积分运算、微分运算、有源滤波、采样保持、电压比较4.稳压电源和功率放大电路整流滤波与反馈式稳压电源,开关稳压电源,乙类互补与甲乙类功率放大电路5.数字逻辑与组合逻辑电路逻辑代数及逻辑运算,逻辑函数的简化,组合逻辑电路的分析与设计,编码器,译码器,数据选择器,数值比较器,加法器6.时序逻辑电路与集成器件RS触发器,D触发器,JK触发器,T触发器,同步时序逻辑电路的分析及设计,计数器、移位寄存器,随机存取存储器(RAM),只读存储器(ROM),可编程逻辑器件7.信号发生与转换正弦波振荡器,多谐振荡器,单稳态触发器,施密特触发器,555集成定时器,D/A转换器,A/D转换器。

华中科技大学电气电力电子大纲

华中科技大学电气电力电子大纲

“电力电子技术”考试大纲第一部分考试说明一、考试性质全国硕士研究生入学考试是为高等学校招收硕士研究生而设置的。

电力电子技术是华中科技大学设置的电工类考试科目。

它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上的水平,以保证被录取者具有电力电子技术基础的理论素质并有利于电工类专业择优选拔。

二、考试的学科范围电力电子技术包括电力电子器件、各类电力电子变换器的基本原理、控制技术及其应用。

考试要点详见本大纲第二部分。

三、评价目标电力电子技术考试主要是考查基础理论知识和应用基础理论分析和解决问题的能力。

考生应能:1、从应用的角度正确理解各类电力半导体器件的共性(开关特性)和个性(各类器件最突出的特点)。

2、正确掌握各类电力电子变换器的基本工作原理和控制技术。

3、能正确分析和计算电路参数与器件的容量。

4、熟悉电力电子变换器的两类应用领域:电力电子开关型变压、变频电源和电力电子开关型电力补偿、控制器。

四、考试形式a)答卷方式:闭卷,笔试,所列题全部为必答题。

b)答题时间:150分钟五、参考教材1、《电力电子学--电力电子变换和控制技术》,陈坚编著,高等教育出版社,2002年2、《电力电子学》,贾正春等主编,中国电力出版社,2002年第二部分考试要点一、电力电子技术学科的基本内容、技术发展和一般应用概况。

二、电力半导体器件1、各类电力半导体器件的工作特性。

2、通、断控制的驱动要求和驱动器。

3、开关过程的缓冲器,过压、过流保护。

4、电压电流额定值。

三、交流-直流变换器及有源逆变1、晶闸管单相和三相相控整流、二极管不控整流电路基本工作原理(纯电阻负载,电感值很大时的电阻电感负载),整流器输出电压波形及输出直流电压平均值。

2、三相可控整流器的换流原理,换流压降和换流对直流输出电压平均值的影响。

3、有源逆变的基本工作原理和应用。

4、含有源功率因数校正环节的单相整流器。

5、晶闸管相控整流、同步移相触发的基本原理。

华中科技大学数字电子技术基础试卷及参考答案(优.选)

华中科技大学数字电子技术基础试卷及参考答案(优.选)

CP1 = Q 0 J1 = 1,K1 = 1; J 2 = Q1Q0,K 2 = 1
Q n+1 0
=
nn
Q 2 Q 0 cp0
+
Q0n
cp
0

Q n+1 1
=
n
Q1 cp1
+
Q1n cp1 , Q2n+1
=
Q0n
Q1n
Q
n 2
cp
2
+
Q2n cp 2
2.电路的状态图如图 A5-2 所示。电路具有自启动功能。
三、(12 分)发由全加器 FA、2-4 线译码器和门电路组成的逻辑电路如图 3 a 所示。试
在图 b 中填写输出逻辑函数 L 的卡诺图(不用化简)。
a
Si
b
FA
1 Ci–1 CI
CO Ci
&
&
E
Y0
Y1
d
A0
Y2
c
A1
Y3
(a)
L &
L
c
b a
d (b)
图3
四、(12 分)用最少的与非门设计一个组合逻辑电路,实现以下逻辑功能:X 1 X 0 = 00 时 Y = AB , X1 X 0 = 01时Y = A + B ; X1 X 0 = 10 时 Y = A ⊕ B ; X1 X 0 = 11 时,输出
C.11.01 和 11.011000100101
D.11.101 和 11.101
2.下列几种说法中错误的是(

A.任何逻辑函数都可以用卡诺图表示。
B.逻辑函数的卡诺图是唯一的。
C.同一个卡诺图化简结果可能不是唯一的。 D.卡诺图中 1 的个数和 0 的个数相同。

《华中科技大学》模拟电子技术课件_模电复习大纲 ppt课件

《华中科技大学》模拟电子技术课件_模电复习大纲  ppt课件

如,Vc

e
I
等。
b
PPT课件
2
第一章 绪论
电压放大模型
1. 输入电阻
Ri

Vi Ii
+ Vs

Rs + Vi –
Ro
+
+
Ri
AVOVi
Vo RL


反应了放大电Biblioteka 从信号源吸取信号幅值的大小。输入电压信号, Ri 越大,Vi 越大。 输入电流信号, Ri 越小, Ii 越大。
IT
外 加 测 试 信 号VT
Ro

Vo Vo
RL

RL
Ro

VT IT
Vs 0
+ Vs=0

PPT课件
放大电路
IT
+ VT

Ro
4
3、频率响应
上、下限频率;带宽
频率失真(线性失真) 幅度失真
非正弦信号 相位失真
非线性失真
饱和失真 正弦信号
截止失真
20lg|AV|/dB
60
3dB
40 带宽
20
0
2
20 2 102 2 103 2 104 f/Hz
PPT课件
7
4、熟练掌握PN结
形成——由于浓度差,而出现扩散运动,在中间形成空 间电荷区(耗尽层),又由于空间电荷区的内电场作用,存 在漂移运动,达到动态平衡。 单向导电性 ——
不外加电压,扩散运动=漂移运动,iD=0 加正向电压(耗尽层变窄),扩散运动>漂移运动形成iD 加反向电压(耗尽层变宽),扩散运动为0,只有很小的
其增加、减小的值均与反馈深度(1+AF)有关

电子技术基础模拟部分(第六版) 康华光ch06

电子技术基础模拟部分(第六版) 康华光ch06
f L1
f L2 f L3

1 2π( Rsi Rg )Cb1
gm 2πCs 1 2π( Rd RL )Cb2
Cb1引起的下限截止频率 Cs引起的下限截止频率 Cb2引起的下限截止频率
且 2πf
21
华中科技大学 张林
6.3.1 共源放大电路的低频响应

1 1 C s 和 Cb2
+ . Vs -
. Vi Rg
| |V o
输出回路也是高通电路,不过不是简单的单时间常数
RC高通电路。
18
华中科技大学 张林
6.3.1 共源放大电路的低频响应
1. 增益的传递函数
由电路可列出方程
V g Rg 1 Rsi Rg jCb1 V 1 g V V gs g m gs jCs V s
1. 增益的传递函数
R 1 1 1 g g ( R || R ) A VSL m d L 1 gm 1 Rg Rsi 1 1 1 j ( Rd RL )Cb2 jCs j ( Rsi Rg )Cb1 Rg 令 AVSM gm ( Rd || RL ) 通带内(中频)增益,与频率无关 Rg Rsi
《电子技术基础》
模拟部分 (第六版)
华中科技大学电信系
张林
电子技术基础模拟部分
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2
绪论 运算放大器 二极管及其基本电路 场效应三极管及其放大电路 双极结型三极管及其放大电路 差分式放大与频率响应 模拟集成电路 反馈放大电路 功率放大电路 信号处理与信号产生电路 直流稳压电源
华中科技大学 张林

华中科技大学博士研究生入学考试大纲-3332+电力电子技术

华中科技大学博士研究生入学考试大纲-3332+电力电子技术

华中科技大学博士研究生入学考试
《电力电子技术》考试大纲
第一部分考试说明
一、考试性质
报考华中科技大学电气工程学科的博士研究生可选择本课程作为专业课程。

它的评价标准是考生能达到及格或及格以上的水平,以保证被录取者具有电力传动及自动化方面基本的专业理论素质和从事本方向研究的基本能力。

二、考试的学科范围
电力电子学科的发展现状和发展方向、电力电子器件的应用技术、电力电子装置及系统的构成与控制技术、电力电子电路辅助元件和系统、电力电子电路的应用技术。

三、评价目标
在考察基本知识、基本理论的基础上,注重考察考生运用基本理论知识分析问题、解决问题的能力。

四、考试形式
(一)答卷方式:闭卷,笔试,所列题目全部为必答题。

(二)考试时间:180分钟。

第二部分考察要点
一. 电力电子学科的形成、现状及发展方向。

二. 常用半导体开关器件,尤其是自关断器件的基本特性、特点和应用领域。

三. DC/DC,DC/AC, AC/DC,AC/AC这四类基本变换器的常用电路结构,工作原理,
相关波形,基本计算,建模及其控制方式。

例如:Buck、Boost 、Cuk等变换器在电流连续和电流断续情况下的工作特点;多重、多相DC/DC变换电路;各类SPWM(含电压空间矢量PWM)的基本原理、特点。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

华中科技大学硕士研究生入学考试《电子技术基础》
考试大纲
一、考试说明
1. 考试性质
该入学考试是为华中科技大学电子科学与技术一级学科招收硕士研究生而设置的。

它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平,以保证被录取者具有较好的电子技术理论基础。

考试对象为参加2010年全国硕士研究生入学考试的考生。

3. 评价目标
本课程考试的目的是考察学生对电子技术的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用其解决电子技术领域相关问题的能力。

4. 考试形式与试卷结构
(1)答卷方式:闭卷,笔试。

(2)答题时间:180分钟。

(3)各部分内容的考查比例:满分150分。

模拟电子技术40%
数字电子技术60%
(4)题型:以分析、计算题为主。

5. 参考书目
康华光,陈大钦. 《电子技术基础》,高等教育出版社。

二、考察要点
1.基本半导体器件
PN结的形成,半导体二极管、半导体三极管和半导体场效应管工作原理,晶体管的开关作用,TTL门电路,MOS门电路
2.基本放大电路
微变等效电路,反馈的基本概念及类型判断,负反馈对放大电路性能的影响,频率特性,多级放大电路及其级间耦合,差动放大电路,场效应管及其放大电路3.集成运算放大器
比例运算、加法运算、减法运算、积分运算、微分运算、有源滤波、采样保持、电压比较
4.稳压电源和功率放大电路
整流滤波与反馈式稳压电源,开关稳压电源,乙类互补与甲乙类功率放大电路
5.数字逻辑与组合逻辑电路
逻辑代数及逻辑运算,逻辑函数的简化,组合逻辑电路的分析与设计,编码器,译码器,数据选择器,数值比较器,加法器
6.时序逻辑电路与集成器件
RS触发器,D触发器,JK触发器,T触发器,同步时序逻辑电路的分析及设计,计数器、移位寄存器,随机存取存储器(RAM),只读存储器(ROM),可编程逻辑器件
7.信号发生与转换
正弦波振荡器,多谐振荡器,单稳态触发器,施密特触发器,555集成定时器,D/A转换器,A/D转换器。

相关文档
最新文档