2021年半导体FAB里基本的常识简介-精华版
半导体FAB里基本的常识简介
CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
常用的半导体材料为何答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺答：介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?答：良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答：金属层间介电质层。
何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)何谓TEOS?答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在?答：液体二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体简述Endpoint detector之作用原理.答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些?答：有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答：告知所有的人勿操作机台，避免危险机台维修至少两人配合，有何目的?答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock有何作用?答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.Wafer Scrubber的功能为何?答：移除芯片表面的污染粒子ETCH何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
半导体FAB里基本的常识简介-精华版
1.晶圆制造厂非常昂贵得原因之一,就是需要一个无尘室,为何需要无尘室ﻫ答:由于微小得粒子就能引起电子组件与电路得缺陷2.何谓半导体?答：半导体材料得电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)与绝缘与橡胶、塑料与干木头之间。
最常用得半导体材料就是硅及锗。
半导体最重要得性质之一就就是能够藉由一种叫做掺杂得步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
3.常用得半导体材料为何？答:硅(Ｓi)、锗(Ge)与砷化镓(AsGa)4.何谓VLSＩ？答：ＶLSI（Veｒy LａrgｅScale Integｒａｔiｏn）超大规模集成电路5.在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什么?ﻫ答:介电质（Dieleｃｔriｃ)、6.薄膜区机台主要得功能为何?ﻫ答：沉积介电质层及金属层7.何谓CVD(CｈemicaｌVapor Dｅp、)答:CVＤ就是一种利用气态得化学源材料在晶圆表面产生化学沉积得制程8.CVD分那几种?ﻫ答:PE-CＶＤ（电浆增强型)及Theｒmaｌ-CＶD(热耦式)9.为什么要用铝铜(Al-Ｃu)合金作导线?ﻫ答:良好得导体仅次于铜10.介电材料得作用为何? ﻫ答:做为金属层之间得隔离11.何谓ＰＭＤ(Ｐre-Metal Diｅleｃtric）答:称为金属沉积前得介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层得介电质12.何谓IＭD（Inｔer-Metal Dielｅctric）ﻫ答：金属层间介电质层。
13.何谓USG？答:未掺杂得硅玻璃(Uｎdopｅd Siｌicate Ｇlａss)14.何谓FSＧ? ﻫ答:掺杂氟得硅玻璃(Fｌｕorinａtｅd SiｌｉcａteＧｌass)15.何谓ＢPSＧ? ﻫ答:掺杂硼磷得硅玻璃(Boro phosｐhｏsiｌicate ｇlａｓｓ）16.何谓ＴEＯＳ? ﻫ答:Tetｒａ-eｔhoｘy－silａnｅ四乙氧基硅烷，正硅酸四乙酯, 用途为沉积二氧化硅17.TEＯS在常温时就是以何种形态存在?答:液体18.二氧化硅其Ｋ值为3、9表示何义答:表示二氧化硅得介电质常数为真空得３、9倍19.氟在CVD得工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Ｃhambeｒ)用之化学气体20.简述Endpｏinｔdetector之作用原理答:cｌeａn制程时,利用生成物或反应物浓度得变化,因其特定波长光线被detectoｒ侦测到强度变强或变弱，当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpｏinｔ、21.机台使用得管件材料主要有那些?答：有不锈钢制（Stａinleｓs Steａl），黄铜制（Ｂｒａｓs）,塑胶制（PＶC),特氟隆制（Teflon）四种、22.机器维修时要放置停机维修告示牌目得为何?ﻫ答:告知所有得人勿操作机台，避免危险23.机台维修至少两人配合，有何目得?答:帮忙拆卸重物,并随时警戒可能得意外发生24.更换过任何气体管路上得零件之后,一定要做何动作?ﻫ答:用氦气测漏机来做测漏、25.维修尚未降至室温之反应室（Chａmbｅr）,应配带何种手套答:石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作26.何为真空(Vａcuｕm)?半导体业常用真空单位就是什么？答:半导体业通常用Torｒ作为真空得压力单位,一大气压相当76０Toｒr，低于7６0Ｔｏrr压力得环境称为真空、27.真空Pumｐ得作用?答:降低反应室(Ｃｈamｂeｒ）内得气体密度与压力28.何谓内部连锁(Intｅrlｏcｋ)ﻫ答:机台上intｅrlｏｃk有些属于保护操作人员得安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台、29.机台设定许多interlock有何作用?ﻫ答:机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作、30.ＷafeｒＳcｒｕbber得功能为何?答:移除芯片表面得污染粒子,Scｒｕbber（Wafｅr cｌean)机台就是水清洗waｆer表面,去除wafer表面外来得微尘颗粒(partｉcle)、31.何谓蚀刻(Ｅtｃｈ)？ﻫ答:将形成在晶圆表面上得薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度得制程。
半导体制造、Fab以及Silicon Processing的基本知识
1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA 会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5. 允许浓度1000PPM。
3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
半导体FAB里基本的常识简介
CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 \- W答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
常用的半导体材料为何' u* k9 `+ D1 v1 U# f5 [7 G答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 w& E4 B3 m. M( N( _; o4 D何谓VLSI' b5 w; M# }; b; @; \8 g3 P. G答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5 E3 U8 @- t& \t9 x5 L4 K% _2 f在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺0 r7 i, `/ G1 P! U" w! I答：介电质(Dielectric). w- j" @9 Y2 {0 L0 f w薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?4 Z* y3 A, G f+ z X* Y5 ?答：良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?% Y/ W) h' S6 J, l$ i5 B; f9 [答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ?" j% y7 O/ Q" m; N, b答：金属层间介电质层。
半导体基础知识（详细篇）
半导体基础知识（详细篇）中国半导体论坛半导体基础知识（详细篇）2.1.1 概念根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。
1. 导体：容易导电的物体。
如：铁、铜等2. 绝缘体：几乎不导电的物体。
如：橡胶等3. 半导体：半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。
在一定条件下可导电。
半导体的电阻率为10-3～109 Ω·cm。
典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
半导体特点：1) 在外界能源的作用下，导电性能显著变化。
光敏元件、热敏元件属于此类。
2) 在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显著增加。
二极管、三极管属于此类。
2.1.2 本征半导体1.本征半导体——化学成分纯净的半导体。
制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。
它在物理结构上呈单晶体形态。
电子技术中用的最多的是硅和锗。
硅和锗都是4价元素，它们的外层电子都是4个。
其简化原子结构模型如下图：外层电子受原子核的束缚力最小，成为价电子。
物质的性质是由价电子决定的。
外层电子受原子核的束缚力最小，成为价电子。
物质的性质是由价电子决定的。
2.本征半导体的共价键结构本征晶体中各原子之间靠得很近，使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。
共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。
如下图所示：硅晶体的空间排列与共价键结构平面示意图3.共价键共价键上的两个电子是由相邻原子各用一个电子组成的，这两个电子被成为束缚电子。
束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足够的能量，不易脱离轨道。
因此，在绝对温度T=0°K（-273°C）时，由于共价键中的电子被束缚着，本征半导体中没有自由电子，不导电。
只有在激发下，本征半导体才能导电4.电子与空穴当导体处于热力学温度0°K时，导体中没有自由电子。
半导体FAB里基本的常识简介-精华版
1.晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷2.何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
3.常用的半导体材料为何？答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(AsGa)4.何谓VLSI？答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5.在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什么？答：介电质(Dielectric).6.薄膜区机台主要的功能为何？答：沉积介电质层及金属层7.何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程8.CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)9.为什么要用铝铜(Al-Cu)合金作导线?答：良好的导体仅次于铜10.介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离11.何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质12.何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答：金属层间介电质层。
13.何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)14.何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)15.何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Boro phospho silicate glass)16.何谓TEOS?答：Tetra-ethoxy-silane四乙氧基硅烷, 正硅酸四乙酯, 用途为沉积二氧化硅17.TEOS在常温时是以何种形态存在?答：液体18.二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍19.氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体20.简述Endpoint detector之作用原理答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.21.机台使用的管件材料主要有那些?答：有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种. 22.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答：告知所有的人勿操作机台，避免危险23.机台维修至少两人配合，有何目的?答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生24.更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏.25.维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作26.何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什么?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760T orr,低于760Torr压力的环境称为真空.27.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力28.何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.29.机台设定许多interlock有何作用?答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.30.Wafer Scrubber的功能为何?答：移除芯片表面的污染粒子,Scrubber(Wafer clean)机台是水清洗wafer表面，去除wafer表面外来的微尘颗粒(particle).31.何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
半导体FAB百问知识汇总
半导体FAB百问知识汇总半导体FAB（半导体制造工厂）是半导体行业中的核心生产单元，用于制造集成电路和其他半导体器件。
在FAB中，通过一系列工序，从半导体晶圆开始生产，并最终制造出完整的芯片产品。
以下是一些关于半导体FAB的常见问题及其解答。
1.FAB是什么意思？FAB是英文“Fabrication（制造）”的简称，指的是半导体制造工厂。
2.FAB的主要工序有哪些？FAB的工序包括晶圆清洗、光刻、薄膜沉积、离子注入、扩散、退火、化学机械抛光等。
这些工序用来制造芯片上的不同层次。
3.FAB中常用的制造技术有哪些？FAB中常用的制造技术有MOS（金属-氧化物-半导体）、CMOS（互补金属-氧化物-半导体）和BiCMOS（双极性互补金属-氧化物-半导体）等。
4.半导体FAB中的晶圆是什么？晶圆是从硅单晶体中切割成的圆盘状薄片，作为芯片的基板。
晶圆是半导体制造的重要材料之一5.FAB中的光刻是什么工序？光刻是一种制造芯片的关键工序，通过使用光刻机，将芯片设计图案传输到光刻胶层上，然后将其转移到晶圆上制造细微的纹理。
6.FAB中的薄膜沉积是什么工序？薄膜沉积是一种将薄膜材料沉积到晶圆上的过程，用于制造芯片的不同层次。
常用的薄膜沉积方法包括化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等。
7.FAB中的离子注入是做什么用的？离子注入是将离子加速并注入晶圆表面以改变其电学特性的过程。
通过离子注入，可以实现芯片部件的区域掺杂和控制。
8.FAB中的扩散是什么工序？扩散是一种将杂质原子掺入晶圆中的工序，以改变其导电性能。
这可用于制造晶体管的源、漏区域。
9.FAB中的退火是什么工序？退火是一种通过暴露晶圆于高温环境中，以改变晶圆中晶格结构和杂质分布的过程。
退火有助于消除杂质缺陷和提高晶圆的电学特性。
10.FAB中的化学机械抛光是做什么用的？化学机械抛光是用于平坦化制造过程中的表面的一种技术，以获得更加光滑和平坦的表面。
半导体FAB里基本的常识简介
半导体FAB里基本的常识简介半导体FAB，即半导体制造工厂，是生产半导体芯片的重要场所。
在半导体行业中，FAB的运作对于芯片的质量和效率有着至关重要的影响。
本文将对半导体FAB的基本常识进行简要介绍。
一、半导体FAB的定义和作用半导体FAB是半导体芯片的生产工厂，其主要任务是将半导体材料制造成最终的集成电路芯片。
FAB是一个复杂的工程体系，包含了多个工艺步骤和设备，通过一系列的加工工艺将半导体基片转化为可用的半导体芯片。
FAB的运作对于提高芯片的质量、降低成本以及增加生产效率至关重要。
二、半导体FAB的工艺步骤半导体芯片的生产过程是一个多工艺步骤的流水线操作。
下面将简要介绍半导体FAB的几个基本工艺步骤：1. 半导体晶圆清洗：在制造芯片之前，需要将半导体晶圆进行彻底清洗，以去除上面可能存在的污染物。
2. 晶圆切割：将大型的硅片切割成若干个薄片，即晶圆。
切割过程需要使用切割盘进行精确切割。
3. 晶圆薄化：为了减小芯片的体积，需要对晶圆进行薄化处理，使其达到所需的厚度。
4. 沉积工艺：在晶圆表面上沉积各种材料，如绝缘层、金属层等，用于形成芯片的不同层次。
5. 电子束曝光：使用电子束曝光机器将芯片的图案曝光到光敏剂上，以形成芯片的电路结构。
6. 蚀刻工艺：通过蚀刻将多余的材料去除，形成芯片上所需的电路结构。
7. 掩模工艺：使用掩膜和光刻机对芯片进行二次曝光，并进行最终的处理，使芯片上的电路结构更加完善。
8. 清洗和测试：在所有工艺步骤完成之后，需要对芯片进行清洗和测试，以确保其质量和性能。
三、半导体FAB的设备和技术半导体FAB使用了大量的设备和技术来实现芯片的制造过程。
以下是一些常见的设备和技术：1. 清洗设备：用于清洗晶圆上的污染物，以确保芯片的质量。
2. 激光切割机：用于将硅片切割成晶圆。
3. 沉积设备：用于在晶圆表面上沉积材料。
4. 电子束曝光机：用于将芯片的图案曝光到光敏剂上。
5. 蚀刻设备：用于蚀刻多余的材料，形成芯片上的电路结构。
(整理)半导体基础知识.
1.1 半导体基础知识概念归纳本征半导体定义：纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
电流形成过程：自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。
绝缘体原子结构：最外层电子受原子核束缚力很强，很难成为自由电子。
绝缘体导电性：极差。
如惰性气体和橡胶。
半导体原子结构：半导体材料为四价元素，它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧。
半导体导电性能：介于半导体与绝缘体之间。
半导体的特点：★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。
★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。
晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。
共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。
自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。
空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。
电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。
空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。
本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。
自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。
载流子：运载电荷的粒子称为载流子。
导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。
本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。
本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。
复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。
动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。
载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。
第01章半导体器件的基础知识(精)
第01章半导体器件的基础知识1.1 半导体物理学概述1.1.1 半导体的定义半导体是指在温度为室温时，其导电性介于金属和非金属之间的材料。
室温下，半导体的导电性比金属低很多，但比非金属高很多。
1.1.2 能带模型能带模型是用来解释半导体电学性质的重要物理模型之一。
在能带模型中，半导体的能量带分为导带和价带。
导带的电子能量高，而价带的电子能量低，两个带之间有一条禁带（也称带隙），禁带内无可利用的电子。
1.1.3 杂质的作用在半导体中加入适量的杂质后，可以改变半导体的电学性质，如电导率、电子迁移率和载流子浓度等。
常用的杂质有掺杂剂和杂质氧化物等。
1.2 半导体器件的分类根据半导体器件的功能、工作原理和结构等不同属性，可以将其分为多种类型，其中常用的半导体器件有二极管、晶体管、场效应管、集成电路、发光二极管等。
1.2.1 二极管二极管是一种最简单的半导体器件，主要由P型半导体和N型半导体组成。
二极管的主要特点是只允许电流单向通过，具有整流、波形削减和电压稳定等特性，广泛应用于扫描电视机、颜色电视机、发光二极管等电子产品中。
1.2.2 晶体管晶体管是一种三层结构的半导体器件，由三种掺杂纯度不同的半导体材料组成：P型、N型和净掺杂型半导体。
晶体管主要有三种工作方式：放大、开关和振荡。
1.2.3 场效应管场效应管也称为MOS晶体管，是一种用于放大和开关的半导体器件。
场效应管是一种具有电容储能功能的半导体器件，由源、栅、漏三个电极组成，它的主要特点是具有高输入阻抗和良好的线性增益。
1.2.4 集成电路集成电路是一种将多个电子元件整合在单片半导体上的器件，其中包含大量的晶体管、二极管、电阻和电容等。
集成电路广泛应用于计算机、通信、汽车和家电等领域，对提高电路的性能、简化电路结构和减小体积有重要作用。
1.2.5 发光二极管发光二极管是一种具有半导体特性的器件，它能够在一定的外加电压下，将电能转换为光能，并向外辐射光线。
半导体知识点总结大全
半导体知识点总结大全引言半导体是一种能够在一定条件下既能导电又能阻止电流的材料。
它是电子学领域中最重要的材料之一，广泛应用于集成电路、光电器件、太阳能电池等领域。
本文将对半导体的知识点进行总结，包括半导体基本概念、半导体的电子结构、PN结、MOS场效应管、半导体器件制造工艺等内容。
一、半导体的基本概念（一）电子结构1. 原子结构：半导体中的原子是由原子核和围绕原子核轨道上的电子组成。
原子核带正电荷，电子带负电荷，原子核中的质子数等于电子数。
2. 能带：在固体中，原子之间的电子形成了能带。
能带在能量上是连续的，但在实际情况下，会出现填满的能带和空的能带。
3. 半导体中的能带：半导体材料中，能带又分为价带和导带。
价带中的电子是成对出现的，导带中的电子可以自由运动。
（二）本征半导体和杂质半导体1. 本征半导体：在原子晶格中，半导体中的电子是在能带中的，且不受任何杂质的干扰。
典型的本征半导体有硅（Si）和锗（Ge）。
2. 杂质半导体：在本征半导体中加入少量杂质，形成掺杂，会产生额外的电子或空穴，使得半导体的导电性质发生变化。
常见的杂质有磷（P）、硼（B）等。
（三）半导体的导电性质1. P型半导体：当半导体中掺入三价元素（如硼），形成P型半导体。
P型半导体中导电的主要载流子是空穴。
2. N型半导体：当半导体中掺入五价元素（如磷），形成N型半导体。
N型半导体中导电的主要载流子是自由电子。
3. 载流子浓度：半导体中的载流子浓度与掺杂浓度有很大的关系，载流子浓度的大小决定了半导体的电导率。
4. 质量作用：半导体中载流子的浓度受温度的影响，其浓度与温度成指数关系。
二、半导体器件（一）PN结1. PN结的形成：PN结是由P型半导体和N型半导体通过扩散结合形成的。
2. PN结的电子结构：PN结中的电子从N区扩散到P区，而空穴从P区扩散到N区，当N区和P区中的载流子相遇时相互复合。
3. PN结的特性：PN结具有整流作用，即在正向偏置时具有低电阻，反向偏置时具有高电阻。
半导体FAB里基本的常识简介
半导体FAB里基本的常识简介什么是半导体FAB？半导体FAB是指半导体制造厂的大型工厂和生产线。
FAB通常由设备、设施和人员组成，用于生产半导体芯片和产品。
FAB必须遵循非常严格和复杂的工艺流程，以确保生产出高质量、功能稳定的芯片。
FAB的主要流程在FAB中，有一些关键流程步骤需要严格控制，以确保芯片的一致性和质量。
主要的生产流程包括：晶圆制备晶圆制备是制造芯片的第一步。
制造晶圆 requires involves 一系列的机械和化学步骤，包括锯片、研磨、清洗和涂覆等一些处理。
晶圆清洗和去除杂质在晶圆制备后，需要对晶圆进行详细的清洗和去除杂质. 。
FAB将使用一些特殊的化学物质和处理技术，以确保晶圆的完全清洁，并消除任何可能影响芯片性能的杂质。
光罩制备光罩是制造芯片的关键部分，用于定义芯片上的芯片和线路。
在制造光罩时，FAB需要使用精密的图形布局技术，以确保所有芯片的一致性和精度。
光刻一经制作完成的光罩将放置于光刻机中，该机器将使用光来照射芯片表面以进行清晰的定义和芯片图形绘制。
薄膜制备在制造芯片过程中，需要沉积许多不同形状和材质的薄膜。
在制造过程中，芯片需要以不同的方式做出来，而不同的薄膜对不同芯片的形状和电子特性也有影响。
电子束热压制造电子束热压制造(EBM)是制造芯片的较新方法。
在EBM制造过程中，需要使一个线上材料易于加热和冷却。
这使FAB可以用更精密的方法制造芯片，尤其是对于小型化芯片来说非常关键。
常见问题FAB中遇到的问题在FAB中，许多问题会影响芯片的品质和生产效率。
例如，设备失效、设备运行不稳定、工艺流程问题、环境因素等. 。
FAB必须及时识别和解决这些问题，以确保产品质量，并减少生产成本。
SEMI标准SEMI标准是半导体行业中普遍使用的行业标准，用于支持并保证半导体生产中的各种过程。
这些标准涵盖了许多方面，包括设备接口、生产流程、控制体系和设备数据集成等。
FAB是制造芯片的重要环节，要维护高质量和高效率的制造效果，需要投入大量的资金和精力。
半导体方面的基本知识
半导体方面的基本知识嘿，朋友们！今天咱来聊聊半导体这个神奇的玩意儿。
半导体啊，就像是一个充满魔法的小世界。
你想想看，它小小的身体里却蕴含着巨大的能量和无数的可能性。
它就像一个超级百变侠，一会儿变成这个，一会儿又变成那个，在各种电子设备里大显身手。
比如说手机吧，没有半导体，那手机不就成了一块砖头啦！半导体在里面负责处理各种信息，让我们能愉快地刷视频、聊天、玩游戏。
它就像是手机的大脑，指挥着一切呢！再想想电脑，要是没有半导体，那电脑还能运行吗？那简直不敢想象呀！半导体的制造过程可不简单哦，就好像是精心雕琢一件艺术品。
从原材料的选取，到一道道复杂的工艺，每一步都得小心翼翼，不能有丝毫差错。
这就好比是做一道超级复杂的菜，盐不能多放，火候也得掌握好，不然味道可就不对啦！而且啊，半导体的发展速度那叫一个快！简直跟火箭似的。
每隔一段时间，就会有新的技术出现，让半导体变得更强大、更厉害。
这就好像我们小时候玩的游戏，不停地升级打怪，变得越来越强。
你们知道吗，半导体的应用可不仅仅局限在我们常见的这些电子设备里哦。
在医疗领域，它能帮助医生更好地诊断疾病；在交通领域，它让我们的出行更加智能和安全。
它就像是一个无处不在的小精灵，默默地为我们的生活带来便利和改变。
哎呀呀，半导体可真是太重要啦！我们的生活真的已经离不开它了。
它就像我们的好朋友一样，默默地陪伴着我们，让我们的生活变得更加丰富多彩。
所以说呀，大家可别小看了这小小的半导体哦！它虽然不显眼，但却有着大大的能量。
它就像是一颗隐藏在电子世界里的明珠，等待着我们去发现它的光芒。
怎么样，是不是对半导体有了更深的认识呢？以后再看到那些电子设备，可别忘了里面有半导体这个小功臣哦！。
半导体FAB里基本的常识简介
CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-MetalDielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-MetalDielectric)答：金属层间介电质层。
何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(UndopedSilicateGlass)何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(FluorinatedSilicateGlass)何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicateglass)答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)何谓dielectric蚀刻(介电质蚀刻)?答：Oxideetchandnitrideetch半导体中一般介电质材质为何?答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻?何谓SpinDryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓MaragoniDryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除何谓IPAVaporDryer答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除测Particle时,使用何种测量仪器?答：TencorSurfscan测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?答：膜厚计,测量膜厚差值何谓AEI答：Cl2,BCl3用于W金属蚀刻的主要气体为答：SF6何种气体为oxidevai/contactETCH主要使用气体?答：C4F8,C5F8,C4F6硫酸槽的化学成份为:答：H2SO4/H2O2AMP槽的化学成份为:答：NH4OH/H2O2/H2OUVcuring是什幺用途?答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度答：BufferedOxideEtcher。
半导体FAB里基本的常识简介
CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 \- W答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
常用的半导体材料为何' u* k9 `+ D1 v1 U# f5 [7 G答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 w& E4 B3 m. M( N( _; o4 D何谓VLSI' b5 w; M# }; b; @; \8 g3 P. G答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5 E3 U8 @- t& \t9 x5 L4 K% _2 f在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺0 r7 i, `/ G1 P! U" w! I答：介电质(Dielectric). w- j" @9 Y2 {0 L0 f w薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?4 Z* y3 A, G f+ z X* Y5 ?答：良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?% Y/ W) h' S6 J, l$ i5 B; f9 [答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ?" j% y7 O/ Q" m; N, b答：金属层间介电质层。
半导体制造、Fab以及Silicon Processing的基本知识(想入此行当的朋友请先)
半导体制造、Fab以及Silicon Processing的基本知识(想入此行当的朋友请先)最近天涯有不少的弟兄谈到半导体行业，以及SMIC、Grace等企业的相关信息。
在许多弟兄迈进或者想要迈进这个行业之前，我想有许多知识和信息还是需要了解的。
正在半导体制造业刚刚全面兴起的时候，我加入了SMIC，在它的Fab里做了四年多。
历经SMIC生产线建立的全部过程，认识了许许多多的朋友，也和许许多多不同类型的客户打过交道。
也算有一些小小的经验。
就着工作的间隙，把这些东西慢慢的写出来和大家共享。
如果有什么错误和不当的地方，请大家留贴指正。
从什么地方开始讲呢？就从产业链开始吧。
有需求就有生产就有市场。
市场需求（或者潜在的市场需求）的变化是非常快的，尤其是消费类电子产品这类产品不同于DRAM，在市场上总是会有大量的需求。
也正是这种变化多端的市场需求，催生了两个种特别的半导体行业——Fab和Fab Less Design House。
我这一系列的帖子主要会讲Fab，但是在一开头会让大家对Fab周围的东西有个基本的了解。
像Intel、Toshiba这样的公司，它既有Design的部分，也有生产的部分。
这样的庞然大物在半导体界拥有极强的实力。
同样，像英飞凌这样专注于DRAM的公司，活得也很滋润。
至于韩国三星那是个什么都搞的怪物。
这些公司，他们通常都有自己的设计部门，自己生产自己的产品。
有些业界人士把这一类的企业称之为IDM。
但是随着技术的发展，要把更多的晶体管集成到更小的Chip上去，Silicon Process的前期投资变得非常的大。
一条8英寸的生产线，需要投资7~8亿美金；而一条12英寸的生产线，需要的投资达12~15亿美金。
能够负担这样投资的全世界来看也没有几家企业，这样一来就限制了芯片行业的发展。
准入的高门槛，使许多试图进入设计行业的人望洋兴叹。
这个时候台湾半导体教父张忠谋开创了一个新的行业——foundry。
半导体基础小知识
半导体基础小知识半导体，这听起来是个有点高大上的玩意儿，可实际上呢，就像咱们日常生活里的小魔法一样，无处不在。
咱就说电脑吧，电脑里那些密密麻麻的电路啊，半导体就像是其中的小精灵。
半导体它有个很神奇的特性，既不像导体那么热情好客，让电流大摇大摆地通过；也不像绝缘体那样冷酷无情，把电流拒之门外。
它就像是一个有自己小脾气的守门人，有时候允许电流通过，有时候又把电流管得死死的。
这是为啥呢？这就跟它的内部结构有关啦。
半导体里有一些杂质，这些杂质就像在一群规规矩矩的士兵里混进去了几个调皮捣蛋的家伙，它们会改变半导体的导电性。
这就好比一个原本平静的班级，突然来了几个特别活跃的学生，整个班级的气氛都变得不一样了。
手机也是啊，现在谁能离得开手机呢？手机里的芯片就是半导体的大集合。
这些半导体芯片就像手机的大脑，指挥着手机干这个干那个。
如果没有半导体，手机就像一个没了灵魂的躯壳，啥也干不了。
你想啊，没有半导体芯片，手机怎么处理你那些五花八门的指令呢？就像人没有大脑，怎么能思考、怎么能行动呢？那半导体是怎么被制造出来的呢？这可不像咱们捏个泥人那么简单。
制造半导体得在超净的环境里，就像给半导体盖房子，得找个一尘不染的地方。
一点点灰尘，对于半导体来说，那就是大灾难，就好比在一碗香喷喷的米饭里掉进了一颗老鼠屎。
工人们得穿着特殊的工作服，戴着帽子、口罩，就像要去执行什么神秘任务一样。
他们使用各种高科技的设备，一层一层地在硅片上制造出半导体的各种结构。
这硅片就像是半导体的地基，其他的结构就在这个地基上慢慢搭建起来。
半导体的种类也不少呢。
有硅半导体，这就像是半导体家族里的老大哥，因为它用得最多。
还有化合物半导体，这就像是家族里的小老弟，虽然用得没那么广泛，但也有自己的独门绝技。
比如说在一些特殊的光电器件里，化合物半导体就大显身手了。
这就好比在一场比赛里，每个选手都有自己擅长的项目一样。
在现代社会里，半导体的作用简直太大了。
汽车里也有半导体，没有半导体，那些炫酷的电子设备在汽车里就没法工作。
半导体FAB里基本的常识简介
CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 \- W答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
常用的半导体材料为何' u* k9 `+ D1 v1 U# f5 [7 G答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 w& E4 B3 m. M( N( _; o4 D何谓VLSI' b5 w; M# }; b; @; \8 g3 P. G答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5 E3 U8 @- t& \t9 x5 L4 K% _2 f在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺0 r7 i, `/ G1 P! U" w! I答：介电质(Dielectric). w- j" @9 Y2 {0 L0 f w薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?4 Z* y3 A, G f+ z X* Y5 ?答：良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?% Y/ W) h' S6 J, l$ i5 B; f9 [答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ?" j% y7 O/ Q" m; N, b答：金属层间介电质层。
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1.晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷2.欧阳光明（2021.03.07）3.何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
4.常用的半导体材料为何？答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(AsGa)5.何谓VLSI？答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路6.在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什么？答：介电质(Dielectric).7.薄膜区机台主要的功能为何？答：沉积介电质层及金属层8.何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程9.CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)10.为什么要用铝铜(Al-Cu)合金作导线?答：良好的导体仅次于铜11.介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离12.何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质13.何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答：金属层间介电质层。
14.何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)15.何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)16.何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)17.何谓TEOS?答：Tetra-ethoxy-silane四乙氧基硅烷, 正硅酸四乙酯,用途为沉积二氧化硅18.TEOS在常温时是以何种形态存在?答：液体19.二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍20.氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体21.简述Endpoint detector之作用原理答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.22.机台使用的管件材料主要有那些?答：有不锈钢制(StainlessSteal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.23.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答：告知所有的人勿操作机台，避免危险24.机台维修至少两人配合，有何目的?答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生25.更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏.26.维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作27.何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什么?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.28.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力29.何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.30.机台设定许多interlock有何作用?答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.31.Wafer Scrubber的功能为何?答：移除芯片表面的污染粒子,Scrubber(Wafer clean)机台是水清洗wafer表面，去除wafer表面外来的微尘颗粒(particle).32.何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
33.蚀刻种类:答：(1) 干蚀刻; (2) 湿蚀刻34.蚀刻对象依薄膜种类可分为:答：poly, oxide, metal35.半导体中一般金属导线材质为何?答：钨线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)36.何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?答：Oxide etch and nitride etch（Si3N4）SiO2(k=3.9),Si3N4膜介电常数高达6-7单晶硅的相对介电常数是11.7±0.2，多晶硅导电性不如金属，限制了讯号传递的速度。
虽然可以利用掺杂的方式改善其导电性，但成效仍然有限。
有些熔点比较高的金属材料如：钨（Tungsten）、钛（Titanium）、钴（Cobalt）或是镍（Nickel）被用来和多晶硅制成合金。
这类混合材料通常称为金属硅化物（silicide）。
加上了金属硅化物的多晶硅栅极有比较好的导电特性，而且又能够耐受高温制程。
此外因为金属硅化物的位置是在栅极表面，离通道区较远，所以也不会对MOSFET的临界电压造成太大影响。
在栅极、源极与漏极都镀上金属硅化物的制程称为“自我对准金属硅化物制程”（Self-Aligned Silicide），通常简称salicide制程37.半导体中一般介电质材质为何?答：氧化硅/氮化硅38.何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除39.何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压40.何谓干式蚀刻?答：利用plasma将不要的薄膜去除41.何谓Under-etching(蚀刻不足)?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留42.何谓Over-etching(过蚀刻)答：蚀刻过多造成底层被破坏)43.何谓Etch rate(蚀刻速率)答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度44.何谓Seasoning(陈化处理)45.答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。
46.Asher的主要用途:答：光阻去除47.Wet bench dryer 功用为何?答：将晶圆表面的水份去除48.列举目前Wet bench dry方法答：(1) Spin Dryer(2) Marangoni dry(3) IPA Vapor Dry49.何谓 Spin Dryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除50.何谓 Maragoni Dryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除51.何谓 IPA Vapor Dryer答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除52.测Particle时,使用何种测量仪器?答：Tencor Surfscan53.测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?答：膜厚计,测量膜厚差值54.何谓 AEI'答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查55.AEI目检Wafer须检查哪些项目:答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确56.金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?答：清机防止金属污染问题57.金属蚀刻机台Asher的功用为何?答：去光阻及防止腐蚀58.金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?答：因为金属线会溶于硫酸中59."Hot Plate"机台是什么用途?答：烘烤60.Hot Plate 烘烤温度为何?答：90~120℃'61.何种气体为Poly ETCH主要使用气体?答：Cl2, HBr, HCl62.用于Al金属蚀刻的主要气体为：答：Cl2, BCl363.用于W金属蚀刻的主要气体为答：SF664.何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体?答：C4F8, C5F8,C4F665.硫酸槽的化学成份为:答：H2SO4/H2O2.66.AMP槽的化学成份为:答：NH4OH/H2O2/H2O67.UV curing 是什么用途?答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度"UV curing"用于何种层次?答：金属层,68.何谓EMO?答：机台紧急开关69.EMO作用为何?答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下70.湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门 (3) 化学药剂危险.严禁打开此门71.遇化学溶液泄漏时应如何处置?答：严禁以手去测试漏出之液体.应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路.72.遇 IPA 槽着火时应如何处置??答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组73.BOE槽之主成份为何?答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).74.BOE为那三个英文字缩写 ?答：Buffered Oxide Etcher 。
75.有毒气体之阀柜(VMB)功用为何?答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出76.电浆的频率一般13.56 MHz,为何不用其它频率?答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等77.何谓ESC(electrical static chuck)答：利用静电吸附的原理, 将Wafer 固定在极板 (Substrate)78.Asher主要气体为答：O279.Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何?答：温度80.简述TURBO PUMP 原理答：利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR81.热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何？答：将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地'82.简述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理？答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化83.ORIENTER 之用途为何？答：搜寻notch边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题84.简述EPD之功用答：侦测蚀刻终点;End point detector利用波长侦测蚀刻终点85.何谓MFC？答：mass flow controler气体流量控制器;用于控制反应气体的流量86.GDP 为何?答：气体分配盘(gas distribution plate)87.GDP 有何作用？答：均匀地将气体分布于芯片上方88.何谓 isotropic etch?答：等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等89.何谓 anisotropic etch?答：非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少90.何谓 etch 选择比?答：不同材质之蚀刻率比值91.何谓AEI CD?答：蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(CriticalDimension)92.何谓CD bias?答：蚀刻CD减蚀刻前黄光CD93.简述何谓田口式实验计划法?答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析94.何谓反射功率?答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射掉,此反射之量,称为反射功率95.Load Lock 之功能为何?答：Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响.96.厂务供气系统中何谓 Bulk Gas ?答：Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体, 如 N2, O2, Ar 等97.厂务供气系统中何谓Inert Gas?答：Inert Gas 为一些特殊无强烈毒性的气体, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等.98.厂务供气系统中何谓Toxic Gas ?答：Toxic Gas 为具有强烈危害人体的毒性气体, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等.99.机台维修时,异常告示排及机台控制权应如何处理?答：将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作100.冷却器的冷却液为何功用 ?答：传导热101.E tch之废气有经何种方式处理?答：利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽102.何谓RPM?答：即Remote Power Module,系统总电源箱.103.火灾异常处理程序答：(1) 立即警告周围人员. (2) 尝试3秒钟灭火.(3)按下EMO停止机台. (4)关闭VMB Valve并通知厂务. (5) 撤离104.一氧化碳(CO)侦测器警报异常处理程序答：(1) 警告周围人员.(2)按Pause 键,暂止Run货. (3) 立即关闭VMB阀,并通知厂务. (4) 进行测漏.105.高压电击异常处理程序答：(1) 确认安全无虑下,按 EMO键(2) 确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3) 处理受伤人员106.T/C (传送Transfer Chamber) 之功能为何?答：提供一个真空环境, 以利机器手臂在反应腔与晶舟间传送 Wafer,节省时间.107.机台PM时需佩带面具否答：是,防毒面具108.机台停滞时间过久run货前需做何动作答：Seasoning(陈化处理); 109.何谓日常测机答：机台日常检点项目, 以确认机台状况正常110.何谓WAC (Waferless Auto Clean)答：无wafer自动干蚀刻清机111.何谓Dry Clean答：干蚀刻清机112.日常测机量测etch rate之目的何在?答：因为要蚀刻到多少厚度的film,其中一个重要参数就是蚀刻率113.操作酸碱溶液时,应如何做好安全措施?答：(1) 穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜(2) 操作区备有清水与水管以备不时之需(3) 操作区备有吸酸棉及隔离带114.如何让chamber达到设定的温度?'答：使用heater和chiller 115.C hiller之功能为何?答：用以帮助稳定chamber温度116.如何在chamber建立真空?答：(1) 首先确立chamber parts组装完整(2) 以dry pump作第一阶段的真空建立(3) 当圧力到达100mT 时再以turbo pump 抽真空至1mT以下117.真空计的功能为何?答：侦测chamber的压力,确保wafer在一定的压力下118.p rocess Transfer module 之robot 功用为何?答：将wafer 传进chamber与传出chamber之用119.何谓MTBC? (mean time between clean)答：上一次wet clean 到这次wet clean 所经过的时间)120.R F Generator 是否需要定期检验?答：是需要定期校验；若未校正功率有可能会变化;如此将影响电浆的组成121.为何需要对etch chamber温度做监控?答：因为温度会影响制程条件；如etching rate/均匀度122.为何需要注意dry pump exhaust pressure (pump 出口端的气压)?答：因为气压若太大会造成pump 负荷过大,造成pump跳掉，影响chamber的压力,直接影响到run货品质123.为何要做漏率测试? (Leak rate )答：(1) 在PM后PUMP Down1~2小时后;为确保chamber Run 货时,无大气进入chamble 影响chamber GAS 成份(2) 在日常测试时，为确保chamber 内来自大气的泄漏源,故需测漏。