内存测试

RST内存检测软件使用说明 分类： | 编辑 | 删除 | 转自：原文地址 被0人转藏 +放进我的宝盒 2010-5-17 9:47:43 RST内存检测软件使用说明（RST只能检测SD和DDR内存，DDR2 DDR3可能不支持）google_protectAndRun("render_ads.js::google_render_ad", google_handleError, google_render_ad); 工厂检测内存条质量的软件Ram Stress Test，只要有一丁点问题，都能检查出来，推荐大家使用，各位一定都碰到过，提示内存不能为READ，或者WRITTEN的情况，很多时候都是软件问题，要解决他首先检查内存条的质量，然后再从软件去找问题。这个软件是最专业的，比那个MEMREST还好，只需要检查一边，好就是好，坏的就是坏的。这个软件确实很好，内存坏的话会显示红色，并且报警。但是只能检测一代内存，二代内存就需要微软的检测工具了。

Ram Stress Test是美国Ultra-X公司旗下的一个专业记忆体测试程式，是专门给系统生产厂商出机前用的测试程式，他其实是从其他的产品独立出来的一项测试，该公司专作系统测试的软硬体，方便生产厂商将产品做详细测试，至于R.S.T.在目前记忆体生产业使用非常普遍，因为经过他的测试几乎就能应付大部分的记忆体问题，所以是非常好用的一个测试工具！！
使用非常简易，只要设定为软碟开机就行了，他是一个独立开发的系统，没有依附任何作业系统，相容于x86系列，只要BIOS认的到的容量他都能测！！
　发现 ATS 选项错误，在BIOS中，记忆体选项设成Auto时，记忆体的CL=2，改成Manual，自设CL=2.5时，上述选项才能通过。
附件IMZ需要用winImage展开到软盘上，然后用此软盘启动系统。
附件NRG是用Nero烧录可启动光盘的软盘镜像文件。
程序执行后，第一选项是测试物理内存中基本内存地址（<640K），第二项是扩展内存地址，第三项是测试你CPU的L2 cache。


☆　可以测试SD及DDR内存。

☆　闪动数字——0123456789ABCDEF0123456789ABCDEF 0123456789ABCDEF0123456789ABCDEF
依次代表内存条的8颗颗粒。
从左到右横着数：0-7代表第1颗粒区域、8-F代表第2颗粒、0-7代表第3颗粒、8-F代表第4颗粒、0-7代表第5颗粒代、8-F代表第6颗粒、0-7代表第7颗粒、8-F代表第8颗粒

☆　点不亮内存的测试方法——很多内存短路或者颗粒损坏后都不能点亮，点不亮的可以用一根好的内存去带动它（可解决部分点不亮问题）。必须SD的带SD的，DDR的带DDR的。本软件会自动跳过好的去检测坏的那根。

☆　发现 ATS 选项错误，在BIOS中，记忆体选项设成Auto时，记忆体的CL=2，改成Manual，自设CL=2.5时，上述选项才能通过。

☆　程序执行后，第一选项是测试物理内存中基本内存地址（<640K），第二

项是扩展内存地址，第三项是测试CPU的 L2 cache。



RAM测试软件说明书
(R.S.T )UX版

闪动的一排测试数字代表内存8颗粒的测试情况。

从左至右，0-7代表第一区域，8-F代表第二区域;0-7代表第三区域,8-F代表第四区域;……依次代表内存条的8颗颗粒。



⒈DDR8位与16位的单面测法:

⑴. 0-7(1 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第1颗粒已经损坏

⑵. 8-F(2 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第2颗粒已经损坏

⑶. 0-7(3 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第3颗粒已经损坏

⑷. 8-F(4 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第4颗粒已经损坏

⑸. 0-7(5 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第5颗粒已经损坏

⑹. 8-F(6 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第6颗粒已经损坏

⑺. 0-7(7 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第7颗粒已经损坏

⑻. 8-F(8 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第8颗粒已经损坏

注意DR的颗粒排列循序是1-2-3-4-5-6-7-8



⒉如果你是128M的双面DDR内存,如以上显示界面图:



1-16M ------------------------------------------------------------------------------------------------------------



16-32M -------------------------------------------------------------------------------------------------------



32-48M ------------------------------------------------------------------------------------------------------------



48-64M-------------------------------------------------------------------------------------------------------------

从1M到64M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第一面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)

64-80M ------------------------------------------------------------------------------------------------------------



80-96M -------------------------------------------------------------------------------------------------------



96-112M------------------------------------------------------------------------------------------------------------

112-128M----------------------------------------------------------------------------------------------------------

从64M到128M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第二面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)



注意:在内存的PCB板上的两边标着1与92的代表第一面，93与184的代表第二面。1-128M的8根虚线是用来区分两面区域的作用.



⒊SD的8位与16位的单面测法:

⑴. 0-7(1)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第8颗粒已经损坏

⑵. 8-F(2)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第4颗粒已经损坏

⑶. 0-7(3)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第7颗粒已经损坏

⑷. 8-F(4

)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第3颗粒已经损坏

⑸. 0-7(5)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第6颗粒已经损坏

⑹. 8-F(6)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第2颗粒已经损坏

⑺. 0-7(7)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第5颗粒已经损坏

⑻. 8-F(8)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第1颗粒已经损坏

（注： PCB板上从1到84为第一面，颗粒的排列顺序从1到84为8-7-6-5-4-3-2-1，切记注意）

4.通过以上的介绍，说明SD的双面是跟DDR的是一样的。但是颗粒的好坏判断要按照

它们的排列循序来判断。

5.PCB板的短路或者虚焊的测法:如果在8根虚线上都出现乱码，说明这根内存的PCB板有问题

6.点不亮的内存的测试方法: 很多内存短路或者颗粒损坏后都不能点亮，点不亮的可以用一根好的内存去带动它。必须SD的带SD的，DDR的带DDR的。本软件会自动跳过好的那根去检测坏的那根。

7.使用方法:直接把光盘插入光驱,在主板的CMOS里设置光驱起动, 启动后本软件会自动引导到测试界面进行检测。











RAM测试软件说明书

(R.S.T )UX版

以下是内存测试软件的界面图:














0123456789ABCDEF0123456789ABCDEF 0123456789ABCDEF0123456789ABCDEF

1
2
3
4
5
6
7
8



如上图所示:

闪动的一排测试数字代表内存8颗粒的测试情况。

从左至右，0-7代表第一区域，8-F代表第二区域;0-7代表第三区域,8-F代表第四区域;……依次代表内存条的8颗颗粒。



⒈DDR8位与16位的单面测法:

⑴. 0-7(1 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第1颗粒已经损坏

⑵. 8-F(2 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第2颗粒已经损坏

⑶. 0-7(3 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第3颗粒已经损坏

⑷. 8-F(4 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第4颗粒已经损坏

⑸. 0-7(5 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第5颗粒已经损坏

⑹. 8-F(6 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第6颗粒已经损坏

⑺. 0-7(7 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第7颗粒已经损坏

⑻. 8-F(8 )区域如果出现乱码,代表这根DDR内存条的第8颗粒已经损坏

注意:DDR的颗粒排列循序是1-2-3-4-5-6-7-8



⒉如果你是128M的双面DDR内存,如以上显示界面图:



1-16M ------------------------------------------------------------------------------------------------------------



16-32M -------------------------------------------------------------------------------------------------------



32-48M -----------------------------------------------------------------------------------------------

-------------



48-64M-------------------------------------------------------------------------------------------------------------

从1M到64M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第一面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)

64-80M ------------------------------------------------------------------------------------------------------------



80-96M -------------------------------------------------------------------------------------------------------



96-112M------------------------------------------------------------------------------------------------------------

112-128M----------------------------------------------------------------------------------------------------------

从64M到128M的上面的4根虚线上出现乱码的话,说明这根内存的的第二面的颗粒有问题(判断哪个颗粒的好坏按照以上的说明)



注意:在内存的PCB板上的两边标着1与92的代表第一面，93与184的代表第二面。1-128M的8根虚线是用来区分两面区域的作用.



⒊SD的8位与16位的单面测法:

⑴. 0-7(1)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第8颗粒已经损坏

⑵. 8-F(2)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第4颗粒已经损坏

⑶. 0-7(3)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第7颗粒已经损坏

⑷. 8-F(4)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第3颗粒已经损坏

⑸. 0-7(5)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第6颗粒已经损坏

⑹. 8-F(6)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第2颗粒已经损坏

⑺. 0-7(7)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第5颗粒已经损坏

⑻. 8-F(8)区域如果出现乱码,代表这根SDR内存条的第1颗粒已经损坏

（注： PCB板上从1到84为第一面，颗粒的排列顺序从1到84为8-7-6-5-4-3-2-1，切记注意）

4.通过以上的介绍，说明SD的双面是跟DDR的是一样的。但是颗粒的好坏判断要按照

它们的排列循序来判断。

5.PCB板的短路或者虚焊的测法:如果在8根虚线上都出现乱码，说明这根内存的PCB板有问题

6.点不亮的内存的测试方法: 很多内存短路或者颗粒损坏后都不能点亮，点不亮的可以用一根好的内存去带动它。 必须SD的带SD的，DDR的带DDR的。本软件会自动跳过好的那根去检测坏的那根。

7.使用方法:直接把光盘插入光驱,在主板的CMOS里设置光驱起动, 启动后本软件会自动引导到测试界面进行检测

















单向双端口SRAM的检测算法

目前对存储器的检测算法主要基于功能级的失效模型，测试算法必须满足失效发生的条件，通过写入或读出测试向量激活失效，并通过读操作检测出来。当读出值与预期值不同时，可以判定存储器失效。

队列测试方法具有测试时间短、结构简单、易于用自检测电路实现而被普遍采用。它包含了一组测试元素，时间复杂度为O (n)，n表示存储单元的容量。以MATS+法为例，表示方法为{ (Write0)m1；( read0，Write1)m2；( read1，Write0)m3}，包括了3组测试元素M1、M2、M3，其中T ( read1，Write0)表示以地址递减的顺序对每一个单元进行读1和写0操作，总的时间复杂度为5n。

由于读写操作都是基于字的，因此采用基于字的检测方法，把失效检测划分成三部分，字间失效检测、字内失效检测和同时读写失效检



测。下面以3位字长的单向双端口存储器为例来说明测试算法。

字间失效检测

字间检测采用传统的队列测试算法，March C+算法覆盖了固定0/1失效，固定开路失效和转换失效，地址失效和字间耦合失效，基于字的MarchC+算法表示为：


时间复杂度为14B，B为存储器字的容量。

字内失效检测

字内检测针对字内各存储位之间的耦合失效，考虑字内任意一位会受到两侧相邻位的耦合，可以构造出图2中的状态图。图2覆盖了所有的状态和相邻位之间的耦合失效，圆圈表示相邻三位的状态，连线上的符号表示由状态转换引起的失效类型，以〈W1，W1：↓〉为例，表示了对两侧相邻位写入1时置中间位为0，则时写入111并读出可以检测这一失效。因此，对相邻三位执行下列操作序列，

Write000，Write111，read111，read111，Write000，read000，read000，
Write001，Write110，read110，read110，Write001，read001，read001，
Write010，Write101，read101，read101，Write010，read010，read010，
Write011，Write100，read100，read100，Write011，read011，read011，

可以检测出相邻位之间的耦合失效。在测试序列中包括了两次连续的读出，第一次读出检测由前一次写操作引起的失效，第二次读出检测由第一次读出引起的失效。

将上述的检测序列转化成队列测试的形式，得到如下的结果：


时间复杂度为35B，B为存储器字的容量。字内失效检测算法和字间失效检测算法包含了相同的测试元素，因此对两种算法进行合并，在失效覆盖率相同的情况下，减小测试的时间复杂度。可以得到如下结果：



时间复杂度为41B，B为存储器字的容量