武汉理工材料科学基础考研名词解释
材料科学基础 名词解释
1.滑移系:一个滑移面和此面上的一个滑移方向结合起来组成一个滑移系。
2.合金:两种或两种以上的金属,或金属与非金属,晶熔炼或烧结、或用其他方法
形成的具有金属特性的物质。
3.枝晶偏析:一个晶粒内部化学成分不均匀的现象。
4.奥氏体:碳在 -Fe中形成的间隙固溶体。
5.加工硬化:随着冷变形程度的增加,金属的强度、硬度增加,而塑性、韧性下降
的现象。
6.离异共晶:共晶中的一相依附在先共晶相上而形成的两相分离的共晶组织。
7.成分过冷:由于液相成分变化与实际温度分布共同决定的过冷,称为成分过冷。
武汉理工大学《材料科学基础》考研核心题库及答案
Test of Fundamentals of Materials Science 材料科学基础试题库武汉理工大学材料科学与工程学院一、填空题0001.烧结过程的主要传质机制有_____、_____、_____ 、_____,当烧结分别进行四种传质时,颈部增长x/r与时间t的关系分别是_____、_____、_____ 、_____。
0002.晶体的对称要素中点对称要素种类有_____、_____、_____ 、_____ ,含有平移操作的对称要素种类有_____ 、_____ 。
0003.晶族、晶系、对称型、结晶学单形、几何单形、布拉菲格子、空间群的数目分别是_____、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 。
0004.晶体有两种理想形态,分别是_____和_____。
0005.晶体是指内部质点排列的固体。
0006.以NaCl晶胞中(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,属于这个球的八面体空隙数为,所以属于这个球的四面体空隙数为。
0007.与非晶体比较晶体具有自限性、、、、和稳定性。
0008.一个立方晶系晶胞中,一晶面在晶轴X、Y、Z上的截距分别为2a、1/2a 、2/3a,其晶面的晶面指数是。
0009.固体表面粗糙度直接影响液固湿润性,当真实接触角θ时,粗糙度越大,表面接触角,就越容易湿润;当θ,则粗糙度,越不利于湿润。
0010.硼酸盐玻璃中,随着Na2O(R2O)含量的增加,桥氧数,热膨胀系数逐渐下降。
当Na2O含量达到15%—16%时,桥氧又开始,热膨胀系数重新上升,这种反常现象就是硼反常现象。
0011.晶体结构中的点缺陷类型共分、和三种,CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为。
0012.固体质点扩散的推动力是________。
0013.本征扩散是指__________,其扩散系数D=_________,其扩散活化能由________和_________ 组成。
材料科学基础名词解释(全)
晶体:即内部质点在三维空间呈周期性反复分列的固体.非晶体:原子没有长程的分列,无固定熔点.各向同性等.晶体构造:指晶体华夏子或分子的分列情形,由空间点阵和构造基元构成.空间点整:指几何点在三维空间作周期性的规矩分列所形成的三维阵列,是工资的对晶体构造的抽象.晶面指数:结晶学顶用来暗示一组平行晶面的指数.晶胞:从晶体构造中掏出来的反应晶体周期性和对称性的反复单元.晶胞参数:晶胞的外形和大小可用六个参数来暗示,即晶胞参数.离子晶体晶格能:1mol离子晶体中的正负离子,由互相远离的气态联合成离子晶体时所释放的能量.原子半径:从原子核中间到核外电子的几率散布趋势于零的地位间的距离.配位数:一个原子或离子四周同种原子或异号离子的数量.极化:离子慎密聚积时,带电荷的离子所产生的电厂必定要对另一个离子的电子云产生吸引或排挤感化,使之产生变形,这种现象称为极化.同质多晶:化学构成雷同的物资在不合的热力学前提下形成构造不合的晶体的现象.类质同晶:化学构成类似或邻近的物资在雷同的热力学前提下形成具有雷同构造晶体的现象.铁电体:指具有自觉极化且在外电场感化下具有电滞回线的晶体.正.反尖晶石:在尖晶石构造中,假如A离子占领四面体闲暇,B离子占领八面体闲暇,称为正尖晶石.假如半数的B离子占领四面体闲暇,A离子和别的半数的B离子占领八面体闲暇则称为反尖晶石.反萤石构造:正负离子地位刚好与萤石构造中的相反.压电效应:因为晶体在外力感化下变形,正负电荷中间产生相对位移使晶体总电矩产生变更.构造缺点:平日把晶体点阵构造中周期性势场的畸变称为构造缺点.空位:斧正常结点没有被质点占领,成为空结点.间隙质点:质点进入正常晶格的间隙地位.点缺点:缺点尺寸处于原子大小的数量级上,三维偏向上的尺寸都很小.线缺点:指在一维偏向上偏离幻想晶体中的周期性.规矩性分列而产生的缺点.面缺点:是指在二维偏向上偏离幻想晶体中的周期性.规矩性分列而产生的缺点.弗伦克尔缺点:质点分开正常格点落后入到晶格间隙地位,特点是空位和间隙质点成对消失.肖特基缺点:质点由概况地位迁徙到新概况地位,在晶体概况形成新的一层,同时在晶体内部留下空位,特点是正负离子空位成比例消失.非化学计量缺点:是指构成上偏离化学中的定比定律所形成的缺点.电荷缺点:是指质点分列的周期性未受到损坏,但因电子或空穴的产生,使周期性势场产生畸变所产生的缺点.辐照缺点:指材料在辐照下所产生的构造的不完全性.位错:晶体已滑移部分和未滑移部分的交线.混杂位错:晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不服行滑移偏向的位错.晶界:不合取向的晶粒之间的界面.堆垛层错:是斧正常堆垛次序中引入不正常次序堆垛的原子面而产生的一类面缺点.固溶体:将外来组元引入晶体,占领基质晶体质点地位或间隙地位的一部分,仍保持一个晶相,这种晶体称为固溶体.置换型固溶体:溶质原子位于点阵结点上,替代了部分溶剂原子.间隙型固溶体:溶质原子位于点阵的间隙中.非化学计量化合物:正负离子比例不成固定比例关系的一些化合物.色心:是因为电子抵偿而引起的一种缺点.熔体:特指加热到较高温度才干液化的物资的液体,即较高熔点物资的液体.熔融石英的分化进程:在氧化钠感化下,使架状{sio4}断裂的进程.缩聚:由分化进程产生的低聚合物不是一成不变的,它可以互相产生感化,形成级次较高的聚合物,同时释放出部分氧化钠,这个进程称为缩聚.桥氧.非桥氧:在硅酸盐熔体中,与两个si相连的氧称为桥氧,与一个si相连的氧称为非桥氧.粘度:是流体抵抗流淌的量度.物理意义:指单位面积.单位速度梯度下两层液体间的内摩擦力.硼反常现象:这种因为硼离子配位数变更引起机能曲线上消失转折的现象称为概况张力物理意义:感化于概况单位长度上与概况相切的力.概况能:在恒温恒压下增长一个单位概况积时所做的功.玻璃:由熔体过冷而形成的一种无定形固体.均态核化:假如熔体内部自觉成核,称为~.非均态核化:假如是由概况.界面效应,杂质或引入晶核剂等各类身分安排的成核进程,称为~.依据单键能的大小,可将氧化物分为三类:(1)玻璃收集形成体:其单键强度大于335kj/mol,这类氧化物能单独形成玻璃.(2)收集改变体:单键强度小于250,这类氧化物不克不及形成玻璃,但能改变收集构造,从而使玻璃性质改变.(3)收集中央体:其单键强度介于250~335,这类氧化物的感化介于玻璃形成体和收集改变体之间.界面:相邻两个结晶空间的接壤面.物体概况:晶体三维周期构造和真空之间的过渡区域润湿现象分为:沾湿.浸湿.铺展.接触角小于90,可润湿,大于90,不成润湿扬德方程:粘附功:指把单位粘附界面拉开所需的功.相:体系中具有雷同物理与化学性质的完全平均部分的总和称为相.组元:体系中每一个能单独分别出来并能自力消失的化学纯物资称为组元.自力组元:足以暗示形成均衡体系中各相构成所须要的起码数量标组元称为自力组元.自由度:在必定规模内,可以随意率性改变而不引起旧相消掉或新相产生的自力变量.吉布斯相律:F=C-P+n相律肯定了多相均衡体系中,体系的自由度数.自力组元数.相数和对体系的均衡状况可以或许产生影响的外界影响身分数之间的关系.运用相律可以很快的肯定均衡体系的自由度数量.凝集体系:没有气相或气相影响可疏忽不计的体系称为~.相均衡:当外界前提不变时假如体系的各类性质不随时光而改变,则体系处于均衡状况.相图:依据多相均衡的实验成果,可以绘制成几何图形用来描写这些在均衡状况下的变更关系,这种图形称为~.一致熔熔化合物:是一种稳固的化合物,与正常的纯物资一样具有固定的熔点,熔化时所产生的液相与化合物构成雷同.不一致熔熔化合物:是一种不稳固的化合物,加热这种化合物到某一温度便产生分化,分化的产品是一种液相和一种晶相,二者构成和化合物构成皆不合.可逆多晶改变相图特色:多晶改变温度低于两种晶型熔点.不成逆相反.一级变体之间的改变:不合系列和熔体之间的改变.二级变体间的改变:同系列的不合形态之间的改变,也称高下温型改变.集中:当物资内有梯度消失时,因为热活动而触发的质点定向迁徙即集中.(集中是一种传质进程,宏不雅上表示为物资的定向迁徙,本质是质点的无规矩活动)集中通量:单位时光内经由过程垂直于X轴的单位面积的原子数量.集中系数:单位浓度梯度下的集中通量.稳态集中:集中体系中,空间中随意率性一点的浓度不随时光变更,集中通量不随地位变更.非稳态集中:···,空间随意率性一点的浓度随时光变更,集中通量随地位变更.相变:在外界前提产生变更的进程中,物相于某一特定的前提下产生突变.一级相变:在临界温度.临界压力时,两相化学位相等,但化学位的一阶偏导数不相等的相变.二级相变:相变时化学位及其一阶偏导数相等,而二阶偏导数不相等的相变.集中型相变:在相变时依附原子的集中来进行的相变.无集中型相变:相变进程不消失原子的集中,或虽消失集中,但不是集中所必须的或不是重要进程的相变即为.重构型相变:相变前后有旧键损坏和新键形成,相变所需的能量高.速度慢,此类相变称为.位移型相变:相变时只是原子间键长.键角的调剂,没有旧键损坏和新键形成,相变的能量低,速度快,此类相变称为.成核速度:单位时光单位体积母相中形成新相焦点的数量.晶化速度(长大速度):单位时光新相尺寸的增长.液相不混溶或玻璃的分相:一个平均的液相或玻璃相在必定的温度和构成规模内有可能分成两个互不消融或部分消融的液相或玻璃相,并互相共存的现象.上坡集中:改变时产生浓度低的向浓度高的偏向集中,产生成分的偏聚而不是成分的均化.集中掌握的长大:新相长大速度受溶质原子的集中速度所掌握.界面掌握的长大:晶体发展取决于分子或原子从熔体中向界面集中与其反向集中之差.固态反响:固体直接介入反响并起化学变更,同时至少在固体内部或外部的一个进程中起掌握感化的反响.固态反响的两个进程:相界面上的化学反响和固相内的物资迁徙.持续反响:在固态反响中,有时反响不是一步完成,而是经由不合的中央产品才最终完成,称为持续反响.当集中速度弘远于化学反响速度时,解释化学反响掌握此进程,称为化学动力学规模.特色是:反响物经由过程产品层的集中速度弘远于接触面上的化学反响速度.泰曼温度:一种反响物开端呈现明显集中的温度.烧结宏不雅界说:粉体原料经由成型.加热到低于熔点的温度,产生凝结.气孔率降低.压缩加大.致密度进步.晶粒增大,成为坚硬的烧结体,这个进程称为烧结.烧结微不雅界说:固体平分子或原子间消失互相吸引,经由过程加热使质点获得足够的能量进行迁徙,使粉末体产生颗粒粘结,产生强度并导致致密化和再结晶的进程称为烧结.固相烧结:是指松散的粉末或经压抑具有必定外形的粉末压坯被置于不超出其熔点的设定温度中在必定的氛围呵护下,保温一准时光的操纵进程.液相烧结:烧结温度超出某一构成的熔点,因而形成液相.初次再结晶:指从塑性变形的.具有应变的基质中,发展出新的无应变晶粒的成核和长大进程.二次再结晶:是坯体中少数大晶粒尺寸的平常增长,其成果是个体晶粒尺寸的增长.。
材料科学基础名词解释(期末考研专用)
第一章原子结构与键合金属键:自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。
离子键:金属原子自己最外层的价电子给予非金属原子,使自己成为带正电的正离子,而非金属得到价电子后使自己成为带负电的负离子,这样正负离子靠它们之间的静电引力结合在一起。
共价键:由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。
氢键:由氢原子同时与两个电负性相差很大而原子半径较小的原子(O,F,N等)相结合而产生的具有比一般次价键大的键力。
范德华力:借助微弱的、瞬时的电偶极矩的感应作用将原来具有稳定的原子结构的原子或分子结合为一体的键合。
第二章固体结构晶体结构:晶体中原子(分子或离子)在三维空间的具体排列方式,其类型取决于原子的结合方式,阵点的位置上可以是一个或多个实际质点或者原子团,其种类可以是无限的。
空间点阵:指几何点在三维空间作周期性的规则排列所形成的三维阵列,是人为的对晶体结构的抽象。
点阵畸变:在局部范围内,原子偏离其正常的点阵平衡位置,造成点阵畸变。
晶胞:在点阵中取出一个具有代表性的基本单元(最小平行六面体)作为点阵的组成单元,称为晶胞。
晶格:人为地将阵点用一系列相互平行的直线连接起来形成空间架格。
晶格畸变:点缺陷破坏了原子的平衡状态,使晶格发生扭曲,称晶格畸变。
从而使强度、硬度提高,塑性、韧性下降;电阻升高,密度减小等。
晶体:原子按一定方式在三维空间内周期性地规则重复排列,有固定熔点、各向异性。
非晶体:原子没有长程的周期排列,无固定的熔点,各向同性等。
晶带轴:所有平行或相交于某一晶向直线的晶面构成一个晶带,此直线称为晶带轴。
致密度:晶体结构中原子体积占总体积的百分数。
配位数:晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。
密勒指数:由晶面指数和晶向指数组成,晶面指数表示晶面的方向,晶向指数表示晶体中点阵方向。
固溶体:是以某一组元为溶剂,在其晶体点阵中溶入其他组元原子(溶剂原子)所形成的均匀混合的固态溶体,它保持溶剂的晶体结构类型。
武汉理工材料科学基础
第二章晶体结构2.1 结晶学基础1、概念:晶体:晶体是内部质点在三维空间成周期性重复排列的固体,即晶体是具有格子构造的固体。
晶胞:晶胞是从晶体结构中取出来的反映晶体周期性和对称性的最小重复单元。
晶胞参数:胞的形状和大小可以用6个参数来表示,此即晶格特征参数,简称晶胞参数。
七大晶系:布拉菲依据晶胞参数之间关系的不同,把所有晶体划归为7类,即7个晶系。
晶面指数:结晶学中经常用(hkl)来表示一组平行晶面,称为晶面指数。
数字hkl是晶面在三个坐标轴(晶轴)上截距的倒数的互质整数比。
晶面族:晶体结构中原子排列状况相同但不平行的两组以上的晶面,构成一个晶面族。
晶向指数:用[uvw]来表示。
其中u、v、w三个数字是晶向矢量在参考坐标系X、Y、Z轴上的矢量分量经等比例化简而得出。
晶向族:晶体中原子排列周期相同的所有晶向为一个晶向族,用〈uvw〉表示。
2、晶面指数和晶向指数的计算2.2 结合力与结合能按照结合力性质不同分为物理键和化学键化学键包括离子键、共价键、金属键物理键包括范德华键、氢键晶体中离子键共价键比例估算(公式2.16)式中x A、x B分别为A、B元素的电负性值。
离子晶体晶格能:1摩尔离子晶体中的正负离子,由相互远离的气态结合成离子晶体时所释放出的能量。
2.3 堆积(记忆常识)1、最紧密堆积原理:晶体中各离子间的相互结合,可以看作是球体的堆积。
球体堆积的密度越大,系统的势能越低,晶体越稳定。
此即球体最紧密堆积原理。
适用范围:典型的离子晶体和金属晶体。
原因:该原理是建立在质点在电子云分布呈球形对称以及无方向性的基础上2、两种最紧密堆积方式:面心立方最紧密堆积ABCABC密排六方最紧密堆积ABABAB系统中:每个球周围有6个八面体空隙 8个四面体空隙N个等径球体做最紧密堆积时系统有2N个四面体空隙N个八面体空隙八面体空隙体积大于四面体空隙3、空间利用率:晶胞中原子体积与晶胞体积的比值(要学会计算)两种最紧密堆积方式的空间利用率为74.05﹪(等径球堆积时)4、影响晶体结构的因素内因:质点相对大小(决定性因素)配位数。
材料科学基础名词解释(全)
材料科学基础名词解释(全)以下是一些与材料科学基础相关的名词解释:1. 材料科学:研究和应用材料的结构、性能和制备等方面的科学学科。
2. 结构:材料内部的原子、分子、晶格或微结构排列方式。
3. 性能:材料对外部条件的响应和表现,包括力学性能(强度、硬度)、热学性能(热传导性、热膨胀系数)、电学性能(导电性、绝缘性)、磁学性能等。
4. 制备:制备材料的过程,包括合成、加工、改性等步骤。
5. 结构性材料:材料的性能主要由其结构决定,如金属、陶瓷、聚合物等。
6. 功能性材料:材料具有特殊功能和性能,用于特定领域,如半导体材料、光电材料、磁性材料等。
7. 复合材料:由两个以上的材料组合而成,以综合各材料的优点,如纤维增强复合材料、金属-陶瓷复合材料等。
8. 纳米材料:具有纳米尺寸特征的材料,其性能和行为与宏观尺寸材料有显著差异,如纳米颗粒、纳米管、纳米薄膜等。
9. 腐蚀:材料与环境中的化学物质(如氧气、水等)相互作用导致材料失去原有性能的过程。
10. 界面:两种不同材料的接触面,界面性质对材料性能和使用寿命有重要影响。
11. 化学性质:材料在化学反应中的行为,如与酸碱反应、氧化还原反应、水解反应等。
12. 物理性质:材料在物理环境中的行为,如热膨胀、电导率、磁性等。
13. 析晶:材料中晶粒的形成和排列过程。
14. 晶体缺陷:晶体中的不完整或缺失的原子、离子或分子,如晶格缺陷、位错等。
15. 导电性:材料传导电流的能力,通常与材料内自由电子的存在和运动有关。
16. 绝缘性:材料不能传导电流的能力,通常与电子和离子的运动受到限制有关。
17. 改性:通过添加掺杂剂、添加剂或改变处理条件,改变材料的性能和特性。
18. 硬度:材料抵抗局部形变和划伤的能力。
19. 强度:材料抵抗外力破坏的能力。
20. 热处理:通过控制材料的加热和冷却过程,改变材料的组织结构和性能。
这些名词是材料科学基础中常见的,但并不包含所有相关的名词解释。
材料科学基础名词解释
资料科学基础名词解说第一章固体构造1、晶体 :原子按必定方式在三维空间内周期性地规则重复摆列,有固定熔点、各向异性。
非晶体 :原子没有长程的周期摆列,无固定的熔点,各向同性等。
2、中间相 :两组元 A 和 B 构成合金时,除了形成以 A 为基或以 B 为基的固溶体外,还可能形成晶体构造与 A,B 两组元均不同样的新相。
因为它们在二元相图上的地点老是位于中间,故往常把这些相当为中间相。
3、晶体点阵:由实质原子、离子、分子或各样原子公司,按必定几何规律的详细摆列方式称为晶体构造或晶体点阵。
4、配位数 :晶体构造中任一原子四周近来邻且等距离的原子数。
5、晶格:描绘晶体中原子摆列规律的空间格架称之为晶格。
6、晶胞 :在点阵中拿出一个拥有代表性的基本单元(最小平行六面体)作为点阵的构成单元,称为晶胞。
7、空间点阵:由四周环境同样的阵点在空间摆列的三维排阵成为空间点阵。
8、晶向:在晶格中,穿过两个以节点的任向来线,都代表晶体中一个原子列在空间的位向,称为晶向。
9、晶面:由节点构成的任一平面都代表晶体的原子平面,称为晶面。
10、晶向指数(晶面指数):为了确立晶面、晶向在晶体中的相对取向、就需要一种符号,这种符号称为晶面指数和晶向指数。
国际上通用的是密勒指数。
一个晶向指数其实不是代表一个晶向,二十代表一组相互平行、位向同样的晶向。
11、晶向族:原子摆列同样但空间位向不一样的全部晶向称为晶向族,以<uvw> 表示。
12、晶面间距:相邻两个平行晶面之间的垂直距离。
低指数晶面的面间距较大,而高指数晶面的面间距较小。
晶面间距越大,则该晶面上原子摆列越密切,该原子密度越大。
13、配位数:每个原子四周近来邻且等距离的原子数量,称为配位数。
14、多晶型性:有些金属固态在不一样温度或不一样压力范围内拥有不一样的晶体构这种性质造,称为晶体的多晶型性。
15、多晶型性转变:拥有多晶型性的金属在温度或压力变化时,由一种构造转变成另一种结构的过程称为多晶型性转变,也称为同素异构转变。
材料科学基础-武汉理工出版(部分习题答案)[1]
材料科学基础-武汉理工出版(部分习题答案)[1]第一章结晶学基础第二章晶体结构与晶体中的缺陷1名词解释:配位数与配位体,同质多晶、类质同晶与多晶转变,位移性转变与重建性转变,晶体场理论与配位场理论。
晶系、晶胞、晶胞参数、空间点阵、米勒指数(晶面指数)、离子晶体的晶格能、原子半径与离子半径、离子极化、正尖晶石与反正尖晶石、反萤石结构、铁电效应、压电效应.答:配位数:晶体结构中与一个离子直接相邻的异号离子数。
配位体:晶体结构中与某一个阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。
同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力、pH值等),结晶成为两种以上不同结构晶体的现象。
多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另一种变体的现象。
位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,仅仅使结构发生畸变,原子从原来位置发生少许位移,使次级配位有所改变的一种多晶转变形式。
重建性转变:破坏原有原子间化学键,改变原子最邻近配位数,使晶体结构完全改变原样的一种多晶转变形式。
晶体场理论:认为在晶体结构中,中心阳离子与配位体之间是离子键,不存在电子轨道的重迭,并将配位体作为点电荷来处理的理论。
配位场理论:除了考虑到由配位体所引起的纯静电效应以外,还考虑了共价成键的效应的理论图2-1MgO晶体中不同晶面的氧离子排布示意图2面排列密度的定义为:在平面上球体所占的面积分数。
(a)画出MgO(NaCl型)晶体(111)、(110)和(100)晶面上的原子排布图;(b)计算这三个晶面的面排列密度。
解:MgO晶体中O2-做紧密堆积,Mg2+填充在八面体空隙中。
(a)(111)、(110)和(100)晶面上的氧离子排布情况如图2-1所示。
(b)在面心立方紧密堆积的单位晶胞中,a022r(111)面:面排列密度=2r2/4r23/2/2/230.907(110)面:面排列密度=2r2/4r22r/420.555(100)面:面排列密度=2r2+22/22r/40.7853、已知Mg半径为0.072nm,O半径为0.140nm,计算MgO晶体结构的堆积系数与密度。
材料科学基础-名词解释(专业课考研、期末考试)
名词解释晶体结构、晶体、非晶体、空间点阵、晶胞、空间格子、晶带定律、布拉格定律、晶面间距、晶带轴、合金、固溶体、固溶强化、中间相、置换固溶体、间隙固溶体、有序固溶体、致密度、配位数、间隙相、间隙化合物、单晶体、多晶体、点阵畸变、金属键、范德华键、同质异构体、布拉菲点阵、配位多面体、拓扑密堆相、大角度晶界、电子化合物、点缺陷、线缺陷、面缺陷、空位、肖脱基(Schottky)空位、弗兰克尔缺陷、晶格畸变、热平衡缺陷、过饱和的点缺陷、位错、柏氏矢量、螺型位错、刃型位错、混合位错、单位位错、全位错、不全位错、扩展位错、部分位错、堆垛层错、位错的滑移(守恒运动)、位错的攀移(非守恒运动)、位错反应、位错密度、交滑移、双交滑移、多滑移、滑移系、扭折、割阶、位错滑移的特点、位错交割的特点、孪晶、孪生、晶界、相界、晶界偏聚、亚晶界、亚晶粒、界面、外表面、内界面、小角度晶界、对称倾斜晶界、大角度晶界、表面能、晶界能、界面能、位错的应变能、派-纳力、位错的塞积、晶界特性、柯肯达尔效应、上坡扩散、反应扩散、间隙扩散、稳态扩散、非稳态扩散、共格相界、非共格晶界、弹性的不完整性、包申格效应、弹性后效、弹性滞后、塑性变形的方式、孪生、扭折、滑移带、滑移系、临界切应力、施密特因子、柯氏Cotrell 气团、再结晶、晶粒长大、异常长大(不连续晶粒长大、二次再结晶)、再结晶的形核率、再结晶温度、临界变形度、动态回复、动态再结晶、冷加工、热加工、扩散退火、再结晶退火、去应力退火、回复阶段退火的作用、回复退火产生的结果、退火孪晶、时效、应变时效、再结晶织构、形变织构、多边形化、超塑性、细晶强化、固溶强化、弥散强化、加工硬化、过冷、过冷度、动态过冷度、成分过冷、结构起伏、能量起伏、成分起伏、均匀形核、非均匀形核、形核率N、临界形核功、平衡凝固、异质形核、偏析、正偏析、枝晶偏析、区域熔炼、光滑界面、粗糙界面、粗糙界面长大机制、光滑界面晶体长大机制、铸锭(件)的缺陷、缩孔、单组元晶体(纯晶体)、单元系、相变、凝固、结晶、固态相变、气态相变、相图、相律、组元、相、自由度、成分过冷、匀晶反应、共晶转变、包晶转变、共析反应、包析转变、偏晶转变、熔晶转变、合晶转变、伪共析转变、初生相、次生相、伪共晶、离异共晶、调幅分解、钢、铸铁、铁素铁、奥氏体、渗碳铁、莱氏体、珠光体、三次渗碳体、等含量法则、等比列法则、背向法则、直线法则、重心法则。
武汉理工材料科学基础考研名词解释
1 材料引言玻璃——玻璃是由熔体过冷所制得的非晶态材料。
水泥——水泥是指加入适量水后可成塑性浆体,既能在空气中硬化又能在水中硬化,并能够将砂,石等材料牢固地胶结在一起的细粉状水硬性材料。
耐火材料——耐火材料是指耐火度不低于1580 摄氏度的无机非金属材料。
硅质耐火材料,镁质耐火材料,熔铸耐火材料,轻质耐火材料,不定形耐火材料。
高聚物——高聚物是由一种或几种简单低分子化合物经聚合而组成的分子量很大的化合物。
胶粘剂——胶粘剂是指在常温下处于粘流态,当受到外力作用时,会产生永久变形,外力撤去后又不能恢复原状的高聚物。
合金——合金是由两种或两种以上的金属元素,或金属元素与非金属元素形成的具有金属特性的新物质固溶体——当合金的晶体结构保持溶质组元的晶体结构时,这种合金成为一次固溶体或端际固溶体,简称固溶体。
电子化合物——电子化合物是指具有一定(或近似一定)的电子浓度值,且结构相同或密切相关的相。
间隙化合物——由原子半径较大的过渡金属元素(Fe,Cr,Mn,Mo,W,V 等)和原子半径较小的非(准)金属元素(H,B,C,N,Si,等)形成的金属间化合物。
传统无机非金属材料——主要是指由SiO2 及其硅酸盐化合物为主要成分制成的材料,包括陶瓷,玻璃,水泥和耐火材料等。
新型无机非金属材料——是用氧化物,氮化物,碳化物,硼化物,硫化物,硅化物以及各种无机非金属化合物经特殊的先进工艺制成的材料。
2 晶体结构晶体——晶体是离子,原子或分子按一定的空间结构排列所组成的固体,其质点在空间的分布具有周期性和对称性,因而,晶体具有规则的外形。
晶胞——晶胞是从晶体结构中取出来的反应晶体周期性和对称性的重复单元。
晶体结构——晶体结构是指晶体中原子或分子的排列情况,由空间点阵+结构基元而构成,晶体结构的形式是无限多的。
空间点阵——空间点阵是把晶体结构中原子或分子等结构基元抽象为周围环境相同的阵点之后,描述晶体结构的周期性和对称性的图像。
材料科学基础名词解释(全)
材料科学基础名词解释(全)晶体:即内部质点在三维空间呈周期性重复排列的固体。
非晶体:原子没有长程的排列,无固定熔点、各向同性等。
晶体结构:指晶体中原子或分子的排列情况,由空间点阵和结构基元构成。
空间点整:指几何点在三维空间作周期性的规则排列所形成的三维阵列,是人为的对晶体结构的抽象。
晶面指数:结晶学中用来表示一组平行晶面的指数。
晶胞:从晶体结构中取出来的反映晶体周期性和对称性的重复单元。
晶胞参数:晶胞的形状和大小可用六个参数来表示,即晶胞参数。
离子晶体晶格能:1mol离子晶体中的正负离子,由相互远离的气态结合成离子晶体时所释放的能量。
原子半径:从原子核中心到核外电子的几率分布趋向于零的位置间的距离。
配位数:一个原子或离子周围同种原子或异号离子的数目。
极化:离子紧密堆积时,带电荷的离子所产生的电厂必然要对另一个离子的电子云产生吸引或排斥作用,使之发生变形,这种征象称为极化。
同质多晶:化学组成相同的物质在不同的热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。
类质同晶:化学组成相似或相近的物质在相同的热力学条件下形成具有相同结构晶体的现象。
铁电体:指具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。
正、反尖晶石:在尖晶石结构中,如果A离子占据四面体空隙,B离子占据八面体空隙,称为正尖晶石。
如果半数的B离子占据四面体空隙,A离子和另外半数的B离子占据八面体空隙则称为反尖晶石。
反萤石结构:正负离子位置刚好与萤石结构中的相反。
压电效应:由于晶体在外力作用下变形,正负电荷中心产生相对位移使晶体总电矩发生变化。
结构缺陷:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为结构缺陷。
空位:指正常结点没有被质点占据,成为空结点。
间隙质点:质点进入正常晶格的间隙位置。
点缺陷:缺陷尺寸处于原子大小的数量级上,三维方向上的尺寸都很小。
线缺陷:指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷。
面缺陷:是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷。
材料科学基础最全名词解释
小崔工作室材料科学基础最全名词解释固相烧结:固态粉末在适当的温度,压力,气氛和时间条件下,通过物质与气孔之间的传质,变为坚硬、致密烧结体的过程。
液相烧结:有液相参加的烧结过程。
金属键:自由电子与原子核之间静电作用产生的键合力。
离子键:金属原子自己最外层的价电子给予非金属原子,使自己成为带正电的正离子,而非金属得到价电子后使自己成为带负电的负离子,这样正负离子靠它们之间的静电引力结合在一起。
共价键:由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。
氢键:由氢原子同时与两个电负性相差很大而原子半径较小的原子(O,F,N等)相结合而产生的具有比一般次价键大的键力。
弗兰克缺陷:间隙空位对缺陷肖脱基缺陷:正负离子空位对的奥氏体:γ铁内固溶有碳和(或)其他元素的、晶体结构为面心立方的固溶体。
布拉菲点阵:除考虑晶胞外形外,还考虑阵点位置所构成的点阵。
不全位错:柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。
玻璃化转变温度:过冷液体随着温度的继续下降,过冷液体的黏度迅速增大,原子间的相互运动变得更加困难,所以当温度降至某一临界温度以下时,即固化成玻璃。
这个临界温度称为玻璃化温度Tg。
表面能:表面原子处于不均匀的力场之中,所以其能量大大升高,高出的能量称为表面自由能(或表面能)。
半共格相界:若两相邻晶体在相界面处的晶面间距相差较大,则在相界面上不可能做到完全的一一对应,于是在界面上将产生一些位错,以降低界面的弹性应变能,这时界面上两相原子部分地保持匹配,这样的界面称为半共格界面或部分共格界面。
柏氏矢量:描述位错特征的一个重要矢量,它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和方向,也使位错扫过后晶体相对滑动的量。
柏氏矢量物理意义:①从位错的存在使得晶体中局部区域产生点阵畸变来说:一个反映位错性质以及由位错引起的晶格畸变大小的物理量。
②从位错运动引起晶体宏观变形来说:表示该位错运动后能够在晶体中引起的相对位移。
材料科学基础名词解释(40个)
名词解释(40个)1 同质多晶:化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下形成结构不同的晶体的现象,称为同质多晶现象。
类质同晶:化学组成相似或相近的物质,在相同的热力学条件下,形成相同结构晶体的现象,称为类质同晶现象。
反萤石结构:如果晶体的结构与萤石完全相同,但阴阳离子的位置与萤石刚好相反,这种结构称为反萤石结构。
铁电效应:压电效应:晶体在外力作用下发生变形,正负电荷中心产生相对位移,使晶体总电矩发生变化所表现的现象,称为压电效应。
四面体空隙:等径球体作最紧密堆积时,由其中四个球体球心连线而构成的正四面体所围成的空隙。
八面体空隙:等径球体作最紧密堆积时,由其中六个球体球心连线而构成的正八面体所围成的空隙。
位移性转变:在同质多晶中,两个变体之间由于结构差异小,转变时只是原子的位置发生少许位移,仅仅是键长和键角的调整,不涉及旧键的破坏和新键的产生,这类变体之间的转变称为位移性转变,其特点是转变速度很快。
重建性转变::在同质多晶中,两个变体之间由于结构差异大,转变时必须破坏原子间的键,形成一个具有新键的结构,这类变体之间的转变称为重建性转变,其特点是转变速度很慢。
2 结构缺陷:通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。
点缺陷:又称零维缺陷,缺陷尺寸处于原子大小数量级上,即三维方向上缺陷的尺寸都很小。
点缺陷包括空位、间隙质点、杂质质点和色心等。
线缺陷:指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在二维方向上延伸,在第三维上很小,故又称二维缺陷。
如晶界、表面、堆积层错等,与材料的断裂韧性有关。
面缺陷:是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方向上较长,另外二维方向上很短,故又称一维缺陷热缺陷:当晶体温度高于绝对0K时,由于晶格内原子热振动,使一部分能量较高的原子偏离平衡位置所造成的缺陷,称为热缺陷(又称本征缺陷)。
弗伦克尔缺陷:当晶格热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而在原来位置形成空位,这种缺陷称弗伦克尔缺陷。
材料科学基础名词解释(全)
晶体:即内部质点在三维空间呈周期性重复排列得固体。
非晶体:原子没有长程得排列,无固定熔点、各向同性等。
晶体结构:指晶体中原子或分子得排列情况,由空间点阵与结构基元构成。
空间点整:指几何点在三维空间作周期性得规则排列所形成得三维阵列,就是人为得对晶体结构得抽象。
晶面指数:结晶学中用来表示一组平行晶面得指数。
晶胞:从晶体结构中取出来得反映晶体周期性与对称性得重复单元。
晶胞参数:晶胞得形状与大小可用六个参数来表示,即晶胞参数。
离子晶体晶格能:1mol离子晶体中得正负离子,由相互远离得气态结合成离子晶体时所释放得能量。
原子半径:从原子核中心到核外电子得几率分布趋向于零得位置间得距离。
配位数:一个原子或离子周围同种原子或异号离子得数目。
极化:离子紧密堆积时,带电荷得离子所产生得电厂必然要对另一个离子得电子云产生吸引或排斥作用,使之发生变形,这种现象称为极化。
同质多晶:化学组成相同得物质在不同得热力学条件下形成结构不同得晶体得现象。
类质同晶:化学组成相似或相近得物质在相同得热力学条件下形成具有相同结构晶体得现象。
铁电体:指具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线得晶体。
正、反尖晶石:在尖晶石结构中,如果A离子占据四面体空隙,B离子占据八面体空隙,称为正尖晶石。
如果半数得B离子占据四面体空隙,A离子与另外半数得B离子占据八面体空隙则称为反尖晶石。
反萤石结构:正负离子位置刚好与萤石结构中得相反。
压电效应:由于晶体在外力作用下变形,正负电荷中心产生相对位移使晶体总电矩发生变化。
结构缺陷:通常把晶体点阵结构中周期性势场得畸变称为结构缺陷。
空位:指正常结点没有被质点占据,成为空结点。
间隙质点:质点进入正常晶格得间隙位置。
点缺陷:缺陷尺寸处于原子大小得数量级上,三维方向上得尺寸都很小。
线缺陷:指在一维方向上偏离理想晶体中得周期性、规则性排列而产生得缺陷。
面缺陷:就是指在二维方向上偏离理想晶体中得周期性、规则性排列而产生得缺陷。
武汉理工大学《材料科学基础》考研核心题库及答案
Test of Fundamentals of Materials Science 材料科学基础试题库武汉理工大学材料科学与工程学院一、填空题0001.烧结过程的主要传质机制有_____、_____、_____ 、_____,当烧结分别进行四种传质时,颈部增长x/r与时间t的关系分别是_____、_____、_____ 、_____。
0002.晶体的对称要素中点对称要素种类有_____、_____、_____ 、_____ ,含有平移操作的对称要素种类有_____ 、_____ 。
0003.晶族、晶系、对称型、结晶学单形、几何单形、布拉菲格子、空间群的数目分别是_____、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 。
0004.晶体有两种理想形态,分别是_____和_____。
0005.晶体是指内部质点排列的固体。
0006.以NaCl晶胞中(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,属于这个球的八面体空隙数为,所以属于这个球的四面体空隙数为。
0007.与非晶体比较晶体具有自限性、、、、和稳定性。
0008.一个立方晶系晶胞中,一晶面在晶轴X、Y、Z上的截距分别为2a、1/2a 、2/3a,其晶面的晶面指数是。
0009.固体表面粗糙度直接影响液固湿润性,当真实接触角θ时,粗糙度越大,表面接触角,就越容易湿润;当θ,则粗糙度,越不利于湿润。
0010.硼酸盐玻璃中,随着Na2O(R2O)含量的增加,桥氧数,热膨胀系数逐渐下降。
当Na2O含量达到15%—16%时,桥氧又开始,热膨胀系数重新上升,这种反常现象就是硼反常现象。
0011.晶体结构中的点缺陷类型共分、和三种,CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为。
0012.固体质点扩散的推动力是________。
0013.本征扩散是指__________,其扩散系数D=_________,其扩散活化能由________和_________ 组成。
武汉理工材料科学基础考研大纲综述
材料科学基础大纲目录第二章晶体结构 (1)2.1 结晶学基础 (1)2.2 结合力与结合能 (1)2.3 堆积(记忆常识) (1)2.4 单质晶体结构(了解) (2)2.5 无机化合物结构(重点每年必考) (2)2.6 硅酸盐晶体结构 (3)第三章晶体结构缺陷 (5)3.1 结构缺陷类型 (5)3.2 点缺陷 (5)3.5 固溶体 (6)3.6 非化学计量化学物 (7)第四章非晶态结构与性质 (8)4.2 熔体的性质 (8)4.3 玻璃的形成 (8)第五章表面结构与性质 (9)5.1 固体表面及其结构 (9)5.3 润湿与黏附 (10)第六章相图(必考) (12)第七章扩散 (13)7.1 菲克定律(重点) (13)7.5 多元系统的扩散 (13)7.6 影响扩散的因素 (14)第八章相变 (14)8.1 相变概述 (14)8.2 成核生长相变 (15)第九章固态反应 (17)9.1 概论 (17)9.3 反应动力学 (17)9.5 影响因素 (19)第十章烧结 (20)10.1 概述 (20)10.2 烧结过程及机理 (20)10.4 再结晶和晶粒长大 (20)10.7 影响因素 (21)第十一章腐蚀 (21)第十二章疲劳与断裂 (22)第二章 晶体结构2.1 结晶学基础1、概念:晶体:晶体是内部质点在三维空间成周期性重复排列的固体,即晶体是具有格子构造的固体。
晶胞 :晶胞是从晶体结构中取出来的反映晶体周期性和对称性的最小重复单元。
晶胞参数:胞的形状和大小可以用6个参数来表示,此即晶格特征参数,简称晶胞参数。
七大晶系:布拉菲(Bravais )依据晶胞参数之间关系的不同,把所有晶体划归为7类,即7个晶系。
晶面指数:结晶学中经常用(hkl )来表示一组平行晶面,称为晶面指数。
数字hkl 是晶面在三个坐标轴(晶轴)上截距的倒数的互质整数比。
晶面族 :晶体结构中原子排列状况相同但不平行的两组以上的晶面,构成一个晶面族。
材料科学基础_名词解释
金属键: 金属键(metallic bond)是化学键的一种,主要在金属中存在。
由自由电子及排列成晶格状的金属离子之间的静电吸引力组合而成.晶体: 是由许多质点(包括原子、离子或分子)在三维空间作有规则的周期性重复排列而构成的固体同素异晶转变(并举例): 金属在固态下随温度的变化,由一种晶格变为另一种晶格的现象,称为金属的同素异晶转变。
液态纯铁冷却到1538℃时,结晶成具有体心立方晶格的δ-Fe;继续冷到1394℃时发生同素异晶的转变,转变为面心立方晶格γ-Fe;再继续冷却到912℃时,γ-Fe又转变为体心立方晶格的α-Fe。
晶胞: 在空间点阵中,能代表空间点阵结构特点的小平行六面体,反映晶格特征的最小几何单元。
点阵常数: 晶胞三条棱边的边长a、b、c及晶轴之间的夹角α、β、γ称为晶胞参数晶面指数: 晶体中原子所构成的平面。
晶面族: 晶体中具有等同条件(这些晶面的原子排列情况和面间距完全相同),而只是空间位向不同的各组晶面称为晶面族晶向指数: 晶体中的某些方向,涉及到晶体中原子的位置,原子列方向,表示的是一组相互平行、方向一致的直线的指向。
晶向族(举例); 晶体结构中那些原子密度相同的等同晶向称为晶向族。
<111>:[111],[-1-11][11-1][-1-1-1][1-1-1][-111][-11-1][1-11]晶带和晶带轴: 所有相交于某一晶向直线或平行于此直线的晶面构成一个晶带,此直线称为晶带轴。
配位数: 在晶体中,与某一原子最邻近且等距离的原子数称为配位数致密度: 晶胞内原子球所占体积与晶胞体积之比值晶面间距: 两近邻平行晶面间的垂直距离对称:通过某种几何操作后物体空间性质完全还原为原始状态空间点阵:将构成物质结构的粒子抽象为质点后,质点在三维空间的排列情况布拉菲点阵:考虑点阵上的阵点的具体排列而得到的点阵具体排列形式,而不是强调是布拉菲数学计算得到的十四种排列固溶体:溶质原子在固态的溶剂中的晶格或间隙位置存在,晶体结构保持溶剂的物质中间相:两种或以上元素原子形成与其组元的晶体结构均不相同的化合物准晶:有独特结构和对称性的物质,原子排列在晶体的有序排列和非晶体的无序排列之间拓扑密排相:将半径不同的原子搭配组合在空间的紧密堆垛形成的相,致密度超过等径原子的堆垛面心立方结构,体心立方结构,密排六方结构,置换固溶体: 溶质原子占据溶剂晶格中的结点位置而形成的固溶体称置换固溶体有序固溶体:无序固溶体,间隙固溶体和间隙化合物: 原子半径小于0.1nm的非金属元素,如H(0.046nm),N(0.071nm)、C(0.077nm)、B(0.097nm)、O(0.060nm)溶入到溶剂金属晶体点阵中的间隙中形成的固溶体间隙相与间隙化合物: 间隙化合物指由过渡族金属元素与碳、氮、氢、硼等原子半径较小的非金属元素形成的金属化合物。
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1 材料引言玻璃——玻璃是由熔体过冷所制得的非晶态材料。
水泥——水泥是指加入适量水后可成塑性浆体,既能在空气中硬化又能在水中硬化,并能够将砂,石等材料牢固地胶结在一起的细粉状水硬性材料。
耐火材料——耐火材料是指耐火度不低于1580 摄氏度的无机非金属材料。
硅质耐火材料,镁质耐火材料,熔铸耐火材料,轻质耐火材料,不定形耐火材料。
高聚物——高聚物是由一种或几种简单低分子化合物经聚合而组成的分子量很大的化合物。
胶粘剂——胶粘剂是指在常温下处于粘流态,当受到外力作用时,会产生永久变形,外力撤去后又不能恢复原状的高聚物。
合金——合金是由两种或两种以上的金属元素,或金属元素与非金属元素形成的具有金属特性的新物质固溶体——当合金的晶体结构保持溶质组元的晶体结构时,这种合金成为一次固溶体或端际固溶体,简称固溶体。
电子化合物——电子化合物是指具有一定(或近似一定)的电子浓度值,且结构相同或密切相关的相。
间隙化合物——由原子半径较大的过渡金属元素(Fe,Cr,Mn,Mo,W,V 等)和原子半径较小的非(准)金属元素(H,B,C,N,Si,等)形成的金属间化合物。
传统无机非金属材料——主要是指由SiO2 及其硅酸盐化合物为主要成分制成的材料,包括陶瓷,玻璃,水泥和耐火材料等。
新型无机非金属材料——是用氧化物,氮化物,碳化物,硼化物,硫化物,硅化物以及各种无机非金属化合物经特殊的先进工艺制成的材料。
2 晶体结构晶体——晶体是离子,原子或分子按一定的空间结构排列所组成的固体,其质点在空间的分布具有周期性和对称性,因而,晶体具有规则的外形。
晶胞——晶胞是从晶体结构中取出来的反应晶体周期性和对称性的重复单元。
晶体结构——晶体结构是指晶体中原子或分子的排列情况,由空间点阵+结构基元而构成,晶体结构的形式是无限多的。
空间点阵——空间点阵是把晶体结构中原子或分子等结构基元抽象为周围环境相同的阵点之后,描述晶体结构的周期性和对称性的图像。
晶面——可将晶体点阵在任何方向上分解为相互平行的节点平面,这样的结点平面成为晶面。
晶面指数——结晶学中经常用(h k l)来表示一组平行晶面,成为晶面指数。
晶面族——在对称性高的晶体(如立方晶系)中,往往有并不平行的两组以上的晶面,它们的原子排列状况是相同的,这些晶面构成一个晶面族。
晶向族——晶体中原子排列周期相同的所有晶向为一个晶向族,用{u v w}表示。
晶带或晶带面——在结晶学中,把同时平行某一晶向[u v w]的所有晶面成为一个晶带或晶带面,该晶向[u v w]成为这个晶带的晶带轴,一个晶带中任一晶面(h k l)与其晶带轴[u v w]之间的关系满足晶带轴定理:hu+kv+lw=0离子键——离子键是正,负离子依靠静电库仑力而产生的键合。
共价键——共价键是原子之间通过共用电子对或通过电子云重叠而产生的键合。
金属键——金属键是失去最外层电子(价电子)的原子实和自由电子组成的电子云之间的静电库仑力而产生的键合。
范德华键(分子键)——是通过“分子力”而产生的键合。
氢键——指氢原子同时与两个电负性很大而原子半径较小的原子(O,F,N 等)相结合,所形成的键。
晶体的结合能——E b:组成晶体的N 个原子处于“自由”状态时的总能量E N与晶体处于稳定状态时的总能量E0的差值,即Eb=E N-E0晶格能——对于离子晶体而言,其晶格能E L定义为:1mol 离子晶体中的正负离子,由相互远离的气态结合成离子晶体时所释放出的能量。
空间利用率(原子堆积系数)——晶胞中原子体积与晶胞体积的比值。
孤立态原子半径——从原子核中心到核外电子的几率分布趋向于零的位置间的距离。
这个半径亦称为范德华半径。
金属原子半径——相邻两原子面间距离的一半。
如果是离子晶体,则定义正,负离子半径之和等于相邻两原子面间的距离。
配位数——一个原子(或离子)周围同种原子(或异号离子)的数目成为原子或离子的配位数,用CN 来表示。
离子极化——在离子紧密堆积时,带电荷的离子所产生的电场,必然要对另一个离子的电子云产生吸引或排斥作用,使之发生变形,这种现象称为极化。
哥希密特化学定律——晶体结构取决于其组成基元(原子,离子或离子团)的数量关系,大小关系及极化性能。
同质多晶——这种化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下形成结构不同的晶体的现象,成为同质多晶。
由此所产生的每一种化学组成相同但结构不同的晶体,成为变体。
类质同晶——化学组成相似或相近的物质,在相同的热流条件下,形成的晶体具有相同的结构,这种现象称为类质同晶现象。
位移性转变——仅仅是结构畸变,转变前后结构差异小,转变时并不打开任何键或改变最邻近的配位数,只是原子的位置发生少许位移,使次级配位有所改变。
重建性转变——不能简单地通过原子位移来实现,转变前后结构差异大,必须破坏原子间的键,形成一个具有新键的结构。
Hume-Rothery 规则——如果某非金属元素的原子能以单键与其他原子共价结合形成单质晶体,则每个原子周围共价单键的数目为8 减去元素所在周期表的族数(m),即共价单键数目为(8-m)。
这个规则亦称为(8-m)规则。
解理——晶体沿某个晶面劈裂的现象称为解理。
热释电性——热释电性是指某些像六方ZnS 型的晶体,由于加热使整个晶体温度变化,结果在与该晶体 c 轴垂直方向的一端出现正电荷,在相反的一端出现负电荷的性质。
晶体的热释电性与晶体内部的自发极化有关。
声电效应——通过半导体进行声电相互转换得现象称为声电效应。
反萤石结构——碱金属元素的氧化物R2O、硫化物R2S、硒化物R2Se、碲化物R2Te 等A2X 型化合物为反萤石结构,它们的正负离子位置刚好与萤石结构中的相反,即碱金属离子占据F-离子的位置,O2-或其他离子占据Ca2+的位置。
这种正负离子位置颠倒的结构,叫做反同形体。
电光效应——电光效应是指对晶体施加电场时,晶体的折射率发生变化的效应。
铁电晶体——铁电晶体是指具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。
声光效应——声光效应是指光波被声光介质中的超声波所衍射或散射的现象。
正尖晶石和反尖晶石——在尖晶石结构中,如果A 离子占据四面体空隙,B 离子占据占据八面体空隙,则称为正尖晶石。
反之,如果半数的 B 离子占据四面体空隙,A 离子和另外半数的B 离子占据八面体空隙,则称为反尖晶石。
正尖晶石(A)[B2]O4反尖晶石(B)[AB]O4同晶取代——[SiO4]四面体中心的Si4+离子可部分地被Al3+所取代,取代后的结构本身并不发生大的变化,即所谓的同晶取代,但晶体的性质却可以发生很大的变化。
压电效应——某些晶体在机械力作用下发生变形,使晶体内正负电荷中心相对位移而极化,致使晶体两端表面出现符号相反的束缚电荷,其电荷密度与应力成比例。
这种由“压力”产生“电”的现象称为正压电效应。
反之,如果具有压电效应的晶体置于外电场中,电场使晶体内部正负电荷中心位移,导致晶体产生形变。
这种由“电”产生“机械形变”的现象称为逆压电效应。
高分子——高分子是指其分子主链上的原子都直接以共价键连接,且链上的成键原子都共享成键电子的化合物。
3 晶体结构缺陷晶体结构缺陷——通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变成为晶体的结构缺陷。
点缺陷——点缺陷亦称为零维缺陷,缺陷尺寸处于原子大小的数量级上,即三维方向上缺陷的尺寸都很小。
点缺陷包括空位、间隙质点、杂志质心和色心等。
线缺陷——线缺陷也称为一维缺陷,是指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷,即缺陷尺寸在一维方向较长,另外二维方向上很短。
如各种位错。
面缺陷——面缺陷又称为二维缺陷,是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷,即缺陷尺寸在二维方向上延伸,在第三位方向上很小。
如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。
体缺陷——体缺陷亦称为三维缺陷,是指在局部的三维空间偏离理想晶体的周期性、规则性排列而产生的缺陷。
如第二相粒子团、空位团等。
热缺陷——热缺陷称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位和(或)间隙质点(原子或离子)。
热缺陷包括弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷。
弗伦克尔缺陷是质点离开正常格点后进入到晶格间隙位置,其特征是空位和间隙质点成对出现。
肖特基缺陷是质点由表面位置迁移到新表面位置,在晶体表面形成新的一层,同时在晶体内部留下空位,其特征是正负离子空位成比例出现。
滑移——在外力作用下,晶体的一部分相对于另一部分,沿着一定晶面的一定晶向发生平移,使晶面上的原子从一个平衡位置平移到另一个平衡位置,此过程称为滑移。
滑移系统——一个滑移面和该面上的一个确定的滑移方向,构成一个一个滑移系统,(h k l)[u v w]来表示。
孪生——晶体塑性形变的另一种机制是孪生,即在外力作用下,晶体的一部分相对于另一部分,沿着一定的晶面和晶向发生切变,切变之后,两部分晶体的位向以切变面为镜面成对称关系。
发生切变的晶面和方向分别叫孪晶面和孪生方向。
变形后发生切变的部分和与其呈晶面对称的部分构成孪晶,其界面是共格晶面。
位错滑移——位错滑移是指在外力作用下,位错线在其滑移面(即位错线和伯氏矢量b 构成的晶面)上的运动,结果导致晶体永久变形。
位错攀移——位错攀移是指在热缺陷或外力作用下,位错线在垂直其滑移面方向上的运动,结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。
位错的线张力——线张力是一种组态力,定义为使位错线增加单位长度所需要的能量,所以线张力在数值上等于单位长度位错线的应变能,即T=W=αGb2。
固溶体——将外来组元引入晶体结构,占据基质晶体质点位置或间隙位置的一部分,仍保持一个晶相,这种晶体成为固溶体。
置换式固溶体——亦称替代固溶体,其溶质原子位于点阵结点上,替代(置换)了部分溶剂原子。
间隙式固溶体——亦称间隙型固溶体,其溶质原子位于点阵的间隙中。
非化学计量缺陷——按照化学中定比定律,化合物中的不同原子的数量要保持固定的比例,但在实际的化合物中,有一些化合物并不符合定比定律,其中负离子与正离子的比例并不是固定的比例关系,这些化合物称为非化学计量化合物。
这是在化学组成上偏离化学计量而产生的一种缺陷。
色心——色心是由于电子补偿而引起的一种缺陷。
一些电子体受到X 射线、γ射线、中子或电子辐照,往往会产生颜色。
4 非晶态结构与性质熔体,玻璃体——熔体或液体是介于气体和固体(晶体)之间的一种物质状态。
熔体特指加热到较高温度才能液化的物质的液体,即较高熔点物质的液体。
熔体快速冷却则变成玻璃体。
缩聚——由分化过程产生的低聚合物不是一成不变的,它可以相互发生作用,形成级次较高的聚合物,同时释放出部分Na2O。
这过程成为缩聚。
硼反常现象——这种由于B3+离子配位数变化引起性能曲线上出现转折的现象,称为硼反反常现象。
混合碱效应——熔体中同时引入一种以上的R2O 或RO 时,粘度比等量的一种R2O 或RO 高,称为“混合碱效应” ,这可能和离子的半径、配位等结晶化学条件不同而相互制约有关。