WQ4832晶体管测试仪使用说明书
晶体管特性图示仪使用方法
1、定义：晶体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。
它功能强，用途广泛、直接显示、使用方便、操作方便的优点，对于从事半导体管机理的研究及半导体在无线电领域的应用，是必不可少的测试工具。
晶体管特性图示仪是一种专用示波器，它能直接观察各种晶体管特性曲线及曲性簇。
例如:晶体管共射、共基和共集三种接法的输入、输出特性、电流放大特性及反馈特性；二极管的正向、反向特性；稳压管的稳压或齐纳特性；它可以测量晶体管的击穿电压、饱和电流、β或α参数等。
2、晶体管特性图示仪与示波器的区别：晶体管特性图示仪能够自身提供测试时所需要的信号源，并将测试结果以曲线形式显示在荧光屏上。
3、优缺点：晶体管特性图示仪不能用于测量晶体管的高频参数。
4、组成：主要由阶梯波发生器、集电极扫描信号源、测试变换电路、控制电路、X-Y方式示波器等部分组成。
由于晶体管特性图示仪的测量原理基础是逐点测量法，且是动态测量，故晶体管特性图示仪的功能应该满足：能提供测试过程所需的各种基极电流（阶梯波发生器）；每个固定基极电流期间，集电极电压能做相应改变；（集电极扫描信号源）能够即使取出各组测量值并传送至显示电路。
5、晶体管特性图示仪各组成部分的作用：（见书P127）阶梯波发生器（组成和工作原理见书P129）：提供基极阶梯电压或电流集电极扫描信号源：每个固定基极电流期间，集电极电压能做相应改变；测试变换电路：为适应测试NPN和PNP管控制电路：实现集电极扫描信号源和阶梯波信号源的同步X-Y方式示波器：X和Y轴放大器（对取自被测器件上的电压信号进行放大，然后送至偏转板形成扫描线）和示波管6、晶体管特性图示仪的操作使用面板介绍：包括五部分（示波管控制电路；集电极电源；偏转放大；阶梯信号测试台）J2461型晶体管特性图示仪J2461型晶体管特性图示仪，是根据教育部《JY6－78》号技术标准的规定和要求而设计的。
它是J2458型教学示波器的辅助装置，主要供中等学校实验室测量晶体管使用。
图示仪使用说明书
目录使用须知．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．2 安全注意事项．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3 概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 主要技术指标．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 使用说明．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5 使用范例．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10 维修指南．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15 装箱单．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．16使用须知WQ4832型晶体管特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。
本仪器采用晶体管与集成电路混合线路，具有功耗低、电流容量大、重量轻等特点，是半导体研究及应用领域必不可少的测试工具。
用户在使用本仪器之前应熟悉以下注意事项，以保证仪器的正常使用。
1．“功耗限制电阻”作用大，除了测量饱和电压（如U CER）及最大电流（如I CM）外，一般应将“功耗限制电阻”置于较大值（≥1kΩ），这样既保护了被测管不至电流过载，又可防止由于被测管击穿后导致仪器损坏，在测量击穿电压时更应注意。
2．按“峰值电压范围”需特别注意，一般情况下应与“电压/度”开关相配合：如需要低于上述量程，应首先将“峰值电压”调至0，再徐徐加大。
在测试中，当输出峰值电压较大时，请勿触摸C极与管子外壳，以免遭电击。
严禁将各输出端任意长时间短路。
3．测量被测管首先要了解是PNP或NPN，然后将仪器置于相应极性。
在未知被测管极性的情况下，可将输出电压调至较小值进行判别。
晶体管特性和测试条件说明书
Characteristic / Test ConditionsDrain-Source Breakdown Voltage (V GS = 0V, I D = 250µA)On State Drain Current 2 (V DS > I D(on) x R DS(on) Max, V GS = 10V)Drain-Source On-State Resistance 2 (V GS = 10V, 0.5 I D[Cont.])Zero Gate Voltage Drain Current (V DS = V DSS , V GS = 0V)Zero Gate Voltage Drain Current (V DS = 0.8 VDSS , V GS = 0V, TC = 125°C)Gate-Source Leakage Current (V GS = ±30V, V DS = 0V)Gate Threshold Voltage (V DS = V GS , ID = 1.0mA)050-5627 R e v A 1-2005MAXIMUM RATINGSAll Ratings: T C = 25°C unless otherwise specified.Symbol V DSS I D I DM V GS V GSM P D T J ,T STGT L I AR E AR E ASParameterDrain-Source VoltageContinuous Drain Current @ T C = 25°C Pulsed Drain Current 1Gate-Source Voltage Continuous Gate-Source Voltage Transient Total Power Dissipation @ T C = 25°C Linear Derating FactorOperating and Storage Junction Temperature Range Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.Avalanche Current 1 (Repetitive and Non-Repetitive)Repetitive Avalanche Energy 1Single Pulse Avalanche Energy 4UNIT Volts AmpsVolts Watts W/°C °C Amps mJSTATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICSSymbol BV DSS I D(on)R DS(on)I DSS I GSS V GS(th)UNIT Volts AmpsOhms µAnA VoltsMIN TYP MAX 500320.152501000±10024APT5015BVFR_SVFR50032128±30±403702.96-55 to 15030030301300CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.APT Website - Power MOS V ® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V ®also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.•Faster Switching •Avalanche Energy Rated•Lower Leakage•TO-247 or Surface Mount D 3PAK Package•Fast Recovery Body DiodePOWER MOS V ®APT5015BVFR APT5015SVFR500V32A 0.150ΩDYNAMIC CHARACTERISTICSAPT5015BVFR_SVFR050-5627 R e v A 1-2005Z θJ C , T H E R M A L I M P E D A N C E (°C /W )10-510-410-310-210-1 1.010RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION0.40.10.050.010.0050.001SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICSCharacteristic / Test Conditions Continuous Source Current (Body Diode)Pulsed Source Current 1 (Body Diode)Diode Forward Voltage 2 (V GS = 0V, I S = -I D [Cont.])Peak Diode Recovery dv /dt 5Reverse Recovery Time(I S = -I D [Cont.], di /dt = 100A/µs)Reverse Recovery Charge(I S = -I D [Cont.], di /dt = 100A/µs)Peak Recovery Current(I S = -I D [Cont.], di /dt = 100A/µs)Symbol I S I SM V SDdv /dtt rr Q rr I RRMUNIT Amps Volts V/ns ns µC AmpsSymbol C iss C oss C rss Q g Q gs Q gd t d (on)t r t d (off)t fCharacteristic Input Capacitance Output CapacitanceReverse Transfer Capacitance Total Gate Charge 3Gate-Source Charge Gate-Drain ("Miller") Charge Turn-on Delay Time Rise TimeTurn-off Delay Time Fall TimeTest ConditionsV GS = 0V V DS = 25V f = 1 MHz V GS = 10V V DD = 0.5 V DSS I D = I D [Cont.] @ 25°CV GS = 15V V DD = 0.5 V DSS I D = I D [Cont.] @ 25°CR G = 1.6ΩMINTYPMAX440052806008402303502003003045801201225143055801120UNIT pFnCns MIN TYP MAX 321281.315T j = 25°C 250T j = 125°C 525T j = 25°C 1.6T j = 125°C 6.0T j = 25°C 13T j = 125°C211Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction3See MIL-STD-750 Method 3471temperature.4Starting T j = +25°C, L = 2.54mH, R G = 25Ω, Peak I L= 32A2Pulse Test: Pulse width < 380 µS, Duty Cycle < 2%5I S - -I D [Cont.], di /dt= 100A/µs, V DD - V DSS , T j - 150°C, R G = 2.0Ω,V R = 200V.APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.THERMAL CHARACTERISTICSSymbol R θJC R θJAMINTYPMAX0.3440UNIT °C/WCharacteristic Junction to Case Junction to AmbientV DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)FIGURE 2, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS FIGURE 3, TYPICAL OUTPUT CHARACTERISTICS V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)I D , DRAIN CURRENT (AMPERES)FIGURE 4, TYPICAL TRANSFER CHARACTERISTICS FIGURE 5, R DS (ON) vs DRAIN CURRENTT C , CASE TEMPERATURE (°C)T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)T C , CASE TEMPERATURE (°C)FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURER D S (O N ), D R A I N -T O -S O U R C E O N R E S I S T A N C E I D , D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )I D , D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )I D , D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )(N O R M A L I Z E D )V G S (T H ), T H R E S H O L D V O L T A G E B V D S S , D R A I N -T O -S O U R C E B R E A K D O W N R D S (O N ), D R A I N -T O -S O U R C E O N R E S I S T A N C EI D , D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )(N O R M A L I Z E D )V O L T A G E (N O R M A L I Z E D )255075100125150-50-250255075100125150-50-250255075100125150APT5015BVFR_SVFR60504030201001.51.41.31.21.11.00.91.151.101.051.000.950.900.851.21.11.00.90.80.70.660504030201006050403020100353025201510502.52.01.51.00.50.0050-5627 R e v A 1-2005V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREAFIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGEFIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGEV G S , G A T E -T O -S O U R C E V O L T A G E (V O L T S )I D , D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )I D R , R E V E R S E D R A I N C U R R E N T (A M P E R E S )C , C A P A C I T A N C E (p F )APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,5225,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.TO -247 Package Outline (BVFR)D 3PAK Package Outline (SVFR)Dimensions in Millimeters (Inches)and Leads are PlatedDimensions in Millimeters and (Inches)APT5015BVFR_SVFR200100501051.5.12016128420,00010,0005,0001,000500100300100501051050-5627 R e v A 1-2005。
多功能晶体管测试仪使用说明12864LCV2.011资料
多功能晶体管测试仪使用说明V2.01120150301 1、功能介绍1.1、晶体管测试仪可以完全自动识别及测量三极管、场效应管、IGBT、二极管、双二极管、电阻、双电阻、电容、电感等，可测电容ESR(非在线测量)等功能。
1.2、简易信号发生器(方波)：最高4MHz, 频率可调非连续输出，如4M、2M、1M、.... 100K ... 1KHz等。
单键调整输出稍麻烦一点，但可满足一般性使用。
输出信号电压：4.5V 串680欧电阻。
本功能状态下不自动关机，也不能手动关机，1.3、A频率计：0-3.8Mhz，输入信号电压2.5-5V.，分辨率1Hz。
可定制为7.6MHz高分辨率模式，0.1hz-130Khz 分辨率0.001hz, 100hz以下1-10秒，在测频状态下单击，屏幕上显示“Hi”，切换为高分辨率模式，超过130Khz自动切回正常模式。
已校准过B高精度频率计，16Hz-100Mhz.，输入信号电压2.5-5V，分辨率16Hz。
高分辨率模式，2hz-2.1Mhz 分辨率0.02hz, 1.6K以下1-10秒，在100M状态下单击，切换为高分辨率模式，屏幕上显示“Hi”，超过2.1M自动切回正常模式。
已校准过C高精度频率计，1024Hz-2.4Ghz.，输入信号电压30mV，分辨率1024Hz。
可用于对讲机发射频率测试。
高分辨率模式，102hz-137Mhz 分辨率1hz, 100K以下1-10秒，在2.4G状态下单击，切换为高分辨率模式,屏幕上显示“Hi”，超过137M自动切回正常模式。
由于易受干扰500K 以下不能很好测量。
非完全测试,2.4G没条件测试，500MHz测试ok。
已校准过,2.4G 灵敏度高，有时不接输入信号也会有输出，易受到干扰。
信号输入线宜用屏蔽线。
可自己DIY加个双掷开关切换 2.4G和100M 两档输入信号，并且双击切换档位，显示2.4G 或100M ABC为三选一功能1.4、可在线ESR: 测量时接入 1 3 口， 0.01-20欧，分辨率为0.01欧姆，且同时测量容量;精度不高但用来判断电容的好坏是没问题的。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。
在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。
在一次测试完成后，如果没有检测到器件。
长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。
当需要从某个功能里退出时，则长按开关。
●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。
这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。
经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。
测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。
如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。
要再一次测试则按一次开关。
测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。
●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。
校准分为快速校准和全功能校准。
快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。
屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。
WQ4833、WQ4834、WQ4835、WQ4836大功率数字存储图示仪使用说明书
6 扫描电源 100V 选择扫描电压峰值范围 100V
7 扫描电源 500V 选择扫描电压峰值范围 500V
-8-
8 扫描电源 5kV
选择扫描电压峰值范围 5kV,该电压由高压测试孔 输出，可用于测试器件的耐压。
9 扫描电源％
连续增、减扫描电压峰值
10 功耗限制电阻 选择功耗限制电阻
11 高压按通
3．9 通信接口：USB。
4．技术规格
4．1 Y 轴系统：
4．1．1 集电极电流（IC）
4．1．1．1 范围：
WQ4833: 20μA/div ～ 5A/div， 17 档
WQ4834: 20μA/div ～ 10A/div，18 档
WQ4835: 20μA/div ～ 20A/div，19 档
WQ4836: 20μA/div ～ 50A/div，20 档
4．1．1．2 误差：
20μA/div ～ 50μA/div ≤±4％±1％读数＋1 字
0.1mA/div ～ 1A/div, ≤±3％±1％读数＋1 字
2A/div ～ 50A/div,
≤±4％±1％读数＋1 字
4．1．2 二极管反向漏电流(IR)
4．1．2．1 范围： 0.02μA/div ～ 1μA/div，6 档
10mV/div ～ 0.1V/div ≤±4％±1％读数＋1 字 0.2V/div ～ 50V/div ≤±3％±1％读数＋1 字 4．2．2 基极电压 Vbe 4．2．2．1 范围: 50mV/div ～ 2V/div，6 档 4．2．2．2 误差： ≤±3％±1％读数＋1 字 4．2．3 二极管反向耐压 Vd 4．2．3．1 范围：100V/div ～ 500V/div，3 档 4．2．3．2 误差：≤±5％±1％读数＋1 字 4．3 阶梯系统 4．3．1 阶梯电流 4．3．1．1 范围： WQ4833: 0.2μA/级 ～ 0.5A/级，20 档 WQ4834: 0.2μA/级 ～ 1.0A/级，21 档 WQ4835、WQ4836: 0.2μA/级 ～ 2.0A/级，22 档 4．3．1．2 误差（阶梯电流偏置＝0）： 0.2μA/级 ～ 10μA/级 ≤±4％±1％读数＋1 字 20μA/级 ～ 2.0A/级 ≤±3％±1％读数＋1 字 4．3．2 阶梯电压 4．3．2．1 范围：10mV/级 ～ 2V/级，8 档 4．3．2．2 误差（阶梯电压偏置＝0）：≤±3％±1％读数＋1 字 4．3．3 阶梯偏置 4．3．3．1 范围：±1 级阶梯 4．3．3．2 误差：≤±4％±1％读数＋1 字 4．4 扫描电源 4．4．1 集电极扫描电压及电流峰值： WQ4833: 10V(50A)，50V(10A)，100V(2A)，500V(0.2A) WQ4834: 10V(100A)，50V(20A)，100V(5A)，500V(0.2A) WQ4835: 10V(200A)，50V(50A)，100V(10A)，500V(0.5A)
操作规范(HZ4832晶体管测试仪)
操作规范(HZ4832晶体管测试仪)深圳市博劲恒科技有限公司□一阶□二阶■三阶文件编码版本版次页码页次制定部门制定日期BJH-BP8-1品质部2019-9-3晶体管测试仪操作指引□保密■重要□传阅目一、目的(Purpose)二、范围(Scope)录（directory）三、注意事项（Attention）四、使用方法（Usemethod）五、测试实例说明(TestCaseSpecification)修订日期2019.9.3版次修订内容B首次发行制定彭礼审核核准日期深圳市博劲恒科技有限公司□一阶□二阶■三阶文件编码版本版次页码页次制定部门制定日期BJH-BP8-2品质部2019-9-3晶体管测试仪操作指引□保密■重要□传阅一、目的为使晶体管检测仪有一定的操作方法，标准与步骤依循。
二、范围适用于：HZ4832。
三、注意事项1.在测量三极管的输出特性时，阶梯电流就不能太小，否则，不能显示出三极管的输出特性。
阶梯电流更不能过大，这样容易损坏管子，应根据实际测量三极管的参数来确定其大小。
2.“集电极功耗电阻”的选用当测量晶体管的正向特性时，选用低阻档；当测量反向特性时，选用高阻档。
集电极功耗电阻过小时，集电极电流就过大；若集电极功耗电阻过大，就达不到应该有的功耗。
3.仪器工作电压超过36V，注意用电安全。
4.在使用过程中一定要先确定待测元件的特性参数，以免损坏元件和实验仪器。
5.在显示调节聚焦和辉度时以屏幕显示适中为佳，过焦过亮会缩短示波管寿命。
6.元件测试过程中切勿用手接触裸露带电部位，以免造成数据失真和人身安全。
7.元件测试参照测试实例调节相应参数。
四、操作步骤与方法如下1.仪器使用前准备工作1.1确认输入电源电压并可靠接通仪器，确认仪器电源开关未被拉出，确认测试台和转换座可靠连接在实验仪上。
1.2开机预热2-3分钟，调整显示屏聚焦和辉度，以显示适中为佳。
1.3对应测试元件选择合适的转换座接入测试台。
2.使用仪器测试2.1按元件极性接入相应的测试台或转换座，调整仪器，以特性曲线正确显示在屏幕中央为准。
Get格雅WQ4832晶体管特性图示仪
WQ4832晶体管特性图示仪产品销售合同供方〔卖出人〕：河北润联机械设备合同编号：20210124需方〔买受人〕：签定地点：签定时间：2021年01月24日为明确双方责任，确保合同顺利执行，经双方协商，达成如下共识：一、产品名称、型号、数量、供货时间及数量标的物名称规格型号数量单价总金额交提货时间及数量及合同执行条件ZC4822晶体管特征性图示仪RL145765126402640QT2型大功率晶体管特性图示仪RL145767184008400WQ4830晶体管特性图示仪RL14576911440014400WQ4828晶体管特性图示仪RL145770174407440WQ4832晶体管图示仪RL145771131923192注：合计金额：人民币〔大写〕：叁万陆仟零柒拾贰圆元整元整。
二、质量要求、技术标准、供方对质量负责的条件和期限：三、交〔提〕货地点、方式：当地物流四、运输方式及到达站港和费用负担：买家承当五、包装标准、包装物的供给与回收：木箱等六、验收标准、方法及提出异议期限：当场验收七、随机备品、配件工具数量及供给方法：随产品发货八、结算方式及期限：银行转账，款到发货九、如需提供担保，另立合同担保书，作为合同附件。
十、标的物所有权自付清全款时转移，但买受人未履行支付价款义务的，标的物属出卖人所有。
十一、违约责任：十二、解决合同纠纷的方式由当事人从以下中选择一种：1、因履行本合同发生争议协商解决不成的提交民事仲裁委员会仲裁。
2、因履行本合同发生争议协商解决不成的依法向人民法院起诉。
十三、其它事项说明：确认后请回传：回传号码：联系人：张新手ZC4822晶体管特征性图示仪性能特点：•显示晶体管器件特性曲线，并可测量静态参数•具备交替测量显示功能，可同时显示二极管正、反相特性•体积小，操作简便，可靠性高•最高集电子扫描电压为500V，最大电流2A，根本满足了一般晶体管的测试要求•特别适用于学校实验室，家电维修部门对晶体管作一般性测量技术参数：型号ZC4822集电极功率范围最大电压：500V，最大电流：2A 0-20V：2A0-50V: 1A0-500V：集电极电流范围10uA-0.2A/div,分十档误差≤10%集电极电压范围50mV-0.5V/div,分七档误差≤10%基极电压范围50mV-0.5V/div,分三档误差≤10%阶梯电流范围5uA-10mA/step 误差≤10%阶梯电压范围误差≤10%极性正极性和负极性每族极数10有效显示面积10*10div(度〕QT2型大功率晶体管特性图示仪产品简介:QT2型大功率晶体管特性图示仪可测量二极管、三极管的低频直流参数，最大集电极电流超过50A，能满足500VA以下器件的测试。
4812说明书
简介谢谢您购买绿扬牌YB4812型晶体管特性图示仪。
为保证正确利用,请在利用前认真阅读此说明书.阅毕,请将说明书保留好。
该图示仪依照严格的质量操纵标准生产，元器件进行了全面的挑选老化。
售后效劳：若是显现任何故障，请与咱们的销售部或各维修点联系，以取得快捷而有效的售后效劳。
注意：该仪器必需在规定的工作环境中利用，才能保证其处于最正确工作状态。
警示：电源插头应有接地爱惜，改换保险丝时应断开输入电源。
非专业技术人员请勿打开盖板。
1．概述YB4812型晶体管特性图示仪是一种用于测量各类半导体管特性曲线和静态参数的测量仪器。
本仪器是新一代便携式图示仪，整机采纳新颖电路设计技术，除具有一般图示仪的功能外，还具有外形轻巧、操作简便、性能稳固靠得住、性价比高的特点，能知足大部份半导体器件的测试要求。
适合于工厂生产线、大专院校、仪器修理业等领域。
2．要紧技术指标Y轴系统集电极电流范围（Ic）：10μA/div～div，分14档，误差不超过±5%。
扩展×10，误差不超过±10%。
X轴系统集电极电压范围（Vc）：div～50V/div，分10档，误差不超过±5%。
基极电压范围（Vbe）：～div，分4档，误差不超过±5%。
阶梯信号阶梯电流范围：5μA/div～10mA/div，分11档，误差不超过±5%。
阶梯电压范围：～，分4档，误差不超过±5%。
每簇级数：0～10级持续可调。
串联电阻：0、10kΩ，误差不超过±10%。
集电极扫描电源峰值电压：0～50V、0～500V持续可调。
电流容量：0～50V 2A；0～500V 500mA。
功耗限制电阻：约0～100kΩ持续可调。
容性电流：500V时小于5μA。
其他示波管：15SJ118Y-14（内）。
外型尺寸：430mm×320mm×150mm （D×B×H）。
晶体管特性图示仪使用方法.
⑶校准:按下校准键,光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度,以达到10度校正目的。
19. X轴移位:调节光迹在水平方向的移位。
20. X轴选择(电压/度开关:可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换,共17挡。
21. “级/簇”调节:在0~10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。
电压范围/V 0~10 0~50 0~100 0~500
允许最大电流/A 5 1 0.5 0.1
表A-3最大电流对照表
7.进行高压测试时,应特别注意安全,电压应从零逐步调节到需要值。观察完毕,应及时将峰值电压调到零。
7.3基本操作步骤
1.按下电源开关,指示灯亮,预热15分钟后,即可进行测试。
2.调节辉度、聚焦及辅助聚焦,使光点清晰。
集电极极性+阶梯信号重复
功耗电阻250Ω阶梯极性+
X轴集电极电压1V/度阶梯选择20μA
逐渐加大峰值电压就能在显示屏上看到一簇特性曲线,如图A-26所示.读出X轴集电极电压Vce =1V时最上面一条曲线(每条曲线为20μA,最下面一条IB=0不计在内IB值和Y轴IC值,可得
hFE = = = =42.5
PNP型晶体管的测试方法与NPN型晶体管的测试方法相同。可按测试条件,适当改变挡位,并把集电极扫描电压极性改为“—”,把光点调到荧光屏的右下角(阶梯极性为“+”时或右上角(阶梯极性为“—”时即可。
3.晶体管击穿电压的测试
以NPN型3DK2晶体管为例,查手册得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的测试条件IC分别为100μA、200μA和100μA。测试时,仪器部件的置位详见表A-6。
<晶体管特性图示仪>的使用方法
晶体管特性测试仪的使用
⑦峰值电压范围。通过集电极变压器的不同输出电压的选择而分为5V(5A)、50V(1A)、500V(0.1A)、3000V(2mA)4挡,在测试半导体器件时,应由低挡改换到高挡,在换挡时必须将“峰值电压%”调到0,再慢慢增加,否则易击穿被测管。
(2)Y轴部分
①电流/度开关。它是一种具有25挡、4种偏转作用的开关,是测量二极管反向漏电流及三极管集电极电流的量程开关。集电极电流共20挡(10μA/div～0.5A/div);二极管漏电流共5挡(0.2～5μA/div)。当开关置于“基极电流或基极源电压”位置时,可使屏幕Y轴代表基极电流或电压;当开关置于“外接”时,Y轴系统处于外接收状态,外接是由后面板插座直接输入到Y轴放大器,经放大后取得其偏转值。
下面介绍晶体管特性测试仪的应用举例。
(1)二极管正向特性的测量:下面以硅整流二极管1N4007为例,说明二极管正向特性曲线的测量方法。
测量时,将屏幕上的光点移至左下角,测试仪面板上的有关开关、按钮置于如下位置:
峰值电压范围:0～5V
极性பைடு நூலகம்正(+)
功耗电阻:2.5Ω
X轴:集电极电压0.1V/div
(2)三极管的测量:下面以NPN型三极管9011为例,说明三极管的ICVCE特性曲线的测量方法。测量时,将屏幕上的光点移至左下角,测试仪面板上的有关开关、按钮置于如下位置:峰值电压范围:0～20V,极性为正
功耗电阻:250Ω
X轴:集电极电压1V/div
Y轴:集电极电流1mA/div
阶梯信号:重复,极性为正
②Y轴移位。它可使被测信号或集电极扫描线在Y轴方向移动。
(3)X轴部分
晶体管图示仪使用方法
审核/日期----- 版次A/O批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次1/4QT2晶体管图示仪使用方法一、晶体管图示仪测试范围：三极管/二极管/场效应管/可控硅等。
二、使用方法：1、先将图示仪电源开关打开，十分钟后便可开始检测。
a、反向击穿电压的检测：Vcbo 集电极/基极间电压（发射极开路）Vebo 发射极/基极间电压（集电极开路）Vceo 集电极/发射极间电压（基极开路）Vcer 集电极/发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）Vces 集电极/发射极间电压（基极与发射极间短路）2、根据被测三极管的极性选择NPN/PNP 。
被测的BCE各极按照上表所示进行连接（开路可直接悬空）3、Y偏转放大器的电流/度（集电极电流）开关至于较小挡，无特殊要求一般置于100/uA度挡级。
4、X偏转放大器的电压/度U0根设定合适的挡。
5、无特殊要求将集电极功耗电阻至于10K~100K之间的任意挡级。
6、集电极电压至于合适的档级（根据被测管的参数而定），峰值电压初始为0 ，测试时按顺时针方向适当的加大。
7、读出数值并记录、比较，要求所测值必须大于晶体管额定值。
审核/日期------ 版次A/O批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次2/4QT2晶体管图示仪使用方法b、V CE----I C特性测试:(集、射极电压/集电极电流)1、根据集电极、基极的极性选择开关置于NPN/PNP，并将开关置于常态。
如基极需要反相时可置于“倒置”。
2、按照被测管的管脚CBE的排列对应插入测试盒中。
3、查看被测管的参数，将Y电流/度置于I C合适的档级，X电压/度置于U C合适档级。
4、选择A/B测试盒,并将开关置于所要测试的一边。
5、调整光标的位置，使其停在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点开始。
6、选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级的某一挡（一般至于较小挡级，再逐渐加大致要求值）。
7、选择合适的集电极功耗电阻，电阻值的确定可根据负载线的要求或保护被测管的要求选择。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。
在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。
在一次测试完成后，如果没有检测到器件。
长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。
当需要从某个功能里退出时，则长按开关。
●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。
这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。
经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。
测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。
如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。
要再一次测试则按一次开关。
测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。
●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。
校准分为快速校准和全功能校准。
快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。
屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。
WQ4832 晶体管特性图示仪
目 录使用须知．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．2 安全注意事项．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3 概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 主要技术指标．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 使用说明．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5 使用范例．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10 维修指南．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15 装箱单．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．16使用须知WQ4832型晶体管特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。
本仪器采用晶体管与集成电路混合线路，具有功耗低、电流容量大、重量轻等特点，是半导体研究及应用领域必不可少的测试工具。
用户在使用本仪器之前应熟悉以下注意事项，以保证仪器的正常使用。
1．“功耗限制电阻”作用大，除了测量饱和电压（如U CER）及最大电流（如I CM）外，一般应将“功耗限制电阻”置于较大值（≥1KΩ），这样既保护了被测管不至电流过载，又可防止由于被测管击穿后导致仪器损坏，在测量击穿电压时更应注意。
2．按“峰值电压范围”需特别注意，一般情况下应与“电压/度”开关相配合： “峰值电压范围”U C档级 “电压/度”应放置位置5V ≥500mV/度50V ≥5V/度100V ≥10V/度500V ≥50V/度5KV 500V/度如需要低于上述量程，应首先将“峰值电压”调至0，再徐徐加大。
在测试中，当输出峰值电压较大时，请勿触摸C极与管子外壳，以免遭电击。
晶体管特性测试仪的使用
晶体管特性测试仪的使用晶体管特性测试仪的使用典型的晶体管特性测试仪面板上的开关、旋钮按功能可划分为6个部分,即示波管及显示电路、集电极电源、Y轴部分、X轴部分、校正及转换部分、阶梯信号部分。
现将各部分的主要开关及旋钮的作用说明如下(以HZ4832型晶体管特性测试仪为参考)。
(1)电源及示波管控制部分:这一部分的使用与示波器完全相同,不做过多介绍。
(2)Y轴部分①电流/度开关。
它是一种具有25挡、4种偏转作用的开关,是测量二极管反向漏电流及三极管集电极电流的量程开关。
集电极电流共20挡(10μA/div～0.5A/div);二极管漏电流共5挡(0.2～5μA/div)。
当开关置于“基极电流或基极源电压”位置时,可使屏幕Y轴代表基极电流或电压;当开关置于“外接”时,Y轴系统处于外接收状态,外接是由后面板插座直接输入到Y轴放大器,经放大后取得其偏转值。
②Y轴移位。
它可使被测信号或集电极扫描线在Y轴方向移动。
(3)X轴部分①电压/度开关。
它是一种具有22挡、4种偏转作用的开关,是集电极电压及基极电压的量程开关。
集电极电压共12挡(0.05～50V/div)。
当开关置于“基极电流或基极源电压”位置时,可使屏幕X 轴代表基极电流或电压;当开关置于“外接”时,X轴系统处于外接收状态,外接是由后面板Q9插座直接输入到X轴放大器,经放大后取得其偏转值。
②X轴移位。
可以使被测信号或集电极扫描线在X轴方向移动。
(4)阶梯信号部分①级/簇。
它是用来调节阶梯信号的级数,能在1～10级内任意选择。
②调零。
未测试前,应首先调整阶梯信号起始级为零电位。
当荧光屏上可观察到基极阶梯信号后将零电压按钮置于“零电压”,观察光点或光迹在荧光屏上的位置,然后将其复位,调节“阶梯调零”电位器,使阶梯信号起始级与“零电压”时的位置重合,这样阶梯信号的“零电位”被正确校正。
③串联电阻开关。
当阶梯选择开关置于电压/级的位置时,串联电阻与半导体器件的输入回路串联,用于改变阶梯信号与被测管输入端之间所串接的电阻的大小。
晶体管图示仪使用方法
根据晶体管交流输入电阻的定义
可以从输入特性曲线上估算出被测晶体管的输入电阻 rbe 。具体方法是：根据静态工作点的参数，在图示仪的曲线上确定静态工作点 Q 的位置，求出曲线在该点的斜率，（如图 1.2.6 所示）即 可 求 得 被 测 晶 体管在 Q 点处的 rbe 。
的大小，就反映了图示仪上所显示的输出特性曲线的疏密程度。
(6)“零电压”、“零电流”开关
此开关是对被测晶体管基极状态进行设置的开关。当测量管子的击穿电压和穿透电流时，都需要使被测管的基极处于开路状态。这时可以将该开关设置在“零电流”挡(只有开路时，才能保证电流为零)。当测量晶体管的击穿电流时，需要使被测管的基、射极短路，这时可以通过将该开关设置在“零电压”挡来实现。
根据所显示的正向特性曲线，可测试出被测二极管在某一电压ＶF下的正向电流Ｉ F ，正向直流电阻ＲF 和正向交流电阻 rF 等常用参数。
正向电流 ＩF ：如图1.2 .7 所示，对于不同的正向电压ＶF ，可从曲线上测出相应的正向电流ＩF 。
正向直流电阻 Ｒ F：ＶF 和 ＩF 的比值即为相应工作点处的正向直流电阻 ＲF 。
(3)“峰值电压范围”开关和“峰值电压％”旋钮
“峰值电压范围’’是5个挡位的按键开关。“峰值电压％”是连续可调的旋钮。它们的共同作用是用来控制“集电极扫描电压”的大小。不管“峰值电压范围”置于哪一挡，都必须在开始时将“峰值电压％”置于0位，然后逐渐小心地增大到一定值。否则容易损坏被测管。一个管子测试完毕后，“峰值电压％”旋钮应回调至零。
下面以 NPN 型三极管为例，说明具体的测试方法：
(3) 测量晶体管共射输出特性曲线及有关参数
将被测的晶体管 (如 3DG6 ) 插入测试台。将屏幕的光点调到屏幕的左下角。根据第 ( 2 ) 部分“主要旋钮的作用及选择”中的原则，将各旋钮置于适当的位置，即可在图示仪的屏幕上显示出如图 1.2.5 所示的晶体管输出特性曲线。根据输出特性曲线，可测试出晶体管的输出电阻 rce、电流放大倍数 β以及穿透电流ＩCEO。
晶体管参数的测量方法和测试仪器
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WQ4833、WQ4834、WQ4835、WQ4836大功率数字存储图示仪使用说明书
源％”旋钮调至 0，再徐徐加大。
在测试中，当输出扫描电压较大时，请勿触摸 C 极与管子外壳，以免遭电
击。严禁将各输出端任意长时间短路。
2．4 基极（栅极）注入电流（电压）应与被测管的功率、最大集电极电流
相适应，一般情况注入电流由小逐档增加（同时应估算上述二指标，不致电
流、功率击穿）。
2．5 测试台上各种插座及接线柱都有规定的最大测试电流，不得将大电流
0Ω、10kΩ、1MΩ，共 3 档，误差≤±5％ 4．7 显示系统 4．7．1 采用 5.7 寸，640×480，TFT 彩色液晶显示器。 4．7．2 参数设定值显示：显示面板旋钮或按键设置的参数 4．7．3 参数测量值显示：显示 X、Y 游标所在位置的电压、电流值，及计算 出的β或 gm 值。 4．7．4 图形曲线显示：能同时显示一幅实时采样的动态图形及一幅静态图形。 4．7．5 游标显示：能单独显示 X 或 Y 游标。 4．7．6 运行状态显示：能显示仪器的“运行”或“停止”状态，能显示 USB 接口的“连接”或“断线”状态。在快速筛选状态下，还能显示有关筛选功能 的多种信息：如筛选内容、是否超差等。 4．8 处理器及存储系统
额定电压 220V±10%，频率 50Hz±2Hz，正弦波电源。 最大功耗：WQ4833: 200W WQ4834: 300W WQ4835、WQ4836: 400W 4．11 外形尺寸：58（长）×33（宽）×40（高）cm 4．12 重量： 约 28 公斤
5．操作说明
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5．1 主面板旋钮及按键功能说明；测试台面板说明；后面板功能说明。 主面
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1．安全注意事项
使用本仪器前必须详细阅读使用说明书，不正确的使用可能造成人身伤 害、损坏被测器件及本仪器！ 1．1 电源电压