MSP430电容式单触摸传感器设计指南(中文)

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浅谈电容触摸技术的各类解决方案

浅谈电容触摸技术的各类解决方案

浅谈电容触摸技术的各类解决方案摘要:各类家电的操作器普遍采用触摸按键的方式对设备进行控制,在抗干扰以及响应速度上有不错的表现,结构上不易损坏,而且也有整体性的外观亮点。

其中电容式触摸按键响应快被广泛使用,本文针对电容触摸方式探讨了各公司提出和设计的电容触摸按键解决方案以及设计所需注意事项。

关键词:电容;触摸按键;Brief discussion on various solutions of capacitive touch technology(TCL Air Conditioner(ZhongShan)Co.,Ltd, 528400)Abstract:The operators of all kinds of household appliances generally use touch keys to control the equipment, in the anti-interference and response speed has a good performance, the structure is not easy to damage, but also has the overall appearance of bright spots. Capacitive touch key response is widely used. This paper discusses the capacitive touch key solutions proposed and designed by various companies and the matters needing attention in design.Key words: capacitance; Touch key;引言电容传感器可以解决许多不同类型的传感和测量问题。

它们能够被集成到一个印刷电路板或一个微芯片中,并且具有非常优秀的精确性,对温度良好的稳定性,以及很少的耗电量。

MSP430FW427中文数据手册

MSP430FW427中文数据手册

MSP430 的典型应用包括热量仪表、热水和冷水仪表、气体仪表和工业传感器系统。定时器支持额外 的计数器应用、射频位流操作、IrDA 和 M-Bus 通讯。
—1—
利尔达单片机技术有限公司 杭州市文二路 207 号文欣大厦 301 座 0571-88259199
TA –40°C to 85°C
MSP430xW42x引脚功能
输入/ 序
输出 号


64
电源正端,为SVS,上电复位,振荡器,FLL+,比较器A,I/O端口6和LCD电阻分
压电路供电,不能先于DVCC上电
62
电源负端,为SVS,上电复位,振荡器,FLL+,比较器A,I/O端口6供电,必须外
部连接到DVSS。内部连接到DVSS
1
数字供电电源正端,为除了由AVCC/AVSS供电的所有数字部分供电
可选型号 封装器件
64 脚 QFP 封装(PM) MSP430CW423IPM MSP430CW425IPM MSP430CW427IPM MSP430FW423IPM MSP430FW425IPM MSP430FW427IPM
MSP430xW42x 引脚
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TDI/TCLK
55
I 测试数据输入或测试时钟输入。芯片保护熔丝连接到TDI/TCLK
TDO/TDI
54 I/O 测试数据输出。TDO/TDI数据输出或者编程数据输入引脚
TMS
56
I 测试模式选择。TMS用于芯片编程和测试的输入端口
XIN
8
I 晶体振荡器XT1的输入端口。可以连接标准或者钟表晶振

MSP430中文数据手册

MSP430中文数据手册

MSP430混合信号微控制器数据手册产品特性●低电压范围:2.5V~5.5V●超低功耗——活动模式:330μA at 1MHz, 3V——待机模式:0.8μA——掉电模式(RAM数据保持):0.1μA●从待机模式唤醒响应时间不超过6μs●16位精简指令系统,指令周期200ns●基本时钟模块配置——多种内部电阻——单个外部电阻——32kHz晶振——高频晶体——谐振器——外部时钟源●带有三个捕获/比较寄存器的16位定时器(Timer_A)●串行在线可编程●采用保险熔丝的程序代码保护措施●该系列产品包括——MSP430C111:2K字节ROM,128字节RAM——MSP430C112:4K字节ROM,256字节RAM——MSP430P112:4K字节OTP,256字节RAM●EPROM原型——PMS430E112:4KB EPROM, 256B RAM●20引脚塑料小外形宽体(SOWB)封装,20引脚陶瓷双列直插式(CDIP)封装(仅EPROM)●如需完整的模块说明,请查阅MSP430x1xx系列用户指南(文献编号:SLAU049产品说明TI公司的MSO43O系列超低功耗微控制器由一些基本功能模块按照不同的应用目标组合而成。

在便携式测量应用中,这种优化的体系结构结合五种低功耗模式可以达到延长电池寿命的目的。

MSP430系列的CPU采用16位精简指令系统,集成有16位寄存器和常数发生器,发挥了最高的代码效率。

它采用数字控制振荡器(DCO),使得从低功耗模式到唤醒模式的转换时间小于6μs.MSP430x11x系列是一种超低功耗的混合信号微控制器,它拥有一个内置的16位计数器和14个I/0引脚。

典型应用:捕获传感器的模拟信号转换为数据,加以处理后输出或者发送到主机。

作为独立RF传感器的前端是其另一个应用领域。

DW封装(顶视图)可用选型功能模块图管脚功能简介:1.CPUMSP430的CPU采用16位RISC架构,具有高度的应用开发透明性。

MSP430系列MCU选型手册

MSP430系列MCU选型手册

MSP430系列MCU选型手册msp430芯片选型中文手册指南F1XX系列Vcc1.8V-3.6V型号MSP430F1101A参数说明1KBflash,128BRam;slopeA/D;14个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器),比较器_A;20DW、PW封装型号MSP430F1111A参数说明2KBflash,128BRam;slopeA/D;14个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器),比较器_A;20DW、PW封装型号MSP430F1121A参数说明4KBflash,256BRam;slopeA/D;14个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器),比较器_A;20DW、PW封装型号MSP430F1122参数说明4KBflash,256BRam;5通道10bitA/D;14个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器),温度传感器;20DW、PW封型号MSP430F1132参数说明8KBflash,256BRam;5通道10bitAD;14个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);温度传感器;20DW、PW封型号MSP430F122参数说明4KBflash,256BRam;slopeA/D;22个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口,比较器A;28DW、PW封装型号MSP430F123参数说明8KBflash,256BRam;slopeA/D;22个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口,比较器A;28DW、PW封装型号MSP430F1222参数说明4KBflash,256BRam;8通道10bitA/D;22个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;温度传感器;28DW、PW封装型号MSP430F1232参数说明8KBflash,256BRam;8通道10bitA/D;22个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;温度传感器;28DW、PW封装型号MSP430F133参数说明8KBflash,256BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F135参数说明16KBflash,512BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F147参数说明32KBflash,1024BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1471参数说明32KBflash,1024BRam;slopeA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;64PM封装型号MSP430F148参数说明48KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1481参数说明48KBflash,2048BRam;slopeA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;64PM封装型号MSP430F149参数说明60KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1491参数说明60kflash,2048BRam;slopeA/D;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;64PM封装型号MSP430F155参数说明16KBflash,512BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;I2C;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F156参数说明24KBflash,512BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;I2C;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F157参数说明32KBflash,1024BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;I2C;比较器_A;温度传感器;64PM 封装型号MSP430F167参数说明32KBflash,1024BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F168参数说明48KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F169参数说明60KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1610参数说明32KBflash,5120BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1611参数说明48KBflash,10240BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B (7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F1612参数说明55kBflash,5120BRam;8通道12bitA/D;双12bitD/A;DMA;48个I/O口;16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;I2C;MPY;比较器_A;温度传感器;64PM封装F21X1系列Vcc1.8V-3.6V型号MSP430F2101参数说明1KBflash,128BRam;slopeA/D;16个I/O口;15/16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;BrownoutProtection;20DW、PW、DGV封装型号MSP430F2111参数说明2KBflash,128BRam;slopeA/D;16个I/O口;15/16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;BrownoutProtection;20DW、PW、DGV封装型号MSP430F2121参数说明4KBflash,256BRam;slopeA/D;16个I/O口;15/16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;BrownoutProtection;20DW、PW、DGV封装型号MSP430F2131参数说明8KBflash,256BRam;slopeA/D;16个I/O口;15/16位WDT;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;BrownoutProtection;20DW、PW、DGV封装F4XX系列Vcc1.8V-3.6VWithLCD驱动型号MSP430F412参数说明4KBflash,256BRam;slopeA/D;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM封装型号MSP430F413参数说明8KBflash,256BRam;slopeA/D;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM封装型号MSP430F415参数说明16kBflash,512BRam;slopeA/D;48个I/O 口;96段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A (3或5个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM 封装型号MSP430F417参数说明32kBflash,1024BRam;slopeA/D;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3或5个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM 封装型号MSP430FE423参数说明8KBflash,256BRam;SD16A/D;Emeter计量模块;14个I/O口;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART 接口;温度传感器;64PM封装型号MSP430FE425参数说明16KBflash,512BRam;SD16A/D;Emeter计量模块;14个I/O口;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART 接口;温度传感器;64PM封装型号MSP430FE427参数说明32KBflash,1KBRam;SD16A/D;Emeter计量模块;14个I/O口;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个USART 接口;比较器_A;温度传感器;64PM封装型号MSP430F4250参数说明16KBflash,256BRam;32个I/O 口;56段LCD;SD16位ADC (具有内部参考电压);12位DAC,1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);温度传感器模块;电源检测功能;48DL封装型号MSP430F4260参数说明24KBflash,256BRam;32个I/O 口;56段LCD;SD16位ADC (具有内部参考电压);12位DAC,1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);温度传感器模块;电源检测功能;48DL封装型号MSP430F4270参数说明32KBflash,256BRam;32个I/O 口;56段LCD;SD16位ADC (具有内部参考电压);12位DAC,1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);温度传感器模块;电源检测功能;48DL封装型号MSP430FG437参数说明32KBflash,1024BRam;12通道12bitA/D;双12bitD/A;48个I/O口;DMA;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;温度传感器;80PN 封装型号MSP430FG438参数说明48KBflash,2048BRam;12通道12bitA/D;双12bitD/A;48个I/O口;DMA;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;温度传感器;80PN 封装型号MSP430FG439参数说明60KBflash,2048BRam;12通道12bitA/D;双12bitD/A;48个I/O口;DMA;128段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器);1个USART接口;温度传感器;80PN 封装型号MSP430FW423参数说明8KBflash,256BRam;slopeA/D;流量测量ScanIF模块;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit 基本定时器;1个16位Timer_A(3或5个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM封装型号MSP430FW425参数说明16KBflash,512BRam;slopeA/D;流量测量ScanIF模块;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit 基本定时器;1个16位Timer_A(3或5个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM封装型号MSP430FW427参数说明32KBflash,1024BRam;slopeA/D;流量测量ScanIF模块;48个I/O口;96段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3或5个捕获/比较寄存器);比较器_A;64PM封装型号MSP430F435参数说明16KBFlash,512BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;128/160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器)_B;1个USART接口;比较器_A;温度传感器;80PN/100PZ封装型号MSP430F436参数说明24KBFlash,1024KRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;128/160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器)_B;1个USART接口;比较器_A;温度传感器;80PN/100PZ封装型号MSP430F437参数说明32KBFlash,1024KRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;128/160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器)_A;1个16位Timer_B(3个捕获/比较寄存器)_B;1个USART接口;比较器_A;温度传感器;80PN/100PZ封装型号MSP430F447参数说明32KBFlash,1024KRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B (7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;100PZ 封装型号MSP430F448参数说明48KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B (7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;100PZ 封装型号MSP430F449参数说明60KBflash,2048BRam;8通道12bitA/D;48个I/O口;160段LCD;16位WDT;8bit基本定时器;1个16位Timer_A(3个捕获/比较寄存器);1个16位Timer_B (7个捕获/比较寄存器);2个USART接口;MPY;比较器_A;温度传感器;100PZ 封装型号TSS721AD参数说明M-BUS总线型号TRF6901PT参数说明无线射频率收发芯片。

DMP英文官方手册翻译中文

DMP英文官方手册翻译中文

嵌入式的运动驱动程序5.1.1 教程TABLE OF CONTENTSREVISION HISTORY ............................. PURPOSE .............................................. REQUIREMENTS .................................. NTRODUCTION TO MOTION DRIVER目的运动驱动程序是一个传感器驱动程序层,轻松地配置和利用机上数字运动处理器(DMP) InvenSense 的运动跟踪设备的功能。

运动驱动程序是嵌入式MotionApps 软件,使更容易移植到多个单片机体系结构的一个子集。

本文档说明了运动驱动库的实际应用。

包括教程与msp430 单片机嵌入式单片机兼容性从TI,和msp430 单片机体系结构的一些知识为此,提出建议。

采用MSP430 单片机作为示例平台只。

运动驱动程序可以方便地移植到任何MCU。

要求3.1 作曲家的工作室(编译MSP430 示例只)的代码3.2 议案的驱动程序源代码文件3.3 MotionFit ™发展局或类似的硬件(例如只)运动驱动程序简介运动驱动程序包括了一整套的API 的ANSI 兼容C 使用和配置不同功能的InvenSense 运动跟踪设备,包括DMP 操作编写的。

本教程提供一个样本项目,从加速度计和陀螺仪(6 轴四元数)出融合四元数的数据发送到由客户端用python 写的显示和旋转屏幕上一个 3 维多维数据集进行处理的pc 机的串行端口上。

在此驱动程序支持 6 轴和9 轴InvenSense 设备。

以下被解决本议案驱动程序教程:如何加载、配置和利用DMP 功能.Msp430 单片机的I2C 驱动程序示例。

陀螺仪和加速度计自我测试基于硬件自我测试文档的函数调用。

(请参阅完整自我测试描述产品注册地图文档)。

MSP-EXP430G2 LacunchPad口袋实验平台用户手册

MSP-EXP430G2 LacunchPad口袋实验平台用户手册

4.11 I2C 扩展 IO .................................................................................. 31 4.12 LCD 显示自检 ............................................................................. 34 4.13 拨盘电位器 .................................................................................. 36 4.14 温度传感器采样及显示.............................................................. 38 4.15 SPWM 波形合成及采样 .............................................................. 40 4.16 任意波形发生器 AWG ............................................................... 43 4.17 基于 AWG 的音频播放器 .......................................................... 45 4.18 自校验 DCO ................................................................................ 47
1
口袋实验平台可以不借助其它测试仪器实现对单片机的内 部资源和外设的学习和实验。三个综合实验的录像中,使用了 部分仪器来丰富实验效果。 1) 在例程“20_Sin_Gen_and_Sample ”中可以使用示波器 观测 PWM 滤波波形,也可以利用仿真器间接观测波 形。 2) 例程 “21_1_DAC_AWG” 中使用了示波器,如无示波 器,可用例程“21_2_TF_Audio”替代学习 DAC 的使 用。 3) 例程“22_DCO_Calb_Test”录像中示波器和频率计的使 用是为了验证自校验 DCO 频率的精度,利用单片机 自制的频率计一样能满足要求,可自行编程实现频率 计功能。

msp430g2553数据手册中文版

msp430g2553数据手册中文版

28 引脚
24 TSSOP 封
LF,

-
1
DCO,
VLO
20 引脚
16 TSSOP 封

16
20 引脚 PDIP 封装
24
32 引脚 QFN 封装
28 引脚
24 TSSOP 封
LF,

-
1
DCO,
VLO
20 引脚
16 TSSOP 封

16
20 引脚 PDIP 封装
24
32 引脚 QFN 封装
28 引脚
3
MSP430G2x53 MSP430G2x13
ZHCS178E – APRIL 2011 – REVISED JANUARY 2012

器件引出脚配置、MSP430G2x13 和 MSP430G2x53、20 引脚器件、 TSSOP 和 PDIP 封装
DVCC 1 P1.0/TA0CLK/ACLK/A0/CA0 2 P1.1/TA0.0/UCA0RXD/UCA0SOMI/A1/CA1 3 P1.2/TA0.1/UCA0TXD/PUCA0SIMO/A2/CA2 4 P1.3/ADC10CLK/CAOUT/VREF-/VEREF-/A3/CA3 5 P1.4/SMCLK/UCB0STE/UCA0CLK/VREF+/VEREF+/A4/CA4/TCK 6 P1.5/TA0.0/UCB0CLK/UCA0STE/A5/CA5/TMS 7
P2.0/TA1.0 8 P2.1/TA1.1 9 P2.2/TA1.1 10
N20 PW20 (TOP VIEW)
20 DVSS 19 XIN/P2.6/TA0.1 18 XOUT/P2.7 17 TEST/SBWTCK 16 RST/NMI/SBWTDIO 15 P1.7/CAOUT/UCB0SIMO/UCB0SDA/A7/CA7/TDO/TDI 14 P1.6/TA0.1/UCB0SOMI/UCB0SCL/A6/CA6/TDI/TCLK 13 P2.5/TA1.2 12 P2.4/TA1.2 11 P2.3/TA1.0

mps430G2553中文资料

mps430G2553中文资料

时钟
I/O 封装类型
16
512 2x TA3
8
8
512 2x TA3
8
4
256 2x TA3
8
2
256 2x TA3
8
1
256 2x TA3
8
24
32 引脚 QFN 封装
28 引脚
24 TSSOP 封
LF,

-
1
DCO,
VLO
20 引脚
16 TSSOP 封

16
20 引脚 PDIP 封装
24
32 引脚 QFN 封装
引导加 载器 (BSL)
嵌入式 仿真模
块 (EEM)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
表 1. 提供的选项(1)(2) (接下页)
ZHCS178E – APRIL 2011 – REVISED JANUARY 2012
闪存 (KB)
RAM (B)
Timer_A
COMP_A+ 通道
10 通道 ADC
USCI A0/B0
典型应用包括低成本传感器系统,此类系统负责捕获模拟信号、将之转换为数字值、随后对数据进行处理以进行显 示或传送至主机系统。
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.

MSP-EXP430G2开发板使用简单介绍

MSP-EXP430G2开发板使用简单介绍

(5)、中断应用程序举例(外部中断):
void interrupt_initial() { P1DIR&=~BIT7; //P1.7为输入 P1IE|=0x80; //P1.7中断允许 P1IES|=0x00; //P1.7上升沿触发 P1IFG=0; //P1.7中断标志清除,对于多源中断必须先清中断标志再打开中断 _EINT(); //总中断允许 } #pragma vector=PORT1_VECTOR __interrupt void Port_1(void) { P1IFG&=~BIT7; //P1.7中断标志清除 /*在此写中断服务子程序*/ }
(4)、中断的嵌套:
当同时有多个中断来的时候才有优先级的考虑(优先级顺序可查看向量表)
实现中断嵌套需要注意以下几点: 1)430默认的是关闭中断嵌套的,一定要中断嵌套的话,就必须在中断服务程序中打开 总中断 msp430的指令中,_DINT()和_EINT()分别指关和开总中断。 2)当进入中断服务程序时,只要不在中断服务程序中再次开中断,则总中断是关闭的, 此时来中断不管是比当前中断的优先级高还是低都不执行; 3)若在中断服务程序A中开了总中断,则可以响应后来的中断B(不管B的优先级比A高 还是低),B执行完再继续执行A。注意:进入中断服务程序B后总中断同样也会关闭, 如 果B中断程序执行时需响应中断C,则此时也要开总中断,若不需响应中断,则不用 开中断,B执行完后跳出中断程序进入A程序时,总中断会自动打开; 4)若在中断服务程序中开了总中断,后来的中断同时有多个,则会按优先级来执行,即 中断优先级只有在多个中断同时到来时才起做用!中断服务不执行抢先原则。 5)对于单源中断,只要响应中断,系统硬件自动清中断标志位,对于TA/TB定时器的比较/捕 获中断,只要访问TAIV/TBIV,标志位倍被自动清除; 对于多源中断要手动清标志位,比如P1/P2口中断,要手工清除相应的标志,如果在这种中 断用"EINT();"开中断,而在打开中断前没有清标志,就会 有相同的中断不断嵌入,而导致 堆栈溢出引起复位,所以在这类中断中必须先清标志再打开中断开关.

MSP430数字电压表0-20V资料

MSP430数字电压表0-20V资料
_NOP();
H_CLK;
_NOP();
L_CLK;
_NOP();
H_CLK;
_NOP();
L_CLK;
_NOP();
H_Conv;
_NOP();
ADCdata &= 0x0fff;
return (ADCdata);
}
While(1)函数部分
while(1)
{
//LCD_write_hanzi(1,1,0);
IrDA 编码器和解码器
同步 SPI
I2C™
Nokia5110
5110液晶显示屏(PCD8544芯片),是通过发送指令和写入数据RAM来控制和显示数据的。
指令格式分为两种模式:
1、如果D/C(模式选择)置为低(为0),即位变量 dc = 0,为发送指令模式,那么接下来发送的8位字节解释为命令字节。
2、如果D/C置为高,即dc = 1; 为写入数据RAM模式,接下来的字节将存储到显示数据RAM。
L_CLK;
_NOP();
H_CLK;
_NOP();
for(i=0; i<12; i++)
{
L_CLK;
_NOP();
H_CLK;
_NOP();
ADCdata <<= 1;
if(P2IN & 0x02)
{
ADCdata |= 0x0001;
}
else
{
ADCdata &= 0xfffe;
}
}
L_CLK;
01risc架构625ns指令周期时间高达16mhz的内部频率具有4种校准频率内部超低功耗低频lf振荡器32khz晶体个捕获比较寄存器的两个16多达24个支持触摸感测的增强型uart可支持自动波特率检测linirda编码器和解码器同步spii2cnokia51105110液晶显示屏pcd8544芯片是通过发送指令和写入数据ram来控制和显示数据的

MSP430电路图集锦

MSP430电路图集锦

MSP430电路图集锦:创新设计思维2014年11月12日10:11 来源:电子发烧友网整合作者:Dick 我要评论(0)标签:TI(566)MSP430(499)MSP430系列单片机是美国德州仪器开始推向市场的一种16位超低功耗、具有精简指令集的混合信号处理器。

称之为混合信号处理器,是由于其针对实际应用需求,将多个不同功能的模拟电路、数字电路模块和微处理器集成在一个芯片上,以提供“单片机”解决方案。

该系列单片机多应用于需要电池供电的便携式仪器仪表中。

下面一起来看看基于MSP430的设计电路图集锦。

1、采用MSP430单片机的可穿戴式血糖仪电路介绍了一种便携式血糖仪的设计。

该设计主要从低功耗及精确性的角度出发,以MSP430系列单片机为核心,葡萄糖氧化酶电极为测试传感器,较快地测试出血糖浓度。

此外,所设计的血糖仪还具有储存功能,有助于用户查看血糖浓度历史值和变化趋势。

血糖测试电路:在酶电极两端滴入血液后,会产生自由电子。

由于电极两端存在激励电压,就会有定向电流流过电极。

该激励电压是由ADC模块提供的1.5V稳压通过电阻分压而产生的,大约在300mV左右,它能产生μA级别的定向电流。

由于A/D转换模块测量的是电压,所以需要将该定向电流转换成电压,并且进行一定的放大。

本系统采用图2所示的电路来实现电流到电压的转换和放大。

运算放大器LM358的反相端连接血糖试纸上的酶电极,当有血液滴入时,该电极与地之间为等效电阻Rx,流过该电阻的电流正比于血液中的血糖浓度值。

MSP430的A/D模块输出1.5V的稳压通过R2 和R3分压,产生300mV的激励电压,该电压通过运放的正端加到电极两端。

R4起到反馈放大的作用,它将运放的输出范围限定在A/D模块的转换范围内。

在PCB板布线时,由于运放输出和MSP430的ADC模块输入I/O口之间的走线比较长,为了确保测量值的准确,需要对测试电压进行滤波,C21就是用来起滤波作用的,以减少走线过长所引入的外来干扰对血糖测试的影响。

MSP430F6638_FFTB一体化功能演示_说明书

MSP430F6638_FFTB一体化功能演示_说明书
03.LCD_TFT
04.Matrix Key 05.Touch Pads 06.INA21x--Current 07.TMP006 08.Volt Meter--ADC 09.DC--Motor 10.Step--Motor 11.NTC and HR202 12.IrDA - UART 13.RS232 - UART 14.RS485 - UART 1101 - 433MHz
2、“具体按键”使用说明-----------------------------------------------------------------2 2.1 “复位键”------------------------------------------------------------------------ 2 2.2 “菜单选择键”------------------------------------------------------------------ 2 2.3 “测试键”(矩阵键)------------------------------------------------------------- 2
电容触摸 按键
2、“具体按键”使用说明 (如图 2-1-1 所示) 2.1 “复位键” ( 普通 IO 按键):用于“系统复位重启”。 2.2 “菜单选择键”( 普通 IO 按键): 用于选择要测试的“模块测试菜单”。 2.3 “测试键”(矩阵键):用于选择模块的“具体测试操作”。
菜单键 2 菜单键 1 复位键
第 - 1 - 页,共 15 页
2013-09-29 V3.1
彩屏 LCD
MSP430F6638_FFTB 一体化功能演示 说明书
段式 LCD
红、绿、黄 3 个 LED 灯

基于MSP430单片机的温度测控装置的设计与开发

基于MSP430单片机的温度测控装置的设计与开发

基于MSP430单片机的温度测控装置的设计与开发设计与开发基于MSP430单片机的温度测控装置一、引言随着科技的不断进步,温度测控装置在生活和工业中扮演着重要的角色。

本文将介绍基于MSP430单片机的温度测控装置的设计与开发。

该装置可以用于实时监测环境温度,并根据设定的阈值控制温度。

二、硬件设计1.传感器选择:本设计采用温度传感器DS18B20。

它是一种数字式温度传感器,通过一根串行线来与单片机通信。

2.电路连接:将传感器与MSP430单片机连接。

传感器的VCC引脚接单片机的3.3V电源,GND引脚接地,DQ引脚接到单片机的GPIO引脚。

3.LCD模块:为了显示当前温度和控制参数,我们需要一个LCD模块。

将LCD模块的数据引脚接到单片机的GPIO引脚。

4.电源:设计一个适当的电源电路,以提供所需的电压和电流。

三、软件设计1.硬件初始化:在程序开始时,初始化MSP430单片机的GPIO引脚,配置传感器引脚为输入模式和LCD数据引脚为输出模式。

2.温度采集:通过传感器的引脚与单片机通信,获取当前温度数据。

传感器采用一线式通信协议,在读取温度数据之前,先向传感器发送读取命令,然后从传感器接收数据。

单片机通过GPIO引脚进行数据的收发。

3.温度显示:将获取到的当前温度数据通过LCD模块显示出来。

4.温度控制:设定一个温度阈值,当实际温度超过阈值时,单片机控制继电器等设备进行温度调节。

可以采用PID控制算法,根据当前温度与设定温度的差异,调整控制设备的输出。

5.程序循环:通过一个无限循环来保持程序运行。

四、测试与验证1.硬件测试:对硬件电路进行测试,确保传感器和LCD模块的接线正确,电源电压稳定。

2.软件测试:通过模拟不同温度值,确认温度采集、显示和控制功能正常。

3.综合测试:将温度测控装置放置在实际环境中,观察温度采集和控制性能,根据需要进行调整。

五、结论本文设计与开发了基于MSP430单片机的温度测控装置。

XPT2046电阻式触摸屏控制器 说明书

XPT2046电阻式触摸屏控制器 说明书

8.3
内部参考电压 ................................................................................................................................. 14
8.4
外部参考电压输入 ......................................................................................................................... 14
2 主要特性 ........................................................................................................................................................... 4
8.5
单端工作模式 ................................................................................................................................. 15
8.6
差分工作模式 ..........................................................................................................................模式 .................................................................................................................................. 22

设计指南电容式触摸传感器英文翻译

设计指南电容式触摸传感器英文翻译

Operational AmplifiersIdeal and Practical ModelsThe concept of the operational amplifier(usually referred to as an op amp ) originated at the beginning of the Second World War with the use of vacuum tubes in dc amplifier designs developed by the George A. Philbrick Co. [some of the early history of operational amplifiers is found in Williams, 1991]. The op amp was the basic building block for early electronic servomechanisms, for synthesizers, and in particular for analog computers used to solve differential equations. With the advent of the first monolithic integrated-circuit (IC) op amp in 1965 (the A709, designed by the late Bob Widlar, then with Fairchild Semiconductor), the availability of op amps was no longer a factor, while within a few years the cost of these devices (which had been as high as $200 each) rapidly plummeted to close to that of individual discrete transistors.Although the digital computer has now largely supplanted the analog computer in mathematically intensive applications, the use of inexpensive operational amplifiers in instrumentation applications, in pulse shaping, in filtering, and in signal processing applications in general has continued to grow. There are currently many commercial manufacturers whose main products are high-quality op amps. This competitiveness has ensured a marketplace featuring a wide range of relatively inexpensive devices suitable for use by electronic engineers, physicists, chemists, biologists, and almost any discipline that requires obtaining quantitative analog data from instrumented experiments.Most operational amplifier circuits can be analyzed, at least for first-order calculations, by considering the op amp to be an “ideal” device. For more quantitative information, however, and particularly when frequency response and dc offsets are important, one must refer to a more “practical” model that includes the internal limitations of the device. If the op amp is characterized by a really complete model, the resulting circuit may be quite complex, leading to rather laborious calculations. Fortunately, however, computer analysis using the program SPICE significantly reduces the problem to one of a simple input specification to the computer. Today, nearly all the op amp manufacturers provide SPICE models for their line of devices, with excellent correlation obtained between the computer simulation and the actual measured results.The Ideal Op AmpAn ideal operational amplifier is a dc-coupled amplifier having two inputs and normally one output (although in a few infrequent cases there may be a differential output). The inputs are designated as noninverting (designated + or NI) and inverting (designated – or Inv.). The amplified signal is the differential signal, v, between the two inputs, so that the output voltage as indicated in Fig. 1 isFIGURE 1 Configuration for an ideal op amp.The general characteristics of an ideal op amp can be summarized as follows:1. The open-loop gain AOL is infinite. Or, since the output signal vout is finite,then the differential input signal v must approach zero.2. The input resistance RIN is infinite, while the output resistance R O is zero.3. The amplifier has zero current at the input ( i A and i B in Fig. 1 are zero), but the op amp can either sink or source an infinite current at the output.4. The op amp is not sensitive to a common signal on both inputs (i.e., v A= v B); thus, the output voltage change due to a common input signal will be zero. This common signal is referred to as a commonmode signal, and manufa cturers specify this effect by an op amp’s common-mode rejection ratio (CMRR), which relates the ratio of the open-loop gain ( A OL) of the op amp to the common-mode gain (A CM ). Hence, for an ideal op amp CMRR =∞.5. A somewhat analogous specification to the CMRR is the power-supply rejection ratio (PSRR),which relates the ratio of a power supply voltage change to an equivalent input voltage change produced by the change in the power supply. Because an ideal op amp can operate with any power supply, without restriction, then for the ideal device PSRR =∞.6. The gain of the op amp is not a function of frequency. This implies an infinite bandwidth.Although the foregoing requirements for an ideal op amp appear to be impossible to achieve practically, modern devices can quite closely approximate many of these conditions. An op amp with a field-effect transistor (FET) on the input would certainly not have zero input current and infinite input resistance, but a current of <10 pA and an R IN= 10 12Ωi s obtainable and is a reasonable approximation to the ideal conditions. Further, although a CMRR and PSRR of infinity are not possible, there are several commercial op amps available with values of 140 dB (i.e., a ratio of 107). Open-loop gains of several precision op amps now have reached values of >107 , although certainly not infinity. The two most difficult ideal conditions to approach are the ability to handle large output currents and the requirement of a gain independence with frequency.Using the ideal model conditions it is quite simple to evaluate the two basic op amp circuit configurations, (1) the inverting amplifier and (2) the noninverting amplifier, as designated in Fig. 2.For the ideal inverting amplifier, since the open-loop gain is infinite and since the output voltage v o is finite, then the input differential voltage (often referred to as the error signal ) v must approach zero, or the input current isThe feedback current i F must equal i I, and the output voltage must then be due to the voltage drop across RF , orFIGURE 2 Illustration of (a) the inverting amplifier and (b) the noninverting amplifier.The inverting connection thus has a voltage gain vo/vi of-RF/RI, an input resistance seen by vI of R1 ohms [from Eq. (27.2)], and an output resistance of 0 . By a similar analysis for the noninverting circuit of Fig. 2(b), since v is zero, then signal vI must appear across resistor R1 , producing a current of vI/R1, which must flow through resistor RF . Hence the output voltage is the sum of the voltage drops acrossRF and R1 , or As opposed to the inverting connection, the input resistance seen by the source v I is now equal to an infinite resistance, since R IN for the ideal op amp is infinite.Practical Op AmpsA nonideal op amp is characterized not only by finite open-loop gain, input and outputresistance, finite currents, and frequency bandwidths, but also by various nonidealities due to the construction of the op amp circuit or external connections. A complete model for a practical op amp is illustrated in Fig. 3.FIGURE 3 A model for a practical op amp illustrating nonideal effects.The nonideal effects of the PSRR and CMRR are represented by the input series voltage sources of V supply/PSRR and V CM/CMRR, where V supply would be any total change of the two power supply voltages, V +dc and V–dc , from their nominal values, while V CM is the voltage common to both inputs of the op amp. The open-loop gain of the op amp is no longer infinite but is modeled by a network of the output impedance Z out (which may be merely a resistor but could also be a series R-L network) in series with a source A ( s ), which includes all the open-loop poles and zeroes of the op amp aswhere A OL is the finite dc open-loop gain, while poles are at frequencies p1, p2, . . . and zeroes are at Z1, etc. The differential input resistance is Z IN , which is typically a resistance RIN parallel with a capacitor C IN. Similarly, the common-mode input impedance Z CM isestablished by placing an impedance 2Z CM in parallel with each input terminal. Normally, Z CMis best represented by a parallel resistance and capacitance of 2R CM (which is >> RIN) and C CM/2. The dc bias currents at the input are represented by I B+ and I B–current sources that would equal the input base currents if a differential bipolar transistor were used as the input stage of the op amp, or the input gate currents if FETs were used. The fact that the two transistors of the input stage of the op amp may not be perfectly balanced is represented by an equivalent input offset voltage source, VOS , in series with the input.The smallest signal that can be amplified is always limited by the inherent random noise internal to the op amp itself. In Fig. 3 the noise effects are represented by an equivalent input voltage source (ENV), which when multiplied by the gain of the op amp would equal the total output noise present if the inputs to the op ilar fashion, if the inputs to the op amp were open circuited, the total output noise would equal the sum of the noise due to the equivalent input current sources (ENI+ and ENI–), each multiplied by their respective current gain to the output. Because noise is a random variable, this summation must be accomplished in a squared fashion, i.e.,Typically, the correlation (C) between the ENV and ENI sources is low, so the assumption of C 0 can be made. For the basic circuits of Fig. 27.2(a) or (b), if the signal source vI is shorted then the output voltage due to the nonideal effects would be (using the model of Fig. 3)provided that the loop gain (also called loop transmission in many texts) is related by the inequalityInherent in Eq. (27.8) is the usual condition that R1 << Z IN and Z CM. If a resistor R2 were in series with the noninverting input terminal, then a corresponding term must be added to the right hand side of Eq. (27.7) of value –I B+R2 (R1 + R F)/R1.On manufacturers’ data sheets the individual values of I B+ and I B– are not stated; instead the average input bias current and offset current are specified asThe output noise effects can be obtained using the model of Fig. 3 along with the circuits of Fig.2 aswhere it is assumed that a resistor R2 is also in series with the noninverting input of either Fig. 2(a) or (b). The thermal noise (often called Johnson or Nyquist noise) due to the resistors R1 , R2 , and RF is given by (in rms volt2/Hz)where k is Boltzmann’s constant and T is absolute temperature ( Kelvin). To obtain the total output noise, one must multiply the E2 out expression of Eq. (27.10) by the noise bandwidth of the circuit, which typically is equal to /2 times the –3 dB signal bandwidth, for a single-pole response system [Kennedy, 1988].SPICE Computer ModelsThe use of op amps can be considerably simplified by computer-aided analysis using the program SPICE. SPICE originated with the University of California, Berkeley, in 1975 [Nagel, 1975], although more recent user-friendly commercial versions are now available such as HSPICE, HPSPICE, IS-SPICE, PSPICE, and ZSPICE, to mention few of those most widely used. A simple macromodel for a near-ideal op amp could be simply stated with the SPICE subcircuit file (* indicates a comment that is not processed by the file).SUBCKT IDEALOA 1 2 3*A near-ideal op amp: (1) is noninv, (2) is inv, and (3) is output.RIN 1 2 1E12E1 (3, 0) (1, 2) 1E8.ENDS IDEALOA (27.12)The circuit model for IDEALOA would appear as in Fig. 4(a). A more complete model, but not including nonideal offset effects, could be constructed for the 741 op amp as the subcircuit file OA741, shown in Fig. 4(b)..SUBCKT OA741 1 2 6*A linear model for the 741 op amp: (1) is noninv, (2) is inv, and*(6) is output. RIN = 2MEG, AOL = 200,000, ROUT = 75 ohm,*Dominant open - loop pole at 5 Hz, gain - bandwidth product*is 1 MHz.RIN 1 2 2MEGE1 (3, 0) (1, 2) 2E5R1 3 4 100KC1 4 0 0.318UF ; R1 2 C1 = 5HZPOLEE2 (5, 0) (4, 0) 1.0ROUT 5 6 75.ENDS OA741 (27.13)The most widely used op amp macromodel that includes dc offset effects is the Boyle model [Boyle et al., 1974]. Most op amp manufacturers use this model, usually with additions to add more poles (and perhaps zeroes). The various resistor and capacitor values, as well as transistor, and current and voltage generator, values are intimately related to the specifications of the op amp, as shown earlier in the nonideal model of Fig. 3. The appropriate equations are too involved to list here; instead, the interested reader is referred to the article by Boyle in the listed references. The Boyle model does not accurately model noise effects, nor does it fully model PSRR and CMRR effects.A more circuits-oriented approach to modeling op amps can be obtained if the input transistors are removed and a model formed by using passive components along with both fixed and dependent voltage and current sources.This model not only includes all the basic nonideal effects of the op amp, allowing for multiple poles and zeroes, but can also accurately include ENV and ENI noise effects.The circuits-approach macromodel can also be easily adapted to current-feedback op amp designs, whose input impedance at the noninverting input is much greater than that at the inverting input [see Williams, 1991]. The interested reader is referred to the text edited by J. Williams, listed in the references, as well as the SPICE modeling book by Connelly and Choi [1992].运算放大器理想及实际模型运算放大器(通常称之为op amp)的概念起源于第二次世界大战开始时,乔治•a •菲尔公司对真空管直流放大器应用的发展〔一些运放的早期历史于1991年在威廉姆斯被发现〕。

MSP430单片机原理与设计课程教学大纲.doc

MSP430单片机原理与设计课程教学大纲.doc

MSP430单片机原理与设计课程教学大纲课程中文名称:MSP430单片机原理与设计课程英文名称:Principle and Design for MSP430 Microcomputer课程编号:C1323 应开课学期:5学时数:32 (24+8) 学分数:2适用专业:自动化课程类型:专业拓展课/选修先修课程:电子技术基础、C语言程序设计一、课程性质本课程为自动化专业选修课程。

单片机技术是指利用单片机内部资源及其外部扩展电路实现某个或多个特定功能的一系列技术,是广泛应用于各个领域的有关测量与控制的一门重要的技术。

是培养学生分析问题、解决问题及提高学生动手能力的重要环节。

二、课程目标通过本课程的学习,使学生了解MSP430单片机的基本概念和原理,掌握MSP430单片机的组成、指令系统、定时/计数器、中断系统、串并行接口技术和总线技术等,了解常用单片机软、硬件开发工具和仿真工具,掌握单片机程序设计和调试开发的基本方法,使学生能够根据工程开发任务的要求,独立完成单片机应用系统的软硬件的开发与设计,为工业生产、科学研究和实验设备等领域的单片机应用和开发打下良好的基础。

课程对毕业要求的支撑课程教学目标、达成途径和评价依据等毕业要求(3)掌握工程基础知识和本专业的基本理论知识,具有系统的工程实践学习经历;了解本专业的前沿发展现状和趋势;教学目标:通过本课程的学习,使学生了解MSP43。

单片机的基本概念和原理,掌握MSP430单片机的组成、指令系统、定时/计数器、中断系统、串并行接口技术和总线技术等,了解常用单片机软、硬件开发工具和仿真工具,掌握单片机程序设计和调试开发的基本方法,并能综合运用单片机的软、硬件技术进行系统设计和分析处理实际问题,为工业生产、科学研究和实验设备等领域的单片机应用和开发打下良好的基础,同时了解单片机及其相关技术的行业发展需求和行业动态。

达成途径:课堂讲解;平时作业;专题讨论。

评价依据:作业;专题讨论答辩与报告;期末考试试题。

电容型触摸按键算法

电容型触摸按键算法
Microchip 的容性触摸模拟工具的设计目的在于能够模 拟出与传感器运行时输出的的实际值相类似的结果。下 面图 1 显示了一幅空白的传感器数据图,其还没有使用 软件所提供的功能。它的初始值已设置为 7000。
图 1:
空白的传感器数据图
温漂
在设置窗口的底部是一个输入区域,其允许用户定义系 统的温漂值。该值将作为所生成的传感器数据曲线图的 斜率。例如,温漂值 “-5” 意味着每生成一个新数据, 传感器数据就会减少 5,如下面的图 2 所示。
AN1254
电容式触摸算法模拟
作者: Burke Davison Microchip Technology Inc.
引言
本应用笔记介绍如何根据一个项目的特定要求,利用 Microchip 的容性触摸模拟工具来确定传感算法。此外, 该模拟工具还可以根据系统的预测环境来确定所需算法 的复杂程度。这需要用户具备有关容性触摸传感的基础 知识以及能够对软件处理过程有一个基本的了解。有关 这两个方面的更多信息可从应用笔记 AN1101,《 电容 触摸传感简介》和 AN1103,《电容触摸传感的软件处 理》中找到。
DS01254A_CN 第 3 页
AN1254
在该例中,我们要创造由噪声引起的1%左右的总波动, 来模拟一个正常的噪声系统。为此,在 Noise 这一栏上 输入 70。
图 8:
噪声的设置值
图 11:
算法运行结果 (初始设置)
最后,该例将传导噪声设置为相对极端的情形。选择 150,其等于按下数值的 42.9%。该值采用公式 2 来计 算。
Conducted Noise(传导噪声)部分的作用效果与 Noise 部分的作用效果非常相似,只是前者仅在模拟按钮按下 时才在原始数据终值上注入随机噪声。此外,传导噪声 是唯一一种通过串扰来传播的噪声。

TI MSP430FR604参考设计

TI MSP430FR604参考设计

TI MSP430FR604(3)xSoC超声波水流量检测参考设计TIDM-1019 TI公司的MSP430FR604x和MSP430FR603x系列是超声检测和测量系统级芯片(SoC),提供集成的超声波检测解决方案(USS)模块,为宽范围流速提供高精度的测量.USS模块由于最大化集成度而很少外部组件,因而把超低功耗的计量和低成本系统组合在一起.MSP430FR604x和MSP430FR603x MCU实现高速基于ADC的数字信号收集,采用集成的低能量加速度计(LEA)模块进行优化的信号处理,以得到高精度计量解决方案和电池供电的测量应用的超低功耗.USS模块包括可编程的脉冲发生器(PPG)和带低阻抗输出驱动器的物理接口(PHY),以及精确的阻抗匹配,以提供零流量漂移(ZFD).模块还包括可编程增益放大器(PGA),高速12位8Mbps sigma-delta ADC (SDHS),用来对工业标准超声传感器进行精确的信号收集.此外,MSP430FR604x和MSP430FR603x MCU还集成电其它外设,以改善计量系统集成度.器件具有计量测试接口(MTIF)模块,以实现脉冲发生.此外MCU还具有8复接器的LCD驱动器,RTC,12位SAR ADC,模拟比较器,高档加密加速度计(AES256)和循环冗余校验(CRC)模块.主要用在超声智能水表,超声智能热表,液为检测和漏水检测.中电网为您整理如下详细资料,本文介绍了MSP430FR604x系列主要特性,MSP430FR604(3)x系列功能框图,以及参考设计TIDM-1019主要特性和主要系统指标,框图,软件架构框图,电路图,材料清单和PCB设计图.The Texas Instruments MSP430FR604x and MSP430FR603x family of ultrasonic sensingan dmea surement SoCs are powerful, highly integrated microcontrollers (MCUs) that are optimized for waterand heat meters. The MSP430FR604x MCUs offer an integrated Ultrasonic Sensing Solution (USS)module, which provides high accuracy for a wide range of flow rates. The USS module helps achieveultra-low-power metering combined with lower system cost due to maximum integration requiring very fewexternal components. MSP430FR604x and MSP430FR603x MCUs implement a high-speed ADC-basedsignal acquisition followed by optimized digital signal processing using the integratedLow-EnergyAccelerator (LEA) module to deliver a high-accuracy metering solution with ultra-low power optimum forbattery-powered metering applications.The USS module includes a programmable pulse generator (PPG) and a physical interface (PHY) with alow-impedance output driver for optimum sensor excitation and accurate impendence matching to deliverbest results for zero-flow drift (ZFD). The module also includes a programmable gain amp lifi er (PGA) anda high-speed 12-bit 8-Msps sigma-delta ADC (SDHS) for accurate signal acquisition from industrystandard ultrasonic transducers.Additionally, MSP430FR604x and MSP430FR603x MCUs integrate other peripherals to improve systemintegration for metering. The devices have a metering test interface (MTIF) module to implement pulsegeneration to indicate flow measured by the meter. The MSP430FR604x and MSP430FR603x MCUs alsohave an on-chip 8-mux LCD driver, an RTC, a 12-bit SAR ADC, an analog comparator, an advancedencryption accelerator (AES256), and a cyclic redundancy check (CRC) module.MSP430FR604x and MSP430FR603x MCUs are supported by an extensive hardware and softwareecosystem with reference designs and code examples to get your design started quickly. Developmentkits include the MSP-TS430PZ100E 100-pin target development board andEVM430-FR6047 ultrasonicwater flow meter EVM. TI also provides free software including the ultrasonic sensing design center,ultrasonic sensing software library, and MSP430Ware™ software.TI’s MSP430 ultra-low-power (ULP) FRAM microcontroller platform combines uniquely embedded FRAMand a holistic ultra-low-power system architecture, letting system designers increase performance whilelowering energy consumption. FRAM technology combines the low-energy fast writes, flexibility, andendurance of RAM with the nonvolatility of flash.MSP430FR604x系列主要特性:• Best-in-Class Ultrasonic Water-Flow MeasurementWith Ultra-Low Power Consumption– <25-ps Differential Time-of-Flight (dTOF)Accuracy– High-Precision Time Measurement Resolution of<5 ps– Ability to Detect Low Flow Rates (<1 Liter perHour)– Approximately 3-μA Overall CurrentConsump tion With One Measurement perSecond• Compliant to and Exceeds ISO 4064, OIML R49,and EN 1434 Accuracy Standards• Ability to Directly Interface Standard UltrasonicSensors (up to 2.5 MHz)• Integrated Analog Front End – Ultrasonic SensingSolution (USS)– Programmable Pulse Generation (PPG) toGenerate Pulses at Different Frequencies– Integrated Physical Interface (PHY) With Low-Impedance (4-Ω) Output Driver to Control Inputand Output Channels– High-Performance High-Speed 12-Bit Sigma-Delta ADC (SDHS) With Output Data Rates upto 8 Msps – Programmable Gain Amplifier (PGA) With–6.5 dB to 30.8 dB– High-Performance Phase-Locked Loop (PLL)With Output Range of 68 MHz to 80 MHz• Metering Test Interface (MTIF)– Pulse Generator and Pulse Counter– Pulse Rates up to 1016 Pulses per Second (p/s)– Count Capacity up to 65535 (16 Bit)– Operates in LPM3.5 With 200 nA (Typical)• Low-Energy Accelerator (LEA)– Operation Independent of CPU– 4KB of RAM Shared With CPU– Efficient 256-Point Complex FFT:Up to 40× Faster Than Arm® Cortex®-M0+ Core• Embedded Microcontroller– 16-Bit RISC Architecture up to 16-MHz Clock– Wide Supply Voltage Range From 3.6 V Downto 1.8 V (Minimum Supply Voltage is Restrictedby SVS Levels, See the SVS Specifications)• Optimized Ultra-Low-Power Modes–Active Mode: Approximately 120 μA/MHz– Standby Mode With Real-Time Clock (RTC)(LPM3.5): 450 nA (1)– Shutdown (LPM4.5): 30 nA• Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)– Up to 256KB of Nonvolatile Memory– Ultra-Low-Power Writes– Fast Write at 125 ns Per Word (64KB in 4 ms)– Unified Memory = Program + Data + Storage inOne Space– 1015 Write Cycle Endurance– Radiation Resistant and Nonmagnetic• Intelligent Digital Peripherals– 32-Bit Hardware Multiplier (MPY)– 6-Channel Internal DMA– RTC With Calendar and Alarm Functions– Six 16-Bit Timers With up to SevenCapture/Compare Registers Each– 32-Bit and 16-Bit Cyclic Redundancy Check(CRC)• High-Performance Analog– 16-Channel Analog Comparator– 12-Bit SAR ADC Featuring Window Comparator,Internal Reference, and Sample-and-Hold, up to16 External Input Channels– Integrated LCD Driver With Contrast Control forup to 264 Segments• Multifunction Input/Output Ports– Accessible Bit-, Byte-, and Word-Wise (in Pairs)– Edge-Selectable Wake From LPM on All Ports– Programmable Pullup and Pulldown on All Ports• Code Security and Encryption– 128- or 256-Bit AES Security Encryption andDecryption Coprocessor– Random Number Seed for Random NumberGeneration Algorithms– IP Encapsulation Protects Memory FromExternal Access– FRAM Provides Inherent Security Advantages• Enhanced Serial Communication– Up to Four eUSCI_A Serial CommunicationPorts– UART With Automatic Baud-Rate Detection– IrDA Encode and Decode– Up to Two eUSCI_B Serial CommunicationPorts– I2C With Multiple-Slave Addressing– Hardware UART or I2C Bootloader (BSL)• Flexible Clock System– Fixed-Frequency DCO With 10 SelectableFactory-Trimmed Frequencies– Low-Power Low-Frequency Internal ClockSource (VLO)– 32-kHz Crystals (LFXT)– High-Frequency Crystals (HFXT)• Development Tools and Software (Also See Toolsand Software)– Ultrasonic Sensing Design Center GraphicalUser Interface– Ultrasonic Sensing Software Library– EVM430-FR6047 Water Meter EvaluationModule Board– MSP-TS430PZ100E Target Socket Board for100-Pin Package– Free Professional Development EnvironmentsWith EnergyTrace++ Technology–MSP430Ware™ for MSP430™ Microcontrollers• Device Comparison Summarizes the AvailableDevice Variants and Package Options • For Complete Module De scriptions, See theMSP430FR58xx, MSP430FR59xx, and MSP430FR6xx Family User ’ s GuideMSP430FR604x系列应用:• Ultrasonic Smart Water Meters• Ultrasonic Smart Heat Meters• Liquid Level Sensing• Water Leak Detection图1.MSP430FR604x系列功能框图图2.MSP430FR603x系列功能框图水流测量的超声波检测子系统参考设计TIDM-1019This reference design helps designers develop anultrasonic water-metering subsystem using anintegrated, ultrasonic sensing solution (USS) module,which provides superior metrology performance, withlow-power consumption and maximum integration.Thedesign is based on the 256KB MSP430FR6047microcontroller (MCU), with integratedhigh-speed,ADC-based, signal acquisition and an integrated lowenergyaccelerator (LEA) to optimize digital signalprocessing.The TIDM-1019 device was built using the MSP430FR6047 MCU from TI and other discrete components.The implementation is based on the calculation of differential time of flight (ToF), involving two transducersfor upstream and downstream paths. Transducer excitation and signal captures are implemented usingthe internal, ultrasonic sensing solution (USS) module of the MSP430FR6047 MCU. The signal is thenpassed through a series of algorithms using the LEA of the MSP430™ MCU, to calculate the necessaryoutput data in a quick and power-effective manner.The TIDM-1019 device uses the EVM430-FR6047 evaluation kit, targeted specifically for ultrasonicsensing applications like water-flow meters. The EVM includes a connector to interface with otherBoosterPack™ plug-in modules. The reference design includes all the hardware files required.The software is written in a modular and portable manner by using MSP430Ware™ softwareandMSP430’s Ultrasonic Sensing Water Metering Library from TI.The reference design also includes the Ultrasonic Design Center, which enable s designers to modify andoptimize different configuration parameters through an easy-to-use GUI. The USS Design Center letsusers implement and customize different transceivers easily without modifying the application code in theexample project.The design files include source code for an application example and corresponding Code ComposerStudio™ (CCS) and IAR Embedded Workbench™projects.参考设计TIDM-1019主要特性:• Best-In-Class Metrology Performance: 25-ps Zero-Flow Drift (ZFD) and 32-ps Single-Shot StandardDeviation• Low-Power Consumption: Approximately 2.5 μAWith 1-MHz Transducer at 1 Measurement perSecond For Metrology• Flexibility to Test Different Pipes and Transducers;Direct Interface to Pair of Transducers• Easy to Test and Customi ze Using UltrasonicSensing Design Center Graphical User Interface(GUI) • Ultrasonic Sensing Software Library Includes Timeof Flight (ToF) Algorithms• Stand-Alone Demo Using Liquid-Crystal Display(LCD)参考设计TIDM-1019应用:• Water Meter• Heat Meter• Flow T ransmitter图3.MSP430FR604x系列MCU超声检测EVM EVM430-FR6047外形图图4.参考设计TIDM-1019框图图5.参考设计TIDM-1019软件架构框图参考设计TIDM-1019主要系统指标:图6.EVM430-FR6047连接水表固定连接图图7.参考设计TIDM-1019电路图(1)图8.参考设计TIDM-1019电路图(2)图9.参考设计TIDM-1019电路图(3)图10.参考设计TIDM-1019电路图(4)图11.参考设计TIDM-1019电路图(5)。

基于MSP430单片机的电导率检测装置的设计

基于MSP430单片机的电导率检测装置的设计

2009耳第4期中图分类号:’I'P302文献标识码:A文章编号:1009—255z(2009)04一0041—03基于MSP430单片机的电导率检测装置的设计蒋兴东,曾水平(北方工业大学机电学院自动化系,北京100144)摘要:介绍了基于高性能、低功耗16位单片机MSP430F449设计的电导率检测装置的测量原理、设计要求和方案选择。

给出电导率检测装置的硬件设计和各个模块的功能。

关键词:电导率;MSP430单片机;数据采集DesignofelectricalconductivitydetectingequipmentbasedonMSP430JL州G)(ing—dong,ZENGShui—ping(Derm'nntmt0fAutomation,School0fMechanicalandElectrical,NorthIndustrialUniversity,neiji雄100144,Oaina)Abstract:Thispaperintroducedthedeviceofelectricalconductivit)rdetectingbasedonMSP430F449,whichispowerfulinpropertyandlowinelectricityconsumption.thereaIe乜优partsincludedinthisarticle:theoryofmeasurement,designrequirmentsandthechoiceofplan.Moreover,thedesignofhardwareoftheelectricalconductivitydetectingdevice.andthefunctionofeachmodulearegiven.Keywords:electricalconductivity;MSP430;dataacquisition0引言铝电解质的电导率与离子的运动有直接关系,它决定离子的本性和离子间的相互作用。

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MSP430电容式单触摸传感器设计指南Vincent Chan, Steve Underwood MSP430摘要此应用报告探讨了基于MSP430的RC类型的电容式单触摸传感器设计方案。

MSP430具有一些独特的性质。

MSP430的特性使得它适合作为电容式触摸传感器的接口。

RC型设计方案不需要特别的外围设备,能够完全使用MSP430系列产品来实现。

报告中的方案是一种低功耗设计的解决方案。

应用报告中包含了在产品中实现电容式传感器的指南。

目录1 工作原理 (1)2 基本电容测量 (2)3 提高抗噪和灵敏度的技术 (3)3.1 伪差分测量 (3)3.2 软件低通滤波器 (5)3.3 跟踪电容基值 (6)4 处理测量结果 (7)5 制作实验板 (9)5.1 实例演示 (11)6 系统资源 (12)7 电路板设计的考虑 (12)7.1 连接电路板和触摸板 (12)7.2 触摸板的形状和大小 (12)7.3 PCB的厚度和接地面 (15)8 覆盖物 (15)8.1 覆盖物材料 (15)8.2 覆盖物的厚度与灵敏度 (16)8.3 粘合剂和其它填料 (17)8.4 射频发射和敏感度测试结果 (17)9 参考文献 (19)1 工作原理单触摸敏感电容式传感器是由开放式电容结构构成,电容极板间形成的电场能被外部具有导电性的物体,如手指等,干扰。

图1为用PCB实现电容的实例。

焊盘和周围的地之间形成电容,而极板间电场存在于电容上空的区域内。

当手指靠近电容上空时,将干扰电场并引起电容的相应变化。

Figure 1. Open Capacitor Acting as a Sensor.图1. 开放式电容充当传感器.接地层一般被设计在焊盘的下面,用以屏蔽来自其它电子产品或电路模块的干扰。

此类型设计易受PCB上的寄生电容和周围环境的影响,比如温度、湿度等。

因此,需要长时间的监视系统工作环境的变化。

2 基本电容测量这一节介绍基于RC充放电原理的基本电容测量方法和所需的硬件。

RC的放电时间能够用来测量传感器中的电容。

此方法最早由1976年的一个专利(现在已过期)提出。

电容式传感器构成了RC电路中的电容。

测量时采用一条I/O线来对电容进行充放电,并当电容的电压超过所设阈值时产生中断。

电容测量过程如下:1.电阻的一端接传感器,另一端接地。

传感器接到I/O线。

2.I/O端口的输出设为高电平。

这样能很快使电容式传感器的电压接近V CC。

可以采用定时器记录开始时间。

本例中使用Timer_A中的TAR。

3.I/O设置为输入在下降沿产生中断。

然后电阻对电容式传感器放电。

微控制器进入低功耗模式0.4.当传感器的电压经过V IL就产生中断。

5.中断服务程序再次读取计时器并计算放电至电压V IL所需要时间。

6.微控制器退出低功耗模式继续运行。

放电时间和传感器焊盘的电容容量成正比。

因此,为了提供足够的测量精度,RC放电必须足够慢。

为了确保足够的放电时间,采用接近6 MΩ的电阻。

采用这个阻值的电阻,电容的充电电流只有大约500 nA。

因此,I/O端口的泄漏电流必须很小。

MSP430 I/O端口的最大泄漏电流为50 nA,因此比较适合用此方法感应电容容量。

端口1和端口2分别有八个独立的中断线,因此在一个系统中一次最多可以检测16个传感器。

图2描述了为前面描述的方法。

图2底部的条状显示了微控制器的活动状况,它在超低功耗的应用中十分重要。

采用MSP430构造的检测器每次按键消耗的电流仅为10 µA到20 µA,这在低功耗的遥控器中很重要,因为检测器将一直处于工作状态。

Figure 2. Charge-Discharge Sequence.图2. 充放电顺序.3 提高抗噪和灵敏度的技术高阻抗系统虽然有低功耗的优点,但是对噪声很敏感。

系统中的噪声主要来自经人体传播的50/60 Hz工频干扰,以及系统电源。

可以用两种技术来解决存在的噪声问题。

此文档中,灵敏度定义为当手指覆盖焊盘时造成的有效电容变化,也称之为C delta。

3.1 伪差分测量图3中采用简单的硬件技术过滤掉共模噪声,并利用充放电时间长度计算电容的大小。

测量值的平均值将用于下一步骤的计算中。

如果快速、连续的执行这两个测量,相对于较慢的共模噪声来说,测量结果的平均值能够被近似为一个差分信号,因此可以用这种方法减小工频噪声。

在测量周期中,对电容冲放电时间测量有不同的阈值电平,因此存在着静态测量误差,并反应为测量电容值的误差。

设计的应用是为了检测电容相对于基值或标准值的变化,因此由充放电阈值电平不同给电容测量带来的误差不会对检测产生影响。

Figure 3. Measurement Cycle for Improved Noise Rejection.图3. 改进的抑制噪声的测量环.为了实施这个方案,在两个I/O间接一个电阻(见图4)。

当P1.0用来感应触摸板时,P1.1转为输出模式并充当充放电循环的电源和地。

当P1.1用来感应触摸板时,P1.0转为输出模式并充当充放电循环的电源和地。

这种方法的另一优点就是系统中所需的电阻数目减少一半。

Figure 4. Multi-Sensor Charge/Discharge Configuration.图4. 多个传感器充放电结构.3.2 软件低通滤波器前级的输出需通过附加的IIR滤波器。

这实际是一个直流追踪滤波器。

此滤波器可以滤除所有残余噪声并增加焊盘的灵敏度。

虽然降低了测量速度,但提高了系统的整体性能。

图5为滤波器的结构。

Figure 5. Software Low-Pass Filter.图5. 软件低通滤波器.滤波器的输入是焊盘的瞬时检测到的焊盘电容值和电容基值的差值。

电容基值是焊盘处于开放状态时的电容值。

图6 为使用示波器捕捉的,由手指隔着1 mm厚的塑料材料触摸传感器所引起的电容变化。

在图中能够清晰的看到50/60 Hz的工频干扰。

Figure 6. Oscilloscope With Mains Noise.图6. 有电源噪声的示波器.图7 为增加一个软件数字滤波器对捕捉信号滤波改进后的结果。

此滤波器有效的抑制了50/60 Hz的工频干扰,同时也对信号进行了放大。

Figure 7. Oscilloscope With IIR Filter.图7. 带有IIR滤波器的示波器.3.3 跟踪电容基值触摸板的电容基值(当触摸板开放在空气中的电容值)随温度变化而产生改变。

因此,对这个缓慢变化的跟踪在系统设计中很重要。

跟踪周期一般是几分钟而不是几秒钟。

对这一特性的跟踪速度是不对称的,对电容基值增长的跟踪速度比对电容基值减少的跟踪速度慢(在此应用中其比例为10)。

例如,当手指慢慢接近触摸板,检测器的反应速度应较慢,以避免影响检测器的检测灵敏度,而当手指移走时,检测器迅速回到处于开放空间中的原始值。

图8显示了这个过程。

当接触板被手指激活,调制器停止工作。

Figure 8. Tracking Base Capacitance Flow Chart.图8. 追踪电容基值的流程图.4 处理测量结果IIR输出的结果应是具有很好分辨度的电容值。

方案中提供了简单的以单键按钮、或滑动器为基础的测量方案。

在此应用实例中,滑动器是由14个焊盘按照电话拨号装置的方式排列组成的(如图9所示)。

Figure 9. Slider Function.图 9. 滑动器功能.采用了加权平均的方法构建一个测量用滑动器。

此方法能够对每两个焊盘之间进行16步的精确定位,因而滑动器中的16个键总共产生了240步的测量精度。

gain C i C C i C i C ni delta delta n i delta delta s Hi ×−−−−×=∑∑==11Re min)]1[(]min)]1[()[( Figure 10. Weighted Averaging Method.图 10. 加权平均值法.图11为手指向上和向下滑动滑动条的输出结果,其中滑动条由五个电容焊盘组成。

线性结果显示了测量方法针对每个焊盘可以产生多步测量精度,结果中测量的最大值和最小值之差大致为60个计数周期.Figure 11. Slider Output Steps.图 11. 滑动器输出步骤.5 制作实验板可以用MSP430F2013来演示滑动器功能。

F2013是MSP-EXP430FG4618实验板的一部分(如图12所示)。

Figure 12. MSP430 Experimenter's Board.图12. MSP430实验板.实验板上有16个焊盘,它们排列成数字4的形状(如图13所示)。

I/O重复驱动这些焊盘。

Figure 13. Experimenter's Board Pad Layout.图13. 实验板焊盘布局.MSP430触摸板处理器和主处理器连接在一起,主处理器接收触摸板的输出并显示出来。

它也把数据发送到PC,应用程序可以将这些数据以不同的形式显示(如图14所示)。

Figure 14. Touchpad Processor.图14. 触摸板处理器.5.1 实例演示演示代码在EXP430FG4618上运行。

为了运行此实验,必须先连接FET和JTAG把主软件FG4619_host_comms装载在U3上。

PC上运行的程序(touch_strip.exe)和与板连接的串口COM1一起运行。

然后把应用程序载入目标设备U4。

这个应用报告中包含两个应用实例:1.使用五个焊盘(焊盘7,6,1,4)产生滑动功能并输出从1到255中的一个技术值。

当手指沿着滑动器移动,读数通过I2C发送给具有LCD驱动的主处理器(MSP430FG4618)。

显示的数字是递增或递减的数字。

PC上运行的程序touch_strip.exe能够把这个数字显示在音量栏上(数字通过UART发送)。

2.用五个焊盘(焊盘1,3,0,6)检测按键从一到五按下。

当手指按每个按钮,数字就会通过I2C发送给主处理器(MSP430FG4618)。

按键的数字会通过UART显示在PC程序touch_strip.exe上,并且指向被按键方向(4=上,0=下,3=右和6=左)的箭头也显示在LCD屏幕上。

6 系统资源前面叙述的基于I2C通信的滑动器用到的系统资源如下:1 1950 bytes 的ROM2 96 bytes的RAM3 低于0.1 MIPS实际需要的MIPS很小,因为处理器的大部分时间处在睡眠模式。

只有所需RAM的大小随按键数目增至16时也将成比例的增长。

7 电路板设计的注意事项7.1 连接电路板和触摸板触摸板的连线应该尽可能短,因为连线可以增加基电容。

保持连线形状尽可能一致很重要,因为弯曲能够影响整体电容的变化。

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