常用低反压大功率VMOS场效应管

VMOS场效应管单端A类功放的制作

设计与制作1 单端A类放大器性能刍议无论是普通音响，还是电脑多媒体音响，功率放大器依然是音频能量扩大推动扬声器出声不可或缺的终端，各类放大器均能较好地实现这一功能，但是现代人们对音响(客观的技术因素，如频率响应、失真度、信噪比等)和音乐(主观的艺术魅力，如声底是否醇厚、堂音是否丰富、听感是否顺耳等)的苛求愈来愈高，不少“金耳朵”能够听出歌手的齿音、口角以及身临其境直逼现场的感觉，因此对音频放大器重放音色(建立在良好音质基础之上的意义)也寄予更大的企求，努力以特色音响塑造迷人的音乐氛围！音频放大器按所用放大器件可分为电子管放大器、晶体管放大器、集成电路放大器、场效应管放大器以及由上述所用器件两种或两种以上组成的混合放大器，各类放大器电路及所用元器件又是五花八门，千变万化，由此对音源的重放音质又各具特色，很难说哪一种放大器能以偏概全、技压群芳成为万能放大器。

电子管放大器由于空间电荷的传输时滞作用，重放音色温暧柔和，尤其是弦乐人声，表现为醇美剔透，耐人寻味；晶体管以及集成电路放大器具有犀利的分析力、宽畅的频响和强劲的动态，具有朝气蓬勃、催人奋进的感召力；场效应管放大器以及混合器件放大器，力图综合电子管和晶体管音频特性的优点，开创异彩，让乐声更传神，让音色更完美！各类音频放大器具有各自的优点及属性，也各有不足之处，而场效应管放大器主流兼具晶体管和电子管两者的优势，同时还具备两者所没有的优势，在电路程式上，大量实践证明，单端A类功放是以效率换音品的典范，具有无与伦比的音乐魅力！放大器按工作状态的不同，一般可分为3类：A类放大器又称甲类放大器、AB类放大器又称甲乙类放大器、B类放大器又称乙类放大器。

在这3类放大器中，线性最好，音色最靓的是A类放大器。

而单端A类放大器与推挽放大器在设计上的不同之处，就是使用一个放大器件来放大整个音乐波形；而推挽设计采用两个放大器件，分别放大信号的正负半周，包括一些推挽甲类放大器。

SVF18N65F T PN 说明书

图10. 最大漏电流vs. 壳温
50
75 100 125 150
壳温 – TC(°C)
版本号：1.4 共9页第5页
典型测试电路
SVF18N65F/T/PN 说明书
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
参数一致
Qg
50KΩ
10V
VDS
12V
20பைடு நூலகம்nF
300nF
Qgs
Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
3. 基本上不受工作温度的影响。
最小值 ------
典型值 ----
632.36 8.26
最大值 18 72 1.4 ---
单位
A V ns µC
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：1.4 共9页第3页
典型特性曲线
SVF18N65F/T/PN 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25C)
参数名称
漏源电压
栅源电压
漏极电流漏极脉冲电流
TC=25°C TC=100°C
耗散功率（TC=25C） - 大于 25C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注 1）
工作结温范围
贮存温度范围
热阻特性
符号
VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg
SVF18N65F
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：1.4 共9页第9页
版本号：1.4 共9页第7页
封装外形图
TO-3P
SVF18N65F/T/PN 说明书
单位: mm
声明：
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。

场效应管参数稳压二三极

常用场效应管参数大全2009-09-03 13:55
型号材料管脚用途参数
3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W
4405/R9524
2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36
2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W
2SK2040 NMOS GDS 电源开关 600V2A20W 11/45nS5
2SK2082 NMOS GDS 开关UPS用 900V9A150W 85/210nS1.40
2SK2101 NMOS GDS 电源开关 800V6A50W 50/130nS2.1
2SK2141 NMOS GDS 传动驱动 600V6A35W 30/880nS1.1
2SK1916 NMOS GDS 开关电源用 450V18A80W170/33nS0.45
2SK1937 NMOS GDS 开关UPS用 500V15A125W100/230nS0.48
2SK1985 NMOS GDS 开关UPS用 900V5A50W35/105nS2.8
2SK2039 NMOS GDS 电源开关 900V5A150W 70/210nS2.5
2SK2147 NMOS GDS 开关UPS用 900V6A80W 145/250nS2.8
2SK2161 NMOS SDG 高速开关 200V9A25W 27/255nS0.45
2SK2189 NMOS GDS 高速开关 500V10A70W 70/400nS1.0
2SK2485 NMOS GDS 监视器用电源 900V6A100W 30/85 nS 2.80
2SK623 NMOS GDS 高速开关 250V20A120W0.15

A2SHB低压MOS管

A2SHB低压MOS管
A2SHB低压MOS管主要参数介绍如下：
产品型号：A2SHB 产品封装：SOT-23-3L
沟道：N沟道
漏源反向电压VDSS(V):20V
漏极电流ID(A):2.5A
耗散功率Power(W):0.83W
A2SHB低压MOS管产品详细技术参数如下规格书所示：
电子元器件储存条件：
生产设备：
超低价现货批发HC/浩畅全新原装贴片式低压MOS场效应管：
SI2300 SI2301 SI2302 SI2303 SI2304 SI2305 SI2306 SI2307
SI2309 SI2310 SI2311 SI2312 SI2313 SI2314 SI2315 SI2319
SI2321 SI2323 SI2325 SI2328 SI2335 SI2337 SI2341 SI2345
SI2351 SI2308 AO3400 AO3401 AO3402 AO3403 A O3404 AO3407
AO3409 AO3410 等系列产品！品质稳定可靠！价格优惠！
A2SHB低压MOS管的作用
1.场效应管可应用于放大。

由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。

常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

VMOS场效应管

VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V 型槽MOS场效应管。

它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。

它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108Ω）、驱动电流小（0.1μA 左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。

VMOS管则不同，其两大结构特点：第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。

由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。

因为流通截面积增大，所以能通过大电流。

由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。

VMOS场效应管的检测方法（1）判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。

若发现某脚与其它两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G 极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

（2）判定源极S、漏极D在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。

用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑笔的是S极，红笔接D极。

（3）测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。

例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS （on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

用万用表测量场效应管

用万用表测量场效应管用万用表测量（试）vmos功率场效应管1、判断引脚极性（电极）万用表复置r×1k档，分别测试三个电极间的阻值，如果其中—脚与另两脚间的电阻为无穷大，且互换表笔测试仍—样．表明这—脚为栅极g。

由图1(b)可以窥见，源、漏极之间相等于一个pn结，测量其正、逆向电阻，以阻值较小(约几千欧)的那次为依据，白表笔接的是源极(p型)s，白表笔直奔的就是漏极(n型)d，对n导线vmos管推论恰好相反。

通常vmos管曲面极d与外壳(或散热片)就是连在一起的，这就是更容易区分凿、源两电极了。

图1vmos功率场效应管外形及内部结构示意图①万Weinreb复置r×1k档，先短路一下栅－源极，泄压下栅极上感应器的电荷，然后用黑表笔接s，白表笔接d，例如测到的阻值在几千欧，再短接—之下g、s后互换表笔测得阻值为无穷大，表明管子凿、源极间pn结是不好的。

②用导线将g、s短路起来，万用表置r×1档，黑表笔接s，红表笔接d，如测得的阻值在几欧姆，说明管子是好的，并且阻值越小，还说明管子的放大能力越强。

其判断理由是：将g、s极短路并用黑表笔接源极s时，就相当于给栅极加上了正偏压，这个正电压产生的电场会把源极n+型和p沟道区内的电子吸附到氧化膜的表面，从而分离出大量的空穴参予导电，使电流剧增，电阻减小。

③万用表复置r×10档，分别测量g－s、g－d极间的两极向电阻，如果都为无穷大，表明管于是不好的，否则表明栅极与漏、源极间存有漏电或者打穿损毁。

对于n导线管互换表笔测试即可。

3、放大能力（跨导）的测量vmos管及的压缩能力(跨导)的测量可以参照《绝缘栅场效应管的测量》一文中关于mos管压缩能力的测试方法。

全系列场效应管VMOS、IGBT参数

全系列场效应管VMOS、IGBT参数
产品型号
沟道
主要参数
外型
厂家
IRF064
N
60V、40A、180W
TO——3P
IR
IRFP150
N
100V、40A、180W
TO——3P
IR
IRFP240
N
200V、18A、180W
TO——3P
IR
IRFP250
N
200V、32A、180W
TO——3P
TO——3P
东芝
K793
N
850V、5A、125W
TO——3P
东芝
K794
N
900V、5A、150W
TO——3P
东芝
K825
N
500V、15A、125W
TO——3P
NEC
K872
N
900V、6A、150W
TO——3P
NEC
K962
N
900V、8A、150W
TO——3P
富士通
K1017
N
450V、20A、150W
富士通
IMBH60-100
N
1000V、60A、300W
TO——3P大
富士通
GT60M103
N
1000V、60A、300W
TO——3P大
东芝
GT60M104
N
1000V、60A、300W
TO——3P大
东芝
GT60M303
IGBT
1000V60A300W
TO——3P大
东芝
GT40M101
IGBT
1500V40A300W
TO——3P

V-MOS简介

V-MOS简介一般场效应管虽然输入阻抗较高，但输出端带负载的能力很低；一般大功率晶体管虽然能输出较大的功率，但由于输入阻抗较低，输入端需有较大的推动电流才能工作，因此还要设较复杂的推动级。

本文向读者推荐的这种VMOS管是一种功率场效应管，兼有上述两种管子的优点，在设计线路时，可使线路大为简化。

另外这种管子还有许多其它独特的优点。

这是近年（指80年代）来才发展起来的一种新型器件。

VMOS功率场效应管又叫V型槽金属氧化物半导体场效应管，用英文缩写字母可写成“VMOS FET”。

有关这种管子的结构原理及特性，本刊在1985年第4期上已有专文述及（下次再转贴），这里不说了。

仅说说这种管子在应用方面的特点，并给出几种应用电路例子，供使用参考。

与普通大功率晶体管相比较，VMOS功率场效应管有如下一些优点：（1）VMOS管具有很高的输入阻抗（10的8次方欧姆左右），其输入端能直接与CMOS、TTL集成电路和其它高阻抗器件连接。

（2）VMOS管在工作时的输入电流甚微（0.1μA以下），一般认为只要输入端有电压就可以驱动，因此对驱动器件的功率要求很低，属电压控制器件。

如从电流角度看，VMOS 管的电流放大系数高达10的9 次方。

所以单个VMOS管经常可用来代替由两三只普通晶体管组成的达林顿管（复合管）（3）VMOS管是多数载流子器件，没有普通晶体管所固有的少子存储效应。

适于高频高速工作。

例如：VMOS智能在4毫微秒（ns）内开关1A的电流。

这比普通晶体管快了10～200倍。

（4）VMOS管具有负的电流温度系数，即栅源电压不变的情况下，导通电流会随温度的上升而下降（普通晶体管正相反），因而VMOS管不存在由于二次击穿所引起管子损坏的现象，使它特别适于做大功率器件。

下面介绍几个应用电路：1.电源：串联型稳压电源所用调整管的功率不能满足要求时，通常是用几只晶体管并联起来使用，如图1所示。

一般需选用相同参数的管子来并联，否则很容易因电流分配不匀，而集中流入某一管，致使该管损坏。

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别1用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极;具体方法：将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值;当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S;因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极Ｇ;也可以将万用表的黑表笔红表笔也行任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值;当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极;若两次测出的电阻值均很大,说明是ＰＮ结的反向,即都是反向电阻,可以判定是Ｎ沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小,说明是正向ＰＮ结,即是正向电阻,判定为Ｐ沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极;若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止;2用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏;具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档,测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的,如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极;然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档,再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的;要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测;3用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极Ｓ,黑表笔接漏极Ｄ,给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值;然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ,将人体的感应电压信号加到栅极上;这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动;如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差；表针摆动较大,表明管的放大能力大；若表针不动,说明管是坏的;根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F;先将管的Ｇ极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住Ｇ极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力;运用这种方法时要说明几点：首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动电阻值减小,也可能向左摆动电阻值增加;这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同或者工作在饱和区或者在不饱和区所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动；少数管的RDS 减小,使表针向右摆动;但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力;第二,此方法对MOS场效应管也适用;但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极Ｇ允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿;第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下;这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起ＶGＳ电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行;4用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极Ｓ和漏极Ｄ,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2;把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ;用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极,两种方法检测结果均应一样;当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后,按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序;5用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压;此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的;将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高;当用手接触栅极Ｇ时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大;二、.场效应管的使用注意事项1为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值;2各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性;如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结,Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压,等等; 3MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿;尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮;4为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时,先焊源极；在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全；在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出;以上安全措施在使用场效应管时必须注意;5在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸５毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等;对于功率型场效应管,要有良好的散热条件;因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作;总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管;常用场效应管型号参数表型号参数IRF530NMOS100V14A79W IRFP9530 PMOS100V12A75WIRF540 NMOS100V28A150W IRFP9540 PMOS60V18A100WIRF630 NMOS200V9A75WIRFP9630 PMOS200V6.5A75WIRF640 NMOS200V18A125WIRF720 NMOS400V3.3A50WIRF730 NMOS400V5.5A75WIRF740 NMOS400V10A125WIRF830NMOS500V4.5A75WIRF840NMOS500V8A125W场效应管分类型号耐压电流封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220F/P。

士兰微电子 SVF10N80F K 高压功率 MOS 场效应晶体管说明书

10A 、800V N 沟道增强型场效应管描述SVF10N80F/K N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。

先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。

特点♦ 10A ，800V ，R DS(on)(典型值)=0.92 @V GS =10V ♦ 低栅极电荷量 ♦ 低反向传输电容 ♦ 开关速度快 ♦提升了dv/dt 能力命名规则士兰F-Cell 工艺VDMOS 产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4 代表 4A,10 代表 10A,08 代表 0.8A额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V ，65表示650V 封装外形标识例如： F:TO-220FS V F X N E X X X沟道极性标识，N 代表N 沟道特殊功能、规格标识，通常省略例如：E 表示内置了ESD 保护结构产品规格分类极限参数(除非特殊说明，T C=25︒C)热阻特性电气参数(除非特殊说明，T=25︒C)C源-漏二极管特性参数注：1. L=30mH，I AS=7.50A，V DD=100V，R G=25Ω，开始温度T J=25︒C;2. V DS=0~400V，I SD<=10A，T J=25︒C;3. V DS=0~480V;4. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；5. 基本上不受工作温度的影响。

典型特性曲线图1. 输出特性图2. 传输特性漏极电流 – I D (A )0.111000.1100漏源电压 – V DS (V)漏极电流 – I D (A )24681013579栅源电压 – V GS (V)0.80212漏源导通电阻 – R D S (O N )(Ω)漏极电流 – I D (A)图3. 导通电阻vs.漏极电流00.20.40.6 1.2反向漏极电流 – I D R (A )源漏电压 – V SD (V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度1.20.1110060.11000.8 1.01100.981.11.04110101010图5. 电容特性图6. 电荷量特性电容(p F )020*******漏源电压 – V DS (V)栅源电压 – V G S (V )0540总栅极电荷 – Q g (nC)0.111000024681012301010020100010352515400典型特性曲线（续）0.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压（标准化）– B V D S S结温 – T J (°C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化） – R D S (O N )图8. 导通电阻vs.温度特性结温 – T J (°C)1.21500.00.52.01.5-100-500501002003.01501.02.5图9-1. 最大安全工作区域(SVF10N80F)10-110010110210101010310-2漏极电流 - I D (A )漏源电压 - V DS (V)图9-2. 最大安全工作区域(SVF10N80K)10-110010110210101010310-2漏极电流 - I D (A )漏源电压 - V DS (V)图10. 最大漏极电流vs. 壳温漏极电流 - I D (A )壳温 - T C (°C)0102462550751001251508典型测试电路12VV DSV GS10V电荷量栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图V DSV GS10%90%E AS 测试电路及波形图V DDLBV DSS I ASV DD封装外形图声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

全系列场效应管VMOS、IGBT参数

厂家富士通东芝东芝东芝东芝富士通富士通东芝东芝东芝东芝东芝东芝日立 IXYS IXYS 富士通富士通富士通富士通富士通东芝东芝东芝东芝东芝东芝东芝东芝东芝
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产品型号 MTM30N50 MTM35N50 MTW15N50 MTW20N50 J116 K313 IXYS48N50 S180N10 S61N50 E57N50 E53N50 E26N90 E40N55 IRF510 IRF520 IRF530 IRF540 IRF620 IRF630 IRF634 IRF640 IRFS640 IRF654 IRF730 IRF740 IRFS740 IRFS830 IRFS840 IRF840 IRF1010 IRF2807 IRF3710 IRF4905S IRF BC30 IRF BC40 IRFZ44N IRFZ46N IRFZ48N IRF9640 IRF9630
IXFK180N10 IXFK44N60 IMBH12-140 IMNH50-090 IMBH50D-060 IMBH60D-100 IMBH60-100 GT60M103 GT60M104 GT60M303 GT40M101 GT40T301 GT40T101 GT25Q101 GT15Q101 GT8Q101 IRG4PH5U IRGPC50U IRGPC50F IRG4PC50F IRG4PC50UD
全系列场效应管 VMOS、IGBT 参数
产品型号 IRF064 IRFP150 IRFP240 IRFP250 IRFP260 IRFP264 IRFP350 IRFP360 IRFP450 IRFP460 IRFPC50 IRFPE50 IRFPF50 IRFPG50 IRFPC60

20n60c3场效应管参数

20n60c3场效应管参数
20N60C3 是一种 MosFET(金属氧化物半导体场效应管) 型号，它的基本参数如下:
- 结电压 (Vgs):2.5V 至 3.5V
- 电流承受能力 (Id):100mA 至 2A
- 工作频率 (F):20MHz 至 100MHz
- 表面温度 (Tjs):70°C 至 120°C
- 可靠性系数 (K):3 至 5
与其他 MosFET 型号相比，20N60C3 具有以下特点:
- 放大倍数 (β):较高，可达 100 以上
- 栅极电荷 (Qg):较小，可达 10fg 以下
- 正向电压 (Vf):较低，可达 0.2V 以下
- 反向电压 (Vr):较高，可达 400V 以上
20N60C3 场效应管参数如下:
- 型号:20N60C3
- 结电压 (Vgs):2.5V 至 3.5V
- 电流承受能力 (Id):100mA 至 2A
- 工作频率 (F):20MHz 至 100MHz
- 表面温度 (Tjs):70°C 至 120°C
- 可靠性系数 (K):3 至 5
- 放大倍数 (β):较高，可达 100 以上
- 栅极电荷 (Qg):较小，可达 10fg 以下
- 正向电压 (Vf):较低，可达 0.2V 以下
- 反向电压 (Vr):较高，可达 400V 以上
请注意，这些参数可能因制造商、批次和制造工艺等因素而有所不同。

如果需要更具体的参数信息，请咨询相关的技术专家或参考相关的技术文档。

场效应管

场效应管百科名片场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件。

具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

目录基本特点工作原理主要参数型号命名主要作用试验测试分类简介测量方法基本特点工作原理主要参数型号命名主要作用试验测试分类简介测量方法∙判断方法∙产品特性∙电气特性∙参数符号∙注意事项∙使用优势∙应用领域∙应用特点展开编辑本段基本特点场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：场效应管（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

编辑本段工作原理场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。

更正确地说，ID 流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很场效应管大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。

从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。

将这种状态称为夹断。

这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。

VMOS管

为了适合大功率运行，于70年代末研制出了具有垂直沟道的绝缘栅型场效应管，即VMOS 管。

VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管.它是继MOSFET之后新发展起来的高效,功率开关器件.它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W),驱动电流小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(最高可耐压1200V),工作电流大(1.5A～100A),输出功率高(1～250W),跨导的线性好,开关速度快等优良特性.正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍), 功率放大器,开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

众所周知,传统的MOS场效应管的栅极,源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动.VMOS管则不同,从左下图上可以看出其两大结构特点:第一,金属栅极采用V型槽结构;第二,具有垂直导电性.由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID 不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D.电流方向如图中箭头所示,因为流通截面积增大,所以能通过大电流.由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。

垂直MOS场效应晶体管（VMOSFET）的沟道长度是由外延层的厚度来控制的，因此适合于MOS器件的短沟道化，从而提高器件的高频性能和工作速度。

但在栅氧化过程和退火处理过程中，由于源和漏的杂质（硼）扩散作用，使得短沟道化受到限制。

据报道，垂直p沟道MOSFET最短沟道长度为0．25μm［9］。

SiGeC的引入能俘获门氧化过程和退火处理过程中产生的硅自间隙原子，有效抑制了硼的瞬态加强扩散（TED）和氧化加强扩散（OED），因而在源区和漏区引入SiGeC层，抑制B的外扩散，得到更短的沟道器件。

沟道长度定义为两层p＋Si薄膜之间的厚度。

由于较高的沟道掺杂浓度（2．5×1018cm－3），亚阈值斜率相对较大，为190mV／dec，器件沟道的加长和沟道掺杂浓度的降低都能降低亚阈值斜率。

什么是VMOS管、DMOS管、TMOS管？爱问知识人

什么是VMOS管、DMOS管、TMOS管？爱问知识⼈“MOSFET” 是英⽂ MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译成中⽂是 “ ⾦属
氧化物半导体场效应管 ” 。

它是由⾦属、氧化物 (SiO2 或 SiN) 及半导体三种材料制成的器件。

所谓功率 MOSFET(Power MOSFET) 是指它能输出较⼤的⼯作电流 ( ⼏安到⼏⼗安 ) ，⽤于功
率输出级的器件。

MOSFET 的结构
图 1 是典型平⾯ N 沟道增强型 MOSFET 的剖⾯图。

它⽤⼀块 P 型硅半导体材料作衬底 ( 图 la)
，在其⾯上扩散了两个 N 型区 ( 图 lb) ，再在上⾯覆盖⼀层⼆氧化硅 (SiQ2) 绝缘层 ( 图 lc) ，最
后在 N 区上⽅⽤腐蚀的⽅法做成两个孔，⽤⾦属化的⽅法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个
电极： G( 栅极 ) 、 S( 源极 ) 及 D( 漏极 ) ，如图 1d 所⽰。

从图 1 中可以看出栅极 G 与漏极 D 及源极 S 是绝缘的， D 与 S 之间有两个 PN 结。

⼀般情况
下，衬底与源极在内部连接在⼀起。

图 1 是 N 沟道增强型 MOSFET 的基本结构图。

为了改善某些参数的特性，如提⾼⼯作电流、
提⾼⼯作电压、降低导通电阻、提⾼开关特性等有不同的结构及⼯艺，构成所谓 VMOS 、
DMOS 、 TMOS 等结构。

图 2 是⼀种 N 沟道增强型功率 MOSFET 的结构图。

虽然有不同的结
构，但其⼯作原理是相同的，这⾥就不⼀⼀介绍了。