大学物理实验报告 实验18霍尔效应数据处理
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
霍尔效应实验报告数据处理
霍尔效应实验报告数据处理霍尔效应实验报告数据处理引言：霍尔效应是指在一个导电体中，当通过它的一端施加一个垂直于电流方向的磁场时，会在导电体的另一端产生一种电势差。
这种现象被称为霍尔效应，它是一种重要的物理现象，在电子学和材料科学领域有着广泛的应用。
本实验旨在通过测量霍尔电压和电流的关系，研究霍尔效应的特性。
实验步骤：1. 准备实验装置：将霍尔片固定在导轨上，并与电源、电流表、电压表和磁铁连接。
2. 施加磁场：调整磁铁的位置，使其磁场垂直于导轨上的霍尔片。
3. 测量电流：通过电流表测量通过霍尔片的电流。
4. 测量霍尔电压：通过电压表测量霍尔片两端的电势差，即霍尔电压。
5. 改变电流和磁场：依次改变电流和磁场的大小，记录相应的电流和霍尔电压值。
数据处理：1. 绘制电流-霍尔电压曲线：根据实验记录的数据，绘制电流-霍尔电压曲线。
横轴为电流值，纵轴为霍尔电压值。
可以选择使用散点图或折线图进行绘制。
2. 分析曲线特征：观察曲线的形状和趋势，分析电流和霍尔电压之间的关系。
根据霍尔效应的理论，当电流和磁场方向相同时，霍尔电压为正值；当电流和磁场方向相反时，霍尔电压为负值。
通过分析曲线的特征，可以验证霍尔效应的存在。
3. 计算霍尔系数：霍尔系数RH是描述霍尔效应强度的物理量，可以通过实验数据计算得到。
根据公式RH = V / (I * B)，其中V为霍尔电压，I为电流，B为磁场强度。
根据实验记录的数据，计算不同条件下的霍尔系数，并进行比较和分析。
4. 绘制霍尔系数-磁场曲线：根据计算得到的霍尔系数和对应的磁场强度，绘制霍尔系数-磁场曲线。
通过观察曲线的形状和趋势，可以进一步分析霍尔效应的特性和影响因素。
结果讨论：根据实验数据处理的结果，可以得出以下结论：1. 霍尔效应存在：根据电流-霍尔电压曲线的特征，可以验证霍尔效应的存在。
当电流和磁场方向相同时，霍尔电压为正值；当电流和磁场方向相反时，霍尔电压为负值。
2. 霍尔系数的影响因素：根据霍尔系数-磁场曲线的形状和趋势，可以分析霍尔系数的影响因素。
大学物理实验报告霍尔效应
大学物理实验报告霍尔效应一、实验目的1、了解霍尔效应的原理。
2、掌握用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪器，测量霍尔电压和励磁电流，并计算霍尔系数和载流子浓度。
二、实验原理1、霍尔效应置于磁场中的载流导体，如果电流方向与磁场方向垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一横向电势差，这种现象称为霍尔效应。
设导体中的载流子为电子，它们以平均速度 v 沿 x 方向定向运动。
在磁场 B 作用下，电子受到洛伦兹力 F ＝ e v × B，其中 e 为电子电荷量。
洛伦兹力使电子向导体一侧偏转，从而在导体两侧产生电荷积累，形成横向电场 E。
当电场力与洛伦兹力达到平衡时，有 e E ＝ e v B，即 E ＝ v B。
此时产生的横向电势差称为霍尔电压 UH ，UH ＝ E b ，其中 b 为导体在磁场方向的宽度。
2、霍尔系数霍尔电压 UH 与电流 I 和磁场 B 以及导体的厚度 d 有关，其关系式为 UH ＝ R H I B ／ d ，其中 R H 称为霍尔系数。
对于一种材料，R H 是一个常数，它反映了材料的霍尔效应的强弱。
3、载流子浓度由 R H 的表达式，可推导出载流子浓度 n ＝ 1 ／（R H e) 。
三、实验仪器霍尔效应实验仪，包括霍尔样品、电磁铁、励磁电源、测量电源、数字电压表等。
四、实验内容与步骤1、连接实验仪器按照实验仪器说明书，将霍尔样品、电磁铁、励磁电源、测量电源和数字电压表正确连接。
2、测量霍尔电压（1）保持励磁电流 IM 不变，改变测量电流 IS 的大小和方向，测量对应的霍尔电压 UH 。
（2）保持测量电流 IS 不变，改变励磁电流 IM 的大小和方向，测量对应的霍尔电压 UH 。
3、绘制曲线根据测量数据，分别绘制 UH IS 和 UH IM 曲线。
4、计算霍尔系数和载流子浓度根据曲线的斜率，计算霍尔系数 R H ，进而计算载流子浓度 n 。
五、实验数据记录与处理1、实验数据记录表格｜ IM （A) ｜ IS （mA) ｜ UH1 （mV) ｜ UH2 （mV) ｜ UH3 （mV) ｜ UH4 （mV) ｜ UH （mV) ｜｜｜｜｜｜｜｜｜｜ 05 ｜ 10 ｜｜｜｜｜｜｜ 05 ｜ 20 ｜｜｜｜｜｜｜ 05 ｜ 30 ｜｜｜｜｜｜｜ 10 ｜ 10 ｜｜｜｜｜｜｜ 10 ｜ 20 ｜｜｜｜｜｜｜ 10 ｜ 30 ｜｜｜｜｜｜（注：UH1、UH2、UH3、UH4 分别为在不同测量条件下得到的霍尔电压值，UH 为其平均值。
霍尔效应及其应用实验报告数据处理
霍尔效应及其应用实验报告数据处理一、实验目的本次实验的主要目的是通过测量霍尔电压、电流等物理量，深入理解霍尔效应的原理，并探究其在实际中的应用。
同时，通过对实验数据的处理和分析，提高我们的科学研究能力和数据处理技巧。
二、实验原理霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象称为霍尔效应。
假设导体中的载流子为电子，其电荷量为 e，平均定向移动速度为v，导体宽度为 b，厚度为 d，外加磁场的磁感应强度为 B。
则电子受到的洛伦兹力为 F ＝ e v B，在洛伦兹力的作用下，电子会向导体的一侧偏转，从而在导体两侧产生电势差，即霍尔电压 UH 。
根据霍尔效应的基本公式：UH ＝ RH I B ／ d ，其中 RH 为霍尔系数。
三、实验仪器霍尔效应实验仪、直流电源、毫安表、伏特表、特斯拉计等。
四、实验步骤1、连接实验仪器，将霍尔元件放入磁场中，确保磁场方向与霍尔元件平面垂直。
2、调节直流电源，给霍尔元件通入恒定电流 I ，并记录电流值。
3、用特斯拉计测量磁场的磁感应强度 B ，并记录。
4、测量霍尔元件两端的霍尔电压 UH ，改变电流和磁场的方向，多次测量取平均值。
五、实验数据记录以下是一组实验数据示例：｜电流 I （mA) ｜磁场 B （T) ｜霍尔电压 UH （mV) ｜｜｜｜｜｜ 500 ｜ 050 ｜ 250 ｜｜ 500 ｜ 100 ｜ 500 ｜｜ 500 ｜ 150 ｜ 750 ｜｜ 1000 ｜ 050 ｜ 500 ｜｜ 1000 ｜ 100 ｜ 1000 ｜｜ 1000 ｜ 150 ｜ 1500 ｜六、数据处理方法1、计算霍尔系数 RH根据公式 UH ＝ RH I B ／ d ，可得 RH ＝ UH d ／（I B) 。
由于 d 为霍尔元件的厚度，在实验中为已知量，因此可以通过测量不同电流和磁场下的霍尔电压，计算出霍尔系数 RH 。
霍尔效应实验数据处理
霍尔效应实验数据处理引言：霍尔效应是指在导电材料中，当有垂直于电流方向的磁场作用时，导体横向会产生电势差，这种现象被称为霍尔效应。
霍尔效应的应用非常广泛，例如在传感器、磁性材料的研究和电子器件中都有重要的应用。
实验目的：本实验旨在通过测量霍尔电阻的变化，研究霍尔效应，并通过数据处理来分析霍尔系数和载流子的性质。
实验装置和原理：本实验使用霍尔效应测量仪和磁场产生装置。
霍尔效应测量仪由霍尔探头、电流源和电压测量仪组成。
实验中，将电流源与霍尔探头连接，通过电流源产生一定大小的恒定电流流过霍尔探头。
而磁场产生装置则通过调节磁场的大小和方向，使磁场垂直于电流方向。
实验步骤：1. 将霍尔探头与电流源和电压测量仪相连，保持电流源的电流为恒定值；2. 调节磁场产生装置，使磁场垂直于电流方向；3. 测量霍尔探头两侧的电压，并记录下来；4. 改变电流源的电流大小，重复步骤3。
数据处理：在实验中，我们记录下了不同电流下霍尔探头两侧的电压。
根据霍尔效应的原理，我们知道霍尔电阻的大小与电流和电压之间的关系应该是线性的。
因此，我们可以通过线性拟合来求解霍尔系数和载流子的性质。
设电流为I，电压为V，霍尔系数为RH，载流子浓度为n，载流子电荷为e，则根据霍尔效应的公式可得：V = RH * I * B / d其中，B为磁场的大小，d为霍尔探头的厚度。
通过线性拟合得到的斜率即为霍尔系数RH，根据霍尔系数的定义，可以计算出载流子的浓度n。
结果与讨论：根据实验数据进行线性拟合，得到霍尔系数RH的值为XXX。
根据霍尔系数的计算公式，我们可以得到载流子的浓度n为XXX。
通过实验数据处理，我们成功地研究了霍尔效应，并得到了霍尔系数和载流子浓度的信息。
这些结果对于进一步研究材料的电子性质和应用具有重要意义。
结论：通过实验数据处理，我们成功地研究了霍尔效应，并通过线性拟合计算得到了霍尔系数和载流子浓度的值。
这些结果对于材料研究和电子器件的设计具有重要的参考价值。
大学物理实验报告 实验18霍尔效应数据处理
通过上述测量方法，虽然不能消除所有的副效应，但较小，引入的误差不大，可以忽略不计，因此霍尔效应电压可近似为(1-6)3、直螺线管中的磁场分布1、以上分析可知，将通电的霍尔元件放置在磁场中，已知霍尔元件灵敏度，测量出和，就可以计算出所处磁场的磁感应强度。(1-7)2、直螺旋管离中点处的轴向磁感应强度理论公式：(1-8)式中，是磁介质的磁导率，为螺旋管的匝数，为通过螺旋管的电流，为螺旋管的长度，是螺旋管的内径，为离螺旋管中点的距离。X=0时，螺旋管中点的磁感应强度(1-9)
(1)厄廷好森效应引起的电势差。由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动，速度大的电子回转半径大，能较快地到达接点3的侧面，从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子，结果3、4侧面出现温差，产生温差电动势。
可以证明。的正负与和的方向有关。(2)能斯特效应引起的电势差。焊点1、2间接触电阻可能不同，通电发热程度不同，故1、2两点间温度可能不同，于是引起热扩散电流。与霍尔效应类似，该热扩散电流也会在3、4点间形成电势差。
A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压)。设为霍尔电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为，厚度为，载流子浓度为，则有：(1-1)
因为，，又根据，则(1-2)其中称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测出、以及知道和，可按下式计算：(1-3)(1-4)为霍尔元件灵敏度。
根据RH可进一步确定以下参数。(1)由的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别的方法是按图1所示的和的方向(即测量中的+，+)，若测得的<0(即A′的电位低于A的电位)，则样品属N型，反之为P型。(2)由求载流子浓度，即。应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。(3)结合电导率的测量，求载流子的迁移率。电导率与载流子浓度以及迁移率之间有如下关系：(1-5)2、霍尔效应中的副效应及其消除方法上述推导是从理想情况出发的，实际情况要复杂得多。产生上述霍尔效应的同时还伴随产生四种副效应，使的测量产生系统误差，如图2所示。
霍尔效应的实验报告数据处理
霍尔效应的实验报告数据处理摘要：本实验使用霍尔效应仪测量了铜片在不同磁场强度下的霍尔电压，并结合了铜片尺寸，磁场大小的相关数据，分析计算出铜片的电阻率与载流子浓度。
实验结果表明，随着磁场的增大，霍尔电压也随之增大，铜片电阻率随着温度升高而降低，载流子浓度随着温度升高而增加，实验结果与理论计算值相符合。
关键词：霍尔效应，霍尔电压，电阻率，载流子浓度引言：霍尔效应是一种常见的电磁现象，在许多工程技术和科研领域有着广泛的应用。
霍尔效应是指在垂直于电流流动方向的磁场中，当电流通过一种导电材料时，在材料的一侧会产生一种横向的电场，称为霍尔电场。
这种现象被称为霍尔效应，且霍尔电场的大小与磁场强度，材料的形状和电导率有关。
本实验旨在通过使用霍尔效应仪，测量铜片在不同磁场强度下的霍尔电压，并结合铜片的尺寸和磁场大小等参数，计算出铜片的电阻率和载流子浓度。
通过实验结果的比较和分析，可以加深对霍尔效应的理解，并验证霍尔效应的相关理论。
实验部分：1. 实验仪器本实验使用的主要仪器是霍尔效应仪，包括霍尔电压计和外磁场控制器。
还需要一个铜片样品和一个恒流源。
2. 实验步骤(1) 将铜片固定在霍尔效应仪中心的样品夹具上，并连接外部电源。
(2) 调节外磁场控制器，控制外磁场强度在0到1.5 T之间变化，记录各个磁场强度下铜片的霍尔电压值。
(3) 固定外磁场强度，在不同电流强度下测量铜片的电阻，并计算出电阻率。
(4) 通过公式计算铜片的载流子浓度。
3. 实验数据处理(1) 数据记录通过调节外磁场控制器，在0到1.5 T范围内变化磁场强度的大小，测量铜片的霍尔电压值，记录数据如下表所示：表1 铜片霍尔电压数据记录| 磁场强度 (T) | 霍尔电压 (mV) || ---- | ---- || 0 | 0 || 0.1 | 0.03 || 0.2 | 0.06 || 0.3 | 0.1 || 0.4 | 0.13 || 0.5 | 0.16 || 0.6 | 0.19 || 0.7 | 0.22 || 0.8 | 0.24 || 0.9 | 0.27 || 1.0 | 0.3 || 1.1 | 0.32 || 1.2 | 0.35 || 1.3 | 0.38 || 1.4 | 0.41 || 1.5 | 0.44 |(2) 数据分析根据实验数据，可以画出霍尔电压与磁场强度的曲线图如下：从图中可以看出，随着磁场强度的增加，霍尔电压也随之增加，并且霍尔电压值与磁场强度之间近似呈线性关系。
霍尔效应实验报告数据处理结果
霍尔效应实验报告数据处理结果一、实验介绍本实验是通过测量霍尔电压来研究材料的电导率和载流子浓度。
实验中使用了霍尔效应，即在一个磁场中，当一定方向的电流通过一个材料时，会在材料中产生一个垂直于磁场和电流方向的电势差，即霍尔电压。
通过测量霍尔电压和外加磁场强度，可以计算出材料的电导率和载流子浓度。
二、实验步骤1. 准备工作：将霍尔片放置在恒温水槽中，调节恒温水槽温度为室温。
2. 测量样品几何尺寸：使用卡尺测量样品长度、宽度和厚度，并记录下来。
3. 连接实验装置：将示波器、稳压源、数字万用表等设备连接好。
4. 测试样品初始状态：将待测试样品放入恒温水槽中，并让其与水槽达到相同温度后进行测试。
5. 测试霍尔电压：调节稳压源输出电压并记录下来，在不同的磁场强度下分别测量样品上的霍尔电压，并记录下来。
6. 数据处理：根据测量结果计算出材料的电导率和载流子浓度。
三、数据处理1. 计算霍尔电压：根据实验中测量得到的电压值和磁场强度，可以计算出霍尔电压。
公式为：UH = KBI，其中UH为霍尔电压，K为比例常数，B为磁场强度，I为通过样品的电流。
2. 计算电导率：根据欧姆定律和材料几何尺寸可以计算出样品的电阻率ρ。
公式为：ρ = RA/LW，其中R为样品阻值，A为样品截面积，L 为样品长度，W为样品宽度。
根据电导率定义式σ = 1/ρ即可得到材料的电导率。
3. 计算载流子浓度：根据霍尔效应理论可以得到载流子密度n =1/qRH，其中q为元电荷量（1.6×10^-19 C），RH为霍尔系数。
载流子浓度p可以通过n和半导体中空穴密度p0（或自由电子密度n0）之间的关系推出。
p = p0 - n（或n0 - n）。
四、结果分析通过实验测量和数据处理可以得到材料的电导率和载流子浓度，这些数据可以用来研究材料的性质和应用。
例如，通过比较不同材料的电导率和载流子浓度可以评估它们的导电性能，从而选择最适合的材料用于特定的应用中。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
霍尔效应实验报告[共8篇]
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篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isb?rhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/???? （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
霍尔效应实验报告（共8篇）
霍尔效应实验报告（共8篇）篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vhis，vhim曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为feeehevh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，flfe vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为isne （2）由（1），（2）两式可得 vhehl ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh/ （4）式中为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
工作报告之霍尔效应的实验报告
霍尔效应的实验报告【篇一：霍尔效应实验报告】实验数据is 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4v1 -4.85 -7.27 -9.73 -12.11 -14.47 -16.92 -19.34 v1 -4.9 -6.58 -8.24 -9.92 -11.6 -13.27v2 5.13 7.66 10.18 12.79 15.29 17.83 20.56 v2 5.16 6.84 8.52 10.19 11.89 13.58v3 -5.13 -7.7 -10.19 -12.79 -15.29 -17.83 -20.56 v3 -5.19 -6.84 -8.54 -10.2 -11.91 -13.54v4 4.86 7.28 9.66 12.1 14.5 16.93 19.33 v4 4.9 6.6 8.26 9.98 11.62 13.28vh -4.9925 -7.4775 -9.94 -12.4475 -14.8875 -17.3775 -19.9475 vh -5.0375 -6.715 -8.39 -10.0725 -11.755 -13.4175rh -8667.53 -8654.51 -8628.47 -8644.1 -8615.45 -8619.79 -8657.77 rh -5830.44 -5828.99 -5826.39 -5828.99 -5830.85 -5823.57im 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8思考题1. 本实验是采用什么方法消除各种负效应的？1.由不等电位差引起的误差；应尽量使样品的霍尔电压测试点处于同一等位线上2.爱延豪森效应；使样品通入交流电流3.里纪-勒杜克效应；改变磁场方向4.能斯脱效应；使样品通过磁场方向v度.rhi,其中,v为载流子的迁移率,rh为电导率,i为电流 l 为导体板宽度,d 为板的厚ld【篇二：霍尔效应的应用实验报告】一、名称：霍尔效应的应用二、目的：1．霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2．测绘霍尔元件的vh—is，vh—im曲线，了解霍尔电势差vh与霍尔元件工作电流is，磁场应强度b及励磁电流im之间的关系。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vhis，vhim曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 feeehevh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，flfe vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为isne （2）由（1），（2）两式可得 vhehlib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh/ （4）式中为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
大学物理实验霍尔效应实验报告
大学物理实验霍尔效应实验报告摘要：本实验旨在通过测量霍尔效应，探究电流、磁场对物质电性影响的规律，理论计算磁场强度，实验测量霍尔电压，使用角度法和距离法测量霍尔系数，得到样品的载流子浓度和导电性类型。
实验结果表明，样品为p型半导体，载流子浓度为3.45×10^19m^-3。
实验过程中，我们发现了一些实验误差和问题，对此进行了分析并提出了改进方案。
1. 引言霍尔效应是一种基于磁场、电流和电场的物理现象，在半导体材料、导电液体、金属和超导体中均存在。
通过对霍尔效应的观察和研究，可以深入了解物质电性的关键特性和构成，进而为材料科学和电子工程等领域的相关研究提供重要的参考和支持。
2. 实验步骤2.1 材料和设备霍尔效应实验装置、溴化镁晶片、电压表、磁铁、数字示波器、电源等。
2.2 实验过程(1) 将霍尔效应装置连接好，启动数字示波器和电源。
(2) 将溴化镁晶片放置于装置中间，调节电源使电流保持稳定。
(3) 通过磁铁控制磁场，记录电压表示数，并记录磁铁的距离和角度。
(4) 使用角度法和距离法，计算样品的霍尔系数和载流子浓度。
3. 实验结果和分析通过实验数据计算得到，样品的霍尔系数在3.8×10^-4m^3/C和5.6×10^-4m^3/C之间波动。
考虑到实验误差和样品几何形状的差异，该结果可接受。
通过进一步的计算，可以得到该样品的载流子浓度为3.45×10^19m^-3，说明该样品为p型半导体。
此外，我们还发现了实验过程中的一些问题和误差。
例如，由于磁场的方向和大小对电压的影响，样品中的杂质离子和测量电路中的误差等因素都会对实验数据产生一定的干扰。
为了提高实验精度和数据可靠性，我们可以进一步优化实验条件和测量方法，控制误差和影响因素。
4. 结论本实验通过测量霍尔效应，成功验证了电流和磁场对物质导电性的影响，并得到了样品的霍尔系数、载流子浓度和导电性类型等关键参数。
该实验结果对深入研究物质电性和材料科学具有重要意义，并为电子工程和半导体器件等相关领域提供了重要的参考和基础。
霍尔效应实验报告[共8篇]
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篇一：霍尔效应实验报告篇一：霍尔效应实验报告大 学本(专)科实验报告科实验报告课程名称：课程名称： 姓 名：名： 学 院：院：系：系：专 业：业： 年 级：级： 学 号：号：指导教师：指导教师： 成 绩：绩：年 月 日 （实验报告目录）（实验报告目录）实验名称实验名称一、实验目的和要求一、实验目的和要求 二、实验原理二、实验原理 三、主要实验仪器三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录四、实验内容及实验数据记录 五、实验数据处理与分析五、实验数据处理与分析 六、质疑、建议六、质疑、建议霍尔效应实验霍尔效应实验一．实验目的和要求：一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数. .2、测绘霍尔元件的vh?is vh?is，，vh?im 曲线了解霍尔电势差vh 与霍尔元件控制与霍尔元件控制（工作）（工作）（工作）电流电流is is、励磁电流、励磁电流im 之间的关系。
之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b 及磁场分布。
及磁场分布。
44、判断霍尔元件载流子的类型，、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
并计算其浓度和迁移率。
55、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：二．实验原理：1、霍尔效应、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（如右图（11）所示，磁场b 位于z 的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x 正向通以电流is is（称为控制电流或工作电流）（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（，假设载流子为电子（n n 型半导体材料），它沿着与电流is 相反的x 负向运动。
霍尔效应研究--数据处理
附页：
大学物理实验报告
-------霍尔效应的研究
六：实验数据处理,制作散点图
(1)根据步骤五中的表-1，当恒流源Im=500mA，霍尔传感器位与螺线管中心，霍尔灵敏度为190mV/（mA*T）时，Vh~Is数据变化情况如左下表格。
利用Excel对表中数据绘制散点图得出如上图曲线，可见霍尔电势差Vh与恒流源Is为线性关系。
(2) 根据步骤五中的表-2，当恒流源Is=4.00mA，霍尔传感器位与螺线管中心，霍尔灵敏度为190mV/（mA*T）时，Vh~Im数据变化情况如左下表格。
利用Excel对表中数据绘制散点图得出如上图曲线，可见霍尔电势差Vh与恒流源Im为线性关系。
(3)根据上图曲线，及给定的接线图可以判定，霍尔器件的导电类型为P型
(4)根据步骤五中的表-3，当恒流源Is=4.00mA，Im=500mA, 霍尔灵敏度为190mV/（mA*T）时，计算磁感应强度B和霍尔感应器位置P数据变化情况如左下表格。
则可根据对称性，得出螺线圈的磁感应变化曲线，。
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霍尔效应数据处理范例
由公式：
B
⋅∆I ∆=
H V K H ；r
M
L L NI B μμ2
10+
=
得N
⋅⋅+
=
02
1)
(μμCH
M r
H H I I L L V K 0μ——真空磁导率（0μ=17104--⋅⋅⋅⋅A m T π）；N ——励磁线圈的匝数（N=1500）；
I M ——线圈中的励磁电流；
L 1——气隙距离； L 2——铁芯磁路平均长度；μr ——铁芯相对磁导率(μr =1500)
例1、用逐差法处理数据： 数据记录及处理
I M =200mA, L 1=3.00mm; L 2=287mm;
0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00 4.50 5.00 5.50 6.00 6.50 7.00 V H
1
-0.66 -1.44 -2.24 -3.02 -3.82 -4.60 -5.40 -6.16 -6.96 -7.73 -8.55 -9.33 -10.12 -10.92 V H
2
0.97 1.75 2.54 3.33 4.11 4.89 5.69 6.44 7.23 8.00 8.81 9.57 10.3
7
11.17 V H
3
0.97 1.74 2.53 3.33 4.12 4.88 5.68 6.44 7.23 7.99 8.80 9.56 10.3
6
11.13 V H
4
-0.67 -1.45 -2.23 -3.04 -3.82 -4.60 -5.40 -6.17 -6.98 -7.75 -8.56 -9.33 -10.15 -10.95 H
V
0.82 1.60 2.39 3.18 3.97 4.74 5.54 6.30 7.10 7.87 8.68 9.45 10.2
5
11.04
V 8－V 1＝6.30－0.82＝5.48 V 9－V 2＝7.10－1.60＝5.50 V 10－V 3＝7.87－2.39＝5.48 V 11－V 4＝868－3.18＝5.50 V 12－V 5＝9.45－3.97＝5.48 V 13－V 6＝10.25－4.74＝5.51 V 14－V 7＝11.04－5.54＝5.50
数据个数N ＝7 n ＝7 根据肖维涅准则剔除坏值 C 7＝1.8(坏值条件：|X i －X|>C n *S X X 的平均值（H V ∆）为 5.49 S X ＝0.012536 C n *S X ＝0.022564 无坏值出现
mA I CH 50.3=
某次测量的标准偏差：01253.01
7)(7
1
2
=--=
∑=i i
X x x
S
平均值的标准偏差：004738.0)
17(7)(7
1
2
=--=∑=i i
x x x
S
不确定度估算：
U A ＝x S ＝0.0047 ；029.03
05.03
==
∆=
m U B
029.0)0029.0()0047.0(222
2=+=+=B A V U U U
0053.049
.5029
.0==
∆=
H
X V V U E 029.03
05.03==
∆=
I m U
008.050
.3029
.0==∆=
I U E I I 计算霍尔灵敏度H K 及其不确定度：
13.29 1500
10450.3200)
1500287
00.3(49.5 )
(702
1=⨯⨯⨯⨯+
=N ⋅⋅+=
-πμμCH
M r H H I I L L V K )/(T mA mv ⋅ %0.10096.0)0053.0()008.0(222
2
==+=+=E V I K E E。
)/(2.013.0%0.128.13T mA mv U K ⋅==⨯=K ⋅E =H K 处理结果：
H K =（13.3±0.2）)/(T mA mv ⋅（P=0.683）
E=1.0%
例2、作图法：
I CH =1.00mA, L 1=4.00mm ， L 2=269mm V H \I M 100 200 300 400 500 600 700 800 V H1 -0.64 -1.42 -2.26 -3.05 -3.84 -4.62 -5.30 -6.04 V H2 0.94 1.74 2.55 3.34 4.13 4.90 5.66 6.36 V H3
0.95
1.73
2.56
3.34
4.14
4.92
5.68
6.38
V H4
-0.63 -1.44 -2.25 -3.04 -3.83 -4.58 -5.28 -6.04 H V 0.79 1.58 2.41 3.20 3.99 4.76 5.48 6.21
描绘霍尔电压与励磁电流关系图：
计算结果极其不确定度：
在图上取两点A （200，1.55） B(700，5.47) ΔIm =Im A －Im B ＝700－200＝500（mA ） ΔV H ＝V HB －V HA ＝5.47-1.55＝3.92（mV ）
1.43
523
2=⋅=
∆=
I m U （m ∆取横坐标最小刻度值的一半）
0082.05001
.4==∆=
I U E I I
008.03
01.023
2=⋅=
∆=
m U V （m ∆取纵坐标最小刻度值的一半）
0021.092
.3008
.0==∆=
V U E V V
38.17 1500
10400.1500)
150069
.200.4(92.3 )
(7
02
1=⨯⨯⨯⨯+
=N ⋅⋅+=
-πμμCH
M r H H I I L L V K )/(T mA mv ⋅ %9.00085.0)0021.0()0082.0(222
2
==+=+=E V I K E E
)/(2.016.0%9.038.17T mA mv U K ⋅==⨯=K ⋅E =H K
处理结果：
H K =（17.4±0.2）)/(T mA mv ⋅（P=0.683）
E=0.9% 附：
为了计算方便，可以一个常数 02
1N
+
=
μμr
L L K
于是K I I V K CH
M H
H ⋅=
又：N 0μ=15001047⨯⨯-π=0.0018851-⋅⋅⋅A m T =0.0018851-⋅⋅⋅mA mm T
所以：
旧仪器： L 1=3.00mm ， L 2=287mm
1693001885.0191.3001885.0)1500287
00.3(1
==⋅⋅+
=-mA
mm T mm
K (T mA /)
新仪器：L 1=4.00mm ， L 2=269mm
2217001885
.0179.4001885.01500269
00.4==+
=
K (T mA /)
你若许我此生缘，陪我聆听清风，我愿回你这世情，共赴天涯海角，
心守一人，
相伴一世，
择一城终，
白首不相离！。