硅材料的分类与制备
硅材料基础知识
基础课件－硅材料基础知识硅材料基础知识主要内容：一、概述二、硅的结构、分类与来源三、硅的物理性质四、硅的化学性质五、硅的物理参数及测量六、硅的应用及注意事项一、概述硅材料的基础知识，课程包括较多，有固体物理、量子力学、半导体物理、半导体化学、半导体器件工艺、半导体材料等方面的知识；内容较多，如半导体电子状态和能级、载流子的发布、导电性、非平衡载流子、P－N结、金属与半导体的接触、表面理论、光电效应、磁电效压阻效应、异质结等。
这里只介绍半导体材料的最基本的内容。
1、材料按导电性能划分，可分为：导体、绝缘体、半导体三类。
导体——容易导电的材料。
如各种金属、石墨等。
一般的，电阻率<0.2Ω·cm 绝缘体——很难导电的材料。
如橡胶、玻璃、背板、EVA、SiO2、Si3N4等。
一般的，电阻率>20000Ω·cm半导体——介于两者之间的材料。
如Si、Ge、GaAs、ZnO等，它具有一些独特的性质。
注：a、金属靠电子导电，溶液靠离子导电，半导体导电靠电子或空穴导电。
b、空穴就是电子的缺少。
2、半导体材料，按组成结构可分为：元素半导体、化合物半导体、非晶半导体、有机半导体。
3、半导体器件对材料的要求：3.1禁带宽度适中（一般0.5～1.5电子伏，硅是1.08）3.2载流子迁移率高（一般1000～5000cm2/V·s）3.3纯度高3.4电阻率要求可靠、均匀（一般0.001～100000 ，硅本征2.3×105）3.5晶体的完整性二、硅的结构、分类与来源1、硅的原子理论1.1元素周期表中，第三周期、第IVA 族元素，原子序数14，原子量28电子排布1S 22S 22P 63S 23P 2 ,化合价为＋4价（＋2价）1.2硅有三种同位素28Si ：92.21％、29Si ：4.70％、30Si ：3.09％、1.3晶体结构：金刚石结构（正四面体），原子间以共价键结合。
硅材料的分类
硅材料的分类硅材料是一种重要的材料，在现代工业中广泛应用。
根据其性质和用途的不同，硅材料可以分为多个分类。
本文将从晶体硅、非晶硅和有机硅三个方面介绍硅材料的分类。
一、晶体硅晶体硅是指具有高度有序的晶体结构的硅材料。
它具有优良的电特性和光学特性，因此广泛应用于半导体领域。
晶体硅可以通过单晶生长和多晶生长两种方法制备。
单晶生长是通过将硅溶液或熔体冷却，使硅原子有序排列而形成单晶。
而多晶生长则是通过在硅熔体中掺入少量的控制剂，使硅晶体在生长过程中形成多晶结构。
晶体硅的晶格结构具有优良的导电性和光学透明性，因此被广泛应用于半导体器件、太阳能电池等领域。
二、非晶硅非晶硅是指没有规则晶体结构的硅材料，其结构类似于液体。
非晶硅的制备方法主要有物理气相沉积和化学气相沉积两种。
物理气相沉积是通过将硅原料加热至高温，使其气化并沉积在基底上形成非晶硅薄膜。
化学气相沉积则是通过在反应气氛中加入硅源和反应气体，并在基底表面化学反应生成非晶硅。
非晶硅因其无规则的结构，具有较高的抗辐照性和较低的导电性，常用于薄膜太阳能电池、液晶显示器等领域。
三、有机硅有机硅是指硅原子与碳原子通过共价键结合形成的化合物。
有机硅材料具有优异的耐热性、耐寒性、耐腐蚀性和机械强度，因此广泛应用于橡胶、涂料、塑料、胶粘剂等领域。
有机硅材料的制备方法主要有两种：一种是通过直接合成有机硅化合物，例如通过将硅烷与有机化合物反应生成有机硅化合物。
另一种是通过硅烷的氧化反应制备有机硅材料，例如通过将硅烷与氧气反应生成SiO2，然后通过化学反应将SiO2还原为有机硅化合物。
硅材料可以分为晶体硅、非晶硅和有机硅三个分类。
晶体硅具有有序的晶体结构，广泛应用于半导体领域；非晶硅没有规则的晶体结构，常用于薄膜太阳能电池等领域；有机硅是硅原子与碳原子形成的化合物，具有优异的性能，在橡胶、涂料、塑料等领域有广泛应用。
通过对硅材料的分类了解，可以更好地理解其性质和用途，并为相关领域的应用提供基础支持。
有机硅材料的制备与性质
有机硅材料的制备与性质有机硅材料是由碳、氢、氧和硅等元素组成的高分子材料，因其具有高温抗氧化性、高强度、耐腐蚀、绝缘、耐热性、抗辐射性、防水性等特点而广泛应用于航空、汽车、电子、建筑、医疗等领域。
本文将介绍有机硅材料的制备和性质。
一、有机硅材料的制备有机硅材料的制备方法多种多样，以下是其中几种常见的制备方法。
1.水解法水解法将有机硅单体与水在酸催化剂的作用下进行水解反应制备有机硅材料。
水解反应发生后，生成的硅醇与有机官能团发生缩合反应，形成有机硅高分子。
此方法制备的有机硅材料质量稳定，制备过程简便。
2.聚合法聚合法将有机硅单体通过自由基聚合、阴离子聚合或阳离子聚合等反应得到有机硅高分子。
聚合反应需要催化剂的存在，常用的催化剂有过渡金属催化剂和碱性催化剂。
这种方法制备的有机硅材料品质较高，可以通过改变反应条件控制分子量和结构。
3.共聚法共聚法是将有机硅单体与非硅烷基单体进行共聚反应制备有机硅材料。
在反应中，有机硅单体的引入改变了聚合物的化学结构和物理性质。
共聚法制备的有机硅材料具有不同于聚合物和无机材料的合成结构和物理化学性质。
4.微乳液法微乳液法是将有机硅单体分散在水中，形成微乳液之后，加入表面活性剂、碱性催化剂和下线活性剂等，并在高转速下进行反应得到有机硅材料。
此方法制备的有机硅材料具有粒径小、分散性好、催化剂效率高等优点。
二、有机硅材料的性质有机硅材料由碳、氢、氧和硅等元素构成，其物理化学性质有很多独特的特点。
1.高温抗氧化性有机硅材料的高温抗氧化性能优异，长时间经受高温无明显膨胀、龟裂等现象，保持着其优良的物理化学性质，因此广泛应用于高温下的设备和构件制造。
2.耐腐蚀有机硅材料具有很强的耐腐蚀性能，可以经受酸、碱、盐等腐蚀性介质的侵蚀。
其耐腐蚀性能比许多金属和合金要好，因此在海洋环境、化学工业、水处理等领域具有广泛应用。
3.耐热性有机硅材料的耐高温性能非常突出，其熔点和玻璃化转变温度均很高，即便在高温下也能维持其物理化学性质不变。
硅的制备
半导体硅的物理制备方法半导体硅是质量符合半导体器件要求的硅材料。
包括多晶硅、单晶硅、硅晶片(包括切片、磨片、抛光片)、外延片、非晶硅薄膜、微晶硅薄等。
一、多晶硅的制备1、改良西门子法-闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。
国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅2、硅烷法——硅烷热分解法硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。
然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。
以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。
但美国Asimi和SGS 公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。
3、流化床法以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。
制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。
因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。
唯一的缺点是安全性差，危险性大。
其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。
此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。
目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。
此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。
4、太阳能级多晶硅新工艺技术除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。
1）冶金法生产太阳能级多晶硅据资料报导[1]日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂（SHARP公司）应用，现已形成800吨/年的生产能力，全量供给SHARP公司。
硅材料基础知识
基础课件－硅材料基础知识硅材料基础知识主要内容：一、概述二、硅的结构、分类与来源三、硅的物理性质四、硅的化学性质五、硅的物理参数及测量六、硅的应用及注意事项一、概述硅材料的基础知识，课程包括较多，有固体物理、量子力学、半导体物理、半导体化学、半导体器件工艺、半导体材料等方面的知识；内容较多，如半导体电子状态和能级、载流子的发布、导电性、非平衡载流子、P－N结、金属与半导体的接触、表面理论、光电效应、磁电效压阻效应、异质结等。
这里只介绍半导体材料的最基本的内容。
1、材料按导电性能划分，可分为：导体、绝缘体、半导体三类。
导体——容易导电的材料。
如各种金属、石墨等。
一般的，电阻率<0.2Ω·cm 绝缘体——很难导电的材料。
如橡胶、玻璃、背板、EVA、SiO2、Si3N4等。
一般的，电阻率>20000Ω·cm半导体——介于两者之间的材料。
如Si、Ge、GaAs、ZnO等，它具有一些独特的性质。
注：a、金属靠电子导电，溶液靠离子导电，半导体导电靠电子或空穴导电。
b、空穴就是电子的缺少。
2、半导体材料，按组成结构可分为：元素半导体、化合物半导体、非晶半导体、有机半导体。
3、半导体器件对材料的要求：3.1禁带宽度适中（一般0.5～1.5电子伏，硅是1.08）3.2载流子迁移率高（一般1000～5000cm2/V·s）3.3纯度高3.4电阻率要求可靠、均匀（一般0.001～100000 ，硅本征2.3×105）3.5晶体的完整性二、硅的结构、分类与来源1、硅的原子理论1.1元素周期表中，第三周期、第IVA 族元素，原子序数14，原子量28电子排布1S 22S 22P 63S 23P 2 ,化合价为＋4价（＋2价）1.2硅有三种同位素28Si ：92.21％、29Si ：4.70％、30Si ：3.09％、1.3晶体结构：金刚石结构（正四面体），原子间以共价键结合。
硅料分类
三、制程回收料
• 单晶： 1、分类：按用途分太阳能级、半导体级（包括IC级）单晶硅；按 生产工艺可分为直拉法单晶硅、区熔法单晶硅；还可按导电类型、 掺杂 元素、晶体晶向等分类方式。 2、制程副产品：单晶头尾料、边皮料、吊渣料、锅底料、籽晶料； 3、品质不良料：晶变反切料、少子偏低、直径偏小、氧碳含量偏 高的原棒；（另外还有事故料、提纯料） • 多晶： 制程异常料如裂锭、溢流料；品质不良料如边长、电阻率、少子、 氧碳含量不良等；副产品如头尾料、边皮料、废弃层、尾废料；还 有提纯锭产生的头尾、边角回收料。
▲.粉状多晶硅
• 粉状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合下表2的规定。
项目 P含量，ppma B含量，ppma 氧浓度，at/cm3 碳浓度，at/cm3 太阳能级硅多晶等级 1级品 ≤0.0017 ≤0.0005 ≤1.0×1017 ≤2.5×1016 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、 Mg、Al， 2级品 ≤0.006 ≤0.027 ≤1.0×1017 ≤5.0×1016 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、 Mg、Al，
注；碎料与粉状料为破碎还原炉生产出的硅棒时产生的细小料。
▲.碳头料
• 碳头料中的碳去除干净，可以用作太阳能 铸锭和拉棒。其技术要求同表1太阳能级块 状和棒状多晶硅纯度要求中的2级品。
▲.多晶硅样品料（纯度可达11N）
▲.粒状多晶硅（纯度可达11N）
▲.多晶硅碎料
（纯度可达11N）
▲.多晶硅籽晶断切料（纯度可达11N）
品质检测
切片 原片深加工
▲.单晶硅的分类
单晶分类 用途 生产工艺 导电类型 太阳能级 直拉法 半导体级（包括IC级） 区熔法
P型 N型 （掺杂元素为第三主族元素） （掺杂元素为第五主族元素） 第Ⅲ主族元素 （如B、Al、Ga、In） 高浓度重掺 （电阻率≤0.02Ω•ｃｍ） 第Ⅴ主族元素 （如P、As、Sb、Bi） 低浓度轻掺 （0.5~20Ω•ｃｍ）
高纯硅材料的制备与应用分析
高纯硅材料的制备与应用分析1.引言高纯硅是一种非常重要的材料，其制备和应用在许多领域都有着广泛的应用。
高纯硅制备的方法主要包括化学还原法、物理还原法、气相沉积法、单晶生长法等。
高纯硅的应用领域主要包括电子信息、半导体、太阳能电池等。
2.高纯硅材料的制备2.1化学还原法化学还原法是通过还原剂还原硅化合物，生成高纯金属硅的制备方法。
制备方法采用的还原剂主要是钠、钠铝合金、镁、硅等。
化学还原法制备高纯硅的过程主要分为两步，首先要处理原料，使它变成可还原的硅化合物，其次要加入还原剂进行还原。
化学还原法制备高纯硅的优点是操作简单易行，还原效率高；其缺点是在制备过程中需要使用大量有毒物质，对环境和人体都有一定的危害。
2.2物理还原法物理还原法是一种利用化合物的分解反应使其分解成元素的方法，如高温汽化法、熔融法等。
物理还原法制备高纯硅的优点是制备工艺简单，设备和环境要求不高；其缺点是成本较高，制备效率较低。
2.3气相沉积法气相沉积法是将气态前体分解成固态产物的方法，主要用于制备细小颗粒的硅，如制备硅纳米颗粒。
气相沉积法制备高纯硅的优点是反应温度低，制备过程中无需使用有毒或危险的化学试剂；其缺点是成本较高，需要较为专业的设备和技术。
2.4单晶生长法单晶生长法是一种非常高级的制备方法，是将单晶硅晶体从溶液中生长出来的方法。
该方法制备的高纯硅质量稳定，纯度高，但制备成本和难度都比较大。
3.高纯硅材料的应用3.1电子信息领域高纯硅在电子信息领域应用非常广泛。
比如，高纯硅晶片被广泛应用于集成电路制造中，作为电路的基础材料，以提高电子设备的性能和稳定性。
同时，高纯硅也被用于制造各种半导体器件，如大功率齐纳二极管、三极管等。
3.2半导体领域高纯硅在半导体领域也是应用广泛的一种材料。
半导体中的硅材料是高纯度、高品质、高稳定性的，是制造半导体器件中不可或缺的一种材料。
同时，在半导体领域中，高纯硅材料还可用于制造光电子元器件、光伏电池等。
半导体硅材料简介介绍
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04
半导体硅材料市场与前景
全球及中
03
市场规模
全球半导体硅材料市场规 模持续扩大，中国成为最 大消费国。
产业链结构
半导体硅材料产业链完善 ，包括原材料供应、生产 制造、应用等环节。
竞争格局
国际知名品牌占据主导地 位，国内企业在技术研发 和市场拓展方面取得突破 。
半导体硅材料市场驱动因素
• 种类：半导体硅材料主要分为单晶硅、多晶硅和非晶硅三种 。其中，单晶硅具有最高的纯度和结晶度，因此性能最为优 异，但成本也最高；多晶硅成本相对较低，但性能略有下降 ；非晶硅则具有特殊的无定形结构，适用于一些特定应用场 景。
半导体硅材料的种类与特性
特性
半导体硅材料具有一系列独特的电学特性，例如
• 光敏性
产业布局调整
全球半导体硅材料产业将进一步 向中国等新兴市场转移，推动本
地产业发展。
05
半导体硅材料的环境与可 持续发展
半导体硅材料生产过程中的环境影响
资源消耗
半导体硅材料生产过程中需要大量的能源和水资源，导致能源和 水资源的消耗巨大。
废气排放
生产过程中产生的废气中含有大量的有害气体，如二氧化硅、氮氧 化物等，对空气质量产生严重影响。
电子产品需求
智能手机、电脑等电子产 品普及，推动半导体硅材 料市场增长。
新兴应用领域
新能源、物联网等新兴领 域的发展，对半导体硅材 料提出更高要求。
技术创新
不断进步的生产技术，提 升半导体硅材料的性能和 应用范围。
半导体硅材料市场挑战与对策
资源短缺
硅材料资源有限，需要加强回收 利用和替代品的研发。
废水排放
半导体硅材料生产过程中产生的废水含有大量有害物质，如果直接 排放到环境中，将对水资源造成污染。
硅材料制备及工艺
硅材料制备及工艺硅材料是一种常用的半导体材料，在电子工业、光电子技术、太阳能电池等领域有广泛的应用。
其制备和工艺是实现材料性能优化和产品加工的关键环节。
本文将介绍硅材料的制备方法以及相关的工艺。
硅材料的制备主要有两种方法，一种是通过化学方法制备，另一种是通过物理方法制备。
化学方法是利用化学反应将硅的原料转化为硅材料。
常见的化学方法有：氯化法、硼砂法、硫酸法和火花渗硅法等。
氯化法是一种常用的方法，它利用氯和硅原料在高温下反应生成二氯化硅，然后通过还原反应得到纯净的硅材料。
硼砂法是另一种常用的方法，它利用硼砂和硅原料的反应生成四氯化硅，然后通过还原反应得到纯净的硅材料。
硫酸法是一种较为简单的制备方法，它利用硅酸盐和硫酸的反应生成硅酸，然后通过脱水反应得到硅材料。
火花渗硅法是一种新兴的制备方法，它利用电火花放电将硅原料气态化，然后通过凝结反应得到硅材料。
物理方法是利用物理手段将硅的原料转化为硅材料。
常见的物理方法有：热解法、溅射法和激光沉积法等。
热解法是一种常用的方法，它利用高温下原料的热分解生成纯净的硅材料。
溅射法是一种利用离子轰击使硅原料喷射到基片上形成薄膜的方法，常用于制备硅薄膜。
激光沉积法是一种利用激光蒸发硅原料使其在基片上形成硅薄膜的方法，适用于制备高质量的硅薄膜。
硅材料的工艺是对硅材料进行深加工和改性的过程，旨在改善其性能和适应特定的应用需求。
常见的硅材料工艺有：切割、掺杂、薄膜沉积和表面处理等。
切割是将硅材料切割成所需形状和尺寸的过程，常用的切割方法有：机械切割、砂轮切割和激光切割等。
掺杂是向硅材料中引入掺杂剂，改变其导电性能的过程，常用的掺杂方法有：扩散法、离子注入法和溅射法等。
薄膜沉积是将硅材料上沉积一层或多层薄膜，用于增强硅材料的特定性能，常用的薄膜沉积方法有：物理气相沉积、化学气相沉积和物理溅射沉积等。
表面处理是改变硅材料表面性质的过程，常用的表面处理方法有：氧化、涂覆和刻蚀等。
硅材料的分类
硅材料的分类
硅材料是一类广泛应用于电子、光电、化工、建筑等领域的材料。
根据不同的特性和应用，硅材料可分为以下几类：
1. 单晶硅
单晶硅是指在高温下通过熔融法制备出来的纯度极高的硅晶体。
由于其具有高热稳定性、低自由载流子浓度和良好的光电特性，因此被广泛应用于半导体器件制造中，如集成电路、太阳能电池等。
2. 多晶硅
多晶硅是指由许多小晶粒组成的硅材料。
它具有较高的导电性和光吸收能力，因此被广泛应用于太阳能电池制造中。
3. 硅薄膜
硅薄膜是指通过物理或化学气相沉积技术在基板上生长出来的一层非常薄的硅膜。
它具有优异的光学和电学特性，因此被广泛应用于显示器件、太阳能电池等领域。
4. 氧化硅
氧化硅是一种无机化合物，也称为二氧化硅。
它具有优异的绝缘性能
和耐高温性能，因此被广泛应用于半导体器件中的绝缘材料。
5. 氮化硅
氮化硅是一种新型的半导体材料，具有优异的机械、热学和电学性能。
它被广泛应用于高功率电子器件中，如微波功率放大器、高频开关等。
6. 硅酸盐
硅酸盐是一种广泛存在于地球上的无机化合物。
它们具有良好的耐火
性和抗腐蚀性能，因此被广泛应用于建筑材料、陶瓷制品等领域。
7. 硅胶
硅胶是一种由二氧化硅和水合物组成的胶态物质。
它具有优异的吸附
性能和稳定性，因此被广泛应用于干燥剂、防潮剂、催化剂等领域。
总之，硅材料是一类非常重要的材料，在电子、光电、化工、建筑等
领域都有着广泛的应用前景。
根据不同特性和应用需求，我们可以选
择不同种类的硅材料来满足我们的需求。
硅基材料的制备与性能研究
硅基材料的制备与性能研究硅基材料是一类广泛应用在电子、光电子、能源等众多领域的重要材料。
其制备与性能研究对于开发新型材料、提升器件性能以及推动科技进步具有重要意义。
本文将从不同角度探讨硅基材料的制备方法以及其性能研究，为读者提供对该领域的全面了解。
一、硅基材料的制备方法硅基材料的制备方法多种多样，包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、溶胶-凝胶法、磁控溅射等。
其中，CVD是最常用的制备方法之一。
CVD通过将反应气体传递到加热的衬底上，在高温下进行热解反应，使得硅原子在衬底表面上沉积形成硅基材料。
不同的CVD方法可以在不同的条件下控制硅基材料的形貌和性能，如低压CVD、热氧化法和PECVD等。
除了CVD，溶胶-凝胶法也是硅基材料制备的重要方法。
该方法通过将硅源和溶剂进行混合，并添加催化剂、表面活性剂等辅助物质，在适当的温度下生成溶胶体系。
随后，通过加热使溶胶液体发生凝胶化反应，生成凝胶体。
经过干燥和热处理后，最终获得硅基材料。
溶胶-凝胶法制备的硅基材料具有较高的纯度和较好的成膜性能，可以制备出纳米级的硅材料。
二、硅基材料的性能研究硅基材料具有优异的电子、光学和机械性能，对于其性能研究是推动材料应用和开发的关键。
在电子学领域，硅基材料常用于集成电路的制备。
通过改变硅材料的掺杂浓度、薄膜厚度和衬底结构等参数，可以调控其导电性能和载流子浓度。
此外，硅材料还广泛应用于太阳能电池、发光二极管等器件的制备。
对于硅基材料的能带结构和光学性质的研究，可以提高器件的光电转换效率。
另一方面，硅基材料在生物医学领域也展现出重要的应用前景。
硅基材料可以作为药物载体、生物传感器和组织工程支架等，在药物控释、生物检测和组织修复等方面发挥作用。
对于硅基材料的生物相容性和生物降解性的研究，可以优化其在生物医学领域的应用效果。
此外，硅基材料的力学性能也备受关注。
通过改变硅基材料的微观结构和纳米尺寸效应，可以调控其力学性能。
硅的制备和提纯
硅的制备和提纯在高纯硅的制备方法中，热分解法SiH4具有广阔的应用前景。
该方法的整个过程可分为三个部分：SiH4的合成、提纯和热分解。
（1）SiH4的合成桂花镁热分解制备SiH4是工业上广泛使用的方法。
硅化镁（Mg2Si）是由硅粉和镁粉在500～550℃的氢气（真空或氩气）中混合而成。
反应式如下：2Mg+Si=Mg2Si然后硅化镁和固体氯化铵在液氨介质中反应生成SiH4。
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+2MgCl2+4NH3↑液氨不仅是介质，还提供低温环境。
通过这种方法获得的SiH4相对纯净，但在实际生产中仍然存在未受影响的镁，因此会发生以下副反应：Mg+2NH4Cl=MgCl2+2NH3+H2↑因此，产生的SiH4气体通常与氢混合。
制造氯化铵时使用的氯化铵必须是干燥的，否则硅化镁与水相互作用产生的产品不是SiH4，而是氢，其反应式如下：2Mg2Si+8 NH4Cl+H2O=4 MgCl2+Si2H2O3+8 NH3↑+6 H2↑由于SiH4在空气中易燃，在高浓度下容易爆炸，因此整个系统必须与氧气隔离，不得与外部空气接触。
（2）SiH4的提纯SiH4在室温下处于气态。
一般来说，气体清洁比液体和固体更容易。
由于SiH4的形成温度较低，大多数金属食品在如此低的温度下不容易形成挥发性氢化物，即使它们能够形成，但由于其沸点较高，很难与SiH4一起蒸发，因此SiH4在生成过程中被冷却一次，有效地去除杂质，不产生挥发性氢化物。
SiH4在液氨中进行。
在低温下，乙烷（B2H6）和液氨形成的非挥发性络合物（B2H6-2NH3）被去除，因此生成的SiH4不是硼杂质，这是SiH4方法的优点之一。
然而，SiH4还含有氨、氢、微量磷化氢（PH3）、硫化氢（H2S）、砷化氢（AsH3）、锑化物（SbH3），甲烷（CH4）、水和其他杂质。
由于SiH4的沸点与它们的沸点相差很大，因此可以通过低温液化去除水和氨，通过蒸馏去除其他杂质。
硅材料的分类
硅材料的分类
硅材料是一种常见且重要的材料，广泛应用于电子、光电、半导体等领域。
根据其性质和用途，可以将硅材料分为单晶硅、多晶硅和非晶硅三类。
第一类是单晶硅，它是由完整、有序排列的硅原子晶体组成的材料。
单晶硅具有优异的电子性能，因此被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
在集成电路中，单晶硅被用作半导体材料，可以实现微小器件的制造和电子元件的集成。
而在太阳能电池领域，单晶硅可以将太阳能转化为电能，具有高效率和稳定性的特点。
第二类是多晶硅，它由多个晶体颗粒组成，结构比单晶硅更加杂乱。
多晶硅的制备成本较低，具有良好的导电性和光电性能，被广泛应用于光伏发电、光电器件等领域。
在光伏发电中，多晶硅被用作太阳能电池的主要材料，可以将太阳能转化为电能。
在光电器件中，多晶硅可以用于制造光电二极管、光伏电池等器件，实现光电信号的转换和控制。
第三类是非晶硅，它的原子结构没有规则的周期性排列，呈现非晶态。
非晶硅具有较高的抗压性和耐腐蚀性，被广泛应用于光学涂层、薄膜太阳能电池等领域。
在光学涂层中，非晶硅可以用作抗反射涂层、光学滤波器等功能性涂层，提高光学器件的透光性和光学性能。
在薄膜太阳能电池中，非晶硅可以用于制备薄膜太阳能电池的薄膜层，实现太阳能的高效转换和利用。
硅材料按照其性质和用途可以分为单晶硅、多晶硅和非晶硅三类。
不同类型的硅材料具有各自独特的特点和应用领域，对于推动电子、光电、半导体等领域的发展起着重要作用。
随着科技的不断进步，硅材料在各个领域的应用将会更加广泛和深入，为人类社会的发展带来更多的便利和进步。
硅的化学制备及提纯
硅的化学制备及提纯摘要：随着时代的发展，硅越来越被人类所利用。
它广泛应用于半导体，光导纤维等领域。
硅一般按照它的纯度来分类，纯度里面含有多少个九，我们就称它为多少个N的硅。
MGS<5N；半导体级硅：>5N ；SGS:5N-8N ；EGS:9N-11N及以上，因而硅的纯度对器件的影响是至关重要的，所以我们必须应当尤其重视硅的提纯。
目前提纯硅的方法主要有：物理方法及化学方法。
以化学方法为例，分析了硅化学提纯中产生的成本问题就其讨论。
对硅材料的化学提纯工艺优化研究。
引言：功能材料硅的工业制法硅是由石英砂在电炉中用碳还原而得其，反应式为 sio2 + 3c = sic + 2co 2sic + sio2 = 3si + 2co所得硅纯度约为95％～99%，称为粗硅又称冶金级硅，其中含有各种杂质，如Fe、C、B、P等。
为了将粗硅提纯到半导体器件所需的纯度，硅必须经过化学提纯。
所谓硅的化学提纯把硅用化学方法转化为中间化合物再将中间化合物提纯至所需的高纯度，然后再还原成为高纯硅。
1.三氯氢硅氢还原法可分为三个重要过程：一是中间化合物三氯氢硅的合成。
二是三氯氢硅的提纯三是用氢还原三氯氢硅获得高纯硅多晶三氯氢硅(SiHCl3 )由硅粉与氯化氢合成而得。
化学反应式为Si+3Hcl→SiHcl3+H2上述反应要加热到所需温度才能进行。
又因是放热反应反应开始后能自动持续进行。
但能量如不能及时导出，温度升高后反而将影响产品收率。
反应除了生成SiHcl3外，还有SiCl4或SiH2Cl2等氯硅烷以及其他杂质氯化物如BCl3、PCl、FeCl、CuCl等三氯氢硅的提纯是硅提纯技术的重要环节在精馏技术成功地应用于三氯氢硅的提纯后，化学提纯所获得的高纯硅已经可以免除物理提纯(区域提纯)的步骤直接用于拉制硅单品，符合器件制造的要求。
精馏是近代化学工程有效的提纯方法，可获得很好的提纯效果。
三氯氢硅精馏一般分为两级，常把前一级称为粗馏，后一级称为精馏。
硅的制备的工艺流程
硅的制备的工艺流程硅，又称硅肺，是地壳中第二丰富的元素，是一种非金属透明灰色晶体，化学符号为Si。
硅是制造半导体及太阳能电池的重要材料，也被广泛应用于电子、化工、建筑等领域。
下面我将详细介绍硅的制备工艺流程。
硅的制备主要有两个方法：炼硅法和坩埚法。
炼硅法是将一种硅化合物与还原剂在电炉中进行反应，得到纯硅。
硅化合物常用的有二氯硅烷（SiHCl3）、三氯硅烷（SiCl4）等。
还原剂常用的有金属铝、钙等。
以下是炼硅法的工艺流程：1. 原料准备：将硅化合物和还原剂按一定比例配制，并保证其纯度达到要求。
2. 反应装置准备：将砂石炉内壁涂覆耐火材料，以防止反应产物对炉壁的腐蚀。
同时，还需要安装电源供应设备和温度控制装置。
3. 反应过程控制：在恒定的温度和压力条件下，将硅化合物和还原剂通过气体进料系统输入反应装置，并根据反应物质的量和反应温度、时间等因素控制反应过程。
4. 硅的分离：经过反应后，硅与其他杂质形成多种化合物，需要进行分离。
一种常见的方法是通过升华、电解等手段将纯硅分离出来。
5. 产品处理：得到的硅需要经过砂洗、酸洗、再结晶等处理工艺，去除掉杂质，提高纯度和质量。
坩埚法是将硅源材料（如冶金矿石、高纯度二氧化硅等）放入石英坩埚中，在高温下进行还原反应，使硅与还原剂反应生成气态硅化物，再通过冷凝和析出工艺将气态硅化物转化为纯硅。
以下是坩埚法的工艺流程：1. 原料准备：将硅源材料研磨成粉末，并使其纯度达到要求。
2. 坩埚填料：将石英坩埚内壁涂覆耐火材料，并在底部放入少量填料，以防止硅源材料直接与坩埚接触。
3. 原料装入：将硅源材料放入坩埚中，并封闭好坩埚。
4. 反应过程控制：将坩埚放入高温电炉中进行还原反应。
根据反应温度和时间等因素进行控制，确保反应达到预期的效果。
5. 硅的析出：通过冷却和冷凝，使气态硅化物转化为固态硅，并在坩埚底部产生析出物。
将硅从坩埚中分离出来。
6. 产品处理：得到的硅需要经过砂洗、酸洗、再结晶等处理工艺，去除掉杂质，提高纯度和质量。
工业硅生产工艺及原理
工业硅生产工艺及原理1.引言工业硅是一种重要的无机化工原料，广泛应用于电子、光电、光纤、光学玻璃、高级陶瓷、耐火材料等领域。
本文将介绍工业硅的生产工艺及原理，包括硅矿石的提取、制备氯化硅、还原制备硅、提纯、粉碎及分级、成品硅的质量控制等方面。
2.硅矿石的提取工业硅的原料主要来自硅矿石，硅矿石普遍存在于大陆碰撞造山带等地质环境中。
矿石的提取通常采用露天开采，通过爆破和挖掘将矿石从地下开采出来。
3.制备氯化硅提取的硅矿石经过破碎、磨矿等步骤得到硅矿石粉末。
将硅矿石粉末与氯气反应，生成氯化硅。
该反应为：S i O2+2C+2C l2→S iC l4+2C O氯化硅是工业硅的重要中间产物，在硅的生产过程中起着关键作用。
4.还原制备硅氯化硅经过还原反应，得到纯净的硅。
还原反应通常在高温下进行，主要反应方程式如下：S i Cl4+2H2→Si+4HC l该反应需要严格的操作条件和控制，以确保产物的纯度和质量。
5.硅的提纯得到的硅中仍然存在一定的杂质，需要进行进一步的提纯。
常用的提纯方法有溶剂萃取、氧化铝过滤和电解法等。
其中，电解法是最常用的提纯方法，通过电解硅溶液，将杂质从硅中分离出来。
6.粉碎及分级提纯后的硅需要经过粉碎和分级处理，以达到所需的颗粒度和分布。
粉碎是将硅块破碎成小颗粒的过程，分级则是根据颗粒大小进行分类。
粉碎和分级的过程需要精确的控制，以满足不同应用领域对硅颗粒的要求。
7.成品硅的质量控制工业硅的质量控制是确保产品符合要求的重要环节。
常用的质量控制指标包括硅纯度、颗粒度、杂质含量等。
通过使用适当的分析仪器和方法，对成品硅进行检测和分析，以确保产品的质量。
8.结论工业硅的生产工艺包括硅矿石的提取、制备氯化硅、还原制备硅、提纯、粉碎及分级、成品硅的质量控制等步骤。
上述工艺和原理是工业硅生产中不可或缺的关键环节，对于确保产品的质量和性能至关重要。
通过不断的技术创新和工艺改进，工业硅的生产工艺和质量将不断提升，满足不同行业对硅的需求。
光伏硅料种类
光伏硅料种类
光伏硅料主要分为单晶硅和多晶硅两种类型。
具体包括：
1. 单晶硅：通过单晶体生长方法，制造出无定形晶体结构的硅片。
单晶硅片具有高纯度、高效率和较好的性能稳定性，但成本较高。
2. 多晶硅：通过熔炼和再结晶方法，制造出结晶粒较大且方向不一致的硅片。
多晶硅比单晶硅成本低，但效率略低。
3. 混晶硅：也称为多晶硅锭，是单晶硅和多晶硅的混合形态，具有介于两者之间的特性。
4. 非晶硅：使用PECVD（泄漏等离子体化学气相沉积）等技术在非晶硅衬底上制造薄膜太阳能电池。
非晶硅具有较低的制造成本，但效率相对较低。
5. 薄膜太阳能电池用硅料：如铜铟镓硒薄膜太阳能电池（CIGS）和铜锌锡硫薄膜太阳能电池（CZTS）等。
这些材料主要用于制造柔性太阳能电池。
这些光伏硅料种类的选择取决于成本、效率、可靠性和特定应用的需求。
硅材料的制备与表面改性
硅材料的制备与表面改性硅材料是一种广泛应用于各个领域的重要材料。
它具有优异的物理和化学性质，因此在电子、光电子、光伏、生物医学等领域得到了广泛的应用。
然而，硅材料的表面性质对其应用性能有着重要影响。
因此，制备高质量的硅材料以及对其表面进行改性是当前研究的热点之一。
一、硅材料的制备方法硅材料的制备方法多种多样，常见的有热氧化法、溶胶-凝胶法、化学气相沉积法等。
其中，热氧化法是一种常用的制备方法。
它通过在高温下使硅材料与氧气反应，形成氧化硅层。
这种方法制备的硅材料表面平整度高，氧化层致密性好，具有较好的电学性能。
溶胶-凝胶法是一种制备高纯度硅材料的方法。
它通过将硅源与溶剂混合，形成溶胶，然后通过凝胶化过程将溶胶转变为凝胶。
最后，通过热处理将凝胶转变为硅材料。
这种方法制备的硅材料具有较高的纯度和较好的机械性能。
化学气相沉积法是一种制备薄膜硅材料的方法。
它通过将硅源和气体反应，使硅材料在基底上沉积形成薄膜。
这种方法制备的硅材料薄膜具有较好的均匀性和致密性，适用于微电子器件的制备。
二、硅材料的表面改性方法硅材料的表面改性是为了改善其性能或赋予其特定功能。
常见的表面改性方法有化学改性、物理改性和生物改性等。
化学改性是通过在硅材料表面引入化学基团来改变其表面性质。
例如，通过在硅材料表面引入有机硅化合物，可以增加其亲水性和抗污染性。
此外，还可以通过在硅材料表面引入功能性基团，如氨基、羟基等，赋予其特定的化学反应性。
物理改性是通过物理手段改变硅材料表面的形貌和结构。
例如，利用离子束轰击、激光照射等方法可以改变硅材料表面的形貌，形成纳米结构或微纳米结构。
这些结构具有特殊的光学、电学和机械性能，可以用于光电子器件和传感器等领域。
生物改性是将生物分子引入硅材料表面，使其具有生物相容性和生物活性。
例如，将蛋白质、多肽等生物分子修饰在硅材料表面，可以使其与生物体组织相容，并具有特定的生物活性，如细胞黏附、生物分子识别等。
三、硅材料的应用前景随着科技的不断发展，硅材料在各个领域的应用前景越来越广阔。
硅材料的制备与性能研究
硅材料的制备与性能研究硅材料的制备与性能研究摘要：硅材料是一种重要的无机材料，具有优良的物理、化学和光电性能。
本文主要介绍硅材料的制备方法及其性能研究，包括晶态硅、非晶硅和多孔硅等不同形态的硅材料。
通过对硅材料的制备方法与工艺的介绍，以及硅材料的物理性能、化学性能和光电性能的研究，揭示了硅材料在材料科学领域的应用前景和研究挑战。
关键词：硅材料、制备方法、物理性能、化学性能、光电性能1. 引言硅材料是一种广泛应用于电子器件、太阳能电池等领域的重要材料。
其具有优良的电学和光学性能，是当前半导体电子器件的基础材料之一。
同时，硅材料还具有高机械强度和化学稳定性，适用于工业生产中的各种应用。
因此，硅材料的制备与性能研究具有重要意义。
2. 硅材料的制备方法硅材料的制备方法主要包括熔融法、溶胶-凝胶法和气相沉积法等。
其中，熔融法是最常用的硅材料制备方法之一。
通过将硅矿石经过一系列的处理，最终得到高纯度的晶态硅。
溶胶-凝胶法是一种利用溶胶和凝胶过程制备硅材料的方法。
通过在溶胶中加入适当的硅源和表面活性剂，形成胶体溶胶。
然后通过凝胶化和热处理，得到硅材料。
气相沉积法是一种利用气相反应制备硅材料的方法。
通过将硅源和载气反应，在合适的温度和压力下，使硅材料在衬底上沉积。
3. 硅材料的物理性能硅材料具有很高的熔点和热导率，同时还具有较低的热膨胀系数和良好的热稳定性。
此外，硅材料还具有优良的机械强度和硬度，是一种硬而脆的材料。
通过对硅材料的物理性能的研究，可以为硅材料的应用提供理论基础和实验指导。
4. 硅材料的化学性能硅材料在常规条件下表现出较好的化学稳定性。
在酸性和碱性环境中，硅材料都具有一定的抗腐蚀性能。
然而，在一些高温和高压的条件下，硅材料会发生各种化学反应，导致其性能发生变化。
通过对硅材料的化学性能的研究，可以优化硅材料的制备工艺，提高其稳定性和耐腐蚀性能。
5. 硅材料的光电性能硅材料具有优良的光电性能，可以广泛应用于光电器件、光电传感器等领域。
颗粒硅与棒状硅
颗粒硅与棒状硅颗粒硅与棒状硅是两种常见的硅材料，它们在工业和科研领域中具有重要的应用价值。
本文将从它们的制备方法、特性和应用等方面进行介绍和比较。
一、颗粒硅的制备方法和特性颗粒硅是一种以颗粒形式存在的硅材料，其制备方法主要有气相法和溶胶-凝胶法。
气相法是通过将硅源（如硅烷）在高温条件下分解，生成硅颗粒。
这种方法适用于大规模生产，可以得到颗粒尺寸均匀、纯度较高的硅颗粒。
然而，气相法的成本较高，需要高温条件和复杂的设备。
溶胶-凝胶法是通过将硅源（如硅酸酯）在溶剂中加热反应，形成溶胶，然后通过凝胶化、干燥和热处理等步骤得到硅颗粒。
这种方法成本较低，操作简单，适用于小规模生产和实验室研究。
但由于制备过程中存在溶胶凝胶的相变，颗粒尺寸和形状较难控制，纯度也较低。
颗粒硅的特性主要取决于颗粒尺寸、形状和表面性质。
尺寸较小的颗粒硅具有较大的比表面积和较高的反应活性，适用于催化剂、吸附剂和电催化材料等领域。
而尺寸较大的颗粒硅则更适合用于填充材料、增韧剂和导热材料等应用。
二、棒状硅的制备方法和特性棒状硅是一种具有长条状形态的硅材料，其制备方法主要有溶胶-凝胶法和熔融法。
溶胶-凝胶法是通过在溶剂中加热硅源（如硅酸酯）进行反应，形成溶胶，然后通过凝胶化、干燥和热处理等步骤得到硅棒。
这种方法可以控制棒状硅的尺寸和形状，制备出直径从几毫米到几厘米不等的硅棒。
溶胶-凝胶法制备的棒状硅具有较高的纯度和较好的机械性能，适用于光纤、光电器件和传感器等领域。
熔融法是通过将硅源（如金属硅）加热至熔点，然后通过拉伸或浇铸等方法制备硅棒。
这种方法适用于大规模生产，可以制备出较长的硅棒。
然而，熔融法制备的硅棒纯度较低，机械性能较差，一般用于一些对纯度要求不高或机械性能要求较低的应用领域。
棒状硅的特性主要取决于棒状硅的尺寸、形状和晶体结构。
较细长的硅棒具有较大的比表面积和较高的强度，适用于微纳加工和微机电系统（MEMS）等领域。
而较粗短的硅棒则更适合用于光纤通信、光电器件和太阳能电池等应用。
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浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅主要用作各种硅光电池 等。
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•15
•拉单晶
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• (3)须严格控制无水无氧。因SiHCl3水解产生的SiO2会堵塞管 道造引起事故。而氧气则会与SiHCl3或H2反应，引起燃烧或爆 炸
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•13
• SiHCl3的提纯 • 精馏 利用杂质和SiHCl3沸点不同用精馏的方法分离提纯 • 多晶硅பைடு நூலகம்制备
• 精馏提纯后的SiHCl3用高纯氢气还原得到多晶硅 • SiHCl3十H2==Si十3HCl
• 上述反应是生成SiHCl3的逆反应。反应得到的多晶硅还不 能直接用于生产电子元器件，必须将它制成单晶体并在单晶生 长过程中“掺杂”，以获得特定性能的半导体。
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•14
3、单晶硅的制备
多晶硅主要产品有棒状和粒状两种。制备单晶硅，一方 面是晶化（让硅原子排成金刚石结构），另一方面也有提纯 作用（分凝效应）。 区熔(FZ) 法 直拉法(CZ) ：将多晶硅融解 后，再利用硅晶种慢慢拉出单 晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的 8寸 硅晶棒，约需 2天半时间长成。
•12
• SiHCl3性质 又称硅氯仿，结构与SiCl4相似，为四面体 型。SiHCl3稳定性稍差，易水解
• SiHCl3十2H2O==SiO2十3HCl十H2 • 注意要点
• (1)合成温度宜低，温度过高易生成副产物。常加少量铜粉或 银粉作为催化剂
• (2)反应放热，常通入Ar或N2带走热量以提高转化率
•4
2.2 硅材料的分类
1、按形态分： 薄膜型：淀积在玻璃、钢片、铝片等廉价衬底上，所
用的硅材料很少。 体材料（块状硅）：通常以硅片形式出现
•单晶硅片（晶圓）
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•5
2、按纯度分：
名称
英文缩写
杂质总含量
主要用途
合金级硅
AG-Si
1N
炼合金
冶金级硅
MG-Si
2N
炼合金及化工等
Cu 等，其中Fe 含量最多。可用酸洗法初步提 纯，高纯硅还需进一步提纯。
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•11
• 2． 多晶硅的制备
• 由粗硅合成SiHCl3 （改良西门子法）或SiCl4或SiH4中间 体，精馏提纯后，用氢气还原或热分解而制得多晶硅
• 三种方法各有特点，改良西门子法是当前制取多晶硅的 主要方法
•概况 由硅石粗硅高纯多晶硅（纯度在99.9999999 ％以上）单晶硅
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•10
1． 粗硅的制备
粗硅 又称工业硅或结晶硅（冶金级硅）， 纯度在95％99％。这种硅是石英砂在电炉中 用碳还原方法冶炼而成的。
反应要点：高温1600℃1800℃ 原因：SiO2(s)十2C(s)＝Si(s)十2CO(g) 粗硅中杂质多，主要有Fe、Al、C、B、P、
硅材料的分类与制备
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2020年4月9日星期四
•？什么是半导体
•固体材料：超导体: 大于106(cm)-1
•和从机导•制电来特分性： 导 体: 106~104(cm)-1
•不同• 电阻特 半导体: 104~10-10(cm)-1
性•
绝缘体: 小于10-10(cm)-1
•半•制不导体同输运机
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•9
• 2.3 硅材料的制备
• 由于硅的纯度对芯片或太阳电池有很重大的影响 ，所以工业生产要求使用高纯硅，以满足器件质量的需 求。在硅材料的提纯工艺流程中，一般说来，化学提纯 在先， 物理提纯在后。原因是：一方面化学提纯可以 从低纯度的原料开始，而物理提纯必须使用具有较高纯 度的原料；另一方面是化学提纯难免引入化学试剂的污 染，而物理提纯则没有这些污染。
太阳级硅
SOG-Si
～6N
太阳能电池等
半导体级硅 （电子级）
SEG-Si （EG-Si）
＞9N
半导体芯片等
•随着纯度上升，成本呈指数上升
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•6
3、按结构分：
单晶硅：所有的硅原子按一定规律整齐排列，结构完全 是金刚石型的。长程有序
多晶硅：有众多小晶粒，排列方向不同。 非晶硅：短程有序，长程无序
•各种硅材料的电子迁移率
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•7
•单晶硅锭及硅片
•非晶硅及多晶硅
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•8
上述3种分类一般要综合，例如： 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 单晶硅锭（片） 多晶硅锭（片）
半导体级的硅才能制成单晶硅，太阳级硅 则只能制成多晶硅锭，非晶硅一般以薄膜形式 出现。
•16
2.4 多晶硅材料相关产业链产品
•多晶硅 铸锭
•太阳能电 池用硅片
•太阳能电池
•金属 硅
•改良西 •门子法
•三氯氢硅
•副产品
•多晶硅
•单晶硅 棒
•硅片
• 有机硅 • 高纯氯硅 烷
• 四氯化硅
•硅酸乙 酯
•高纯石英
•气相白碳黑
• SiHCl3的制备 多用粗硅与干燥氯化氢在200℃以上反应 Si十3HCl==SiHCl3+H2 • 除生成SiHCl3外，还可能生成SiH4、SiH3Cl、SiH2Cl2、 SiCl4等各种氯化硅烷，其中主要的副反应是
• 2Si十7HCl＝SiHCl3十SiCl4十3H2
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•掺入某些元素的微量原子能灵敏改变其导电性。
•温度 、光照、压力等外界因素会使其导电能力大增
。 书山有路勤为径，
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•2
•2.1 重要的半导体材料——硅
•硅的原子最外层有四个电子，每个原子和邻近的四 个原子以共价键结合，组成一个正四面体。每个硅原 子可以看成是四面体的中心（金刚石结构）。
•金刚石结构
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•3
硅材料是当代电子工业中应用最多的半导体材料，它还 是目前可获得的• 纯度最高的材料之一，其实验室纯度可达12 个“9”的本征级，工业化大生产也能达到7～11个“9”的高
纯度。
• •
用扫描隧道显微镜观察到的硅晶体表面的原子排列
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