总结NAND FLASH控制器的操作

NAND FLASH相对于NOR FLASH而言，其容量大，价格低廉，读写速度都比较快，因而得到广泛应用。NOR FLASH的特点是XIP，可直接执行应用程序，

1～4MB时应用具有很高的成本效益。但是其写入和擦除的速度很低直接影响了其性能。

NAND FLASH不能直接执行程序，用于存储数据。在嵌入式ARM应用中，存储在其中的数据通常是读取到SDROM中执行。因为NAND FLASH主要接口包括

几个I/O口，对其中的数据都是串行访问，无法实现随机访问，故而没有执行程序。

NAND FLASH接口电路是通过NAND FLAH控制器与ARM处理器相接的，许多ARM处理器都提供NAND FLASH控制器，为使用NAND FLASH带来巨大方便。

K9F2G08U0B是三星公司的一款NAND FLASH产品。

K9F2G08U0B包含8个I/O，Vss、Vcc、以及控制端口（CLE、ALE、CE、RE、WE、WP、R/B）。其存储结构分块。

共2K 块

每块大小16 页

每页大小2K + 64BYTE

即容量=块数×页数×每页大小=2K×16×（2K + 64BYTE）=256M BYTE + 8M BYTE

NAND FLASH控制器提供了OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14、GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。

OM[1:0]=0b00时，选择从NAND FLASH启动。

NCON：NAND FLASH类型选择信号。

GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。

GPG14：NAND FLASH地址周期选择信号。

GPG15:NAND FLASH接口线宽选择。0：8bit总线宽度；1：16bit总线宽度。

访问NAND FLASH

1）发生命令：读、写、还是擦除

2）发生地址：选择哪一页进行上述操作

3）发生数据：需要检测NAND FLASH内部忙状态

NAND FLASH支持的命令：

#define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1

#define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2

#define CMD_READID 0x90 //读ID 命令

#define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1

#define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2

#define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1

#define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2

#define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令

#define CMD_RESET 0xff //复位

#define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1

#define CMD_RANDOMREAD2 0xE0 //随意读命令周期2

#define CMD_RANDOMWRITE 0x85 //随意写命令

将NAND FLASH与NAND FLASH控制器硬件连接好了，需要配置GPACON、NAND FLASH。

1）配置GPACON

将GPA17~GPA22设置为NAND FLASH控制器信号（即NAND FLASH的控制信号）。rGPBCON |= (0x3F<<17);

2）配置NAND FLASH

主要是初始化寄存器NFCONF中的TACLS、TWRPH0、TWRPH1这三个位。

TACLS：表征了CLE/ALE锁存信号优秀奥到写使能这段时间，= HCLK时钟周期 × TACLS TWRPH0：表征了写使能的持续时间。 = HCLK时钟周期 × （TWRPH0 + 1）

TWRPH1：表征了写无效到锁存无效之间的时间。 = HCLK时钟周期 × （TWRPH1 + 1） TACLS、TWRPH0、TWRPH1的值由NAND FLASH手册中的tCLS-tWP、tWP、tCLH确定。

初始化NAND FLASH：

1）寄存器NFCONT，用于开启NAND FLASH控制器；

2）向寄存器NFCMD写入命令；

3）向寄存器NFADDR写入地址；

4）使用寄存器NFDATA进行数据的读写，在此期间需要不断的检测寄存器NFSTAT来获知NAND FLASH的状态（忙/闲）；

写NAND FLASH：

1）发送页写入命令0x80；

2）发送页地址；

3）发送要写入的数据；

4）发送写入确定命令0x10；

5）检测忙信号；

读NAND FLASH：

1）发送页读取命令0x00；

2）发送页地址；

3）发送页读取确认命令0x30；

4）检测忙信号；

5）从ARM处理器寄存器NFDATA中读取数据。

为什么读写读需要两次命令呢？

接收到第一个命令时数据先被写入到NAND FLASH的数据寄存器（Data regirester & S/A）里，接收到第二个命令后数据才写到对应的存储单元中。

接收到第一个读命令时先进行读读操作开始，接收到第二个读命令时数据从内部存储单元中复制到NAND FLASH的数据寄存器（Data regirester & S/A）里。

擦除NAND FLASH：

1）块擦除命令0x60；

2）发送块地址；

3）块擦除确认命令0xD0；

4）检测忙信号。

杨国文

2012年5月7日 15：03：15

void NF_Init(void)

{

rGPACON &= ~(0x3F<<17);//配置为NAND FLASH控制器

rGPACON |= (0x3F<<17);

rNFCONF = ((TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4));//设置时序参数

rNFCONT = ((0<<12)|(1<<0));//关闭加密，使能NAND FLASH控制器

/*一定要关闭加密位，不然没有办法写入，加密位处在NFCONT第12位，

该位初始状态为1（加密），需要注意不能使用或，直接赋值*/

rNFSTAT = 0;//有关状态位清零

NF_Reset();

}

注意：

rNFCONT |= ((0<<12)|(1<<0));//这样写的话是一定不能实现向nandflash写入数据的！

今天下午因为没有仔细阅读数据手册，而误以为加密位的初始状态为0而使用或操作，造成不能正确读写nandflash。调试了一下午，才发现问题了。擦，原来就这么点问题！

下午的实验同时也练习了一下UART的使用，不过是其很简单的用法，采用查询的方式发送接收数据。