反激变压器设计(标准格式)

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反激式开关电源变压器设计

反激式开关电源变压器设计
技术部培训教材
反激式开关电源变压器设计(2)
表二 变压器窗口利用因数
变压器情况
窗口
反激式变压器 一个二次绕组 两个或多个二次绕组 相互隔离的二次绕组 满足UL或CSA标准 满足IEC标准 法拉第屏屏蔽
1.1 1.2
1.3 1.4 1.1 1.2 1.1
用下式按变压器情况将各窗口利用因数综合起来 Knet=Ka.Kb…
2.6 计算一次绕组最大匝数Npri
Lpri 452*10-6
Npri = =
= 61.4匝 取Npri=62匝
AL 120*10-9
2.7 计算二次主绕组匝数NS1NS1为DC+5V绕组
NpriV01+VD1-Dmax 62*5+0.7*1-0.5
Ns1=
=
= 2.78匝
VinminDmax
127*0.5
Lgap =
cm2
AeB2max
其中:Ae = 磁芯有效截面积;单位为cm2 Bmax = 单位为G;
Lpri = 单位为H&
按照计算的气隙量实测出磁芯的AL值&
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反激式开关电源变压器设计(2)
1.6 计算一次绕组所需的最大匝数Npri
Lpri Npri =
AL
1.7 计算二次主绕组输出功率最大的绕组所需匝数Ns1
式中: δVsn% ———— 相应输出电压精度%; Vsn ———— 相应输出电压值; Nsn ———— 计算的相应输出电压匝数; N’sn ———— 选取的整数相应输出电压匝数&
如果输出电压不能满足规定的精度;可以将主输出绕组Ns1增加一匝;再 计算相应输出绕组匝数;看能否满足相应精度;如果这样修改结果仍不满足 要求;只可回到开始阶段;增加一次绕组匝数;重新计算一次绕组匝数;直到 满足要求为止;但是增加一次绕组匝数;会使变压器工作磁通密度向小的方 向调整;这可能造成在较低输入电压时;输出无法达到额定的电压;所以在变 压器设计时要适当的处理好输出电压精度和额定输出电压值的关系.

完整版反激变压器设计

完整版反激变压器设计

参数要求INPUT MIN90VAC INPUT MAX 265VAC OUTPUT 119VDC I 3.16A Po60.04W OUTPUT 212VDC I 0.1A Po1.2W OUTPUT 30VDC I 0A Po0W NVcc12VDC I 0A Po0W 工作频率Fs70KHz Dmax=0.5Ae 70.3步骤1求CORE 137.790.2TAP=0.62cm4步骤2 估算臨界電流 IOB ( DCM / CCM BOUNDARY )IOB = 80%*Io(max)IoB = 2.528步骤3求匝數比 nN = [VIN(min) / (Vo + Vf)] * [Dmax / (1-Dmax)]107.26N= 5.4447*1= 5.44步骤4求CCM / DCM臨界狀態之副邊峰值電流ΔISB.ΔIsb = 2Iob / (1-Dmax)=10.112A步骤5計算次級電感 Ls 及原邊電感 Lp.Ls = (Vo + Vf)(1-Dmax) * Ts / ΔISB =0.14070.013916=13.916uHLp = n2 Ls =412.5193uH步骤6求CCM時副邊峰值電流ΔIsp.Io(max) = (2ΔIs + ΔISB) * (1- Dmax) / 2ΔIs = Io(max) / (1-Dmax) - (ΔISB / 2 )ΔIsp = ΔISB +ΔIs = Io(max) / (1-Dmax) + (ΔISB / 2 )=11.376A步骤7求CCM時原邊峰值電流ΔIpp.ΔIpp = ΔIcp / n = 2.089383A步骤8確定Np、Ns1> Np Np = Lp * ΔIpp / (ΔB* Ae)=61.302T 2> Ns Ns = Np / n =11.259T 3> Nvcc求每匝伏特數Va Va = (Vo + Vf) / Ns= 1.7497V/Ts Nvcc = (Vcc + Vf) / Va =7.0298T 本文介绍了设计反激变压器的步骤及公式,在红色框内输入数据即可..........反激变压器设计AP= AW*Ae=(Pt*100000)/(2ΔB*fs*J*Ku)VIN(min)=△B = 0.6 * (390 - 60) = 198mT ≒传递功率Pt = Po /η +Po = J : 電流密度 A / cm2 (300~500)Ku: 繞組系數 0.2 ~ 0.5。

反激变压器设计(值得珍藏的资料)

反激变压器设计(值得珍藏的资料)

LE
2 Pi max Emax nV0
2 n 2V02 Emax T
2
……………………………………………………(5)
Emax(V) 300
Vo 24.0
T(s) 0.000020
n 6.0
Pin min(W) 8.0
Le (mH) 11.83
式中:Emax 为输入电压的上限值。 对于连续模式工作反激变压器的初级电感值 L1 应选在 LA 与 LD 之间,若选 L1 大于 LE,满载 时变压器一定进入连续模式工作;若选 L1 小于 LE,对于重载低压,变压器工作在连续模式,到 轻载高压就会自动转化为不连续模式工作。 由于连续模式反激变压器在一定条件下会转变为电流不连续模式工作。 所以我们先讨论一下 纯粹不连续模式工作的反激变压器。
LA
2 2 Emin Ton max ………………………………………………………………(1) 2TPi max
Emin(V) Ton max(s) T(s) Pin max(W) LA (mH) 90 0.000008 0.000020 8.0 1.62
式中:Emax 为输入电压的最低值。 Tonmax 为开关管导通时间最大值。 T 为开关周期。 Pimax 为设定的最大输入功率。 4.2 电流不连续工作模式容许的初级电感最小值 如果初级电感过小,把 Ton 调到最小值时,输入功率可能仍降不到设定的最小值。所以,容 许 L1 的最小值应为 LB。其计算公式为:
2 单端反激变换器的工作原理
单端反激变换器的原理电路如图 1 所示。其工作原理十分简单,当开关管 BG1 导通时,高 频变压器 B1 的原边上有电流 i1 通过,磁心被磁化,由于副边整流二极管 D1 是反接,所以次级 回路形不成电流。当 BG1 关断时,在次级绕组 N2 上产生的感应电动势反向,D1 导通。B1 中储 存的磁能向负载释放。

反激式电源变压器设计(DCM断续式)

反激式电源变压器设计(DCM断续式)

反激式电源变压器设计峰值电流:IP=2PO/Uin*Dmax*η单位;APO:输出功率。

Uin:最小直流输入电压。

Dmax:最大占空比。

一般为0.45.η:效率。

一次侧电感量:LP= (Vin*Dmax)^2/2*Pin*Fs*Krf 单位;HDcm: Krf=1 CCM: Krf=0.3-0.5一次侧匝数:NP=100*IP*LP/ BM *AEAE:平方厘米BM:高斯LP:UHIP: A二次侧匝数:NS=NP*(UO+UF)/URUR=UIN*DMAX/1-DMAXUO:输出电压。

UF:输出二极管压降。

UR;反射电压。

DMAX:最大占空比。

一般为0.45反馈匝数:NV=NS*(UV+UFV)/(VO+VF)NV:反馈圈数NS:次级圈数UV:反馈电压。

UFV:反馈二极管压降磁芯气隙:LG={(0.4/3.14)*IP*NP}/BMLG:磁路气隙,单位:CM。

BM:最大磁感应强度;单位:MT。

一次侧电流有效值:IPRMS=IP*√DMAX/3二次侧电流有效值:IPRMS=(2*IO/1-DMAX)*√DMA X/3最大磁通密度:BM=100*IP*LP/NP*AEAE:平方厘米BM:高斯LP:UHIP;安倍1特期拉=1000 毫特斯拉=10000高斯初级线径:OD=L*(BW-2*M)/NPL:初级层数BW:骨架宽度MMM:安全边距MM有效骨架宽度:BE=D*(B-2M)D=层数B=骨架宽度单位:MM导线外径DPM:DPM=BE/NP 单位;MM导线电流验证:J= 1.28*IRMS/DPM^2IRMS=有效值电流(A)DPM=无绝缘线外径(MM)。

反激式变压器设计(52步)

反激式变压器设计(52步)

工作在不连续电流模式且具有隔离的Buck-Boost 变换器的设计举例Buck-Boost-倒向型的设计要求:1. 输入电压标称值V V 28in =2. 输入电压最小值V V 24in(min)=3. 输入电压最大值V V 32in(max)=4. 输出电压V V 521=5. 输出电流A I 221=6. 输出电压V V 1222=7. 输出电流A I 5.022=8. 窗口利用系数29.0u =K 注:当工作在高频时,工程师必须重新考虑窗口利用系数。

当采用有骨架的铁氧体磁心时,骨架的绕线面积与磁心的窗口面积之比仅为0.6.工作在100kHz 和由于趋肤效应,必须要用26号线时,导线裸铜面积与带绝缘面积之比为0.78因此总的窗口利用系数变小。

在第三章中磁心几何常数是利用窗口u K g K 4.0u =K 计算的。

为了计算恢复正常。

磁心几何常数要乘以1.35,然后用窗口利用系数g K 29.0u =K 计算电流密度,详见第四章9. 变换器效率)(%9898.0=η 10. 频率khz f 100=11. 最大占空比5.0max =D 12. 休止时间的占空比为1.0=w D 13. 调整率%0.1=α14. 工作磁通密度T B m 25.0=15. 二极管压降V V d 1=趋肤效应:电感器中的趋肤效应和变压器中的趋肤效应一一样得。

在常规的直流电感器(DC )中。

交流(AC )电流(交流AC 磁通)很小,不需要与变压器中同样的最大号导线。

而在不连续电流模式时的flyback 变换器的设计中。

必须像高频变压器那样来考虑趋肤效应。

有时,大尺寸粗导线太难绕制,大尺寸导线不仅加工困难,而且也不可能绕的很伏贴。

通常用双股或四股来绕制就比较容易,或用利玆线。

选择一导线,使其交流电阻等于直流电阻,即;DC AC R R = 趋肤深度是:)(0209.010000062.6)(62.6cm cm f==−−=ε则考虑趋肤效应后导线的最小直径为:2min (min)min 126.044.0418.00418.00209.022mm A mm mm cm d W ==≈==×==πε导线面积为 *************************************************))(75Hz f mm f s s 开关频率(−−=Δ 8***************************************************计算步骤1计算总周期s f T μ1010000011=== 计算步骤2计算晶体管最大导通时间n t 0 s s TD t n μμ55.010)(max 0=×=−−=计算步骤3计算次级绕组1负载功率21P ()()ww V V I P d 12152)(212121=+×=−−+=计算步骤4计算次级绕组2负载功率 22P()()ww V V I P d 5.61125.0)(222222=+×=−−+=计算步骤5计算输出总功率 2P )(5.185.61222212w P P P =+=+=计算步骤6计算最大输入电流(max)in I A A V P I in in 787.098.0245.18)((min)2(max)=×=−−×=η 计算步骤7计算初级电流峰值)(pk p I A A t V T P I on in pk p 15.31052498.010105.182)(266(max)(min)2)(=××××××=−−−=−−η计算步骤8计算初级电流有效值)(RMS P I A A T t I I on PK P RMS P 29.1103515.3)(3)()(=×=−−−= 计算步骤9 计算最大输入功率(max)in P w w P P o in 88.1898.05.18)((max)(max)==−−=η计算步骤10计算等效输入电阻)(equiv in R Ω=×=Ω−−−=5.3088.182424)((max)2(min))(in in equiv in P V R计算步骤11计算要求的初级电感量 L H H TD R L equiv in μ3825.010105.30)(2262max)(=×××=−−−=− 计算步骤12计算能量处理能力WJ JLI W pk p −=××=−−=−000189.0215.310382262)( 计算步骤13计算电状态e K0000168.01025.05.18145.010145.042422=×××=×=−−m e B P K 计算步骤14计算磁心几何常数g K 55625200288.035.100213.000213.01108.16000189.0)(cm cm cm K W K e g =×=××=−−−=−α计算步骤15查表找出磁心尺寸铁氧体磁心尺寸数据表选上磁心型号为EFD-20其参数如下:制造商 Plilips材料牌号: 3C85磁路平均长度MPL=4.7cm磁心质量g W tFe 7=铜线质量g W tCu 8.6=线圈平均匝长MLT=3.8cm磁心截面积231.0cm A c =2501.0cm W a =窗口面积4155.0cm A p =面积乘积500506..0cm K g =磁心几何常数23.13·cm A t =散热面积变压器2500=m μ磁心导磁率cm G 54.1=绕组长度计算步骤16计算绕组电流密度J29.0/36.329.0155.025.010000189.02)/(1022422=−−=××××=−−×=磁心窗口铜线利用系数u up m K mm A mm A K A B W J 计算步骤17计算初级导线面积)(B pw A 22)()(384.036.329.1mm mm J I A RMS P B pw ==−−=计算步骤18计算初级绕组需要导线股数np S 304.3126.0384.0(min))(≈===W B pw np A A S 计算步骤19计算初级绕组匝数p N 1. 先根据导线面积看骨架能容纳几根导线2. 初、次级绕组各占一半绕线面积225.02501.02cm W W a ap === 199.1810384.025.029.02)(≈=××==−B pw apu p A W K N 即绕组最多可绕19匝计算步骤20计算磁心需要的气隙g l cm cm MPL L A N l mc pg −−=−×××=−−−×=−−0384.025007.4000035.01031.0194.0)(104.08282πμπ 计算步骤21计算以圆密尔为单位的等效气隙mils 圆密尔-157.3930384.07.393=×=×=g l mils不知次计算有什么用?计算步骤22计算边缘磁通系数 F 30.10384.054.12ln 31.00384.012ln 1=×+=+=gc gl G A l F 计算步骤23通过引入边缘磁通系数F 计算新的初级匝数 np N 匝−−=××××=×=−−17103.131.04.0000038.00384.0104.088ππF A L l N c g np 计算步骤24计算磁通密度峰值pk B)(219.025007.40384.01015.,33.1174.0)(104.044)(T T MPL l FI N B m g PK P np PK −−=+××××=−−−+×=−−πμπ 计算步骤25计算初级每厘米阻值cm /Ωμ cm S cm r np p /--45331360/Ω==Ω=μμ计算步骤26计算初级绕组阻值P R ())(293.010453178.3)(10)(66Ω−−=×××=Ω−−⎟⎠⎞⎜⎝⎛×Ω=−−cm N MLT R np P μ 计算步骤27计算初级铜损pcu P w w R I P p RMS P pcu −−=×=−−=488.0293.029.1)(22)(计算步骤28计算次级1绕组的匝数 21N ()()()()34.35.0241.05.0115171max min max 2121≈=×−−+=−−+=D V D D V V N N P W d np 计算步骤29计算次级绕组1电流的峰值 21I )21pk I ()(101.05.0122)(12max 21)21A A D D I I W pk −=−−×=−−−−=(计算步骤30计算次级绕组1电流的有效值 21I )21RMS I (A A D D I I W pk RMS −−=−−=−−−−=65.331.05.0110)(31max )21)21((计算步骤31计算次级绕组1导线的面积 21W A 22)(212108.136.365.3mm mm J I A RMS W −==−−= 计算步骤32计算次级绕组1需要导线股数 21n S 96,8126.008.1min2121≈===W W n A A S 计算步骤33计算次级绕组1的每厘米阻值 21r cm cm S cm r n /15191360//2121Ω−−==Ω−−Ω=μμμ 计算步骤34计算次级绕组1的阻值 21R ()()Ω−−=×××=Ω−−×=−−0018.01015138.3)(1066212121r N MLT R 计算步骤35计算次级绕组1的铜损cu P 21w w R I P rms cu −−=×=−−=0240.00018.065.3)(2212)(2121 计算步骤36计算次级2绕组的匝数 22N()()()()74.75.0241.05.01112171max min max 2222≈=×−−+=−−+=D V D D V V N N P W d np 计算步骤37计算次级绕组2电流的峰值 22I )22pk I ()(5.21.05.015.02)(12max 22)22A A D D I I W pk −=−−×=−−−−=(计算步骤38计算次级绕组2电流的有效值 22I )22rms I (A A D D I I W pk rms −−=−−=−−−−=913.031.05.015.2)(31max )22)22((计算步骤39计算次级绕组2导线的面积 22W A 22)(2222271.036.3913.0mm mm J I A RMS W −==−−=计算步骤40计算次级绕组2需要导线股数 22n S 21,2126.0271.0min2222≈===W W n A A S 计算步骤41计算次级绕组2的每厘米阻值 22r cm cm S cm r n /68021360//2122Ω−−==Ω−−Ω=μμμ 计算步骤42计算次级绕组2的阻值22R ()()Ω−−=×××=Ω−−×=−−0181.01068078.3)(1066222222r N MLT R 计算步骤43计算次级绕组2的铜损cu P 22ww R I P RMS cu −−=×=−−=0151.00181.0913.0)(2222)(2222计算步骤44计算窗口利用系数 U K ()()可以绕下小于计算设定−−==××+×+×++=29.0224.0501.000126.02793316(min)22222121u aW n n np P u K W A S N S N S N K计算步骤45计算总铜损 CU P wP P P P CUCU PCU CU −−=++=++=0879.00151.00240.00488.02221计算步骤46计算此设计的调整率α %475.0%1005.180879.0%1002=×=×=P P CU α计算步骤47计算交流磁通密度AC B )(111.025007.4384.010244.33.1164.0)(1024.044){T T MPL l I FN B mg PK P np AC −−=+××××=−−−+×=−−πμπ计算步骤48计算磁心每公斤损耗功率p )/(6.21111.010*********.4)/(10855.462.263.1562.263.15kg w kg w B f p AC AC −−=×××=−−×××=−−计算步骤49计算磁心损耗fe P ww W p P t fe −−=××=−−××=−−151.01076.21)(1033 计算步骤50计算变压器效率η%7.98151.00879.05.185.18%10022=++=×++=feCU P P P P η计算步骤51计算变压器散热表面积散热密度ψ018.03.13151.00879.0)/(2=+=−−+=cm w A P P tfecu ψ计算步骤52计算温升t T )(3.16018.0450)(450826.0826.0C C T t °−−=×=°−−×=ψ隐形专家根据“变压器与电感器设计手册”第三版。

反激变压器设计方法(12V4A)

反激变压器设计方法(12V4A)

Nvcc = 10.051
Nvcc :=
Vcc Vo + Vf Ns Vcc计算方法2
Nvcc = 10.051
∆B1 :=
Vdcmin ⋅ Dmax Np ⋅ Ae ⋅ f .............. 最小 磁通密度(计算值)
∆B1 = 0.22T
∆B2 :=
Vdcmax ⋅ Dmin Np ⋅ Ae ⋅ f .............. 最大磁通密度(计算值)
Iav = 0.568A Ip :=
Krp ⋅ Pout Vdcmin ⋅ η ⋅ Dmax .......... 初级峰值电流(计算值)
Ip = 1.25A
Lp :=
Vdcmin ⋅ Ton Ip
−4
Lp = 6.4 × 10
H
.............. 变压器初级电感量(计算值)
Np :=
Vdcmin ⋅ Ton Ae ⋅ ∆B .............. 变压器初级圈数(计算值)
Np = 44.673 Ns := Np n
Ns = 8.376
.............. 变压器次级圈数(计算值)
Nf :=
Vo + Vf Ns
Nf = 1.492 V .............. 变压器次级 每圈匝数的电压(计算值) Nvcc := Vcc Nf .............. 变压器Vcc的供 电圈数(计算值) Vcc计算方法1
D' = 0.6
.............. MOSFET关断占空比(计算值)
n :=
Vdcmin ⋅ D ( Vf + Vo) ⋅ (1 − D ) .............. 变压器匝比(计算值)

反激变压器的设计

反激变压器的设计

反激变压器的设计//========================================================反激变压器设计最简单的方法我自己综合了一下众多高手的方法,自认为是比较简单的方法了!如下: 1,VDC min =VAC min * 1.2VDC max =VAC max * 1.42,输出功率Po=P1+P2+Pn......上式中P1=(Vo1+Vf)*I1 、P2 =(Vo2+Vf)*I2上式中Vo为输出电压,Vf为整流管压降3,输入功率Pin=(Po/η)*1.2(此处1.2为输入整流损耗)4,输入平均电流:Iav = Pin/VDC min5,初级峰值电流:Ip = 2*Iav/Dmax6,初级电感量:Lp=Vdc min *Dmax /(Ip*fs) fs为开关频率7,初级匝数:Np=VDC min * Dmax /(ΔB*Ae*fs)上式中ΔB推荐取值0.2 Ae为磁芯横截面积,查规格资料可得!8,次级匝数:NS =(Vout+Vd)*(1-Dmax)*Np / Vin min*Dmax至此变压器参数基本完成!另就是线径,可根据具体情况调整!宗旨就是在既定的BOBINN上以合适的线径,绕线平整、饱满!///================================反激式变压器设计原理(Flyback Transformer Design Theory)第一节. 概述.反激式(Flyback)转换器又称单端反激式或"Buck-Boost"转换器.因其输出端在原边绕组断开电源时获得能量故而得名.离线型反激式转换器原理图如图.一、反激式转换器的优点有:1. 电路简单,能高效提供多路直流输出,因此适合多组输出要求.2. 转换效率高,损失小.3. 变压器匝数比值较小.4. 输入电压在很大的范围内波动时,仍可有较稳定的输出,目前已可实现交流输入在85~265V间.无需切换而达到稳定输出的要求.二、反激式转换器的缺点有:1. 输出电压中存在较大的纹波,负载调整精度不高,因此输出功率受到限制,通常应用于150W以下.2. 转换变压器在电流连续(CCM)模式下工作时,有较大的直流分量,易导致磁芯饱和,所以必须在磁路中加入气隙,从而造成变压器体积变大.3. 变压器有直流电流成份,且同时会工作于CCM / DCM两种模式,故变压器在设计时较困难,反复调整次数较顺向式多,迭代过程较复杂.第二节. 工作原理在图1所示隔离反驰式转换器(The isolated flyback converter)中, 变压器" T "有隔离与扼流之双重作用.因此" T "又称为Transformer- choke.电路的工作原理如下:当开关晶体管Tr ton时,变压器初级Np有电流Ip,并将能量储存于其中(E = LpIp / 2).由于Np与Ns 极性相反,此时二极管D反向偏压而截止,无能量传送到负载.当开关Tr off 时,由楞次定律: (e =-N△Φ/△T)可知,变压器原边绕组将产生一反向电势,此时二极管D正向导通,负载有电流IL流通.反激式转换器之稳态波形如图2.由图可知,导通时间ton的大小将决定Ip、Vce的幅值:Vce max = VIN / 1-DmaxVIN: 输入直流电压; Dmax : 最大工作周期Dmax = ton / T由此可知,想要得到低的集电极电压,必须保持低的Dmax,也就是Dmax<0.5,在实际应用中通常取Dmax = 0.4,以限制Vcemax ≦ 2.2VIN.开关管Tr on时的集电极工作电流Ie,也就是原边峰值电流Ip为: Ic = Ip = IL / n. 因IL = Io,故当Io一定时,匝比n的大小即决定了Ic的大小,上式是按功率守恒原则,原副边安匝数相等NpIp = NsIs而导出. Ip亦可用下列方法表示:Ic = Ip = 2Po / (η*VIN*Dmax) η: 转换器的效率公式导出如下:输出功率: Po = LIp2η / 2T输入电压: VIN = Ldi / dt设di = Ip,且 1 / dt = f / Dmax,则:VIN = LIpf / Dmax 或Lp = VIN*Dmax / Ipf则Po又可表示为:Po = ηVINf DmaxIp2 / 2f Ip = 1/2ηVINDmaxIp∴Ip = 2Po / ηVINDmax上列公式中:VIN : 最小直流输入电压(V)Dmax : 最大导通占空比Lp : 变压器初级电感(mH)Ip : 变压器原边峰值电流(A)f : 转换频率(KHZ)//========================================你看的书就会把你给绕进去...绕半天却找不到自己了。

反激变压器的设计

反激变压器的设计

反激变压器的设计————————————————————————————————作者: ————————————————————————————————日期:反激变压器的设计//========================================================反激变压器设计最简单的方法ﻫ我自己综合了一下众多高手的方法,自认为是比较简单的方法了!如下: ﻫ1,VDC min=VAC min * 1.2VDC max=VAC max* 1.42,输出功率Po=P1+P2+Pn......ﻫ上式中P1=(Vo1+Vf)*I1 、P2 =(Vo2+Vf)*I2上式中Vo为输出电压,Vf为整流管压降ﻫ3,输入功率Pin=(Po/η)*1.2(此处1.2为输入整流损耗) ﻫ4,输入平均电流:Iav = Pin/VDCminﻫ5,初级峰值电流:Ip = 2*Iav/Dmax6,初级电感量:Lp=Vdc min *Dmax/(Ip*fs) fs为开关频率ﻫ7,初级匝数:Np=VDC min *Dmax /(ΔB*Ae*fs) ﻫ上式中ΔB推荐取值0.2 Ae为磁芯横截面积,查规格资料可得!8,次级匝数:NS =(Vout+Vd)*(1-Dmax)*Np / Vin min*Dmax至此变压器参数基本完成!另就是线径,可根据具体情况调整!宗旨就是在既定的BOBINN上以合适的线径,绕线平整、饱满!///================================反激式变压器设计原理(FlybackTransformer Design Theory)第一节. 概述.反激式(Flyback)转换器又称单端反激式或"Buck-Boost"转换器.因其输出端在原边绕组断开电源时获得能量故而得名.离线型反激式转换器原理图如图.一、反激式转换器的优点有:2.转换效率高,损失小.1. 电路简单,能高效提供多路直流输出,因此适合多组输出要求.ﻫ4. 输入电压在很大的范围内波动时,仍可有较稳定的输出,目前已可实3. 变压器匝数比值较小. ﻫ现交流输入在85~265V间.无需切换而达到稳定输出的要求.二、反激式转换器的缺点有:1.输出电压中存在较大的纹波,负载调整精度不高,因此输出功率受到限制,通常应用于150W以下.2.转换变压器在电流连续(CCM)模式下工作时,有较大的直流分量,易导致磁芯饱和,所以必须在磁路中加入气隙,从而造成变压器体积变大.3. 变压器有直流电流成份,且同时会工作于CCM/ DCM两种模式,故变压器在设计时较困难,反复调整次数较顺向式多,迭代过程较复杂.ﻫ第二节. 工作原理ﻫ在图1所示隔离反驰式转换器(The isolatedflybackconverter)中, 变压器" T"有隔离与扼流之双重作用.因此" T "又称为Transformer- choke.电路的工作原理如下:ﻫ当开关晶体管Tr ton时,变压器初级Np有电流Ip,并将能量储存于其中(E = LpIp/ 2).由于Np与Ns极性相反,此时二极管D反向偏压而截止,无能量传送到负载.当开关Tr off 时,由楞次定律: (e=-N△Φ/△T)可知,变压器原边绕组将产生一反向电势,此时二极管D正向导通,负载有电流IL流通.反激式转换器之稳态波形如图2.ﻫ由图可知,导通时间ton的大小将决定Ip、Vce的幅值:Vce max = VIN/1-Dmax ﻫVIN:输入直流电压;Dmax: 最大工作周期Dmax = ton/ Tﻫ由此可知,想要得到低的集电极电压,必须保持低的Dmax,也就是Dmax<0.5,在实际应用中通常取Dmax= 0.4,以限制Vcemax≦ 2.2VIN.开关管Tron时的集电极工作电流Ie,也就是原边峰值电流Ip为: Ic = Ip =IL /n.因IL = Io,故当Io一定时,匝比n的大小即决定了Ic的大小,上式是按功率守恒原则,原副边安匝数相等NpIp= NsIs而导出. Ip亦可用下列方法表示:Ic=Ip= 2Po/ (η*VIN*Dmax)η: 转换器的效率公式导出如下:输出功率:Po= LIp2η/ 2T输入电压:VIN = Ldi /dt设di = Ip,且1/ dt = f /Dmax,则:VIN = LIpf/ Dmax或Lp= VIN*Dmax / Ipf则Po又可表示为: ﻫPo= ηVINf DmaxIp2/2f Ip= 1/2ηVINDmaxIp∴Ip=2Po/ηVINDmax上列公式中:ﻫVIN:最小直流输入电压(V)ﻫDmax:最大导通占空比ﻫLp: 变压器初级电感(mH)ﻫIp :变压器原边峰值电流(A)f:转换频率(KHZ)//========================================你看的书就会把你给绕进去...绕半天却找不到自己了。

反激式电源变压器设计(DCM断续式)

反激式电源变压器设计(DCM断续式)

反激式电源变压器设计峰值电流:IP=2PO/Uin*Dmax*η单位;APO:输出功率。

Uin:最小直流输入电压。

Dmax:最大占空比。

一般为0.45.η:效率。

一次侧电感量:LP= (Vin*Dmax)^2/2*Pin*Fs*Krf 单位;HDcm: Krf=1 CCM: Krf=0.3-0.5一次侧匝数:NP=100*IP*LP/ BM *AEAE:平方厘米BM:高斯LP:UHIP: A二次侧匝数:NS=NP*(UO+UF)/URUR=UIN*DMAX/1-DMAXUO:输出电压。

UF:输出二极管压降。

UR;反射电压。

DMAX:最大占空比。

一般为0.45反馈匝数:NV=NS*(UV+UFV)/(VO+VF)NV:反馈圈数NS:次级圈数UV:反馈电压。

UFV:反馈二极管压降磁芯气隙:LG={(0.4/3.14)*IP*NP}/BMLG:磁路气隙,单位:CM。

BM:最大磁感应强度;单位:MT。

一次侧电流有效值:IPRMS=IP*√DMAX/3二次侧电流有效值:IPRMS=(2*IO/1-DMAX)*√DMA X/3最大磁通密度:BM=100*IP*LP/NP*AEAE:平方厘米BM:高斯LP:UHIP;安倍1特期拉=1000 毫特斯拉=10000高斯初级线径:OD=L*(BW-2*M)/NPL:初级层数BW:骨架宽度MMM:安全边距MM有效骨架宽度:BE=D*(B-2M)D=层数B=骨架宽度单位:MM导线外径DPM:DPM=BE/NP 单位;MM导线电流验证:J= 1.28*IRMS/DPM^2IRMS=有效值电流(A)DPM=无绝缘线外径(MM)。

RCC的反激变压器设计

RCC的反激变压器设计

RCC,12V,1.1A反激式变压器设计INPUT:90-270V AC;F:65KHZOUTPUT:DC12V, 1.1AVfPUT:12V,0.1A效率η=0.8D:0.5EECKP40磁芯参数:初始磁导率:ui=2300饱和磁通密度:Bs=510mt/390(25/100℃)剩余磁通密度:Br=95/55mt(25/100℃) 居里温度:≥215℃电阻率:6.5Ω密度:4.8*10^3kg/m^3一,求Core AP以确定用多大磁芯尺寸计算Ap=Aw*Ae=(Pt*10^4)/2△B*F*J*Ku=(Po/η+Po)/2*60%(Bs-Br)*F*J*Ku=[(14.4w/0.8)+14.4]*10^4/2*0.6*0.335*65000*400*0.3=324000/3135600=0.1033295mm^4=0.10mm^4式中:Pt=Po/η+Po Pt-传输功率J:电流密度取400A/cm^3Ku:绕组系数取0.3EE22磁芯参数:有效此路长度:Le=42.4mmAw=(E-D)*F=(15.8-5.75)*5.6=56.28mm^2有效截面积:Ae=35.6mm^2有效体积:Ve=1506mm^3磁芯Ap=Aw*Ae=56.28*35.6=0.20mm^4AP计算值小于EE磁芯值,满足要求二,求匝数比N=(VINmin-20)/(V o+Vf)*Dmax/(1-Dmax)=(90*1.414-20)/(12+0.6)*0.5/(1-0.5)=107.26/12.6=8.51取9匝Check DmaxDmax=N(Vo+Vf)/(VINmin-20)+N(V o+Vf)=9*12.6/(107+9*12.6)=113.4/220.66=0.51三,估算临界电流IoB为使电路工作与临界模式,设计时按80%*IoB来算IoB=0.8*1.1A=0.88A四:求临界模式下次级线圈临界电流IsB△IsB=2*IoB/(1-Dmax)=2*0.88/(1-0.51)=1.76/0.493.592A五,计算次级电感LS及原边电感LPLS=[(Vo+Vf)*(1-Dmax)*(Ts周期)]/△IsB=[12.6*0.49*(1/65000)]/3.592=25.9uHLP=N^2*LS=9^2*25.9=2097.9 uH=2.10mH六,求CCM时副边峰值电流△ISP△ISP=△ISB+△IS=Iomax/(1-Dmax)+ △ISB/2=1.1/(1-0.51)+3.592/2=2.245+1.796=4.041A七,求VCCM时原边峰值电流△IPP △IPP=△ISP/N=4.041/9=0.449A八,确定NP, NS, NVCCNP=(LP*△IPP)/(△B*Ae)=(2097uH*0.449A)/(0.201T*35.6mm^2=942.9/7.1556=131.8TS取NP=130TSNS=NP/N=130/9=14.4TS取NS=14TSNVCC(反馈绕组)先求每匝数Va=(Vo+VF)/NS=(12+0.6)/14=0.9V/TSNVf=(VCC+VF)/Va=(16+0.6)/0.9=18.4TS取NVf=18TS九,计算AIR GAP(气隙)Lg=(NP^2*uo*Ae)/Lp=(130^2*4π*10^-7*35.6)/2.10mH=0.36mmuo=4π*10^-7(真空磁导率)十,计算线径dwIprms(原边有效电流)=(Po/η)/VImin=(12*1.1/0.8)/107=0.154Adwp(初级线径)=1.13[(Iprms/J)]^1/2=0.22mm这里J取4A/mm^2dws(次级线径)=1.13[(Io/J)]^1/2=0.59mm^2计算集肤深度温度100℃,频率65KHZdwh=76.5/(F^1/2)*2=0.6mm由于dws线径基本等于集肤深度,所以这里考虑采用两根3mm并饶十一,估算同窗占有率磁芯可用面积=40%*Aw=0.4*56.28=22.512mm^2漆包线占面积=Np*rp*π(dwp/2)^2+ Ns*rs*π(dwp/2)^2+ Nf*rf*π(dwp/2)^2=4.94+1.98+0.68=7.61mm^2磁芯可用面积>漆包线面积,可用以上,rp,rs,rf为各组绕线时的根数。

反激变压器设计(DCM模式)Flyback transformer

反激变压器设计(DCM模式)Flyback transformer

反激变压器设计(DCM 模式)Flyback transformer design (DCM Mode )Illustration :Step 1:The turns ratio of primary and secondaryWhen Q is on, the dropped voltage across the primary is 1-=I L V V . From the ohms-lawdtt di LV V I L )(=-=1 So, the )(t i can be described as )()(01i t LV t i I +-=IF the flyback is operated at discontinuous mode, 00=)(i . So,t L V t i I 1-=)(. It leads to on P I P T L V I 1-=(m i n )When Q is off state, the diode at secondary side is turn on and the mirror voltage will reflect to the primary sideS S P P V N N V = . The voltage 1+=o S V V . That is )(1+=o S P P V N NV .So, the transistor is sustained the voltage stress ms V)((m ax)1++=+=o SPI P I ms V N N V V V V The turn ratio of 1+-=o I ms S P V V V N N (m ax)Step 2:The core must be guaranteed not to saturated. The voltage-time product of“on-time ” must be equal to “off-time ”. That is()r S Poon i T N N V T V 1+=(m i n ) and the circuit must be remained in discontinuous mode.T T T T td r on =++ T T T r on 80.=+⇒()TN N V T N N V V T T N N V T V S Po on S P o I on SPo on I 801118011.))(().()()((m i n )(m i n )+=++--+=-⇒so, SPo I SPo on N N V V T N N V T )(.)((m i n )11801++-+=step 3: Determine the inductance P L of primaryWhen the transistor is “on ”, the energy storage in the primary is equal tojoules 212P P I L W =. So, the input power 221PP in I L T T W P == now, the efficiency is assumed to 80%, we have2222212112121251on P I P on P I P P P o in T L V L T T L V L T I L T P P )(.(m i n )(m i n )-=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-=== That is TP T V L o onI P 5.2)1(22(min)-=Step 4: The primary wire turns8101-=-=on e P I P T B A N V V ∆(m ax) ()8101B A T V N e on I P ∆-=(m ax) Step 5: The secondary wire turnsSPo I N N V V =+-11(m ax)Step 6:The primary rms current and wire size must be calculated. From the rms formula of the primary is TT I dt t i T I on P prms 3)(12==and the rms formula of the secondary is s p on P srmsN N T T T I dt t i T I -==3)(12And wire size is specified by 300~500 circular miles per rms ampereTT I onP P 3300=ΦS Pon P S N N T T T I -=Φ8.03300step 5: considered the skin effect. skin depth fS 2837=. So, when the primary and secondary wire miles are larger than skin depth, more wire numbers will be better a single larger wire size The parallel of primary wire numbers are )(1s ss fix n ΦΦ=and the secondary wire numbers are )(1s ss fix n ΦΦ=。

反激电源变压器设计

反激电源变压器设计

3.3
四、计算气隙
反激变压器相当于耦合电感,变换过程中能量存储在气隙中,计算后应验证 气隙足够大以避免饱和。 根据所需电感量计算气隙:
L p = N 2 μμ0
Ae le
4.1
求得所需有效磁导率 u,通过下式计算气隙 lc: μ= 11 l + c μr le
4.2
以上计算方法比较繁琐, 而证:
2.2
I p2 =
2 P0
η DE ( 2 − K rp )
2.3
初级电感:
2 2 i p 2 K rp η E D ( 2 − K rp ) dt Lp = E = E = 2 Po K rp f di DT
2.4
三、计算初、次级匝数
由电磁感应定律得:
Eav = NAe
则:
Np =
dB dt
Eav DT DEav = Ae ΔB Ae K rp Bm f
AP ( cm 4 ) = Aw Ae =
其中Kj单位为A/cm2。
2 Dmax P0 ×104
K rp Bm f η K j K u
1.9
二、计算初级电感量
初级峰值电流 Ip2 计算
E=L P0 = η Pi = η
所以有:
I −I di = LP p 2 p1 dt DT
2.1
1 1 2 2 LP ( I p LP ( I p 2 − I p1 )( 2 − K rp ) I p 2 f 2 − I p1 ) f = η 2 2
则 1.3 代入 1.1 得:
1.3
P0 = Dmax NAeη
dB × I rms dt
1.4
定义变压器原边电流纹波值与电流峰值之比为 Krp,即

SMPS-反激变压器设计

SMPS-反激变压器设计

开关电源设计——反激变压器设计Flock fai liu2012-02-23学习除了努力,还需要方法!一、电流纹波率在设计之前,先引入SMPS最基本也是影响最广的一个设计参数——电流纹波率(K RP)。

它的设定非常重要,一旦设定好了它,几乎所有参数都已确定。

它会影响功率器件(开关管、输出整流二极管),输出滤波电容的电流应力和损耗,变压器几何尺寸。

所以不了解它,就无法开展变压器的设计。

电流纹波率定义初级纹波电流(△I)与电流有效值(I P)的比值。

即:K RP=△II P ; △I=V DCmin∗T ONL p; I p=I O∗1n1−D MaxK RP的有效范围为0—2,CCM<1,DCM=1,BCM=2 (电感电流的三种工作模式,自参阅书籍),若将它设为0,△I必为0,根据电感方程V=L*△I△t表明此时电感量为无穷大,所以实际中不可能。

从铜损跟铁损的折中考虑、变压器的几何尺寸以及EMI等综合折中;根据输出功率或特性的不同,将K RP设定在0.4—1之间进行调整,低压大电流和大功率输出选择偏低;高压小电流和小功率输出选择偏大。

当V INmin增加时,K RP相对应偏大。

当然任何情况下如果将K RP设定偏小,允许选择更大的磁蕊,效果是非常好的。

但从商业角度来说,控制成本,体积等原因,大多情况下只是空谈吧了。

不过认识这一点是很有帮助的。

当然有时也会有,这时可相对应偏小。

我们必须要深刻了解K RP的设定给设计结果带来的影响。

设置过小,会增大变压器尺寸以及高频铜损问题,当然会减小峰值电流、功率器件、电容的损耗。

CCM模式会使输出整流二极管发热增加。

然而设置过大自然与上述相反了,它还会影响EMI。

然而我们从低压时设计的CCM并不意味着它会一直工作在CCM模式。

它会随着电压的升高或负载的减小,使K RP=1后进入DCM模式,此时在输出整流二极管反向恢复之前电感电流刚好为0,给DIODE提供一个很好的工作条件,但此时再次提醒,K RP越大的缺点。

反激式变压器设计

反激式变压器设计

变压器电路形式 单端反激式;工作频率f 100KHZ (工作周期T=10us ); 最高输入电压max ,in U 60V ;最低输入电压min ,in U 40V ;开关管最大导通时间max ,on T 4.5us ;开关管导通时压降 1V ;整流二极管正向电压降 0.4V ;输出电压o U 15V ;输出电流o I 3A ;最高工作环境温度 +45℃;最高允许温升 不大于60K ;计算步骤如下:1、 变压器初、次级电压计算① 计算初级电压取线路压降和变压器初级绕组铜阻压降为输入电压的2%,则初级电压为:;V U P 8.571%)21(60max ,1=--⨯=;V U P 2.381%)21(40min ,1=--⨯=② 计算次级电压;V U P 7.154.0%)21(152=++⨯= 2、 计算变压器工作比① 最大工作比%45%100105.4max ,max =⨯==∂T T on ② 电压变化系数 51.12.388.57min ,1max ,1===P P V U U K ③ 最小工作比 %35%10045.051.1)45.01(45.0)1(max max max min =⨯+⨯-=∂+∂-∂=∂V K3、 计算匝数比0.27.152.3845.0145.0max 1max 2min ,1=⨯-=∙∂-∂=P P U U n 4、 计算初级电感① 临界电感 uH P T U L P 4.311037.1521045.02.3810262260max 2min ,12min =⨯⨯⨯⨯⨯=⨯∂=-- ② 取电感uH L P 351=5、 计算初级峰值电流A T U T P I on P P 48.55.42.381037.1522max ,min ,101=⨯⨯⨯⨯== 6、 各绕组有效电流① 初级绕组有效电流A I I P 13.2345.048.53max 11=⨯=∂= ② 次级绕组有效电流A nI I 26.413.2212=⨯==7、 确定磁芯尺寸计算面积乘积取mT B 250=∆,2/5mm A J = (2/53mm A J -=),选用PC40磁芯4204.0525.048.5103550050026121=⨯⨯⨯⨯=∆=-BJ I L A P P P 按Ap 选择磁芯,查表取EE25X25X7,并查得有关参数为:4466.0cm Ap =,mm le 0.58=,28.51mm Ae =,33000mm Ve =,290.0cm S M = W K R T /40=∆8、 计算空气气隙长度cm B Ae I L P P 041.025.0108.5148.5103514.34.04.0lg 22262121=⨯⨯⨯⨯⨯⨯=∆=--π 9、 绕组匝数计算① 初级绕组匝数匝151048.514.34.0041.025.0104.0lg 4411=⨯⨯⨯⨯=⨯∆=P I B N π② 次级绕组匝数53.745.045.012.387.1515max max 1min ,1212=-⨯⨯=∂∂-∙∙=P P U U N N 匝 故取匝82=N修正匝16221==N N10、确定导线规格 mm J I d 738.0513.213.113.111=⨯== mm J I d 04.1526.413.113.122=⨯== 当时:KHZ f 100=mm f 2089.01.66==∆当导线直径大于2倍穿透深度时,应尽可能采用多股线。

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副边峰值电流:
副边有效值电流:
根据所选线径计算副边电流容量:
自供电绕组线径:由于自供电绕组的电流非常小只有5mA,因此对线径要求并不是很严格,在这里主要考虑为便于与次级更好的耦合及机械强度,因此也采用裸线径为0.35mm的漆包线进行绕置,使其刚好一层绕下,减小与次级之间的漏感,保证短路时使自供电电压降低。
7、计算变压器损耗和温升
变压器的损耗主要由线圈损耗及磁芯损耗两部分组成,下面分别计算:
1)线圈损耗:
原边直流电阻:
为100℃铜的电阻率为2.3×10-6( ·cm); 为原边绕组的线圈长度,实测为360cm;A为原边0.23mm漆包线的截面积。
原边直流损耗:
原边导线厚度与集肤深度的比值:
d为原边漆包线直径0.23mm,s为导线中心距0.27mm, 为集肤深度0.31mm。
根据所选线径计算原边绕组的电流密度:
计算副边绕组导线允许的最大直径(漆包线):
根据上述计算数据可采用裸线径DIASS=0.72mm的漆包线绕置,但由于在温度100℃、工作频率为60KHz时铜线的集肤深度: ,而0.72mm大于了2倍的集肤深度,使铜线的利用率降低,故采用两根0.35mm的漆包线并绕。
《参考文献》
1、《现代高频开关电源实用技术》 刘胜利 编著 电子工业出版社 2001年
2、《开关电源中磁性元器件》 赵修科 主编南京航空航天大学自动学院2004年
3、《TDK磁材手册》 日本TDK公司 2005年
5、计算变压器匝数、有效气隙电感系数及气隙长度。
6、选择绕组线圈线径。
7、计算变压器损耗和温升。
下面就按上述步骤进行变压器的设计。
二、设计过程:
1、电源参数:(有些参数为指标给定,有些参数从资料查得)
最小交流输入电压值:
Vacmin=
85
V
最大交流输入电压值:
Vacmax=
265
V
电网频率:
FL=
50~440
原边交流电阻与直流电阻比:由于原边采用包绕法,故原边绕组层数可按两层考虑,根据上式所求的Q值,查得 。
原边交流电阻:
原边交流电流分量有效值:
原边交流电损耗:
原边绕组线圈总损耗:
副边直流电阻:
为100℃铜的电阻率为2.3×10-6( ·cm); 为副边绕组的线圈长度,实测为80cm;A为副边两根0.38mm漆包线的截面积。
aC-DC 5W磁参数计算
05/110so5
负 责 人:
审 核:
批 准:
日 期:
第一部分 变压器的设计
一、变压器设计步骤:
由于XRA05/110S05是采用反激的电路拓扑结构,故变压器按反激变压器进行设计。具体步骤如下:
1、决定电源参数。
2、计算电路参数。
3、选择磁芯材料。
4、选择磁芯的形状和尺寸。
副边直流损耗:
副边导线厚度与集肤深度的比值:
d为副边漆包线直径0.35mm,s为导线中心距0.41mm, 为集肤深度0.31mm。
副边交流电阻与直流电阻比:副边绕组层数为一层,根据上式所求的Q值,查得 。
副边交流电阻:
副边交流电流分量有效值:
副边交流电损耗:
副边绕组线圈总损耗:
总的线圈损耗:
2)磁芯损耗:
Hz
变压器工作频率:
Fs=
60000
Hz
输出电压:
Vo=
5.1
V
输出电流:
Io=
1.0
A
输出功率:
Po=
5.1
W
电源整机效率:
η≥
0.75
损耗分配因数:
Z=
0.5
自供电电压:
VB=
10
V
整流桥的导通时间:
tC=
0.0032
S
输入电容容量:
CIN=
10
uF
最大占空比:
DNAX=
0.47
电流比例因数:
KRP=
3、选择磁芯材料:
铁氧体材料具有电阻率高,高频损耗小的特点,且有多种材料和磁芯规格满足各要求,加之价格较其它材料低廉,是目前在开关电源中应用最为广泛的材料。同时也有饱和磁感应比较低,材质脆,不耐冲击,温度性能差的缺点。
在此次设计中,采用的是用于开关电源变压器及传输高功率器件的MnZn功率铁氧体材料PC40,其初始磁导率为2300±25%,饱和磁通密度为510mT(25℃时)/390mT(100℃时),居里温度为215℃。
5、计算变压器各绕组匝数、有效气隙电感系数及气隙长度:
原边绕组匝数:
副边绕组匝数:
上式中:VD为输出整流管正向压降,由于选用肖特基二极管,故其正向压降为0.4V,
VDS是VIPer导通期间漏极-源极的平均电压值,主要与原边电流大小、导通时的漏源间电阻RDS(ON)、工作温度有关,在这里设为5V。
自供电匝数NB:采用简单的半波整流电路,可依副边匝数的思路进行计算:
VBD为自供电整流管正向压降,由于选用了普通硅二极管,故其正向压降为0.7V。
有效气隙电感系数:
无气隙时的相对磁导率:
气隙长度:
6、选择绕组导线线径:
变压器有效的骨架宽度:
LX为原边绕组层数,在这里采用4层。
M为线圈每端需要的爬电距离,在这里取2mm。
计算原边绕组导线允许的最大直径(漆包线):
根据上述计算数据可采用裸线径DIA=0.23mm的漆包线绕置,其带漆皮外径为0.27mm,刚好4层可以绕下。
0.65
初、次级之间耐压:
≥2500
Vac
2、计算电路参数:
最低直流输入电压:
将相关参数代入上式:Vdcmin=72(v)
最高直流输入电压:
计算低端输入时:
原边平均输入直流电流值:
原边峰值电流:
原边脉动电流:
原边有效值电流:
变压器原边电感量:
Z为损耗分配因数,如果Z=1.0表示所有损耗都在副边,如果Z=0表示所有的损耗都在原边,在这里取Z=0.5表示原副边都存在损耗。
磁芯型号:查EPC磁芯系列—EPC19,磁芯参数为:
磁芯有效截面积:
Ae=
22.7
mm2
磁芯窗口面积:
Aw=
50
mm2
磁路长度:
Le=
0.461
mm
无气隙电感系数:
Al=
940
nH/T2
磁芯体积:
Ve=
0.9
cm3
骨架绕线宽度:
Bw=
11.9
mm
EPC磁芯主要为平面变压器设计的,具有中柱长,漏感小的特点。EPC19磁芯的AP值约为0.11cm4,稍大于计算所需的AP=0.09cm4。若再选用小一号的磁芯EFD15,其AP值约为0.047cm4,小于计算所需的AP=0.09cm4,不符合要求,故选用EPC19磁芯。
选择磁芯材料为铁氧体,PC40。
4、选择磁芯的形状和尺寸:
在这里用面积乘积公式粗选变压器的磁芯形状和尺寸。具体公式如下:
反激变压器工作在第一象限,最高磁密应留有余度,故选取BMAX=0.3T,反激变压器的系数K1=0.0085(K1是反激变压器在自然冷却的情况下,电流密度取420A/cm2时的经验值。)
峰值磁通密度摆幅:
磁芯损耗:
Pcv为磁芯功率损耗,由峰值磁通密度摆幅、工作频率60KHz及工作温度100℃可在厂家手册上查出其损耗约为30mw/cm3。
Ve为EPC19的体积0.105cm3。
变压器总的损耗:
变压器热阻:
变压器最大温升:
总结:通过上述计算可知,当环境温度为85℃时,变压器最高温度在96℃左右,符合磁芯的最佳工作温度。同时采用包绕法使得漏感仅为70uH(1KHz时)/15uH(100KHz时),小于3%,效果较理想。
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