模电习题课(答案版)
模电 习题答案(精选.)
2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。
试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。
故 V 82.32CESCEQ om ≈-=U U UΩ=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。
故V 12.22'LCQ om ≈=R I U2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。
（1）求电路的Q 点、uA &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：（1）静态分析：V7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析：Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥&（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，ef 'LR R R A u+-≈&2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的uA &和R i ；（3）求出R o 。
解：（1）求解Q 点：V17.7mA61.2)1(Aμ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ eb BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=R I V U I I R R U V I ββ（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝∞时996.0)1()1(k 110])1([ebe ee be b i ≈+++=Ω≈++=R r R A R r R R uβββ&∥R L ＝3k Ω时992.0))(1())(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω≈++=R R r R R A R R r R R u∥∥∥∥βββ&（3）求解输出电阻： Ω≈++=371beb s e o βr R R R R ∥∥2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电课后习题解答
解：由题意
vi＝6sinωt(V)波形如图2.1.7所示：
当 时，二极管D1导通，vo＝3.7V，
当 时，二极管D2导通，vo＝−3.7V，
当 时，二极管D1、D2截止，vo＝vi。
2.2.2已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求题图2.2.2所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
，
大于其最小稳定电流，所以稳压管击穿。故 。
（2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为
对于图b所示的电路，当 时，稳压管DZ反向击穿，vo＝VZ，当 时，稳压管DZ未击穿，vo＝vi。
2.2.4已知题图2.2.4所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算vi为10V、15V、35V三种情况下输出电压vO的值；
（2）若vi＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当vi＝10V时，若vO＝VZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当vi＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
vO＝VZ＝6V
同理，当vi＝35V时，vO＝VZ＝6V。
主观检测题
2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设 ）
解：由公式
由于 ，VT=0.026V
正向偏置VD=0.26V时
当反向偏置 时
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电课后习题答案
BabbaCbcbaBcb1．PN结加正向电压时，空间电荷区将（ B ）。
a.变宽b.变窄c. 基本不变2．在本征半导体中加入（A）元素可行成Ｎ型半导体。
a.五价b.四价c.三价3．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。
a.前者反偏、后者正偏；b.前者正偏、后者反偏；c.前者正偏、后者正偏；4．直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（ B ）。
a.电阻阻值有误差b.晶体管参数受温度影响c.电源电压不稳5．当信号频率等于放大电路的或时，放大增益下降（A）．ａ．３dB b．4dB c.．5dB6．交流负反馈是指（C）a. 直接耦合放大电路中引入的负反馈b. 只有放大直流信号时才有的负反馈c. 在交流通路中的负反馈7．稳定放大电路的放大倍数（增益），应引入（ B ）。
a. 直流负反馈b. 交流负反馈c. 正反馈8．为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ C ）负反馈。
a. 电压b. 电流c. 串联d. 并联9．欲将正弦波电压移相，应选用（ B ）电路。
a. 反相比例运算b. 同相比例运c. 微分运算10．欲将方波电压转换为三角波电压，应选用（A）电路。
a. 积分运算 b .乘方运算 c. 同相比例运算11．为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ B ）滤波电路。
a. 高通b. 低通c. 带通12．一个实际的正弦波振荡绝大多数属于正反馈电路，它主要由（ C ）组成。
a：负反馈b：放大电路和反馈网络c：放大电路、反馈网络和选频网13．功率放大电路的转换效率是指（ B ）。
ａ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比ｂ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比ｃ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
模电习题答案.
ui 5V时，D导通，uo =ui ui 5V时，D截止，uo =5V
ui 3V时，D导通，uo =3V ui 3V时，D截止，uo =ui
ui <-5V时，D2导通，D1截止，uo =-5V -5<ui 5V时，D2截止，D1截止，uo =ui ui >5V时，D2截止，D1导通，uo =5V
【8】一晶体三极管工作在放大状态，现测得三个电极的电位分别是A点是 －6伏，B点是－2.3伏，C点是－2伏,试指出晶体管是PNP或NPN型，是Si 管还是Ge管。
因为C点比B点电位高0.3V，所以是Ge管。 又因为A点电位是最低的，所以是PNP管。
【9】有两个晶体管分别接在电路中，工作在放大状态时测得三个管脚的电 位分别如下，试判断晶体管的三个电极及类型（硅管、锗管、NPN型管、 PNP型管）
五、集成运算放大电路的线性应用（15%）
【1】理想运算放大器工作在线性放大区时具有___虚短路___和___虚断路_特性。 【2】理想运算放大器工作在线性放大区时具有虚短特性，是指__同相输入和反相 输入端的电位近似相等___ 【3】运放的共模抑制比越大越好，因为它越大，表明运放的（ ）。 A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.抑制温漂能力越强 【1】差分放大电路对__差分__信号有放大作用，对__共模_信号有抑 制作用，即差分放大电路的主要作用是抑制零点漂移。 【2】在集成电路中，采用差分大电路的主要目的是为了（ ） A. 提高输入电阻 B. 减小输出电阻 C. 抑制零点漂移 D. 提高放大倍数
RC
RL
rbe
uo -
Au
26mV rbb 1.2 K IE RL
模拟电子技术课后习题及答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
模电课后习题答案
模电典型例题分析第二章题2.1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ； 解：14V ,1V,6V题2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u注：此图A 1的同相端、反相端标反。
解分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。
而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）211111522216101010311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-=-⨯=-⎛⎫⎛⎫=+=+⨯= ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭ 对A 3，103222281020210203O O O I R u u u u u R R +=⨯===++因为0133079u u u u R R ---=－ 332011I I u u u u u -+===-()()90313212712201023O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u Vu V ===⨯+⨯=题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
R u分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。
此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
模电习题课(答案版)
1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结部的B 。
[ ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。
［］A +5v和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于 B 。
［］A NPN管，饱和区B PNP管，放大区C PNP管，截止区D NPN管，放大区⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 B 。
[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： B 。
[ ]A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。
[ ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. [ ]A 抑制共模信号；B 抑制差模信号；C 放大共模信号；D 既抑制共模信号又抑制差模信号；8．组合放大电路的输出级采用射极输出式是为了使 D 。
[ ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。
[ ] A阻容耦合式B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。
[ ]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小电路如图 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图 解图解：i u 与o u 的波形如解图所示。
电路如图所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图 解图电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为。
试问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值各为多少 (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少解：(1)串联相接可得4种：；14V ；；。
1、两个管子都正接。
（）2、6V的管子反接，8V的正接。
3、8V的反接， 6V的管子正接。
4、两个管子都反接。
（14V）(2)并联相接可得2种：；6V。
1、两个管子都反接，电压小的先导通。
(6V)2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。
模电课后习题答案
V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得：U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA，U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。
2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V，所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE，45.4小I B七、T1 :恒流区；T2：夹断区；T3:可变电阻区。
习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。
1.4 u i和U o的波形如图所示。
1.5 u o的波形如图所示。
1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。
1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。
1.9(1 )当U I = 10V时，若U O=U Z = 6V，则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
模电课后习题完整答案
1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。
P 1=-U 1×3= -（-5）×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ；P 3=U 3×（-1）=-3×（-1）=3W ；P 4=-U 4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。
元件2、4是电源，元件1、3是负载。
1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V 。
解：I=I S =2A ，U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ，U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ，U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=01.6 求题1.6图中的U 1、U 2和U 3。
解：此题由KVL 求解。
对回路Ⅰ，有： U 1-10-6=0，U 1=16V 对回路Ⅱ，有：U 1+U 2+3=0，U 2=-U 1-3=-16-3=-19V 对回路Ⅲ，有：U 2+U 3+10=0，U 3=-U 2-10=19-10=9V验算：对大回路，取顺时针绕行方向，有：-3+U 3-6=-3+9-6=0 ，KVL 成立1.8 求题1.8图中a 点的电位V a 。
题1.4图+U 3--3V++6V -题1.6图20Ω1a题1.8图(a)(b)解：重画电路如（b ）所示，设a 点电位为V a ，则201a V I =，5502+=a V I ，10503-=a V I 由KCL 得： I 1+I 2+I 3=0 即0105055020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7100-=1.10 求题1.10图所示电路端口的伏安关系。
模电习题答案
1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1d i D I U r m A =≈1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流 m in 5Z I m A =，最大稳定电流m ax 25Z I m A =。
(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。
∴V U I 10=时，VUR R R U ILL O3.3=+=；图Pl.6VU I 15=时，5L O I LR U U V R R ==+；VU I 35=时，11.7L O I Z LR U U V U R R =≈>+，∴V U U Z O 6==。
0.1(2)当负载开路时，mAI mA RU UI Z Z IZ2529max =>=-=，故稳压管将被烧毁。
1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。
分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。
(a) (b) (a) (b) 图Pl.8 解图Pl.8解：答案如解图Pl.8所示。
放大倍数分别为1/10100a mA A βμ==和5/10050b m A A βμ==1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
(完整版)模电习题答案
3-11 放大电路如题 3-73 图所示，已知U CC管的 U be 0.7V ，β=60。
试求： 12V, R b 360k , R L R c 2k ,三极（1）计算静态工作点 ? （2）计算 A u 、 R i 和 R o（3）u i 的有效值为多大时输出电压将出现失真？首先出现什么失真？ 解：（1）计算静态工作点，I BQUCC 0.7 12 0.70.03 mA ， I CQ I BQ 60 0.03 mA 1.8mA R b 360kI EQ （ 1）I BQ 61 0.03 mA 1.83 mA U CEQ U CC I CQ R C 12 1.8mA 2k 8.4V ? （2）计算 A u 、 R i 和 R o共射放大电路 R i r be 200 (1 )26mV200 (160) 261.067 kIEQ1.83R o R C 2k?Au(R L // R ) 60 (2k//2k) 56.2rbe1.067k3-14 如题 3-75 图所示放大电路。
三极管的电流放大系数为 β＝100，U BE ＝0.6V ，U CC ＝18V ， R b1＝ 39 k Ω， R b2＝ 13 k Ω， R c ＝ 2.4 k Ω，R e1＝100 Ω，R e2＝ 1.1k Ω ,R s ＝ 500 Ω，R L ＝2.4 k Ω， U sm ＝500 mV 。
求：①接上和断开电容 C E 两种情况下的静态工作点 I B 、I C 和U CE ；②接上 和断开电容 C E 时的电压放大倍数 A u 、输入电阻 R i 和输出电阻 R o ；③接上和断开电容 C E 时 的输出电压 U o 。
解：①求，接上和断开电容 C E 两种情况下的静态工作点 I B 、I C 和U CE由于接上和断开电容 C E 不会影响静态工作点 I B 、I C 和U CE ，设三极管的基极电位为 V B ，3）u i 的有效值为多大时输出电压将出现失真？首先出现什么失真？ 由于静态工作点 U CEQ 比较靠近截止区， u o 幅度增大时，首先出现截止失真 i C1 1uCERL RL // R c（U CEQ ,I CQ ） 为 （8.4 V,1.8 mA ） ，在输出特性平面上，设交流负载线与另外因为交流负载线的斜率为RL1，而静态 Q 点1ku CE 轴的交点为UCE off ，则 U CE off U CEQ u CE 8.4V ( 1) (所 以 ，u o 幅 度 大 于 U CE off U CEQ 10.2 8.4 1.82 U o A u1.8 mA) 1k 1.8V ( 相 应 u o 的 有 效 值为UoU i10.2V1.27V ） 时 ， u o 开 始 出 现 截 止 失真 ， 此 时 ， u i 的 有 效 值 1.270.02V 56.2则，U BRb1 Rb2U13kUccR cc39k 13k18 4.5 V ，而 U B 0.7 (R e1 R e2 ) I EQ所以， U B 0.7 4.50.73.17 mA ， I BQIEQ0.031 mAI EQ EQ R e1 R e21.1k 0.1k1I CQ βI BQ 3.1 mA，U CEQ (UCC I CQ R C ) (R e1 R e2)I EQ (18 3.1mA 2.4k) .1k 0.1k) 3.17 mA 6.76Vc I cIb bI2②接上和断开电容 C E 时的电压放大倍数 Au 、输入电阻 R i 和输出电阻 R o rbe (ⅰ)接上电容 C E 时，交流小信号等效电路为： 其中，小信号等效模型的参数(1 ) 26mV200 IEQ 200(1 100) 263.17 U s b21.03kR iAu Uo( I b )(R C //R L ) (R C //R L ) I b r be (R iRo Ui R b1 // Rb2//(r be ( R C 2.4k1)I b R e 11)R e1)ⅱ)断开电容 C E 时， r be (1)R e1 39 k//13k//(1.03 U?+U beIeR e1题3-20 图 微变等效电路100 (2.4//2.4) 10.781.03 (100 1) 0.1 k (100 1) 0.1k) 5.2kc + R sR LU i Rb1 Rb2 R o+?UI 2 交流小信号等效电路为： I i I 1 Ri题3-20图 中 C 开E 路时的等效电路 Ib b Ic+ U ?s类似前面，断开电容 C E 时， (R C // R L ) R e2) A ur be ( 1)(R e1 R i R b1 // R b2 //[ r be100(2.4//2.4)0.98 1.03 (100 1) (1.1 0.1) ( 1)(R e1 R e2)] RLRcU oR o39 k//13 k//(1.03 k R o R C 2.4k (100 1) (1.1k 0.1 k))9.03k③接上和断开电容 C E 时的输出电压 ⅰ)接上电容 C E 时， Aus U o R i iA u R i Rs 5.25.25.20.5 ( 10.78) 9.83而 A us Uo ，所以， uo 的有效值 U oUs U sA us 0.5V 9.83 4.92 V?R 9.03(ⅱ)断开电容 C E 时， A us RiA u 9.03( 0.98) 0.93 us R i R s u9.03 0.5 同理， u o 的有效值 U o U s A us 0.5V 0.93 0.465 V 3-16 在题 3-77 图所示放大电路中，已知 U CC ＝20V ，R b ＝470k Ω，R e ＝4.7 k Ω， R L ＝ 4.7 k Ω， 三极管 β＝100，静态时 UCE ＝10V 。
模电课后习题参考答案
《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1.杂质浓度；温度。
2.减小；增大。
3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。
4.0.5；；；。
5. 15V；；；；6V；。
6.大；整流。
二、1.①；⑤；②；④。
2. ②；①。
3.①。
4.③。
5.③。
6.③。
三、1、2、5、6对； 3、4错。
思考题与习题1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。
再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。
1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。
(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。
1.3.3 当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=；当u i≤时VD2导通，VD1截止，u o=；当≤u i≤时VD1、VD2均截止，u o=u i。
故u o为上削顶下削底，且幅值为±的波形(图略)。
1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图(c)来表示。
当< u i<时，VD1、VD2均截止，u o=u i。
当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈。
同理，当u i≤时，U om≈。
图略。
1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。
因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。
截止。
1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；<u i<8V时，u o=u i；u i<时，u o=。
图略。
1.4.2(1)因R L U I/(R L+R)=18V>U Z，稳压管起稳压作用，U O=U Z=12V，I L=U O/R L=6mA，I R=(U I-U O)/R=12mA，I Z=I R-I O=6mA。
模电课后习题答案
习题：一．填空题1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。
3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。
5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为，锗材料二极管的正向导通电压为。
6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。
7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。
8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降U 不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二．选择题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 A 。
A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。
A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。
A.正向导通B.反向截止C.反向导通D.反向击穿4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。
A.增大B.不变C.减小5.工作在放大区的某晶体管，如果当I从12μA增大到22μA时，I从1mA变为2mA，那么它的β约为＿＿C＿＿。
模电习题参考答案
模电习题参考答案一、填空：1.空穴、自由电子、空穴、自由电子2. 8V 、硅、NPN3.电流、正向、反向4.电压、电流、串联、并联6. 1u u A F ⋅⋅=、2(0,1,2)a f n n ϕϕπ+==7.电压、输入电阻8.线性、非线性 二、选择题：B C C B B C C A D D三、分析题：1.波形图如下图所示。
2.R2：电压串联负反馈、R5电压并联负反馈、R3和R6电流并联负反馈3. 参考答案：（1）Uo=28V ，电路正常工作，负载没有加上，或者负载开路。
（2）Uo=24V ，电路正常工作，负载正常工作。
（3）Uo=18V ，Uo=0.9U 2，电路非正常工作，可能是滤波电容断路损坏或者虚焊。
（4）Uo=9V ，Uo=0.45U 2，电路非正常工作，可能是整流电路的一条回路出现开路损坏或虚焊，且滤波电容虚焊或断路。
4.满足射同基反，可以起振，振荡频率四.计算题1.解：（1） V B = RB 2RB 1+RB 2V CC =4V I EQ = VB−U BEQRE 1+RE 2=1mAI CQ ≈I EQ =1mA I BQ = I CQ /β=20 uAU CEQ =V CC -I CQ R C -I EQ (R E1+R E2)=5.7Vr be =r bb ′+(1+β)26I EQ =1526Ω (2)微变等效电路为：（3）1)1(//E be L C u R r R R A ββ++-=≈ -6.4 ])1(//[//121E be B B i R r R R R β++==8.67 K Ω ==c o R R 3 K Ω2．解：A 1为一个同相比例放大器：V 01=(1+R 3/R 1)V 1=3 V 1根据虚短和虚断概念，V 2N =V 2P =V 2所以有：(V 01 –V 2N )/ R 4=(V 2N -V 0 )/R 5解得：V 0 =2V 2 -3V 13.解：(1)最大输出电压幅度（峰值）为:CES cc omm U V U -==13 V有效值为：2omm om U U ==9.19 V (2) 最大输出功率： L CES cc om R U V P 2)(21-==10.5625 W %5.784==πη。
模电习题答案
2V2 sin ωt v(ωt ) = v(ωt + π )
0 ≤ ωt ≤ π
（1）求 v(ωt ) 的有效值和平均值（直流分量） ； （2）求 v(ωt ) 的交流分量（除直流分量以外的全部交流分量）的有效值； （3）求 v(ωt ) 的傅里叶级数。
2
题图 1.3 题型：计算题 分析： v(ωt ) 是正弦函数 2V2 sin(ωt ) 的绝对值，其周期是正弦函数的一半，即
1.2
题图 1.2 所示的周期方波电压信号加在一个电阻 R 两端。 (1)试用公式 P =
1 T v2 ( )dt 计算该方波信号在电阻上消耗的功率P S ； R T ∫0
(2)分别计算方波信号的傅里叶展开式中的直流分量、基波分量及三次谐波分量在电阻 R 上所消耗的功率； (3)并计算这三者之和占电阻 R 上总耗散功率的百分比。
设：Voo − −开路电压 Ro = ( Voo − 1) RL VOL
VOL − −负载电压 Voo Voo 5 = = VOL (1 − 0.2)Voo 4 Ro = 0.25kΩ
） 。
（5）电路如题图 2.1 所示，放大电路的输出端直接与输入端相连，则输出电阻R o（
I s
+
I 2
I 1
RS
VS
ii R i1 + Vi +
Ro1 AVO1Vi
Vo1
Ri2 + +
Ro2 AVO2Vo1 + Vo2 -
Ri3 + -
Ro3 AVO3Vo2
io +V o RL
+
高输入电阻型
高增益型
低输出电阻型
Av = =
模电练习答案
一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
（10分）（1）只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。
（）（2）引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
（）（3）负反馈越深，电路的性能越稳定。
（）（4）零点漂移就是静态工作点的漂移。
（）（5）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
（）（8）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（9）实现运算电路不一定非引入负反馈。
（）二、选择填空（10分）（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。
（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β（5（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E。
（A）>（B）<（C）=（D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。
（A）大（B）小（C）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。
四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。
管号 T1 T2 T3管号T1 T2 T3管脚电位（V）① 0.7 6.2 3电极名称①② 0 6 10 ②③ 5 3 3.7 ③材料类型五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ =0.7V ，电流放大系数为β=80，r be =1.2 k Ω，R B =500 k Ω，R C =R L =5 k Ω，V CC =12V 。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）估算信号源内阻为R S =1.2k Ω时，的数值。
共射电路如下图，V BE =0.2V ，试判定下列两种情况下电路中三极管T 的状态。
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1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的B 。
[ ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。
［］A +5v和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于 B 。
［］A NPN管，饱和区B PNP管，放大区C PNP管，截止区D NPN管，放大区⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 B 。
[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： B 。
[ ]A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。
[ ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. [ ]A 抑制共模信号；B 抑制差模信号；C 放大共模信号；D 既抑制共模信号又抑制差模信号；8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 D 。
[ ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。
[ ] A阻容耦合式B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。
[ ]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。
[ ] A电路稳定性变差B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特点以获得较高增益。
［］A 直流电阻大、交流电阻小B 直流电阻小、交流电阻大C 直流电阻和交流电阻都小D 直流电阻大和交流电阻都大13、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数必须满足 D 才能起振。
［］A A V = 1B A V = 3C A V＜3D A V＞314、迟滞比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将发生 A 次跃变。
［］A 1B 2C 3D 015．当我们想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用 B 滤波器。
[ ]A 低通B 高通C 带阻D 带通16.串联型稳压电源正常工作的条件是：其调整管必须工作于放大状态，即必须满足D 。
［］A V I = V O + V CESB V I＜V O + V CESC V I≠V O + V CESD V I＞V O + V CES2．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为(B )A．-5V B．+5VC．+10V D．+15V3．测得电路中某晶体三极管(锗管)各管脚的电位，如题3图所示，则可判定该管处在( C)，上图A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．不确定状态4．测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为(B )A．PNP型管，①是e极B．PNP型管，③是e极C．NPN型管，①是e极D．NPN型管，②是e极5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是(C )A．共射极放大电路B．共集电极放大电路C．共基极放大电路 D. 共源极放大电路6．为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流(C)A．串联负反馈B．并联负反馈C．电压负反馈D．电流负反馈8.在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L增大时，电压放大倍数将( B )A.减少B.增大C.保持不变D.大小不变，符号改变9. 在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC时，则该管工作状态为( B )A.饱和B.截止C.放大D.不能确定10.若图示运算放大电路的输出电压U0=3V，则P点必须( D )A.接n点B.接地C.悬空D.接m点1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将。
[ A ]A 增大B 减小C 不变D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 B 。
[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。
[ C ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是。
[ A ]A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使。
[ D ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
C[ ]A 可获得较高增益B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。
[]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适8．当信号频率等于放大电路的Lf和Hf时，放大倍数的数值将下降到中频时的B 。
A 0.5倍B 0.7倍C 0.9倍D 1.2倍[ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的是负反馈。
[ D ]A输入电阻增大B输出量增大 C 净输入量增大D净输入量减小10．带通滤波器所对应的幅频特性为 C 。
[]A、B、C、DA V A VA VMAXo oof ff5．下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是( C)A．共射极放大电路B．共集电极放大电路C．共基极放大电路 D. 共源极放大电路6．为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流(C)A．串联负反馈B．并联负反馈C．电压负反馈D．电流负反馈8．PN结加反向偏置时，其PN结的厚度将（ A ）A．变宽B．变窄C．不变D．不能确定9．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u0为（ D ）A．-10V B．-6V C．-4V D．0V10．NPN型三级管，处在饱和状态时是（ B ）A．UBE<0,UBC<0 B．UBE>0,UBC>0 C．UBE>0,UBC<0 D．UBE<0,UBC>011．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U1=2.3V，②脚电位U2=3V，③脚电位U3=-9V，则可判定（ D ）A．Ge管①为e B．Si管③为e C．Si管①为e D．Si管②为e12．在下列组态的放大电路中，若要求输出电阻低，应选（ B ）A ．共射组态B ．共集组态C ．共基组态D ．共源组态13．若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈类型为（ C）A ．电流串联B ．电流并联C ．电压串联D ．电压并联14．电流放大系数为β1和β2的两个晶体管构成等效复合晶体管，其等复合管的β值约为（ D ）A ．β1B ．β2C ．β1+β2D ．β1·β21、单级放大电路如图3-1：在输入信号的中频段C 1、C2、C 足够大且对交流短路，试求：（1）该放大电路的I BQ ，I CQ ，V CEQ 的表达式；（2）画出该放大电路的交流小信号等效电路，并推导出A V 、R I 、R O 的的表达式；（3）该电路为何能稳定工作点？若要提高电压增益，可采取哪些措施？解：① 画出直流通路如下图，求解各Q 点参数：212BQ CC R V V R R =⋅+()()553451BQ BEQ EQ CQ BQ BEQ BQ CEQ CC CQ EQ V V I Z R V V I R V V I R R I R β-=≈-=+=-+-② 画出交流小信号等效电路如图：V CC()()()'451250411////1T be bb EQ v be i be V r r I R A r R R R R r R R R ββββ=++=-++=++⎡⎤⎣⎦= ③ 由于该电路具有分压式偏置电路，BQ V 固定不变，静态工作点就基本稳定,同时射极电阻5R 引入直流电流负反馈作用，可以自动跟踪CQ I 的变化，使晶体管的Q 点受温度的影响减小，从而进一步稳定了工作点。
若要提高输出电压增益，可以采取以下措施：a 、 用有源负载电阻代替3R 、4R 支路；b 、 更换β值更高的晶体管；在发射极电阻5R 旁加一旁路电容E C ，以减小交流发射极电阻，进一步提高交流电压增益。
2.组合电路如图3-2，已知 ：V CC = 9V ， 晶体管的V CES1 = V CES2 = 1V ，R L = 8Ω，（1） T 1、T 2构成什么电路？（2） D 1 、D 2起何作用？（3） 若输入电压U I 足够大，求电路最大输出功率OMAX P = ？图3-1 图3-2解：（1）1T 、2T 构成互补对称输出级电路；R 1 R 2 R 4 R 5 r be i b βi b +V 0 --+V i（2）1D、2D的作用是为1T、2T提供预偏置，使1T、2T微导通而达到消除交越失真的目的；（3）当输入电压足够大时，电路的最大不矢真输出功率为：()()22max914228CC CESoLV VP wR--===⨯3.图3-3中的各运放为理想运放,已知：V D = 0.8v，Vom = ±12v；(1) 试定性画出V O随V I变化的传输特性图。
(2) 试分别写出当V I＞0和V I＜0时，电路的V O与V I的关系式。
图3-3同类题VD = 0.7v，Vom = ±15v解：（1）当iV＞0时，0102,i omV V V V==-此时D截止而断开，R支路无电流，则0iV V=；（2）当iV＜0时，0102,i omV V V V==+此时D导通，2A构成反相比例运算电路，有：03i iRV V V VR+==-=-所以，从上述两方面的分析，再考虑到运放的饱和值15V±，可以画出V随iV变化的传输特性图为：OV0V i45°15V45°（3）O V 与i V 的关系式为：0i V V =000,i i i iV V V V V >=⎧⎨<=-⎩0当时,V 当时4. 组合电路如图所示，集成运放是理想的，请做如下分析：（1） T1和T2，T3和T4各构成什么电路？理想运放A 又构成什么电路？（2） 试计算I O ，U C2Q （A 点对地的直流电压）的数值，设U BEQ = 0.7v ，U CC = 12v ， R 2 = 2K Ω。