(完整版)哈工大模电习题册答案
哈工大模电期末考试题及答案word资料5页
一、1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。
2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。
3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。
4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。
RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。
5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。
6、下列说法正确的画√，错误的画×（1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。
（ × ）（2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。
（ × ） （3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为012f RCπ=的信号，反馈信号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。
试题：班号：姓名：二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE=0.7V，R bb’=300Ω。
回答下列各问：（1）请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基）（2）计算放大电路的静态工作点。
（3）画出微变等效电路。
（4）计算该放大电路的动态参数：A，R i和R ou（5）若观察到输出信号出现了底部失真，请问应如何调整R b才能消除失真。
图2答：（1）是共射组态基本放大电路（1分）（2）静态工作点Q：Vcc=I BQ*R b+U BEQ+(1+β) I BQ*R e，即15= I BQ*200kΩ+0.7V+51* I BQ*8kΩ，∴I BQ=0.0235mA （2分）∴I CQ=βI BQ =1.175mA，（2分）∴U CEQ=V cc-I CQ*R C-I EQ*R E≈V cc-I CQ*(R C+R E)=15-1.175*10=3.25V （2分）（3）微变等效电路o（4分）（4）r be=r bb’+(1+β)U T/I EQ=0.2+51*26/1.175=1.33KΩA u=-β(R c//R L)/r be=-50*1.32/1.33=-49.6 （2分）Ri=R b//r be≈1.33KΩ; （2分）Ro≈Rc=2KΩ（2分）（5）是饱和失真，应增大R b （1分）第2 页（共8 页）试题：班号：姓名：三、（24分）回答下列各问。
哈工大模电考试题及答案
一、 填空（16分）1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。
2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。
3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。
4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。
RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。
5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。
6、下列说法正确的画√，错误的画×（1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。
（ × ）（2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。
（ × ）（3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为012f RCπ=的信号，反馈信号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。
（ × ）第 1 页 （共 8 页）图1试 题： 班号： 姓名：二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE =0.7V ，R bb ’=300Ω。
回答下列各问： （1） 请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基） （2） 计算放大电路的静态工作点。
（3） 画出微变等效电路。
（4） 计算该放大电路的动态参数：uA ，R i 和R o （5） 若观察到输出信号出现了底部失真，请问应如何调整R b 才能消除失真。
图2答：（1）是共射组态基本放大电路（1分）（2）静态工作点Q ：Vcc=I BQ *R b +U BEQ +(1+β) I BQ *R e ，即15= I BQ *200k Ω+0.7V+51* I BQ *8k Ω， ∴I BQ =0.0235mA （2分） ∴I CQ =βI BQ =1.175mA ， （2分） ∴U CEQ =V cc-I CQ *R C -I EQ *R E ≈V cc-I CQ *(R C +R E )=15-1.175*10=3.25V （2分） （3）微变等效电路o（4分）（4）r be =r bb ’+(1+β)U T /I EQ =0.2+51*26/1.175=1.33K Ω A u =-β(R c //R L )/r be =-50*1.32/1.33=-49.6（2分） Ri=R b //r be ≈1.33K Ω; （2分） Ro ≈Rc=2K Ω（2分） （5）是饱和失真，应增大R b（1分）第 2 页 （共 8 页）试 题： 班号： 姓名：三、（24分）回答下列各问。
(完整版)哈工大模电习题册答案
【2-1】 填空：1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。
两种载流子的浓度 。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
3．漂移电流是 在 作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。
5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。
它工作在 。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。
1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2. 杂质浓度，温度。
3. 少数载流子，(内)电场力。
4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。
5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ）6. 增大;【2-2】电路如图2.10.4所示，其中u i =20sinωt (mV)，f =1kHz ，试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。
假设电容C 容量足够大。
-+-+C R+k 5ΩV 6iu VD+-D u Di a)(图2.10.4 题2-5电路图1．静态分析静态，是指u i =0，这时u i 视作短路，C 对直流视作开路，其等效电路如图1.4.2(a)所示。
不妨设U D =0.6V则D D 6V (60.6)V1.08mA 5kU I R --===Ω 对于静态分析，也可以根据二极管的伏安特性曲线，用图解法求解。
2．动态分析对于交流信号，直流电源和电容C 视作短路；二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内，故可用动态电阻r d 等效，且D d D1ir u ∆=∆，由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。
二极管伏安特性方程：)1e (TD/S D -=U u I i (1.4.1)由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ，故式1.4.1可简化为：TD/S D e U u I i ≈TD D Dd d d 1U I u i r ≈=Ω==≈07.241.08mA26mVD T d I U r 所以d i d d d 0.02sin (V)0.83sin (mA)24.07()u u t i t r r ωω===≈Ω 3．交流和直流相叠加)(mA sin 83.008.1d D D t i I i ω+=+=)(V sin 02.06.0d D D t u U u ω+=+=4．u D 和i D 波形如图1.4.2(c)、(d)所示。
哈工大(威海)模电习题册(一)答案
第三章 多级放大电路一．解：（a ）共射，共基 （b ）共射，共射 （c ）共射，共射 （d ）共集，共基 （e ）共源，共集 （f ）共基，共集二．解：（1）R W 的滑动端在中点时A d 的表达式为beWc IOd )2( r R R u u A +-=∆∆=β（2）R W 的滑动端在最右端时I beW c C2C1O IbecC2I beW c C1)2( 2 2)( u r R R u u u u r R u u r R R u ∆⋅+-=∆-∆=∆∆⋅+=∆∆⋅+-=∆βββ所以A d 的表达式为beWc IOd )2( r R R u u A +-=∆∆=β比较结果可知，两种情况下的A d 完全相等；但第二种情况下的C21C u u ∆∆＞。
三．解：R W 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流分析如下：mA 517.02222e WBEQEE EQEE e EQ WEQ BEQ ≈-==+⋅+R R U V I V R I R I U ＋ A d 和R i 分析如下：Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5.20)1(2972)1( k 18.5mV26)1(W be i Wbe cd EQbb'be R r R R r R A I r r ββββ四． 解：电路的共模输入电压u I C 、差模输入电压u I d 、差模放大倍数A d 和动态电压△u O 分别为V67.0672 mV 10mV 152Id d O becd I2I1Id I2I1IC -≈=∆-≈-==-==+=u A u r R A u u u u u u β由于电路的共模放大倍数为零，故△u O 仅由差模输入电压和差模放大倍数决定。
第五章 放大电路的频率响应一.解:（1）1be b s )(π21C r R R ∥+ 。
①；①。
（2）'s b bb'e b')]([21ππC R R r r ∥∥+ ；①；①，①，③。
电工学实验_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
电工学实验_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.利用Angilent DSO-X2002A数字示波器内置的函数信号发生器产生交流正弦信号时，如果幅度选择2Vpp，偏移选择+1V，利用该数字示波器通道1观察此正弦信号，如果通道1选择交流耦合，则示波器观察到的波形最大值与最小值应为：答案:最大值+1V；最小值-1V；2.测量静态工作点时，电路中其他参数不变，减小集电极电阻RC，则集电极电压UC如何变化？答案:上升3.共射基本放大电路的输入与输出波形的相位关系为答案:反相4.反相比例运算电路实验中，交流输入信号由哪个仪器设备给出？答案:函数信号发生器5.图示所示的同相比例运算电路，如何进行修改使之成为同相电压跟随器？答案:电阻RF=0，即用一根导线替代电阻RF6.对于图示的减法运算电路，以下哪个说法是正确的？答案:ui1=1V,ui2=2V时，输出uo=5V7.一片74LS00芯片中集成了几个与非门？答案:48.8-3线译码器74LS138 ，16个引脚中1、2、3脚的功能是？答案:译码地址9.8-3线译码器74LS138 ，16个管脚中4、5、6脚的功能是？答案:复合片选端10.中规模集成计数器74LS161的预置数方式是答案:同步数据置入11.如下电路原理图实现的是什么功能？答案:十进制计数器12.三相电路实验测量电压、电流、功率使用的仪器是？（）答案:三相电能及功率质量分析仪。
13.三相电能及功率质量分析仪电流钳夹的测量范围是？()答案:0-5 A14.一阶RC/RL电路暂态过程实验使用的实验仪器设备包括：（）答案:Fluke 190测试仪、信号源、电阻箱模块、电容箱模块、电感箱模块；15.利用Fluke 190测试仪的示波器功能测量一阶电路时，菜单设置中“耦合”一项应设定为：（）答案:直流16.进行叠加定理实验，不作用的电压源如何处理？答案:先将电压源关闭撤出电路，再将该支路用短路线代替17.图示进行的什么仪器设备的设置操作？答案:直流稳压电源正负12V双电源设置18.对于图示所示的示波器波形，请问偏移量约为多少？答案:+2V19.集成运算放大器uA741的引脚4和7为（）答案:电源端20.利用函数信号发生器产生方波信号时，占空比指的是？答案:方波波形一个周期内，高电平时间占整个周期时间的百分比；21.图示中为3DG6，下列说法哪个正确？答案:3DG6按照图示方式放置，凸起端对应引脚为发射极，依次逆时针为基极和集电极；22.图示所示的电路原理图，电压放大倍数公式为（）答案:Au=-RF/R123.图示所示的电路原理图中，输出电压与输入电压的关系式为？答案:u o=5(u i2-u i1)24.图示所示的电路原理图，输出与输入的电压放大倍数公式为答案:Au=1+RF/R125.对于74LS161，当计数功能选择控制端为如下哪个选项，计数器处于计数状态？答案:ENP=1；ENT=126.图示所示的实验电路，完成的是什么实验内容？答案:共射极晶体管基本放大电路27.图示所示实验电路完成的实验内容为？答案:时序逻辑电路28.图示所示的元器件属于（）答案:二极管29.对于图示电路，如果实验过程中，误把D1和D0也置为0（即低电平），那么电路实现功能变为？答案:十进制计数器，显示0000-100130.实验中，集成运算放大器uA741的引脚4应当如何连接？答案:与电源模块的-12V端相连31.对于图示所示的矩形波发生电路，如何调整参数可以增大输出矩形波的周期？答案:减小R1的阻值增大R2的阻值增大电容C的容值32.对于中规模集成计数器74LS161，以下哪些选项是正确的？答案:预置数方式为同步数据置入异步复位端为低电平有效引脚9为并行输入控制端时钟动作沿是上升沿33.以下说法错误的是（）答案:若负载为非对称负载，中线电压一定不为零。
第3章 习题解答 哈工大习题册
第3章 电路定理3.1 如图所示电路，已知0=ab U ，求电阻R 的值。
a图3-1解：由题，0=ab U ,故53V1A 3I ==Ω，电流比为24842I I ==，134I R I =对回路1l 列KVL 方程可得 11520V 42()I I I =Ω+Ω+ 解得：13AI =所以215314A I I I =+=+=, 42/41A I I ==,354112A I I I =+=+=134/6R I I =⨯=Ω3.2 用叠加定理求图示电路的电流I 及1Ω电阻消耗的功率。
(a)(b)2图 3-2解： （a ） 本题考虑到电桥平衡，再利用叠加定理，计算非常简单。
（1） 3V 电压源单独作用,如图(a-1)、(a-2)所示。
由图(a-2)可得'3V1A 148348I ==⨯Ω+Ω+由分流公式得： ''182A 483I I Ω=-⨯=-Ω+Ω（2）1A 电流源单独作用，如图(a-3)所示。
考虑到电桥平衡，0I ''=，133(1A)A 134I ''=-⨯=-+ （3）叠加：1A I I I '''=+=，11117/12A I I I '''=+=-2111 2.007WP I Ω=⨯=(a-1)(a-2)(a-3)（b ）（1）4V 电压源单独作用，如图(b-1)所示。
24V 2V 22U Ω'=⨯=Ω+Ω，136A I U ''=-=-，125A I I I '''=+=- （2）2A 电流源单独作用，如图(b-2)所示。
'2I '(b-1)(b-2)222A 2V 22U Ω⨯Ω''=⨯=Ω+Ω，22/21A I U ''''== 对节点②列KCL 方程得1234A I U ''''=-=-对节点③列KCL 方程得235A I I U ''''''=-=- （3） 叠加 '"1116A 4A=10A I I I =+=---'"5A 5A=10A I I I =+=---2111100W P I Ω=⨯Ω=注释：不能用各独立源单独作用时电阻消耗的功率之和来计算电阻在电路中消耗的功率。
第2章习题解答哈工大习题册
第 2 章线性直流电路2.1. 求图示电路的a b 端口的等效电阻。
图题 2.1解：根据电桥平衡有R eq(20 60) ||(20 60) 402.2．图中各电阻均为6，求电路的 a b 端口的等效电阻。
图解：根据电桥平衡，去掉电桥电阻有R eq [(6 6) ||(62.3 求图示电路的电压U1及电流I2。
I2题 2.26) 6]||6 41k20mA(a)图题 2.2解：电路等效如图(b)所示。
图中等效电阻R(1 3)k//5k(13) 5k135由分流公式得：I220mA R2mAR 20k电压U20k I2 40V20k3k再对图(a)使用分压公式得：U120k95kU1= 3 U =30V1 1+3(b)I220mA20k2.4 图示电路中要求 U 2/U 1 0.05 ，等效电阻 R eq 40k 。
求 R 1和R 2的值解：设 R 2与 5k 的并联等效电阻为再将 R 3 代入(1)式得2.5 求图示电路的电流 I解：由并联电路分流公式，得8I 1 20mA 8mA1(12 8)由已知条件得如下联立方程：由方程 (2)、(3)解得R 2 5k R3(1)U 2 R 30.05 (2) U 1 R 1 R 3ReqR 1 R 3 40k(3)R 1 38k R 3 2k+ U R1U图 题2.33R 2 5k图 题 2.5由节点①的KCL 得I I1 I2 8mA 12mA2.6 求图示电路的电压U。
解：首先将电路化简成图(b)。
图中由并联电路分流公式得2.7 求图示电路的等效电阻R xI2 20mA 62 (4 6)12mA3R2r r3'2'R x Rx1'(a)1R 10 2R x102' (b)图题2.67.5 7.54mAR1 (140 100) 240R2 270(200(200160) 120160) 120360I1 10AR2R1R26A 及I 2 10 I1 4A再由图(a)得I3120I2 360 120 1A由KVL 得，U U3 U1 200I 3 100I1 400V图 题 2.8解：(a )设R 和r 为1级，则图题 2.6(a) 为2级再加R x 。
哈工大模电答案 (最新详细版)
b
rbe
e
c
b
c
Ui
Rb1 Rb2
Rc RL
Uo
图 2.4.5 例 2.4.3 微变等效电路
根
据
微
变
路 求 解 电 压 放 大 倍 （mV） 26 26 rbe= rbb (1 ) 300 61 1502 ； (2.4.1) I EQ （mA） 1.32 U o I c ( RC // RL ) RL 60 ； A u r U I r
人 体 电 阻
黑笔
c b e
红笔
μA
图 1.4.13 测试示意图
【3-2】 图3.11.1所示电路中，当开关分别掷在1、2、3 位置时，在哪个位置时IB最大， 在哪个位置时IB 最小？为什么?
图 3.11.1 题 3-2 电路图
[解] 当开关处于位置2 时，相当一个发射结，此时IB 最大。当开关处于位置1时，c、 e短路，相当于晶体管输入特性曲线中UCE=0V的那一条，集电极多少有一些收集载流子的作 用，基区的复合还比较大，IB次之。当开关处于位置3 时，因集电结有较大的反偏，能收集 较多的载流子，于是基区的复合减少，IB最小。 【3-3】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电位如图 3.11.2 所示，试判断晶 体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)？
正极红笔
NPN
图1.4.11 万用表等效图
图1.4.12 NPN和PNP管等效图
(1) 晶体管可视为两个背靠背连接的二极管，如图1.4.12所示。 (2) 晶体管3个区的特点：发射区杂质浓度大，基区薄且杂质浓度低，集电区杂质浓度 很低。因此，发射结正偏时，射区有大量的载流子进入基区，且在基区被复合的数 量有限，大部分被集电极所收集，所以此时的电流放大系数β大。如果把发射极和 集电极调换使用，则集电结正偏时，集电区向基区发射的载流子数量有限，在基区 被复合后能被发射极吸收的载流子比例很小，所以β反很小。 2．判断方法 (1) 先确定基极：万用表调至欧姆×100或×1k挡，随意指定一个管脚为基极，把任一 个表笔固定与之连接， 用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻。 若两次测得电阻都很大 （或 很小）。把表笔调换一下再测一次，若测得电阻都很小（或很大），则假定的管脚是基极。 若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大，为NPN型，反之为PNP型。 (2) 判断集电极： 在确定了基极和晶体管的类型之后， 可用电流放大倍数β的大小来确 定集电极和发射极。现以NPN型晶体管为例说明判断的方法。 先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起， 并用一只手的中指和姆指捏住， 红表笔与 假定的发射极接在一起，再用捏集电极的手的食指接触基极，记下表针偏转的角度，然后两 只管脚对调再测一次。这两次测量中，假设表针偏转角度大的一次是对的。这种测试的原理 如图1.4.13所示。当食指与基极连接时，通过人体电阻给基极提供一个电流IB ，经放大后有 较大的电流流过表头，使表针偏转,β大，表针偏转角度就大。因为β>>β反, 所以表针偏转 角度大的一次假设是正确的。
第2章习题解答哈工大习题册
第 2 章线性直流电路2.1. 求图示电路的a b 端口的等效电阻。
图题 2.1解：根据电桥平衡有R eq(20 60) ||(20 60) 402.2．图中各电阻均为6，求电路的 a b 端口的等效电阻。
图解：根据电桥平衡，去掉电桥电阻有R eq [(6 6) ||(62.3 求图示电路的电压U1及电流I2。
I2题 2.26) 6]||6 41k20mA(a)图题 2.2解：电路等效如图(b)所示。
图中等效电阻R(1 3)k//5k(13) 5k135由分流公式得：I220mA R2mAR 20k电压U20k I2 40V20k3k再对图(a)使用分压公式得：U120k95kU1= 3 U =30V1 1+3(b)I220mA20k2.4 图示电路中要求 U 2/U 1 0.05 ，等效电阻 R eq 40k 。
求 R 1和R 2的值解：设 R 2与 5k 的并联等效电阻为再将 R 3 代入(1)式得2.5 求图示电路的电流 I解：由并联电路分流公式，得8I 1 20mA 8mA1(12 8)由已知条件得如下联立方程：由方程 (2)、(3)解得R 2 5k R3(1)U 2 R 30.05 (2) U 1 R 1 R 3ReqR 1 R 3 40k(3)R 1 38k R 3 2k+ U R1U图 题2.33R 2 5k图 题 2.5由节点①的KCL 得I I1 I2 8mA 12mA2.6 求图示电路的电压U。
解：首先将电路化简成图(b)。
图中由并联电路分流公式得2.7 求图示电路的等效电阻R xI2 20mA 62 (4 6)12mA3R2r r3'2'R x Rx1'(a)1R 10 2R x102' (b)图题2.67.5 7.54mAR1 (140 100) 240R2 270(200(200160) 120160) 120360I1 10AR2R1R26A 及I 2 10 I1 4A再由图(a)得I3120I2 360 120 1A由KVL 得，U U3 U1 200I 3 100I1 400V图 题 2.8解：(a )设R 和r 为1级，则图题 2.6(a) 为2级再加R x 。
哈工大模拟电子技术基础习题册
模拟电子技术基础习题册班级：XXXX姓名：XXXX学号：XXXXXXXXX年XXX月1 模拟电子技术基础习题册第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是纯净的晶体结构的半导体，其载流子是自由电子和空穴。
载流子的浓度相等（空穴与自由电子数目相等）。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂，而少数载流子的浓度则与温度_有很大关系。
3．漂移电流是少数载流子在电场力作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是PN结具有单向导电性，它的两个主要参数是最大整流电流和最高反向工作电压。
5．稳压管是利用了二极管的反向击穿陡直的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在反向击穿区。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是稳定工作电压、稳定工作电流、额定功率、和动态电阻。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将升高。
7．双极型晶体管可以分成PNP型和NPN型两种类型，它们工作时有空穴和电子两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成结型场效应管和绝缘栅场效应管两种类型，它的导电过程仅仅取决于多数载流子的流动；因而它又称做单极性晶体管器件。
9．场效应管属于-----电压控制电流控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将增大，反向饱和电流I CEO增大正向结压降U BE降低。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出电位最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为发射结正偏和集电结反偏；饱和区，偏置为_发射结正偏和集电结正偏；截止区，偏置为发射结反偏和发射结反偏。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将左移，输出特性曲线将上移，而且输出特性曲线之间的间隔将增大。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
哈理工模拟电子技术习题答案
（2） ，比较结果可知，两种情况下的 完全相等；但第二种情况下的 。
〖题3.5〗图T3.5所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50， ， 。试计算 滑动端在中点时 管和 管的发射极静态电流 ，以及动态参数 和 。
解：
〖题3.6〗图T3.6是一个单端输出的差分放大电路，试指出1、2两端中哪个是同相输入端，哪个是反相输入端，并求出该电路的共模抑制比。设 ， ， ， ， ，三极管的 ， ， 。
(d)不能。晶体管因发射结电压过大而损坏。
(e)不能。因为输入信号被电容交流短路。
(f)不能。因为输出信号被电源 交流短路。
(g)可能。
(h)可能。
(i)不能。因为场效应管T截止。
〖题2.2〗 填空：要求先填文字表达式后填得数。在图T2.2所示电路中，已知 ，晶体管的 ， 。
（1）当 时，测得 ，若要基极电流 ，则 和 之和 =≈ ；而若测得 ，则 =≈ 。
解：（1）C，BDE（2）B（3）ACD（4）ABDE（5）C（6）BCE，AD
〖题2.5〗画出图T2.5所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
解： 如图所示。
〖题2.6〗电路如图T2.6（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时 。利用图解法分别求出 和 时的静态工作点和最大不失真输出电压 （有效值）。
（2）若测得输入电压有效值 时，输出电压有效值 ，则电压放大倍数 ≈。若负载电阻 值与 相等，则带上负载后输出电压有效值 =V。
解：（1） ，
（2） ，
〖题2.3〗已知图T2.2所示电路中 ， ，静态管压降 ；并在输出端加负载电阻 。选择一个合适的答案填入空内。
（1）该电路的最大不失真输出电压有效值 (A)；
模拟电子技术(黑龙江联盟)智慧树知到课后章节答案2023年下哈尔滨工程大学
模拟电子技术（黑龙江联盟）智慧树知到课后章节答案2023年下哈尔滨工程大学哈尔滨工程大学绪论单元测试1.工作在放大状态的某NPN晶体管，各电极电位关系为（）。
答案:VC>VB>VE2.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。
答案:晶体管参数随环境温度的变化而变化3.在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。
当CB电路时，，ui和uo的相位________。
答案:同相4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（）。
答案:抑制共模信号能力增强5.多级放大电路的初级一般采用（）答案:差动放大电路第一章测试1.二极管的重要特点之一为（）答案:单向导通性2.稳压二极管主要用途是（）答案:稳压3.常见的彩灯采用的是（）管答案:发光二极管4.三极管是（）器件答案:电流控制电流5.三极管静态工作点Q点过高，容易引起（）失真答案:饱和6.场效应管是答案:电压控制电流7.场效应管三个电极分别为（）答案:G,S,D8.场效应管是单极性载流子参与导电答案:对9.场效应管放大电路中，栅极输入，漏极输出，为共源极电路答案:对10.场效应管和三极管工作原理相同答案:错第二章测试1.在放大电路中，直流、交流分量共存，两种信号分量的作用不同答案:对2.理想情况下，下列器件中对直流信号相当于断路的是答案:电容3.直流负载线的斜率是（）。
答案:-1/Rc4.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真答案:对5.共发射极放大电路信号从（）答案:基极输入，集电极输出6.对于一个共集组态的基本放大电路，它具有的特点。
答案:电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小7.差动放大电路对（）有放大作用答案:差模信号8.电路的共模抑制比越大表示抑制共模信号和零点漂移的能力越强答案:对9.下列（）情况下，可以用微变等效模型分析放大电路答案:中低频大信号10.答案:第三章测试1.阻容耦合放大电路不能放大答案:直流信号2.直接耦合放大电路的静态工作点易受影响，低频特性好，易于集成答案:对3.差动放大电路一般放在多级放大电路的第（）级答案:14.下图所示放大电路中，T1和T2管分别构成（）组态电路。
模电第5章习题解答 哈工大
Ri
Ui U i g mU gs Rs2 Rg
Rg 3Rg 3M g m Rs2 1 1 g m ( Rs1 Rs2 )
上式在变换过程中，使用了Ui U gs g mU gs ( Rs1 Rs2 ) 这一关系，略去了 I i 在 R s2 上 的压降。
Ro Rd 10k
U i U gs U o g mU gs Rd
Au gm Rd
对转移特性曲线方程式求导数，可得
gm
2 Up
I DSS I DQ 0.69mS
A u =－6.9 3. CS 开路时的电压放大倍数 CS 开路实际上就是电路出现电流串联负反馈，电压增益下降。如果没有学习反馈， 仍然可以用微变等效电路法求解。放大电路微变等效电路如解图 5-4(b)。
U GSQ 2k I DQ
2 I DSS U (1 GS ) 1mS UP U GS(off)
gm
Au
g m Rd 1 10 3.33 1 g m Rs 1 1 2 Ri Rg 1M
Ro Rd 10k 3. 为显著提高|A u |，应在 R 两端并联旁路电容。
U GS U G U S
VDD Rg2 Rg1 Rg2
U GS 2 ) UP
I D Rs
U DS V DD ( R Rd ) I D
I D I DSS (1
上述三个方程联立求解，可得两组解： 第一组：ID =0.46mA UGS= -0.6V 第二组：ID2 =0.78mA UGS2 = -3.8V＜Up 第二组数据不合理，故工作点为：ID =0.46mA ，UGS= -0.6V 2. 用微变等效电路求电压放大倍数 微变等效电路如解图 5-4(a)；
模电第4章习题解答 哈工大
第 4 章 半导体二极管和晶体管 习题解答
【4-1】 填空： 1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。两 种载流子的浓度 。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子 的浓度则与 有很大关系。 3．漂移电流是 在 作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。 5 ．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作 在 。 描 述 稳 压 管 的 主 要 参 数 有 四 个 ， 它 们 分 别 是 、 、 、和 。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。 7．双极型晶体管可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。 8． 场效应管从结构上分成 和 两种类型， 它的导电过程仅仅 取决于 载流子的流动；因而它又称作 器件。 9．场效应管属于 控制型器件，而双极型晶体管是 控制 型器件。 10．当温度升高时，双极性晶体管的β将 ，反向饱和电流 ICEO 将 ， 正向结压降 UBE 将 。 11．用万用表判断电路中某个晶体管的工作状态时，测出 最为方便。 12．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证 和 ； 在饱和区，应保证 和 ；在截止区，应保证 和 。 13 ．当温度 升高时 ，晶体管 的共射 输入特 性曲线将 ，输出特性曲线 将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。 解： 1. 化学成分纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 2. 杂质浓度，温度。 3. 少数载流子，(内)电场。 4. 单向导电性，正向导通压降 UF 和反向饱和电流 IS。 5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（UZ） ，稳定电流（IZmin ） ，最大管耗 （P Zmax） ，动态电阻（rZ） 。 6. 增大。 7. NPN，PNP，自由电子，空穴。 8. 结型，绝缘栅型，多子，单极型。 9. 电压，电流。 10. 变大，变大，变小。 11. 各管脚对地电压。 12. 发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。 13. 左移，上移，增大。
习题解答哈工大习题册
第13章-习题解答哈工大习题册(总11页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--209第13章 均匀传输线习题解答同轴电缆的参数为07/km R =Ω，00.3mH/km L =，600.510S/km G -=⨯，00.2μF/km C =。
试计算当工作频率为800Hz 时此电缆的特性阻抗c Z 、传播常数γ、相速p v 和波长λ。
解： 300j 7j28000.3107.160612.157R L ωπ-+=+⨯⨯⨯=∠︒km /Ω66600j 0.510j28000.2101005.311089.972G C ωπ---+=⨯+⨯⨯⨯=⨯∠︒S/km波阻抗c 84.39638.91Z ==∠-Ω传播常数j 0.0533j0.066 (1/km)γαβ=+=+ 波长2295.2km 0.066ππλβ===，相速95.280076163.5 km /s p v f λ==⨯= 设沿某电缆分布着电压和电流行波0.04414.1e cos(50000.046/6)x u t x π-=-+(单位：V, km, s) 0.0440.141e cos(50000.046/3)x i t x π-=-+(单位：A, km, s)试求波阻抗、传播常数、波速、波长。
解：传输线上电压和电流行波可表示如下：m m e cos()e cos()x u xi u U t x i I t x ααωβψωβψ--⎧=-+⎨=-+⎩波阻抗等于任一点处行波电压相量与同方向行波电流相量之比。
根据给定的电压和电流行波可得出：波阻抗 m c m 14.1/6100300.141/3u i U Z I ψπψπ∠∠===∠-︒Ω∠∠传播常数 j 0.044j0.046(1/km)γαβ=+=+波速5000108695.65 /0.046v km s ωβ===210波长108695.65136.59km 5000/2v f λπ=== 某无损线波阻抗为c 70Z =Ω，终端负载阻抗2(35j35)Z =+Ω。
哈工大模电 第五章习题册答案
KCMR |
Aud | 4.2 Auc
【5-5】分析图 5.12.4 中的电路，在三种可能的答案（a：增大；b：减小；c：不变）中选 择正确者填空， 设元件参数改变所引起的工作点改变不致于造成放大管处于截止或饱和状态。 1． 若电阻 Re 增大， 则差模电压放大倍数 ， 共模电压放大倍数 。 2． 若电阻 R 增大， 则差模电压放大倍数 ； 共模电压放大倍数 。 3．若两个 RC 增大同样的数量，则差模电压放大倍数 ；共模电压放大倍 数 。
2．输出电压波形出现了顶部失真。若原因是第一级的 Q 点不合适，第一级产生了截止 失真，可以通过减小 Rb12 或增加 Rb11 的方法消除；若原因是第二级 Q 点不合适，第二级产 生了饱和失真。可以通过增加 Rb2 的方法消除。 【5-4】在图 5.12.3 所示的差分放大电路中，已知两个对称晶体管的 β=50，rbe=1.2kΩ。 1．画出共模、差模半边电路的交流通路。 2．求差模电压放大倍数 Aud 。 3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比 KCMR。 解：
Au Au1 Au 2 ＝ －460.8
【5-7】在图 5.12.6 功放电路中，已知 VCC=12V，RL=8Ω。ui 为正弦电压，求： 1．在 UCES=0 的情况下，负载上可能得到的最大输出功率； 2．每个管子的管耗 PCM 至少应为多少？ 3．每个管子的耐压 U (BR)CEO 至少应为多少？ 解： 1. POmax=VCC2/2RL=9W； 2. PCM≥0.2Pomax=1.8W，| U＜BR＞CEO |≥2VCC=24V。
U o 1 Rc1 // Rb2 //[rbe2 (1 2 )( Re2 // RL )] (1 2 )( Re2 // RL ) Ui rbe1 (1 1 ) Re1 rbe2 (1 2 )( Re2 // RL ) ri Rb11 // Rb12 //[rbe1 (1 1 ) Re1 ] r Rc1 // Rb2 ro Re2 // be2 1 2
(完整版)哈工大(威海)模电习题册(二)答案
第二章 基本放大电路 ..................................................................................................... 1 第四章 集成运算放大电路 ............................................................................................. 8 第六章 放大电路中的反馈 ........................................................................................... 11 第八章 波形的发生和信号的转换 ............................................................................... 15 第十章 直流电源 .. (19)第二章 基本放大电路一． 已知图P2.10所示电路中晶体管的β ＝100，r b e =1k Ω。
（1）现已测得静态管压降U C E Q ＝6V ，估算R b 约为多少千欧；（2）若测得i U &和oU &的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少千欧？图P 2.10解：（1）求解R bΩ≈-====-=k 565μA20mA2BQBEQCC b CQBQ c CEQCC CQ I U V R I I R U V I β（2）求解R L ：Ω==+Ω=-=-=-=k 5.1 111k 1 100L Lc 'L be'L i o R R R R r R A U U A uu β&&二.在图P2.10所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。
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【2-1】 填空：1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。
两种载流子的浓度 。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
3．漂移电流是 在 作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。
5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。
它工作在 。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。
1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2. 杂质浓度，温度。
3. 少数载流子，(内)电场力。
4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。
5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ）6. 增大;【2-2】电路如图2.10.4所示，其中u i =20sinωt (mV)，f =1kHz ，试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。
假设电容C 容量足够大。
-+-+C R+k 5ΩV 6iu VD+-D u Di a)(图2.10.4 题2-5电路图1．静态分析静态，是指u i =0，这时u i 视作短路，C 对直流视作开路，其等效电路如图1.4.2(a)所示。
不妨设U D =0.6V则D D 6V (60.6)V1.08mA 5kU I R --===Ω 对于静态分析，也可以根据二极管的伏安特性曲线，用图解法求解。
2．动态分析对于交流信号，直流电源和电容C 视作短路；二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内，故可用动态电阻r d 等效，且D d D1ir u ∆=∆，由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。
二极管伏安特性方程：)1e (TD/S D -=U u I i (1.4.1)由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ，故式1.4.1可简化为：TD/S D e U u I i ≈TD D Dd d d 1U I u i r ≈=Ω==≈07.241.08mA26mVD T d I U r 所以d i d d d 0.02sin (V)0.83sin (mA)24.07()u u t i t r r ωω===≈Ω 3．交流和直流相叠加)(mA sin 83.008.1d D D t i I i ω+=+=)(V sin 02.06.0d D D t u U u ω+=+=4．u D 和i D 波形如图1.4.2(c)、(d)所示。
DI du 1U (a)(b)(c)i tI .tU .0(d)图1.4.2 例1.4.1 解图【2-3】分析图2.10.5所示电路的工作情况，图中I 为电流源，I =2mA 。
设20℃时二极管的正向电压降U D =660mV ，求在50℃时二极管的正向电压降。
该电路有何用途？电路中为什么要使用电流源？U D+图2.10.5 题2-6电路图解：该电路利用二极管的负温度系数，可以用于温度的测量。
其温度系数-2mV/℃。
20℃时二极管的正向电压降U D =660mV ，50℃时二极管的正向电压降 U D =660-（2⨯30）=600 mV因为二极管的正向电压降U D 是温度和正向电流的函数，所以应使用电流源以稳定电流，使二极管的正向电压降U D 仅仅是温度一个变量的函数。
【2-4】 在图2.10.7中，试求下列几种情况下输出端对地的电压U Y 及各元件中通过的电流。
（1）U A =10V ，U B =0V ；（2）U A =6V ，U B =5V ；（3）U A =U B=5V 。
设二极管为理想二极管。
U YVD U A U B图2.10.7 题2-8电路图解：（1）A VD 导通，B VD 截止 DB DA R 10V0,1mA (19)(k )I I I ====+ΩY R 9V U I R =⋅=（2）A VD 导通，B VD 截止 DB DA R 6V0,0.6mA 10k I I I ====ΩY R 5.4V U I R =⋅= （3）A VD B VD 均导通R 5V0.53mA 9.5k I =≈Ω R DA DB 0.26mA 2I I I =≈=Y R 4.74V U I R =⋅=【2-5】在图2.10.3电路中，U 1和U 2分别为大小合适的电源，U 1>0、U 2<0。
二极管D 1和D 2的正向导通电压为U D ，耐压为无穷大，且12D U U U ->。
请画出该电路的电压传输特性曲线，并写出A 点的电压表达式。
u iu o图2.10.3 题2-4电路图[解] 当输入电压很低时，i A u U <，D 1二极管反向截止，此过程中D 2二极管正向导通，计算可得：12DR1R212U U U i i R R --==+此时输出电压为 12Do 1112U U U u U R R R --=-+，定义此电压为U th 。
当1i th U u U >>时，二极管D 1和D 2均为导通状态，此时o i u u =，输出电压跟随输入电压变化；当i 1u U ≥时，二极管D 1导通，D 2截止，输出电压o 1u U =。
此题关键在于判断各二极管的工作状态，传输特性如图1.4.8所示。
i图1.4.8 例1.4.4解图【2-6】设硅稳压管VD z1和VD z2的稳定电压分别为5V 和10V ，正向压降均为0.7V 。
求2.10.9各电路的输出电压U O 。
VD Z1VD Z225VU O1k Ω( )b VD Z1VD Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a VD Z1VD Z225VU O1k ΩVD Z1VD Z225VU O 1k Ω图2.10.9 题2-10电路图解：图(a)15V; 图(b)1.4V; 图(c)5V; 图(d)0.7V.【2-7】有两个稳压管VD Z1和VD Z2，其稳定电压值分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到3V 的稳定电压，应如何连接？ 解：连接方法如图1-5。
D Z1D Z2U O1k ΩU I图1-5【3-1】 填空：1．双极型晶体管可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。
2．当温度升高时，双极性晶体管的β将 ，反向饱和电流I CEO 将 ，正向结压降U BE 将 。
3．当使用万用表判断电路中处于放大状态的某个双极型晶体管的类型与三个电极时，测出 最为方便。
4．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。
5．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为610u 10101000(1)(1)ff fjA j j =++ 式中f 单位为Hz 。
表明其下限频率为 ；上限频率为 ；中频电压增益为dB ，输出电压与输入电压中频段的相位差为 。
6．幅度失真和相位失真统称为 失真，它属于 失真。
在出现这类失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 波；若u i 为非正弦波，则u o 与u i 的频率成分 。
7．饱和失真、截止失真都属于 失真。
在出现这类失真时，若u i 为正弦波，则u o 为 波，u o 与u i 的频率成分 。
1. NPN 、PNP 、自由电子、空穴 2. 变大、变大、变小 3. 三个电极对地电位 4. 左移、上移、变大5. 10Hz 、106Hz 、60dB 、180°6. 幅频、线性、正弦波、相同7. 非线性、非正弦波、不同【3-2】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电位如图3.11.2所示，试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)？+6V+12V---图3.11.2 题3-2电路图解：晶体管从左到右，工作状态依次为放大、饱和、截止、放大。
【3-3】分别画出图3.11.4所示各电路的直流通路和交流通路。
()a()b图3.11.4 题3-3电路图解：直流通路CCRR( )a( )b( )cDDRRCCRR交流通路( )a( )b( )c 【3-4】放大电路如图3.11.5(a)所示，晶体管的输出特性曲线以及放大电路的交、直流负载线如图3.11.5 (b)所示。
设BE0.6VU=，bb300r'=Ω，试问：1．计算bR、cR、LR；2．若不断加大输入正弦波电压的幅值，该电路先出现截止失真还是饱和失真？刚出现失真时，输出电压的峰峰值为多大？3．计算放大电路的输入电阻、电压放大倍数A u和输出电阻。
4．若电路中其他参数不变，只将晶体管换一个β值小一半的管子，这时BQI、CQI、CEQU以及uA将如何变化？i(a) (b)图3.11.5 题3-4电路图[解]1．由图(b)可知I BQ =40μA 、I CQ =2m A 、U CEQ =5V 、V CC =10V ，所以CC BE b 6BQ 100.6235k 4010V U R I ---===Ω⨯ Ω=⨯=-=-k 5.210253CQCEQCC c I U V R 由交流负载线的概念可知，其斜率为-L1R '，而分析可知图中交流负载线的斜率为 2mA 13V 1.5k K =-=-Ω对比可知L1.5k R '=Ω,根据L c L //R R R '=可得 L 3.75k R =Ω2.由交流负载线可知,输出最大不失真幅度是正半周的8V-5V=3V ;负半周的5-U CES ≈5V ，取二者中较小者为3V 。
所以若出现失真，应先出现截止失真；刚出现失真时，输出电压的峰峰值为6V 。
3．求晶体管的β：CQ BQ2mA5040μAI I β=== 该晶体管的r be 为be bb EQ 26mV 26(1)300519632r r I β'=++=+⨯=Ω 输入电阻为i b be //235k //0.963k 959R R r ==ΩΩ=Ω输出电阻为o C 2.5k R R ==Ω放大倍数为L u be50 1.5780.963R A r β'⨯=-=-≈- 4．BQ I 基本不变；CQ I 减小50%；CEQ U 增加； 根据公式LLL L u bb bb bb EQBQBQBQ26262626(1)(1)(1)R R R R A r r r I I I I βββββββ'''''''===≈++++++当β值减小时，电压增益的分子减小，但分母基本不变，故电压增益的绝对值下降。
【3-5】 在如图3.5所示的基本放大电路中，设晶体管的β=100，U BEQ =-0.2V ，r bb ′=200Ω，C 1，C 2足够大。