内存型号说明
如何看懂内存条上的型号
如何看懂内存条上的型号参数内存条都是以（厂家名）（容量）（容量系数）（类型）（速度）的形式来表示的。
中间可能夹着电压（3.3/5V）特殊标识在里面。
要知道它是什麽内存，只要从“-”标记往前数，第一个数字就是内存类型标识，0是普通FP，单数是EDO，双数是SDRAM。
以？？064v160j10-10？？为例。
? ?就是厂家；64=64Mbit容量（是bit，不是Byte）；v表示3.3V的内存；16是跟容量相关的系数。
表示这块小芯片的位数是16，所以64位总线的Pentium机至少要用4片这样的小芯片才能构成可用的SIMM内存条。
这时候这条由4片小芯片构成的SIMM内存条容量是64bit*4/8=32MB（也就是我们所说的32M一条的内存）。
如果SIMM内存条上有16片这样的小芯片，就是128M一条的内存条。
另一方面，如果SIMM内存条上只有2片这样的小芯片，就必须两条SIMM 内存条同时使用才能满足总线宽度。
16bit*2片*两条=64bit（总线宽度）。
而32bit总线的486，只要有两片这样的小芯片就可以构成完整可用的SIMM 内存组了。
这时候SIMM的容量是64bit*2/8=16MB。
0j是厂家的内部标识，没有固定的判别方法。
10是双数，所以这是一条SDRAM。
再举一个实例：我的一条内存上印着HY57V168010ATC-10。
HY是指由韩国现代生产；V是表示3.3V工作电压；16表示容量是16Mbit；8表示小芯片是16/8=2M*8bit；10表示是SDRAM；-10表示速度为10ns；57和ATC都是厂家的内部标识，通常包括内存的封装方式、内存刷新时块的大小等等。
据此，大家可以算出：如果SIMM条上只有4片这样的小芯片，就只有8bit*4=32bit宽度，486上可以单用一条，容量是16Mbit*4/8=8MB；而586上必须用两条，容量是16Mbit*8/8=16MB；如果SIMM条上有16片这样的小芯片，就是一条可以在586上单用的32M条。
内存型号说明
具体含义解释
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。
第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
三星的编号还有第16、17、18三位，这三位编号并不常见，一般用于OEM与特殊的领域，因而在此就不介绍了。
容量计算
看如何识别电脑内存条型号
看如何识别电脑内存条型号电脑内存条是计算机中非常重要的组件之一，它对于计算机的运行速度和性能起着至关重要的作用。
然而，对于一些非专业人士来说，识别电脑内存条的型号可能并不容易。
本文将介绍一些简单的方法和技巧，帮助大家快速准确地识别电脑内存条的型号。
一、通过物理检查识别型号通过物理检查来识别电脑内存条的型号是最常见也是最直接的方法之一。
下面将介绍几种常见的物理检查方法：1. 查看标签大多数内存条上都会有一个标签，上面会标明内存品牌、型号和容量等信息。
通常情况下，这些信息都可以帮助识别内存条的型号。
用户只需打开电脑机箱，仔细观察内存条上的标签，就能够找到所需的信息。
2. 查看序列号有些内存条上可能没有明确的型号标签，但会有一个唯一的序列号。
用户可以通过将序列号输入到内存厂商的官方网站上，来获取该内存条的型号等详细信息。
3. 查看物理外观不同型号的内存条往往在外观上有所不同。
例如，DDR2和DDR3内存条的物理外观就有显著的区别。
通过比对内存条的外观和参考资料，用户也可以初步获得内存条的型号信息。
二、通过软件识别型号除了通过物理检查来识别内存条型号外，还可以通过一些软件工具来获取内存条的相关信息。
下面将介绍两种常用的软件工具。
1. CPU-ZCPU-Z是一款免费的软件工具，可以提供详细的硬件信息，包括内存条的品牌、型号、频率和容量等。
用户只需下载并安装CPU-Z，然后打开该软件，选择“Memory”选项卡，就可以查看到内存条的详细信息。
2. HWiNFOHWiNFO是一款功能强大的硬件信息检测工具，可以提供详细的硬件报告。
用户只需要将软件下载并安装后，打开软件，选择“Memory”选项，即可查看到内存条的型号、频率等详细信息。
三、通过官方网站查询型号信息如果上述方法都不能准确识别内存条的型号，用户也可以通过内存厂商的官方网站来查询相关信息。
大多数内存厂商都会在其官方网站上提供产品型号、规格和用户手册等详细信息。
如何看内存条型号(容量)
金士顿1.KVR代表kingston value RAM2.外频速度单位：兆赫3.一般为X4.64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是效劳器内存6.一般为C C3：CAS=3；C2.5：CAS=2.5；C2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验CAS=2.5256M内存HY〔现代HYNIX〕现代是韩国著名的内存消费厂，其产品在国内的占用量也很大.HY的编码规那么：HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代.2、一般是57，代表SDRAM.3、工艺：空白那么是5V, V是3V, U是2.5V.4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新.5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白那么为普通，L为低功耗.10、封装：一般为TC〔TSOP〕11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS〔CL2&3〕，10S：10NS，〔PC100，CL3〕，10：10NS，12：12NS，15：15NSLGS(LG Semicon)LGS的内存编码规那么：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司.2、72代表SDRAM.3、V代表3V电压.4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F.9、功耗：空白那么是普通，L是低功10、封装形式：一般为T〔TSOP〕11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS〔CL2〕，7J〔10NS，CL2&3〕，10K〔10NS[一说15NS]，PC66〕，12〔12NS，83HZ〕，15〔15NS，66HZ〕SEC〔三星SAMSUNG〕做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.SEC编码规那么：KM4 XX S XX 0 X X XT－XX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、I／O界面：一般为08、版本号9、封装形式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS〔CL2&3〕，L：10NS〔CL3〕，10：10NS.Micron〔美光〕以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规那么.含义：MT——Micron的厂商名称.48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M〔地址〕×8位数据宽度.A2——内存内核版本号.TG——封装方式，TG即TSOP封装.-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB〔兆字节〕.Winbond〔华邦〕含义说明：WXXXXXXXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond消费2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZMosel〔台湾茂矽〕台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5nsNANY A〔南亚〕、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S〞表示是SDRAM 显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.Kingmax(胜创)Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量进步三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热途径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3〔有些能上CL=2〕的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：局部是-8的〔例如编号KSV884T4A0-08〕，局部是-7的〔例如编号KSV884T4A0-07〕.Geil(金邦、原樵风金条)金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝〞五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133效劳器系统，合适双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32其中GL2000代表芯片类型GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族〔6=SDRAM〕；16M8是设备号码〔深度*宽度，内存芯片容量= 内存基粒容量* 基粒数目= 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB〕；4表示版本；TG是封装代码〔DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP 〔第二代〕，U=μBGA〕；-7是存取时间〔7=7ns〔143MHz〕〕；AMIR是内部标识号.MT〔MICRON美凯龙〕美凯龙是美国著名的计算机消费商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品出名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.MT48 XX XX M XX AX TG－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM.3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量.5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr)，A2那么代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装形式.9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS〔其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322，222，222，所以D和E较好〕，10：10NS10、如有L那么为低功耗，空白那么为普通.HITACHI〔日立HITACHI〕日立是日本的著名的微电子消费厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT－XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立.2、52代表SDRAM，51那么为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A－F7、功耗：L为低耗，空白那么为普通8、TT为TSOP封装形式9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS〔CL2&3〕，B60：10NS〔CL3〕SIEMENS〔西门子〕西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一〔另一是PHILIPS〕.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错. HYB39S XX XX 0 X T X －X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS〔CL2〕，8B：10NS〔CL3〕，10：10NS FUJITSU〔富士通FUJITSU〕富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供给OEM商，市场上仅有少量零售产品.MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS〔CL2&3〕，103：10NS〔CL3〕，100：10NS，84：12NS，67：15NSTOSHIBA〔东芝〕东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.TC59S XX XX X FT X－XX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：A－B6、FT为TSOP封装形式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS〔CL3〕MITSUBISHI〔三菱〕三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化开展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供给商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见. M2 V XX S X 0 X TP－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、M2代表三菱产品2、I／O界面.一般为V3、容量4、一般为S，说明是SDRAM5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位6、一般为07、产品系列8、TP代表TSOP封装9、速度：8A：8NS，7：10NS〔CL2&3〕，8：10NS〔CL3〕，10：10NS.10、空白为普通，L为低耗.。
快速认识内存型号教案
快速认识内存型号教案教案标题：快速认识内存型号教学目标：1. 学生能够理解内存的基本概念和作用。
2. 学生能够区分和识别不同类型的内存。
3. 学生能够了解内存型号的命名规则和特点。
4. 学生能够应用所学知识，选择适合的内存型号。
教学重点：1. 内存的基本概念和作用。
2. 不同类型的内存。
3. 内存型号的命名规则和特点。
教学准备：1. 讲义和PPT。
2. 内存模型的实物或图片。
3. 案例分析和练习题。
教学过程：引入：1. 创设情境，引起学生对内存的兴趣。
例如，展示一个计算机启动时内存的快速读取过程的视频。
2. 提出问题，激发学生思考。
例如，你知道计算机的内存有哪些不同的类型吗？探究：1. 介绍内存的基本概念和作用。
解释内存是计算机用来存储数据和指令的地方，类比人的大脑存储信息的功能。
2. 分类内存的不同类型，例如RAM（随机访问存储器）和ROM（只读存储器）。
3. 分析不同类型内存的特点和用途。
例如，RAM适合临时存储数据，而ROM用于存储固定的程序和数据。
4. 介绍内存型号的命名规则和特点。
解释内存型号通常由字母和数字组成，数字表示容量和速度，字母表示代表品牌或制造商。
实践：1. 分发案例分析和练习题，让学生运用所学知识，识别和选择适合的内存型号。
2. 引导学生观察内存模型的实物或图片，让他们尝试识别出型号和容量。
3. 组织小组讨论，让学生分享自己对内存型号的理解和应用。
总结：1. 总结内存的基本概念和作用。
2. 强调内存型号的命名规则和特点。
3. 激发学生对内存的进一步学习兴趣。
拓展：1. 鼓励学生自主学习更多关于内存型号的知识，包括新型号的出现和发展趋势。
2. 提供相关网站和资源，供学生进一步研究和了解。
评估：1. 通过案例分析和练习题，检查学生对内存型号的识别和选择能力。
2. 观察小组讨论和学生的参与程度，评估他们对内存概念和特点的理解程度。
教学反思：1. 检查学生在引入环节的兴趣引起程度，是否能够激发学生的学习兴趣。
G.SKILL DDR3内存型号参考清单说明书
G.SKILL F3-3000C12Q-16GTXDG16GB (4 x 4GB )SS--- 1.65V●●●G.SKILL F3-2933C12D-8GTXDG8GB (2 x 4GB )SS--12-14-14-35 1.65V●●G.SKILL F3-2933C12Q-16GTXDG16GB (4 x 4GB )SS--12-14-14-35 1.65V●●●G.SKILL F3-2800C11Q-16GTXD(XMP)16GB(4GBx4)DS--11-13-13-35 1.65V●●CORSAIR CMD16GX3M4A2666C11 (XMP)4GB DS--11-13-13-35 1.65V●●●G.SKILL F3-2666C11Q-16GTXD(XMP)16GB(4GBx4)DS--11-13-13-35 1.65V●●●Team TXD34G2666HC11CBK8GB ( 2x 4GB )SS--11-13-13-35 1.65V●●●Team TXD38G2666HC11CBK16GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●G.SKILL F3-2600CL10Q-16GBZMD(XMP)16GB(4x 4GB)DS--10-12-12-31 1.65V●●G.SKILL F3-2600CL11Q-32GBZHD(XMP)32GB(8GBX4)DS--11-13-13-35 1.65V●●ADATA AX3U2600GW8G1116GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●CORSAIR CMGTX8(XMP)8GB (2GBx 4)SS--10-12-10-27 1.65V●●G.SKILL F3-2400C10D-8GTX(XMP)8GB(2x 4GB)SS--10-12-12-31 1.65V●●●G.SKILL F3-19200CL11Q-16GBZHD(XMP1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--11-11-11-31 1.65V●●G.SKILL F3-19200CL 10Q-32GBZHD(XMP)8GB DS--10-12-12-31 1.65V●●●KINGMAX FLLE88F-C8KKAA HAIS(XMP)2GB SS--10-11-10-30 1.8V●●●KINGSTON KHX24C11T2K2/8X(XMP)4GB DS--- 1.65V●●●ADATA AX3U2400GW8G1116GB ( 2x 8GB )DS--11-13-13-35 1.65V●●ADATA AX3U2400G4G10-DG2(XMP)4GB DS--10-12-12-31 1.65V●●Team TXD38G2400HC10QBK8GB DS--10-12-12-31 1.65V●●●KINGSTON KHX2250C9D3T1K2/4GX(XMP)4GB ( 2x 2GB )DS--- 1.65V●●●GEIL GET34GB2200C9DC(XMP)2GB DS--9-10-9-28 1.65V●●GEIL GET38GB2200C9ADC(XMP)4GB DS--9-11-9-28 1.65V●●KINGMAX FLKE85F-B8KJAA-FEIS(XMP)2GB DS--- 1.5V●●CORSAIR CMT16GX3M4X2133C9(XMP 1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--9-11-10-27 1.50V●●●CORSAIR CMT4GX3M2A2133C9(XMP)4GB(2x 2GB)DS--9-10-9-24 1.65V●●●CORSAIR CMT4GX3M2B2133C9(XMP)4GB(2x 2GB)DS--9-10-9-27 1.50V●CORSAIR CMT8GX3M2B2133C9(XMP)8GB ( 4GB x 2)DS--9-11-9-27 1.50V●●●G.SKILL F3-17000CL9Q-16GBZH(XMP1.3)16GB ( 4GB x4 )DS--9-11-10-28 1.65V●●●G.SKILL F3-17000CL11Q2-64GBZLD(XMP)8GB DS--11-11-11-31 1.5V●●●G.SKILL F3-2133C11Q-32GZL(XMP)8GB DS--11-11-11-31 1.5V●●●GEIL GE34GB2133C9DC(XMP)2GB DS--9-9-9-28 1.65V●●GEIL GU34GB2133C9DC(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-28 1.65V●●KINGSTON 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Micron9KF27D9KPT9-●●●Crucial BL25664BN1337.16FF (XMP)6GB(3 x 2GB)DS--7-7-7-24 1.65V●●●ELPIDA EBJ21UE8EDF0-DJ-F2GB DS ELPIDA J1108EDSE-DJ-F- 1.35V(low voltage)●●●G.SKILL F3-10666CL8D-4GBECO(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--8-8-8-8-24XMP 1.35V●●●G.SKILL F3-10666CL7T-6GBPK(XMP)6GB(3 x 2GB)DS--7-7-7-18 1.5~1.6V●G.SKILL F3-10666CL7D-8GBRH(XMP)8GB(2 x 4GB)DS--7-7-7-21 1.5V●●●GEIL GG34GB1333C9DC4GB(2 x 2GB)DS GEIL GL1L128M88BA12N9-9-9-24 1.3V(low voltage)●●●GEIL GV34GB1333C9DC4GB(2 x 2GB)DS--9-9-9-24 1.5V●●●GEIL GVP34GB1333C7DC4GB(2 x 2GB)DS--7-7-7-24 1.5V●●●Hynix HMT325U6BFR8C-H92GB SS Hynix H5TQ2G83BFRH9C--●●●Hynix HMT125U6TFR8A-H92GB DS Hynix H5TC1G83TFRH9A- 1.35V(low voltage)●●●Hynix HMT351U6BFR8C-H94GB DS Hynix H5TQ2G83BFRH9C--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KF9 CAES2GB SS KINGMAX KFC8FMFXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KL9 NAES2GB SS KINGMAX KFC8FNLXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFE85F-C8KM9 NAES2GB SS KINGMAX KFC8FNMXF-BXX-15A--●●KINGMAX FLFE85F-B8KL9 NEES2GB DS KINGMAX KKB8FNWBFGNX-26A--●●●KINGMAX FLFF65F-C8KL9 NEES4GB DS KINGMAX KFC8FNLXF-DXX-15A--●●●KINGMAX FLFF65F-C8KM9 NEES4GB DS KINGMAX KFC8FNMXF-BXX-15A--●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G(矮版)2GB SS Hynix H5TQ2G83AFRH9C9-●●●KINGSTON KVR1333D3S8N9/2G2GB SS Micron IID77 D9LGK- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3S8N9/2G-SP(矮版)2GB SS ELPIDA J2108BCSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G(矮版)2GB DS ELPIDA J1108BFBG-DJ-F9 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G-SP(矮版)2GB DS KTC D1288JEMFNGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/2G-SP(矮版)2GB DS KINGSTON D1288JPSFPGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KHX1333C7D3K2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--7 1.65V●●●KINGSTON KHX1333C9D3UK2/4GX(XMP)4GB(2 x 2GB)DS--9XMP 1.25V●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G(矮版)4GB DS ELPIDA J2108BCSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G4GB DS KTC D2568JENCNGD9U- 1.5V●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G4GB DS Hynix H5TQ2G83AFR--●●●KINGSTON KVR1333D3N9/4G-SP(矮版)4GB DS KINGSTON D2568JENCPGD9U- 1.5V●●●Micron MT8JTF25664AZ-1G4D12GB SS Micron OJD12D9LGK--●●●Micron MT8JTF25664AZ-1G4M12GB SS MICRON IJM22 D9PFJ--●●●Micron MT16JTF51264AZ-1G4D14GB DS Micron OLD22D9LGK--●●●NANYA NT4GC64B8HG0NF-CG4GB DS NANYA NT5CB256M8GN-CG--●●●PSC AL8F8G73F-DJ22GB DS PSC A3P1GF3FGF--●●●SAMSUNG M378B5773DH0-CH92GB SS SAMSUNG K4B2G0846D--●●●SAMSUNG M378B5673FH0-CH92GB DS SAMSUNG K4B1G0846F--●●●SAMSUNG M378B5273CH0-CH94GB DS SAMSUNG K4B2G0846C--●●●SAMSUNG M378B1G73AH0-CH98GB DS SAMSUNG K4B4G0846A-HCH9--●●Super Talent W1333UB2GS2GB DS SAMSUNG K4B1G0846F9-●●●Super Talent W1333UB4GS4GB DS SAMSUNG K4B2G0846C--●●●Super Talent W1333UX6GM6GB(3x 2GB)DS Micron0BF27D9KPT9-9-9-24 1.5V●●●Transcend JM1333KLN-2G2GB SS HYNIX H5TQ2G83BZRH9C--●●●Transcend8G DDR3 1333 DIMM CL98GB DS Transcend E207X8BO643Y--●●Transcend8G DDR3 1333 DIMM CL98GB DS-N/A--●●●KINGSTEK KSTD3PC-106002GB SS MICRON PE911-125E--●●●TEAM TED34G1333HC9BK4GB DS--9-9-9-24-●●TEAM TED38G1333HC9BK8GB DS--9-9-9-24-●●●Crucial CT25664BA1067.16FF2GB DS Micron9HF22D9KPT7-●●●ELPIDA EBJ21UE8EDF0-AE-F2GB DS ELPIDA J1108EDSE-DJ-F- 1.35V(low voltage)●●●KINGSTON KVR1066D3N7/2G2GB DS ELPIDA J1108BFSE-DJ-F- 1.5V●●●KINGSTON KVR1066D3N7/4G4GB DS Hynix H5TQ2G83AFR7 1.5V●●●4 DIMM Slots• 1 DIMM: Supports one module inserted in any slot as Single-channel memory configuration• 2 DIMM: Supports one pair of modules inserted into eithor the yellow slots or the dark brown slots as one pair of Dual-channel memory configuration• 4 DIMM: Supports 4 modules inserted into both the yellow and dark brown slots as two pairs of Dual-channel memory configuration-When installing total memory of 4GB capacity or more, Windows 32-bit operation system may only recognize less than 3GB. Hence, a total installed memory of less than 3GB is recommended.-It is recommended to install the memory modules from the yellow slots for better overclocking capability.-The default DIMM frequency depends on its Serial Presence Detect (SPD), which is the standard way of accessing information from a memory module.Under the default state, some memory modules for overclocking may operate at a lower frequency than the vendor-marked value.。
从内存条芯片编号看内存条的大小
从内存条芯片编号看内存条的大小(2009-11-22 08:12:39)转载▼标签：刷新速度tsop封装字段ddr266台湾itSDRAM 内存芯片的新编号HY XX X XX XX X X XX X X X-XX XA B C D E F G H I J K L MA字段由HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。
57代表SDRAM内存。
C字段表示工作电压。
V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、VDDQ电压为3.0v；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V/ D字段表示密度与刷新速度。
16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度(TCSR)、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。
E字段表示内存结构。
4代表x4；8代表x8；16代表x16 ;32代表x32。
F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。
1代表2Bank；2代表4Bank。
G字段表示电气接口。
0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
H字段表示内存芯片的修正版本。
空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。
I字段表示功率消耗能力。
空白代表正常功耗；L代表代功耗；S代表超代功耗。
J字段表示内存芯片的封装方式。
内存芯片型号
内存芯片型号内存芯片是一种常见的集成电路芯片，用于存储和处理计算机数据。
在计算机系统中，内存芯片承担着临时存储和快速数据访问的功能，是计算机运行和数据传输的重要组成部分。
下面是一些常见的内存芯片型号的详细介绍：1. DDR3：DDR3是一种双数据速率3的SDRAM（同步动态随机存取存储器），在2007年首次推出。
DDR3内存芯片具有高带宽和低功耗的优点，广泛应用于个人电脑、工作站和服务器等计算设备。
2. DDR4：DDR4是DDR3的后继产品，在2014年发布。
DDR4内存芯片相比于DDR3芯片在带宽和能效方面有所提升，能够提供更快的数据传输速度和更低的功耗，适用于高性能计算和数据中心等领域。
3. LPDDR4：LPDDR4（低功耗高速动态随机存取存储器4）是一种专门用于移动设备的内存芯片。
相比于DDR4，LPDDR4芯片功耗更低，且具有更高的数据传输速度和更高的带宽，适合于手机、平板电脑和笔记本电脑等便携设备。
4. XDR：XDR（eXtreme Data Rate）内存芯片是由Rambus公司开发的一种高端内存技术。
XDR芯片在带宽和时钟速度上相比于其他内存技术有很大提升，适用于高性能计算和高要求多媒体应用等领域。
5. HBM：HBM（高带宽内存）是一种先进的堆叠式内存技术，提供了优异的带宽和能效。
HBM芯片具有多个独立的内存层次，可以实现大容量的数据存储和高速数据传输，广泛应用于显卡、服务器和人工智能等领域。
6. SLC NAND：SLC NAND（单层单元闪存）是一种高性能、高可靠性的闪存存储技术。
SLC NAND芯片以单层存储单元来存储数据，速度快、寿命长，适用于需要高速读写和长时间数据保持的应用，如车载导航、工业控制等。
总结起来，以上是一些常见的内存芯片型号。
每种型号的内存芯片都有其特定的优点和应用领域，根据不同的需求和预算，选择适合的内存芯片可以提升计算机系统的性能和稳定性。
如何看内存条型号(容量)
金士顿1.KVR代表kingston value RAM2.外频速度单位：兆赫3.一般为X4. 64为没有ECC；72代表有ECC5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存6. 一般为C C3：CAS=3；C2.5：CAS=2.5；C2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256这条内存就是.金士顿ValueRAM外频400MHZ不带有ECC校验CAS=2.5256M内存HY（现代HYNIX）现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大.HY的编码规则：HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代.2、一般是57，代表SDRAM.3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V.4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新.5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、I／O界面：一般为08、产品线：从A－D系列9、功率：空白则为普通，L为低功耗.10、封装：一般为TC（TSOP）11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12：12NS，15：15NSLGS(LG Semicon)LGS的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司.2、72代表SDRAM.3、V代表3V电压.4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64：64M，16K刷新.65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新.5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、I／O界面：一般为18、产品系列：从A至F.9、功耗：空白则是普通，L是低功10、封装模式：一般为T（TSOP）11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[一说15NS]，PC66），12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）SEC（三星SAMSUNG）做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品.三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考.SEC编码规则：KM4 XX S XX 0 X X XT－XX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4.2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位.3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量.5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、I／O界面：一般为08、版本号9、封装模式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS.Micron（美光）以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.含义：MT——Micron的厂商名称.48——内存的类型.48代表SDRAM；46代表DDR.LC——供电电压.LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V.16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度.A2——内存内核版本号.TG——封装方式，TG即TSOP封装.-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz.实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）.Winbond（华邦）含义说明：WXXXXXXXX123451、W代表内存颗粒是由Winbond生产2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZMosel（台湾茂矽）台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5nsNANY A（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM 显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns.Kingmax(胜创)Kingmax内存采用TinyBGA的封装方式，所以芯片大小是TSOP封装内存的三分之一.在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积更小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性.Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种.其中PC150内存实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本.KINGMAX PC150内存最后两位编号为-6，PC-133内存最后两位编号为-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）.Geil(金邦、原樵风金条)金邦金条分为“金、红、绿、银、蓝”五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板.其中：红色金条是PC133内存；金色金条针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存.金邦内存芯片编号：GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32其中GL2000代表芯片类型GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量= 内存基粒容量* 基粒数目= 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP （第二代），U=μBGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号.以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP II封装，0.2微米3.3V，Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度.MT（MICRON美凯龙）美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用.美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高.MT48 XX XX M XX AX TG－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM.3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量.5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装模式.9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322，222，222，所以D和E较好），10：10NS10、如有L则为低功耗，空白则为普通.HITACHI（日立HITACHI）日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT－XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立.2、52代表SDRAM，51则为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：A－F7、功耗：L为低耗，空白则为普通8、TT为TSOP封装模式9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）SIEMENS（西门子）西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）.西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错. HYB39S XX XX 0 X T X －X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS FUJITSU（富士通FUJITSU）富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品.MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84：12NS，67：15NSTOSHIBA（东芝）东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等.TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多.TC59S XX XX X FT X－XX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：A－B6、FT为TSOP封装模式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）MITSUBISHI（三菱）三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商.普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见. M2 V XX S X 0 X TP－XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、M2代表三菱产品2、I／O界面.一般为V3、容量4、一般为S，说明是SDRAM5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位6、一般为07、产品系列8、TP代表TSOP封装9、速度：8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS.10、空白为普通，L为低耗.。
内存条的几种大小型号识别
我们在攒电脑的时候一般只是注意内存的容量和内存的性能指标，例如DDR266 DDR333之类的。
但是你知道吗，同样的内存根据他的品牌，出厂时间以及批号不同，它具有着不同的性能和稳定性，本文将着重和您探讨不同品牌内存之间的性能和稳定性的差异以及同品牌但批号不同的内存的性能差异。
另外，本文还将重点涉及内存的制假和售假的方法。
将向您彻底揭露正品内存和深圳“油条”的鉴别方法。
(什么是油条？这里不卖豆浆，下文中将相信向您讲授油条的做法)鉴于SDRAM已经走到了生命的尽头，即将完全脱出市场，RDRAM应用不广DDRII内存还未量产。
所以本文将只涉及市场主流的DDR内存。
我们先来说一下内存的基本知识，归纳成一句话就是：什么是内存？内存就是随机存贮器（Random Access Memory，简称为RAM）。
RAM分成两大类：静态随机存储器，即Static RAM（SRAM）和动态随机存储器，Dynamic RAM（DRAM），我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。
SRAM是一种重要的内存，它的用途广泛，被应用在各个领域。
SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。
SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，为了实现这种结构，SRAM的电路结构非常复杂，往往要采用大量的晶体管来构造寄存器以保留数据。
采用大量的晶体管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面积，无形中增加了制造成本。
制造相同容量的SRAM比DRAM的成本贵许多，因此，SRAM在PC平台上就只能用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。
而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。
由于SRAM的成本昂贵，其发展受到了严重的限制，目前仅有少量的网络服务器以及路由器上使用了SRAM。
DRAM的应用比SRAM要广泛多了。
DRAM的结构较SRAM要简单许多，它的内部仅仅由一个MOS管和一个电容组成，因此，无论是集成度、生产成本以及体积，DRAM都比SRAM具有优势。
DDR2百度百科解析说明
DDR2 百度百科解析说明DDR2内存的频率目录DDR2了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。
也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。
举例来说，DDR 400和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。
实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
封装和发热量DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，属龙的和什么属相最配，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR 的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。
这也就是DDR 的核心频率很难突破275MHZ的原因。
而DDR2内存均采用FBGA封装形式。
不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
双通道内存的搭建需要INTEL芯片组的支持，内存的CAS延迟、容量需要相同。
不过，INTEL的弹性双通道的出现使双通道的形成条件更加宽松，不同容量的内存甚至都能组建双通道除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
电脑硬件升级指南如何选择合适的内存条
电脑硬件升级指南如何选择合适的内存条电脑硬件升级指南：如何选择合适的内存条随着科技的快速发展，电脑已经成为我们生活中必不可少的工具之一。
然而，随着时间的推移，电脑的性能可能变得越来越缓慢，甚至无法满足我们的需求。
在这种情况下，升级电脑硬件，特别是内存条，是提升电脑性能的关键步骤之一。
本文将为您提供一份电脑硬件升级指南，帮助您选择合适的内存条。
1.了解内存条的类型在选择内存条之前，首先要了解不同类型的内存条。
目前市面上常见的内存条类型有DDR2、DDR3和DDR4。
每个类型都有不同的规格和特点。
此外，根据您的电脑型号和主板的兼容性，您需选取合适的内存条类型。
通常，在购买内存条时可以查看电脑产品说明书或者咨询专业人士，以确保选购的内存条类型与电脑兼容。
2.确定内存条的容量内存条的容量决定了电脑可以同时处理的数据量。
更大的内存容量通常能提供更好的性能和更高的运行速度。
然而，在选择容量时需根据个人需求和预算进行平衡。
对于正常办公和日常使用，一般8GB到16GB的内存容量已经足够。
而如果您从事专业的设计、视频编辑或者游戏等高性能需求的工作，可能需要选择更大的容量，如32GB甚至64GB内存条。
3.考虑内存条的频率内存条的频率也是一个重要的考虑因素。
内存条的频率表示内存芯片每秒钟处理数据的速度。
较高的频率通常意味着更快的数据传输速度和更好的性能。
然而，需要注意的是，内存条的频率应与电脑主板和其他硬件的兼容性相匹配。
如果选择了超过主板支持的频率，内存条将以主板支持的最高频率运行，从而浪费了购买高频率内存条的成本。
4.核对内存条的时序内存条的时序是指内存芯片响应请求的速度和延迟。
常见的时序数值有CL14、CL16和CL18等。
数值越小，响应速度越快。
时序对内存性能有重要影响，因此需要根据个人需求和预算做出权衡。
如果预算充足，并且对性能有较高要求，可以选择具有较低时序数值的内存条。
5.购买正版产品并注意品牌可靠性购买正版产品可以保证内存条的质量和性能。
内存条的几种大小型号识别
我们在攒电脑的时候一般只是注意内存的容量和内存的性能指标，例如DDR266 DDR333之类的。
但是你知道吗，同样的内存根据他的品牌，出厂时间以及批号不同，它具有着不同的性能和稳定性，本文将着重和您探讨不同品牌内存之间的性能和稳定性的差异以及同品牌但批号不同的内存的性能差异。
另外，本文还将重点涉及内存的制假和售假的方法。
将向您彻底揭露正品内存和深圳“油条”的鉴别方法。
(什么是油条？这里不卖豆浆，下文中将相信向您讲授油条的做法)鉴于SDRAM已经走到了生命的尽头，即将完全脱出市场，RDRAM应用不广DDRII内存还未量产。
所以本文将只涉及市场主流的DDR内存。
我们先来说一下内存的基本知识，归纳成一句话就是：什么是内存？内存就是随机存贮器（Random Access Memory，简称为RAM）。
RAM分成两大类：静态随机存储器，即Static RAM（SRAM）和动态随机存储器，Dynamic RAM（DRAM），我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。
SRAM是一种重要的内存，它的用途广泛，被应用在各个领域。
SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。
SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，为了实现这种结构，SRAM的电路结构非常复杂，往往要采用大量的晶体管来构造寄存器以保留数据。
采用大量的晶体管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面积，无形中增加了制造成本。
制造相同容量的SRAM比DRAM的成本贵许多，因此，SRAM在PC平台上就只能用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。
而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。
由于SRAM的成本昂贵，其发展受到了严重的限制，目前仅有少量的网络服务器以及路由器上使用了SRAM。
DRAM的应用比SRAM要广泛多了。
DRAM的结构较SRAM要简单许多，它的内部仅仅由一个MOS管和一个电容组成，因此，无论是集成度、生产成本以及体积，DRAM都比SRAM具有优势。
内存芯片型号
三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
内存条编号意义--怎么看内存条型号大小
内存条编号意义--怎么看内存条型号大小A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。
B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。
第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。
如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。
C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。
由1-3位字母和数字共同组成。
其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。
其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B （133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。
D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。
具体详细内容如图二所示。
D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写第1部分代表该颗粒的生产企业。
“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。
第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。
第3部分代表工作电压，由一个字母组成。
其中含义为V代表VDD=3.3V &VDDQ=2.5V；U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。
第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。
Samsung-NAND-FLASH命名规则
三星的pure nand flash〔就是不带其他模块只是nand flash存储芯片〕的命名规那么如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density〔注：实际单位应该是bit，而不是Byte〕12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)S : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8〔即I/O是8位〕，大小是2GB〔16Gb〕，TSOP1封装。
如何查看内存颗粒型号
内存的具体品牌和型号是什么内存条是由一个PCB电路板上焊接上内存颗粒构成的,电路板只是连接电路的作用,真正内存的大小要看内存颗粒,一条内存条上的单颗粒容量都相同,内存条的容量等于颗粒容量颗粒数;通过查验内存颗粒的型号,我们就可以计算出内存的容量;虽然目前生产内存条的厂商有许多,但能生产内存颗粒、并且能够占领市场的厂家相对来说就不多了,国内市场上主流内存条所用的内存颗粒,主要是一些国际性的大厂所生产;下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法;三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率;由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂;三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的;这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义;编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X主要含义：第1位——芯片功能K,代表是内存芯片;第2位——芯片类型4,代表DRAM;第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM;第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号;64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量;第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据;第11位——连线“-”;第14、15位——芯片的速率,如60为6ns；70为7ns；7B为CL=3；7C为CL=2 ；80为8ns；10 为10ns 66MHz;知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量;例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装;颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits兆数位× 16片/8bits=256MB兆字节;注：“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8;关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码;通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误;所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘;在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存;Micron内存颗粒Micron美光内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多;下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则;含义：MT——Micron的厂商名称;48——内存的类型;48代表SDRAM；46 代表DDR;LC——供电电压;LC代表3V；C 代表5V；V 代表;16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是：16M地址×8位数据宽度;A2——内存内核版本号;TG——封装方式,TG即TSOP封装;-75——内存工作速率,-75即133MHz；-65即150MHz;实例：一条Micron DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造;该内存支持ECC功能;所以每个Bank是奇数片内存颗粒;其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB兆字节;西门子内存颗粒目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒;编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度;Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成;所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的;HYB39S128400即128MB/ 4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度;其它也是如此,如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits;Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率;——表示该内存的工作频率是133MHz；-8——表示该内存的工作频率是100MHz;例如：1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的的内存颗粒生产;其容量计算为：128Mbits兆数位×16片/8=256MB兆字节;1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的的内存颗粒生产;其容量计算为：128Mbits兆数位× 8 片/8=128MB兆字节;Kingmax内存颗粒Kingmax内存都是采用TinyBGA封装Tiny ball grid array;并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产;Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits;在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来;容量备注：KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间× 4位数据宽度；KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间× 8位数据宽度；KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间× 4位数据宽度；KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间× 8位数据宽度；KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间× 16位数据宽度;Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：-7A——PC133 /CL=2；-7——PC133 /CL=3；-8A——PC100/ CL=2；-8——PC100 /CL=3;例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为：64Mbits兆数位×16片/8=128MB兆字节;打磨,也叫Remark,是一种比较常见的造假方式,通常的手段是把低频率的颗粒打磨为高频率的,或是杂牌颗粒打磨成品牌颗粒等;这种假冒的在容量上一般没有问题,但在运行的稳定性和性能等方面则大打折扣,质量和寿命也都经不起考验,而且被打磨过的内存无法享受正品内存应有的质保服务; 如下图所示的内存颗粒就是被打磨过的,第一个打磨的颗粒是通过擦除颗粒上的参数后重新写上;“…BT-H”被打磨成了“…BT-D43”,这样DDR266的内存就摇身一变为DD0了;另外一种打磨的手法是,不擦除颗粒上的参数而直接改写,如下图所示;编号为“…22DT-J”的颗粒被打磨成“…22DT-D43”,DDR333的内存也被假冒成DDR400了;不法商家在对颗粒进行打磨后便将内存超频使用,以此来提高价格进行谋取暴利;为了防止买到被打磨过的内存,我们在选购时可以通过以下几点来判断;第一,看内存颗粒上的编码是否清晰锐利,各颗粒上的编号是否一致;再用力搓一下编码看是否掉色脱落;第二,看内存颗粒四周的管脚是否有浸锡、补焊的痕迹,电路板和金手指是否干净无划痕;另外对于品牌内存,其PCB板一般采用6层设计,对于那些4层PCB板的内存则需要多加小心;第三,看内存金手指上方的排阻与电容用料是否充足,排列是否整齐;同时留意是否有SPD芯片,以及SPD芯片的质量;第四,根据不同的内存品牌看在内存上的防伪标志;例如防伪镭射标签、防伪芯片、防伪序列号等等;在这个奸商横行的时代,懂得如何区分打磨的内存颗粒还远远不够,对于购买内存的注意事项,有以下的必杀技可供参考;第一,选用名牌大厂的内存颗粒;上面提到,内存颗粒的质量将直接影响到内存的性能和寿命等,因此在购买时应尽量选择名牌大厂的内存颗粒,这些内存颗粒的质量都有着非常好的保证;例如HY、、Winbond华邦、Infineon、Micron美光、南亚Nanya等;第二,选用优质PCB板的内存;PCB板作为内存的根基,购买时应该选择做工精良、用料厚实的产品,同时也需要选择金手指较厚实的内存;第三,不可忽视的SPDSerial Presence Detect串行侦测芯片;SPD是一颗8Pin的小芯片,一般是1个容量为256字节2Kbit的EEPROMElectrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器芯片;SPD的作用是记录内存的速度、容量、电压等参数信息,当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息,如果没有SPD或者其中的信息错误,则会出现死机、不兼容等现象;因此,选购内存时一定不能选择缺少SPD芯片的产品;第四,用料和做工同样重要;有了优质的颗粒、PCB板和SPD 芯片后,将他们焊接在一起的制作工艺也显得十分重要;不合格的焊料和焊接技术会产生大量的“虚焊”,一般肉眼看不出有任何不妥,但在使用一段时间后便会逐渐氧化接着脱焊;因此除了选购知名品牌的内存外,选择售后服务完善的品牌也非常重要;。
内存条型号 各种内存是怎么定型号的 型号规则
4，DDR2 SDRAM金手指也是一个缺口，猛一看和DDR的差不多，这个要看内存的芯片，就是上面黑色的集成块，DDR的是长方形的，DDR2的为正方形。
理解了这些分类，你可以上网查下自己的主板型号。
而且：接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。
因为内存是插在主板的插槽上，所以内存的构造要能适应主板，就是能插进去的意思。
最常见的可以分4类
1，RDRAM 这个内存上面都带有散热片，也就是铝片。一般都是三星的。这种内存上有2个缺口，缺口之间的距离很近！
2，SDRAM，一般810或815的主板这种内存较多，也是有两个缺口，缺口之间的距离大些！
镁光内存命名规则
镁光内存命名规则随着计算机技术的不断发展，内存作为计算机的重要组成部分之一，其性能和稳定性对于计算机的运行起着至关重要的作用。
在众多的内存品牌中，镁光内存凭借其卓越的性能和可靠性成为了众多用户的首选。
而作为一款优秀的内存产品，镁光内存的命名规则也十分重要，它能够直接反映出内存的规格和性能，方便用户选择和购买。
镁光内存的命名规则通常包含四个主要部分：品牌名称、型号、容量和频率。
其中，品牌名称指的是内存所属的品牌，例如镁光内存的品牌名称就是“镁光”。
型号是内存产品的具体型号，一般由字母和数字组成，用来区分不同规格的内存产品。
容量是内存产品的存储容量，一般以GB为单位进行表示。
频率则是内存产品的工作频率，以MHz为单位进行表示。
通过这四个部分的组合，用户可以直观地了解到内存产品的规格和性能，从而选择适合自己需求的内存产品。
在镁光内存的命名规则中，型号部分是至关重要的。
镁光内存的型号通常由几个字母和数字组成，每个字母和数字都代表着不同的含义。
其中，字母部分通常代表着内存的系列和代数，数字部分则代表着内存的具体规格和性能。
通过这些字母和数字的组合，用户可以直观地了解到内存产品的系列、代数和具体规格，从而更好地选择和购买适合自己需求的内存产品。
除了品牌、型号、容量和频率外，镁光内存的命名规则还包含其他一些辅助信息，如电压、延迟和通道数等。
电压指的是内存产品的工作电压，一般以V为单位进行表示。
延迟则是内存产品的响应速度，通常以CL值进行表示，CL值越小表示内存响应速度越快。
通道数则表示内存产品的通道数量，一般有单通道、双通道和四通道等不同选项。
这些辅助信息的存在可以帮助用户更好地了解内存产品的性能和适用范围，从而做出更加明智的选择。
镁光内存的命名规则是基于内存产品的规格和性能设计的，通过品牌、型号、容量、频率等信息的组合，用户可以直观地了解到内存产品的具体规格和性能，从而选择和购买适合自己需求的内存产品。
同时，在镁光内存的命名规则中，还包含了其他一些辅助信息，如电压、延迟和通道数等，帮助用户更全面地了解内存产品的性能和适用范围。
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内存型号说明：
Samsung
具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；
56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、1
6、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A
Infineon（亿恒）
Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。
编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。
Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。
所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。
其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。
其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。
其容量计算为：128Mbits（兆数位）× 8 片/8=128MB（兆字节）。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。
并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。
Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。
在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间× 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间× 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间× 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间× 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间× 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。
该内存支持ECC功能。
所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
Winbond（华邦）
含义说明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz。