第五章FET三极管及其放大管测验试题
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
第五章自我检测题参考答案
第五章⾃我检测题参考答案第五章⾃我检测题参考答案⼀、填空题1.⼄类互补对称功放的效率⽐甲类功放⾼得多，其关键是静态⼯作点低。
2.由于功放电路中功放管常常处于极限⼯作状态，因此选择功放管时要特别注意P CM ， I CM 和U (BR)CEO 三个参数。
3.设计⼀个输出功率为20W 的扩⾳机电路，若⽤⼄类OCL 互补对称功放电路，则应选P cm ⾄少为4W 的功放管两只。
⼆、判断题1.⼄类互补对称功放电路在输出功率最⼤时，管⼦的管耗最⼤。
(×)2.功放电路的效率是拷输出功率与输⼊功率之⽐。
(×)3. ⼄类互补对称功放电路在输⼊信号为零时，静态功耗⼏乎为零。
(√)4只有当两只三极管的类型相同时才能组成复合管。
(×)5.OCL 电路中输⼊信号越⼤，交越失真也越⼤。
(×)6.复合管的β值近似等于组成它的各三极管β值的乘积。
(√)三、选择题1.功率放⼤器的输出功率⼤是(C )。
A.电压放⼤倍数⼤或电流放⼤倍数⼤B.输出电压⾼且输出电流⼤C.输出电压变化幅值⼤且输出电流变化幅值⼤2.单电源(＋12)供电的OTL 功放电路在静态时，输出耦合电容两端的直流电压为(C )。
A.0VB.+6VC.+12V3.复合管的导电类型(NPN 或PNP)与组成它的(A )的类型相同。
A.最前⾯的管⼦B.最后⾯的管⼦C.不确定4. 互补对称功放电路从放⼤作⽤来看，(B )。
A.既有电压放⼤作⽤，⼜有电流放⼤作⽤B.只有电流放⼤作⽤，没有电压放⼤作⽤C.只有电压放⼤作⽤，没有电流放⼤作⽤5.甲⼄类OCL 电路可以克服⼄类OCL 电路产⽣的(A )。
A.交越失真B.饱和失真C. 截⽌失真D.零点漂移四、⼀单电源供电的OTL 功放电路，已知V CC =20V ，R L =8Ω，U CE(sat)忽略不计，估算电路的最⼤输出功率，并指出功率管的极限参数P CM 、 I CM 、U (BR)CEO 应满⾜什么条件？解：OTL 功放电路W 25.6W 8102121212L 2om =?=??? ???=R V P CC W 25.1W 25.62.02.0om CM =?=≥P PV 20V 20CC (BR)CEO ＝＝V U ≥A 25.1A 82202L CC CM =?=≥R V I第五章习题参考答案5.1判断题1.功率放⼤倍数A P ＞1，即A u 和A i 都⼤于1。
三极管练习题
晶体三极管一、填空题（40分）1、半导体三极管按结构分为型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。
2、三极管放大作用的实质是是电流对电流的控制作用。
3、三极管的三个管脚电流关系是，直流电流放大系数β的定义式是。
4、三极管处于正常放大状态，硅管的V BE约为V,锗管的V BE约为。
5、三极管的输出特性曲线可分为、和三个区域。
6、三极管的微小变化，将会引起的较大变化，这说明三极管具有放大作用。
7、当U CE不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性曲线；当I B一定时，和之间的关系曲线称为三极管的输出特性曲线。
8、硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管死区电压约V。
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为V，锗管约为V。
9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结或时工作在饱和区；发射结或、集电结时，工作在截止区。
10、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管。
11、三极管的极限参数分别是、和。
12、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
二、判断题（5分）1、三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。
（）2、为使晶体三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。
（）3、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。
（）4、对于某晶体三极管的I B=10μA时，I C=0.44mA;当I B=20μA时，I C=0.89mA，则它的电流放大系数为45。
（）5、已知某三极管的射极电流I E=1.36 mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30μA。
（）三、选择题（30分）1、三极管是一种（）的半导体器件。
A 电压控制B电流控制C既是电压又是电流控制2、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。
A、电流放大B、电压放大C、功率放大D、电压放大和电流放大3、三极管的伏安特性是指它的（）。
半导体三极管及其放大电路练习及标准答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
第五章FET三极管及其放大管考试试题及答案
下面的电路符号代表（）管。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
D 下图为（）管的转移曲线图。 A、耗尽型 PMOS B、耗尽型 NMOS C、增强型 PMOS D、增强型 NMOS
B 当场效应管的漏极直流电流 I D 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨 导 g m 将（）。
a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。 b)无放大作用。因 N 沟通 MOS 管的漏极电流应为 DD V +,将 DD V -改为 DD V + c ） 无放大作用。因 0=BEQ U ,直流工作状态不正常，应将 B R 接在
b 极与 cc V +端 d ）无放大作用。因对交流而言输入短路，i U 加不到 e 结上。应在 b 极和 cc V +间加电阻 B R . 已知共源极电路如图所示。其中，管子的 m g ＝0.7ms, Ω=K R 2001， Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R M R K R L S D G 5,2,5,1,512。 （1）求 i r 和 0r ； （2）求 u A ＝i U U 0 。
A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、JFET D、NEMOS C 场效应管用于放大时，应工作在（）区。 A、可变电阻 B、夹断 C、击穿 D、恒流（饱和） D 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是 （）。 A. 增强型 PMOS B. 增强型 NMOS C. 耗尽型 PMOS D. 耗尽型 NMOS
耗尽型,N 沟道 下图中的 FET 管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区 下图中的 FET 管工作于＿＿＿＿状态。
饱和 三、单项选择题 U GS＝0V 时，不能够工作在恒流区的场效应管有。 A、结型管 B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS B U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A、PEMOS B、增强型 MOS 管 C、耗尽型 MOS 管 D、NEMOS C U GS＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。
三极管放大电路试题
三极管放大电路试题1. 下列说法正确的是( )放大器的输入电阻越小越好(正确答案)放大器的输入电阻越大越好放大器的输出电阻和输人电阻相等放大器的输出电阻越大越好2. 有些放大电路在发射极电阻旁并上个电容Ce,则Ce的作用是（）A.稳定静态工作点B.交流旁路，减少信号在Re上的损失(正确答案)C.改善输出波形D.减小信号失真3.在固定偏置放大电路中，若静态工作点比较高，则输入信号较大时，电路将首先出现（）失真。
A.交越失真B.双重失真C.截止失真D饱和失真(正确答案)4. 分压式偏置电路与固定式偏置电路相比较，能够（）A.确保电路工作在放大区B.提高电压放大倍数C.提高输入电阻D.稳定静态工作点(正确答案)5. 在分压式偏置电路中若将下偏置电阻阻值减小，电路中的静态工作点（）A.ICQ增大B.VCEQ增大(正确答案)C.VCEQ减小D.VCEQ、ICQ不变6. 多级放大器的上、下限截止频率变化情况是（）A.上限频率变大B.下限频率变大(正确答案)C.下限频率变小D.上限频率不变7. 多级放大器中具有阻抗变换功能的耦合方式是（）A.阻容耦合B.变压器耦合(正确答案)C.直接耦合D.光电耦合8. 已知Ai=1000,则Gi=（）A.30dBB.90dBC.40dBD.60 dB(正确答案)9. 放大器的输出电路Ro越小，则（）A.带负载能力越强(正确答案)B.带负载能力越弱C.放大倍数越低D.通频带越宽10. 在晶体管放大电路中，若电路的静态工作点太低，将会产生（）A.饱和失真B.截止失真(正确答案)C.交越失真D.不产生失真11. 放大电路在未输人交流信号时，电路所处于工作状态是（）A.静态(正确答案)B.动态C.放大状态D.截止状态12. 放大器的通频带指的是（）A.上限频率以下的频率范围B.下限频率以上的频率范围C.下限频率以下的频率范围D.上下限频率之间的频率范围(正确答案)一个多级放大器由两个相同的放大器组成，已知每级的通频带为15KHZ,放大器总通频带为（）A.15KHZB.30KHZC.大于15KHZD.小于15KHZ(正确答案)14. 放大器的功率增益定义式为（）A.AP=Po/PIB.GP=20LgAPC.GP=20Lg(Po/PI)D.GP=10LgAP(正确答案)15. 在分压式偏置放大电路中，当三极管的β值增大时，电路中的静态工作点（）A.IBQ增大B.IBQ减小(正确答案)C.VBEQ增大D.IEQ减小16.两级放大器的放大倍数AV1=30,AV2=50,输人信号有效值Vi=1mV,输出端信号有效值应为（）A.80mVB.1.5V(正确答案)C.0.15VD.150V17.某三极管的极限参数为VBR=25V,ICM=13mA,PCM=130mW,在以下工作条件哪个是允许的？（）A.Ic=12mA,VCE=10V(正确答案)B.Ic=20mA,VCE=10VC.Ic=120mA,VCE=3VD.Ic=40mA.VCE=50V18. 画交流通路时（）A.把电容视为开路，电源视为短路B.把电源和电容都视为开路C.把电容视为短路，电源视为开路D.把电源和电容都视为短路(正确答案)19. 放大器设置合适的静态工作点，以保证晶体管放大信号时，始终工作在（）A.饱和区B.截止区C.放大区(正确答案)D.击穿区20. 在基本放大电路中，描述放静态工作点的参数正确的是（）A.Ib,Ic,VceB.IB,IC,VCE(正确答案)C.iB,iC,VCED.ib,ic.,vce21. 在放大电路中，交直流电压电流用（）表示。
三极管及放大电路题库(114道)
三极管及放大电路1、用指针式万用表检测某晶体三极管时，用红表笔搭接1脚，黑表笔分别搭接23脚时，指针偏转角均较大。
这说明此三极管类型为——[单选题]A PNP型，且1脚为基极B PNP型，且2脚为基极C NPN型，且1脚为基极D NPN型，且2脚为基极正确答案：A2、下图所示的各晶体管工作正常，无损坏。
测得四个三极管各极对地的电压如图所示，则VT1VT2VT3VT4分别工作在——[单选题]A 放大区放大区饱和区截止区B 放大区截止区饱和区截止区C 放大区截止区饱和区放大区D 饱和区截止区放大区放大区正确答案：A3、 NPN型三极管处于放大状态时，下列各极电位或电压关系正确的是——[单选题]ABCD正确答案：D4、分压式工作点稳定电路如图所示，已知β=60，UCE(sat)=0.3VUBE=0.7V。
三极管基极电位UB约为（）——[单选题]A 2VB 3VC ４ＶD ５Ｖ正确答案：C5、在图示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的ß＝100， RB＝100kΩ。
当Ui＝0V时，测得UBE＝0.7V，若要基极电流IB＝20μA，则RW为（）kΩ。
——[单选题]A 465B 565C 400D 300正确答案：A6、用指针式万用表检测下图所示三极管，黑表笔接1脚，红表笔分别接23脚时的指针偏转角均较大。
这说明该管为——[单选题]A NPN型，且1脚为基极B NPN型，且1脚为发射极C PNP型，且1脚为基极D PNP型，且1脚为集电极正确答案：A7、如图所示，该两级放大电路的输出电阻是——[单选题]A 4 kΩB 1.3 kΩC 3 kΩD 1.5 kΩ正确答案：C8、在图示电路中，已知VCC＝12V，晶体管的ß＝100，若测得IB＝20μA，UCE＝6V，则Rc＝（）kΩ。
——[单选题]A 3B 4C 6D 300正确答案：A9、如图所示，晶体管的β均为50，rbe均为1.6kΩ，该两级放大电路的输入电阻是——[单选题]A 1.3 kΩB 27 kΩC 3 kΩD 10 kΩ正确答案：A10、共射基本放大电路基极偏置电阻，一般取值为（）——[单选题]A 几欧至几十欧B 几十欧至几百欧C 几百欧至几千欧D 几十千欧至几百千欧正确答案：D11、放大器的低频区指的是——[单选题]A 上限频率以上的频率范围B 下限频率以上的频率范围C 下限频率以下的频率范围D 放大器上限频率和下限频率之间的频率范围正确答案：C12、在多级放大电路中，易产生零点漂移（）——[单选题]A 变压器耦合B 阻容耦合C 直接耦合D 光电耦合正确答案：C13、从放大器输入端看进去的等效电阻称为放大器的——[单选题]A 输入电阻B 输出电阻C 等效电阻D 负载电阻正确答案：A14、以下关于三极管的说法中，错误的是——[单选题]A 三极管属于双极型器件B 三极管内存在三个PN结C 三极管的穿透电流随温度升高而增大D 当NPN型三极管处于放大状态时，三极管各极电位VC>VB>VE正确答案：B15、射极跟随器就是（）——[单选题]A 共发射极放大电路B 共基极放大电路C 共集电极放大电路D 信号的输出是从发射极输出正确答案：C16、放大器为避免出现线性失真，应使其工作在——[单选题]A 高频区B 低频区C 中频区D 截止频率正确答案：C17、测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V-0.7V 和-4.7V，则该管为（）。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是：A. 基极、发射极、集电极B. 基极、阴极、阳极C. 基极、发射极、阴极D. 基极、阳极、集电极答案：A2. NPN型三极管的基极电压相对于发射极电压：A. 必须高于B. 必须低于C. 可以相等D. 无要求答案：A3. 三极管放大作用的实质是：A. 电流放大B. 电压放大C. 功率放大D. 电阻放大答案：C4. 在三极管的三种工作状态中，放大状态的特点是：A. 基极电流变化引起集电极电流变化B. 基极电流变化引起发射极电流变化C. 基极电流变化引起基极电流变化D. 基极电流变化引起阳极电流变化答案：A5. 要使三极管工作在放大区，其基极电流与发射极电流的关系是：A. 基极电流大于发射极电流B. 基极电流小于发射极电流C. 基极电流等于发射极电流D. 基极电流与发射极电流无关答案：B6. 三极管的放大倍数β表示的是：A. 基极电流与集电极电流的比值B. 基极电流与发射极电流的比值C. 发射极电流与集电极电流的比值D. 集电极电流与基极电流的比值答案：D7. 三极管的饱和区是指：A. 基极电流很小，集电极电流很大B. 基极电流很大，集电极电流很小C. 基极电流很小，集电极电流很小D. 基极电流很大，集电极电流很大答案：D8. 为了减小三极管的热稳定性，可以采取的措施是：A. 增加基极电流B. 降低基极电流C. 增加集电极电流D. 降低集电极电流答案：B9. 三极管的截止状态是指：A. 基极电流为零B. 基极电流很大C. 集电极电流为零D. 集电极电流很大答案：A10. 三极管的开关特性是指：A. 三极管可以作为开关使用B. 三极管可以作为放大器使用C. 三极管可以作为整流器使用D. 三极管可以作为稳压器使用答案：A二、填空题（每题2分，共10分）1. 三极管的放大作用是通过______来实现的。
答案：基极电流控制集电极电流2. 在三极管的放大区，基极电流与集电极电流的比值称为______。
模拟电子技术基础-- FET放大状态 判断 练习题 --2015-6-20--李月乔
uGS iD I DSS 1 U P
2
栅极电流为 0，对栅极回路方程： uGS Rs iD 0 对上述两式联立求解，得到栅源电压和漏极电流。 漏极、源极流过同样的电流，列回路方程： Rd iD u DS Rs iD U DD 0 求出 u DS Rd iD Rs iD U DD ，求出 uGD uGS u DS ，只要电阻和电压源 UDD 的值
图 3- 2- 2 9 例 3- 2- 8 的 电 路 图
解 ： JFET 电 压 和 电 流 参考方向的约定与前述一致。 本 题 已 知 JFET 电 路 结 构 ， 但 是 没 给 出 参 数 。 可 以 这 样 考 虑 ， 如 果 有 元 件 在 电 路 中 ，就 认 为 参 数 可 以 取 值 使 JFET 处 在 放 大 状 态 ，若 没 有 元 件 ，则 不 能 认为有。 （ a） 题 ： （ 1） 首 先 判 断 得 知 JFET 是 N 沟道。 （ 2） 把 JFE T 从 电 路 中 拿 走 ， 根 据 剩 下 电 路 的 结 构 ， 求 出 栅 源 电 压 uGS =0。 对 N 沟道 JFET， 夹断电压为负值， 所以 uGS<UP 不成立， 则 JFET 不可能工作在截止区。 若不在截止区，就可能工作在放大区或者可变电阻区，需要进一步判断。 （3）把 JFET 放 回 电 路 中 ， 假 定 JFET 处 于 放 大 区 ， 计 算 漏极电流：
uGS iD I DSS 1 U P
2
对 Rd 应用欧姆定律： U DD u DS Rd iD 求出 u DS U DD Rd iD ，此电路中，漏极电流的真实方向是流出漏极的，所以 u DS 为 负值。 求出 uGD uGS u DS 只要电路参数合适，就可以保证 uGD >UP ，那么假设就是成立的，可能处于放大状态。 所以该 JFET 可能处于放大状态。 3-29 已知放大电路中一只 P 沟道 FET 三个电极的电位分别为-4V、-8V、-12V，FET 工作 在放大区。试判断它可能是哪种 FET（结型管、MOS 管、增强型、耗尽型） ，并说明三个电 极与 g、s、d 的对应关系。 解：放大电路中的 MOSFET 一定处于放大区，不会处于截止区和可变电阻区，这点与题意 是符合的。因为电位是负值，所以不可能是 N 沟道的 MOSFET，这点与题意是符合的。有 可能是 P 沟道 JFET、P 沟道增强型 MOSFET、P 沟道耗尽型 MOSFET 这三种类型。 假设是 P 沟道 JFET，根据前述我们已经知道，对于处于放大区的 P 沟道 JFET，栅极的 电位最高，漏极的电位最低，源极的电位居于二者之间，所以-12V 的电极为漏极，-4V 的 电极为栅极，-8V 的电极为源极。如图 3-21 所示。
晶体三极管和场效应管试题及答案
晶体三极管和场效应管试题及答案一、单选题1.如图所示各特性曲线中，N沟道增强型MOS管的转移特性曲线是A、B、C、D、【正确答案】：D2.某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是，则此三极管一定是A、PNP硅管B、NPN硅管C、PNP锗管D、NPN锗管【正确答案】：A3.用万用表测量某放大电路中三极管各个极的电位如下，处于放大状态的三极管是A、B、C、D、【正确答案】：B4.某场效应管的符号如图所示，可判断该管为A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道耗尽型场效应管D、P沟道耗尽型场效应管【正确答案】：A5.下列说法中正确的是A、体现晶体三极管电流放大特性的公式是B、硅材料晶体三极管的导通电压是0.3VC、锗材料晶体三极管的饱和压降是0.1VD、晶体三极管具有能量放大作用【正确答案】：C6.射极输出器的主要特点是A、电压放大倍数略大于1，输入电阻高，输出电阻低B、电压放大倍数略大于1，输入电阻低，输出电阻高C、电压放大倍数略小于1，输入电阻高，输出电阻低D、电压放大倍数略小于1，输入电阻低，输出电阻高【正确答案】：C7.把射极输出器用作多级放大器的第一级，是利用它的A、电压放大倍数略小于1，电压跟随特性好B、输入电阻高C、输出电阻低D、有一定的电流和功率放大能力【正确答案】：B8.万用表测得三极管时，；时，，则该管的交流电流放大系数为A、100B、80C、75D、60【正确答案】：D9.NPN型三极管处于放大状态时，下列各极电位或电压关系正确的是A、B、C、D、【正确答案】：D10.测得晶体三极管=30μA时,=2.4mA；=40μA时,=3mA；则该管的交流电流放大系数为A、75B、80C、60D、100【正确答案】：C11.硅材料三极管的饱和压降是A、0.1vB、0.3vC、0.5vD、0.7v【正确答案】：B12.场效应管的极限参数的有A、最大漏极电流B、击穿电压C、最大耗散功率D、低频跨导【正确答案】：A13.某放大管的三极电流参考方向都是流入管内，大小分别为：。
三极管 试题
第五章低频功率放大电路一、填空题1、以功率三极管为核心构成的放大器称放大器。
它不但输出一定的还能输出一定的，也就是向负载提供一定的功率。
2、功率放大器简称。
对它的要求与低频放大电路不同，主要是：尽可能大、 _____尽可能高、尽可能小，还要考虑管的散热问题。
3、功放管可能工作的状态有三种：类放大状态，它的失真、效率；它的失真、效率。
4、功率放大电路功率放大管的动态范围大,电流、电压变化幅度大，工作状态有可能超越输出特性曲线的放大区，进入或，产生失真。
5、所谓“互补”放大器，就是利用型管和型管交替工作来实现放大。
6、OTL电路和OCL电路属于工作状态的功率放大电路。
7、为了能使功率放大电路输出足够大的功率，一般晶体三极管应工作在。
8、当推挽功率放大电路两只晶体管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性，故在两管交替工作时产生。
9、对于乙类互补称功放，当输入信号为正半周时，型管导通，型管截止；当输入信号为负半周时，型管导通，型管截止；输入信号为零（Ui=0）时，两管，输出为。
10、乙类互补对称功放的两功率管处于偏置工作状态，由于电压的在存在,当输入信号在正负半周交替过程中造成两功率管同时 ,引起的失真，称为失真。
11、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：类功放、类功放和类功放电路。
12、甲乙类推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路图向功放管提代少量，以减少失真。
13、乙类互补对称功放允许输出的最大功率Pom= 。
总的管耗Pc= 。
14、为了避免输出变压器给功放电路带来的不便和失真，出现了功放电路；为了避免输出电容引出的失真，又出现了功放电路。
15、所谓复合功率管就是由一个功率三极管和一个功率三极管组成的大功率效三极管。
它分型管组合和型管组合两种。
复合管的等效电流放大系数β= 。
二、选择题1、交越失真是一种（）失真。
A、截止失真B、饱和失真C、非线性失真2、OTL和OCL电路的主要区别是（）A、有无输出电容B、双电源或单电源供电3、OCL甲乙类功放电路的效率可达（）A、25%B、78.5%4、甲类单管变压器耦合功率放大器集电极静态工作电流为ICQ ，电源电压EC，输出最大功率为（）。
晶体三极管及放大电路练习题
晶体三极管及放大电路练习题一、填空题1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______区。
当三极管工作在______区时，关系式IC=βIB才成立；当三极管工作在______区时，IC=0；当三极管工作在______区时，UCE≈0。
2、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是______，______极电位最低。
3、晶体三极管有两个PN结，即________和________，在放大电路中________必须正偏，________反偏。
4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而________，穿透电流ICEO随温度升高而________，β值随温度升高而________。
5、硅三极管发射结的死区电压约为________V，锗三极管发射结的死区电压约为________V，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为________V，锗三极管发射结的导通电压约为________V。
6、输入电压为20mV，输出电压为2V，放大电路的电压增益为________。
7、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_________。
8当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
9、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
10、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
11、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时，与之间的关系。
12、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。
13、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调RB，使其，则IB，这样可克服失真。
14、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
2三极管及放大电路测试题解读
mV (sin 96. 5k Ω
4. 15104
. 1510k Ω3. 3
mV (sin 20k Ω4. 15104
. 1510
(
be B be B S be
B be B s be
t t r R r R R r R r R u u ωω≈+⨯+⨯+⨯=+++=
A (sin 26. 4sin k Ω
R L 3k Ω
三、填空题：
1、在下图所示的硅三极管放大电路中，虚线表示短路故障，×表示断路故障。当用电压表测量图中各故障电路的集电极对地静态电压C U时，电压读数分别约为:
①__________V，②__________V，③__________V，④__________V。
C 12V
C +15V
o ≈+=R R R A U u
（3）（b）负载能力强。
2、为使电路中的锗晶体管工作在临界饱和状态（V
3. 0CE
-=U），c R应为多
大？为了增大饱和深度，c R应增大还是减小？
270k Ω
R b－12V
3、放大电路和示波器测得输出电压u O的波形如图所示，试问该放大电路产生了什么失真（饱和、截止）？为消除失真应采取什么措施？
12、图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工
作在什么状态。
13、图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工
作在什么状态。
14、三极管放大电路如图所示，已知电容量足够大，CC V =12V，三极管的
BEQ
U
=0.6V，β=50，Ω
(完整版)半导体三极管及其放大电路练习及答案
答案：×
60.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）答案：×
三、解答题
r'
61.电路如图PT3.4所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，试求：
（1）静态时T1管和T2管的发射极电流。
bb=100Ω，静态时｜UBEQ｜≈0.7V。
a zb 30MHzc 3MHz
52.单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在
量值上有度的附加值。
a180b 90c45
53 在单级阻容耦合放大电路的波特图中，
(1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 20dB/ 十倍频， -20dB/ 十倍频，
b 20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
c -20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
(2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为a 45 ° / 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
b 45 ° / 十倍频， 45 ° B/ 十倍频
c - 45°/ 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
54.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的
a 晶体管的电流放大系数太大b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化答案：c
27.在放大电路中，直流负反馈可以
a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性b 提高放大电路的放大倍数
c 稳定电路的静态工作点答案：c
28.可以放大电压，但不能放大电流的是放大电路。
a 共射极b 共集电极c 共基极答案：c
a 差b 好c 差不多
三极管测试题.doc
半导体三极管测试题与导电，因此三极管又称为 ______________ 晶体管。
3•设晶体管的压降U CE 不变，基极电流为20U A 时，集电极电流等于2mA,贝！）0二—。
若基极电流增大至25uA,集电极电流相应地4. _________________________________________ 三极管的电流放大作用是指三极管的 _________________________________ 电流约是 _______—电流的倍，即利用 _____________ 电流，就可实现对 ____________ 电流 的控制。
5 •某三极管的发射极电流等于1mA,基极电流等于20 nA,穿透电流 Iceo 二0则其集电极电流等于 _________ ,电流放大系数B 等于—。
6•当三极管工作在 ________ 区时，关系式I c 厶才成立，发射极7.当三极管工作在 __________ 区时，厶~0；发射极 ________________ 偏置,集电极 ______ 偏置。
&当三极管工作在 __________ 区时，% ~0。
发射极 _____________ 偏置, 集电极填空题1.三极管从结构上看可以分成 _______________ 和 两种类型。
2.晶体三极管工作时有 ________________ 和两种载流子参增大至2. 6mA,则偏置集电极.9•当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以__________ 极的电位最高, 极电位最低, ________ 极和________ 极电位差等的电位最高, 极电位最低，仏E等于10•当PNP错管处在放大状态时，在三个电极电位中，以____________ 极11 •晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为«二4/再二一1即必二-LW 试判断三极管的类型是___________ ,材料是__________ O12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为V}=-4V,V2=-\.2Vy3=-\.5V三个电极分别］为______________ , 2为______________ , 3为_______13•温度升高时，三极管的电流放大倍数B将 _____________ ;穿透电流【CEO将_____ ；发射极电压仏£将__________ o14•温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将—移，输出特性曲线将—移，而且输出特性曲线之间隔将变—。
三极管及放大电路测试题
、三极管及放大电路测试卷一、选择正确答案填入空内,只需填入A 、B 、C 、D1．已知图示电路中晶体管的100≈β,Ω≈k 1be r ,在输入电压为有效值等于10mV 的1kHz 正弦信号时,估计输出电压有效值为____过____; A ．, B ．1V , C ．2V , D ．5V;+V CC C2C 1R b 300k Ω2k Ω(+12V)10μF10μF 2k ΩR L R c u iu o2.放大电路如图所示,已知硅三极管的50=β,则该电路中三极管的工作状态为;3.放大电路如图所示,已知三极管的05=β,则该电路中三极管的工作状态为;4. 放大电路A 、B 的放大倍数相同,但输入电阻、输出电阻不同,用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路条件下测得A 的输出电压小,这说明A 的;A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小答： B5. 关于三极管反向击穿电压的关系,下列正确的是;答：BA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： CA. 截止B. 饱和C. 放大D. 无法确定答： BA. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>答： B6. 在三极管放大电路中,下列等式不正确的是;A.C B E I I I +=B. B CI βI C. CEO CBO I I )1(β+= D. βααβ=+答： C7. 图示电路中,欲增大U CEQ ,可以 ;A. 增大RcB. 增大R LC. 增大R B1D. 增大β8、射极输出电路如图所示,分析在下列情况中L R 对输出电压幅度的影响,选择：21．保持i U 不变,将L R 减小一半,这时o U 将____； 2．保持s U 不变,将L R 减小一半,这时o U 将____; A ．明显增大, B ．明显.减小, C ．变化不大9、在共射、共集、共基三种组态的放大电路中____的电压放大倍数uA 一定小于1,____的电流放大倍数i A 一定小于1,____的输出电压与输入电压反相;A ．共射组态,B ．共集组态,C ．共基组态答：B , C, A答： C答：1．C2．B10、已知图示电路中晶体管的50≈β,Ω≈k 2be r ,在输入电压为有效值等于10mV的1kHz 正弦信号时,估计输出电压有效值为________; A ． , B ． , C ．1V, D ．2V8.2k ΩL11、为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式;a ．电压放大倍数u A >10,高频响应特性好;b ．电压放大倍数u A >10,输出与输入反相;c ．电压放大倍数uA ≈1,输出电阻小;L( a )L( b )L( c )12. 图示电路A ．等效为PNP 管B ．等效为NPN 管C ．为复合管,其等效类型不能确定D ．三极管连接错误,不能构成复合管13. 图示电路A ．等效为PNP 管,电流放大倍数约为β1B ．等效为NPN 管,电流放大倍数约为β2C ．连接错误,不能构成复合管D ．等效为PNP 管,电流放大倍数约为β1β2二、判断下列说法是否正确,正确者打“√”,错者打“×”1、 三极管工作在放大区时,若i B 为常数,则u CE 增大时,i C 几乎不变,故当三极管工作在放大区时可视为一电流源;答：√答：C答: 1．选图c2．选图a3．选图b答：.B 2 答： D2、下列计算电压放大倍数,输入电阻、输出电阻的表达式对图示放大电路来说,哪些是正确的哪些是错误的a ．(//)-c L u be eR R A r Rb ．beL c )//(r R R A u β= c ．b2b1be L c ////)//( R R r R R βA u-=d ．b2b1be i ////R R r R =e ．b2b1e be i //]//) (1[R R R βr R ++=f ．be i r R =g ．L c o //R R R = h ．c o R R =3、放大电路如图所示,调整b R 使CEQ U ＝6V;判断以下说法的正误;如果不考虑饱和压降令CES 0)U =,随输入信号幅度增大,输出电压： 1．首先出现饱和失真； 2．首先出现截止失真；3．将同时发生饱和失真和截止失真;R L 3k Ω三、填空题：1、在下图所示的硅三极管放大电路中,虚线表示短路故障,×表示断路故障;当用电压表测量图中各故障电路的集电极对地静态电压C U 时,电压读数分别约为:①__________V,②__________V,③__________V,④__________V;C 12VC CC12V答：①－12V, ②－, ③＋15V, ④＋15V2、β反映态时集电极电流与基极电流之比；β反映态时的电流放大特性;答： 静、动答：1．× 2．√3．×答：a.× b ．× c ．× d.√ e. × f. × g. × h. √3、 某放大电路中,三极管三个电极的电流如图所示,测得I A =2mA,I B =,I C =,则电极为基极,为集电极,为发射极；为型管；=β;4、硅三极管三个电极的电压如图所示,则此三极管工作于状态;背5、三种基本组态双极型三极管放大电路中,若希望源电压放大倍数大,宜选用共___极电路,若希望带负载能力强,宜选用共极电路,若希望从信号源索取的电流小,宜选用共极电路,若希望用作高频电压放大器,宜选用共极电路;答：发射、集电、集电、基6、某两级三极管放大电路,测得输入电压有效值为2mV,第一级和第二级的输出电压有效值均为,输出电压和输入电压反相,输出电阻为30Ω,则可判断第一级和第二级放大电路的组态分别是和;答： 共射极、共集电极四、计算分析题1、已知图a 、图b 两个电路中晶体管参数相同：β＝100,be r ＝2k Ω,电容的容抗可忽略不计;1求每个电路的电压放大倍数u A 和输出电阻oR ； 2两个电路分别接上大小相同的输入电压i U 和负载电阻L R i U ＝500mV,L R ＝3k Ω,分别求各电路的输出电压o U ； 3说明哪个电路带负载能力强答： B, A, C, PNP, 50答：放大答：1a ：cbee1 0.98uβR A r βR 或1-≈3R okb ：()99.0 1) 1(ebe e≈+++=R βr R βA u或1≈be oe //120r R R β2a ：mV 245Lo Lio ≈+=R R R U A U ub mV 492Lo Lio ≈+=R R R U A U u3b 负载能力强;2、为使电路中的锗晶体管工作在临界饱和状态V 3.0CE -=U ,c R 应为多大 为了增大饱和深度,c R 应增大还是减小270k ΩR cR b β =50－12V3、放大电路和示波器测得输出电压u O 的波形如图所示,试问该放大电路产生了什么失真饱和、截止为消除失真应采取什么措施R b +V CCC 2C 1u OLR s R cu tu u S答：Rc ＝Ω, R c 应增大答：同时存在饱和和截止失真,应减小输入信号幅度或增大V CC4、放大电路和示波器测得输出电压u O 的波形如图所示,试问该放大电路产生了饱和失真还是截止失真为消除失真应调整电路哪个参数该参数应增大还是减小u tu OR Lu答：截止失真,b5、放大电路和示波器测得输出电压u O 的波形如图所示,试问该放大电路产生了饱和失真还是截止失真为消除失真应调整电路哪个参数该参数应增大还是减小Lu tu u答：饱和失真,应增大R b 或减小R c6、某放大电路的交流通路如图所示,分别写出下列情况中的输入电阻i R 和输出电阻o R 表达式设晶体管的β、be r 为已知;1．2U ＝0,A 为输入端,C 为输出端； 2．2U＝0,A 为输入端,E 为输出端； 3．1U ＝0,D 为输入端,C 为输出端;答：1．()e be b i 1R βr R R +++= c o R R =2．()e be b i 1R βr R R +++=βrR R R ++=1//be b e o3．b bei e1R r R R βc o R R =u7、为使电路中的硅晶体管工作在临界饱和状态CEV 0.7U ,b R 应为多大 为了增大饱和深度,b R 应增大还是减小5.1k ΩR c R bβ =50+12V8、 图中三极管均为硅管,试求各电路中的I C 、U CE 及集电极对地电压U O ;答：计算的最后结果数字：（a ） I C ≈ ,U CE ≈ V ,V 2O ≈U （b ） I C ≈ ,U CE ≈ - ,V 02.1O -≈U9、 三极管电路如图所示,已知三极管的80=β, U BEon =,r bb´=200Ω,输入信号)mV (sin 20s t u ω=,电容C 对交流的容抗近似为零;试：1计算电路的静态工作点参数I BQ 、I CQ 、U CEQ ；2画出电路的微变等效电路,求u BE 、i B 、i C 和u CE ;答：1求静态工作点A 22mA 022.0k Ω510V)7.012(μBQ =≈-=I mA 76.1mA 022.080BQ CQ =⨯==I I βV 43.4k Ω3.4mA 76.1V 12C CQ CC CEQ ≈⨯-=-=R I V U 2交流分析答：R b ＝255k Ω R b 减小微变等效电路)mV (sin 96.5k Ω4.15104.1510k Ω3.3)mV (sin 20k Ω4.15104.1510)(be B be B S beB beB s be t t r R r R R r R r R u u ωω≈+⨯+⨯+⨯=+++=)A (sin 26.4sin k Ω4.1.96mV 5μbe be b t t r u i ωω≈==80 4.26sin ()0.34sin ()c b i i t A t mA)V (sin 46.1)mA (sin 34.0k Ω3.4C c o ce t t R i u u ωω-≈⨯-=-== 故V )sin 1096.57.0(3be BEQ BE t u U u ω-⨯+=+=A )sin 26.422(μb BQB t i I i ω+=+= mA )sin 34.076.1(c CQC t i I i ω+=+= V )sin 46.143.4(ce CEQ CE t u U u ω-=+=10、三极管电路如图所示,已知β=100,U BEon =,试求电路中I C 、U CE 的值;11、 图中三极管为硅管,β=100,试求电路中I B 、I C 、U CE 的值,判断三极管工作在什么状态;k Ω4.1mA 76.1mV 26)801(200be ≈++Ω=r 答：计算的最后结果数字：I C ≈ mA ,V 75.3CE ≈U答：计算的最后结果数字：I B =,I C ≈ mA ,V 3.0CE ≈U ,三极管工作在饱和状态12、图中三极管为硅管,β=100,试求电路中I B 、I C 、U CE 的值,判断三极管工作在什么状态;13、图中三极管为硅管,β=100,试求电路中I B 、I C 、U CE 的值,判断三极管工作在什么状态;14、三极管放大电路如图所示,已知电容量足够大,CC V =12V,三极管的BEQ U =,β=50,Ω=200'bb r ,试分析：1为使静态参数CQ I =2m A,CEQ U = 6V,C R 、B R 阻值应取多少2若C R 值不变,欲获得40dB 的电压增益,则B R 阻值应改为多少15、放大电路如图所示,已知电容量足够大,V cc=12V,R B =300k Ω,R E2=,R E1=200Ω,R C =2k Ω,R L =2k Ω,R S =1k Ω,三极管的β=50,r bb ’=200Ω,U BEQ =;试：1计算静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ ；2计算电压放大倍数A u 、源电压放大倍数A us 、输入电阻R i 和输出电阻R o ；3若u o 正半周出现图中所示失真,问该非线性失真类型是什么 如何调整R B 值以改善失真答：显然发射结零偏,三极管工作在截止状态;I B =0 I C =0V 5CE =U答：计算的最后结果数字：B I 0.095mA ,C I =9.5mA ,CE U =2.5V ,三极管确实工作在放大区; 答：计算的最后结果数字： 1 R C = 3kΩ,R B =290 kΩ 2 R B =570 kΩu o答：计算的最后结果数字：1 I BQ =28μA ,I CQ = ,U CEQ = ；2A u = ,R i = 11k Ω, R o =2k Ω,A us = ,3截止失真；应减小R B 值;16、放大电路如图所示,已知三极管β=80,BEQ U =,Ω=200'bb r ,各电容对交流的容抗近似为零,R B1= R B2=150k Ω,R C =10k Ω,R L =10k Ω,试：1画出该电路的直流通路,求I BQ 、I CQ 、U CEQ ；2画出交流通路及H 参数小信号等效电路；3求电压放大倍数A u 、输入电阻R i 和输出电阻R o ;答：1画出直流通路如图a 所示,由图可得I BQ =10μA ,I CQ = ,U CEQ = ；2画出交流通路、H 参数小信号等效电路分别如图b 、c 所示3计算的最后结果数字：A u = -,R i = ,R o =17、三极管放大电路如图所示,已知V CC = 12 V,R B1 = 15k Ω,R B2 = ,R C = 3 k Ω,R E =2 k Ω,R L = 3 k Ω,R S = 1k Ω,三极管的U EBQ =,β=100,'200b b r ,各电容的容抗可略去,试：1求静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ ；2画出放大电路的小信号等效电路；3求输入电阻R i 、输出电阻R O 、电压放大倍数/uo i A u u 、源电压放大倍数S o uS u u A /=;答： 1I CQ ≈ ,I BQ ≈16.6μA,U CEQ ≈ 23 计算的最后结果数字：84.3-≈u A ,A us = , R i =,R o =3 k Ω18、解答下列各题;现有电路结构和参数都相同的两个单管共射放大级构成的两级放大电路;已知每级空载电压放大倍数50o2o1==u u A A ,输入电阻Ω==k 1i2i1R R ,输出电阻Ω==k 1o2o1R R ; 试求两级放大电路空载电压放大倍数?o=u A 输入电阻?i =R 输出电阻?o =R答： i2o o1o2o1I 21250u u u R A A A R RR R i i1k ==1ΩR R o o2k ==1Ω。
半导体器件：5场效应晶体管习题-答案
123456789101112131234I D (m A )U GS (V)2 N 沟道JFET 的转移特性如图3．1所示。
试确定其饱和漏电流I DSS 和夹断电压V P 。
答：从图中可以看出饱和漏电流I DSS ＝4mA ，夹断电压V P ＝-4V 。
3 N 沟道JFET 的输出特性如图3．2所示。
漏源电压的V DS ＝15V ，试确定其饱和漏电流I DSS 和夹断电压V P 。
并计算V GS ＝-2V 时的跨导g m 。
答：从图中可以看出V DS ＝15V 时的饱和漏电流I DSS ＝4mA ，夹断电压V P ＝-4V 。
由：2)1(P GS DSS D V V I I -= 得到：23)41(104--⨯=-GS D V I SV V V I V I g P P GS DSS GS D m 3310141)5.01(108)1)(1(2--⨯=-⨯=--=∂∂= 4 在图3．3所示的放大电路中，已知V DD ＝20V ，R D ＝10k Ω，R S＝10k Ω，R １＝200k Ω，R 2＝51k Ω，R G ＝1M Ω，并将其输出端接一负载电阻R L ＝10 k Ω。
所用的场效应管为N 沟道耗尽型，其参数I DSS＝0．9mA ，V P ＝—4V ，g m ＝1．5mA ／V 。
试求：(1)静态值；(2)电压放大倍数。
答：1）考虑此电路的静态工作点时，电路中的电容可看成开路的状态，则DS 之间的电压：)(s D D DD DS R R I V V +-=GS 之间的电压为：s D DD GSR I V R R R V -+=212又知：2)1(PGS DSS D V V I I -= 可解出静态工作点为：V GS ＝-1.0V ，I D ＝5.0⨯10-4A ，V DS ＝10.0V 2）电压放大倍数：v o图3．3v i R 2R 15.7)10//10(/105.1)////(3-=ΩΩ⨯-=-=-K K V A R R r g A L D ds m u 5 已知图3．5所示放大电路中的结型场效应管的V P ＝-3V ，I DSS ＝3mA ，r ds ＞＞R D ，试用微变等效电路法求： (1)电压放大倍数A v 1和A v 2(2)输入电阻R i 和输出电阻R o1及R o2。
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A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NEMOS
B
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOSB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NEMOS
C
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A、PEMOSB、增强型MOS管C、JFET D、NEMOS
C
场效应管用于放大时，应工作在（）区。
A、可变电阻B、夹断C、击穿D、恒流（饱和）
D
已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。
A.增强型PMOS B.增强型NMOS C.耗尽型PMOS D.耗尽型NMOS
B
下面的电路符号代表（）管。
A、耗尽型PMOSB、耗尽型NMOS
C、增强型PMOSD、增强型NMOS
如图为场效应管放大电路的等效图，
（3分）
（2分）
（1分）
电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出 、Ri和Ro的表达式。
解： 、Ri和Ro的表达式分别为
场效应管放大电路如图所示。
（1）画出电路的交流通路；
（2）画出电路的交流等效电路；
（3）若静态点处的跨导 =2mA/V，
试计算 、 、 。
√
场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（）
×
二、填空题
场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。
源，栅
场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。
VGS（栅源电压），ID（漏极）
场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿＿＿种。
D
四、计算分析题
改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。
解：（a）源极加电阻RS。
（b）漏极加电阻RD。
（c）输入端加耦合电容。
（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD
改正电路如下图所示。
未画完的场效应管放大电路如图T1所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。
D
下图为（）管的转移曲线图。
A、耗尽型PMOSB、耗尽型NMOS
C、增强型PMOSD、增强型NMOS
B
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
A、增大B、不变C、减小D、增大或者减小
A
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管是（）。
A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、耗尽型FET都可能
√
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。()
×
IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。()
×
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（）
电压，1
当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管。
耗尽型，增强型
场效应管具有输入电阻很＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特点。
大，强
输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿＿＿。
共射（共源）
共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
电路如图所示，设R=0.75kΩ，Rg1= Rg2= 240kΩ，Rs=4kΩ，场效应管的gm=11.3mS，rds=50kΩ，试求源极跟随器的源电压增益Avs、输人电阻Ri和输出电阻Ro。
（2分）
（4分）
（2分）
电路如图所示，设场效应管的参数为gm1=0.8mS，λ1=λ2= 0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID= 0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。
（4）2.2M 电阻影响静态点吗？其作用是什么？
解：（1）
（2）
（3）
（4） 电阻不影响静态工作点。因栅极电流为0，其作用是为提高输入电阻。
电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出 、Ri和Ro的表达式。
解： 、Ri和Ro的表达式分别为
五、设计题
解：
分析下图中电路是否有放大作用？并且提出改进方案。
a)可以放大。直流状态和交流状态均正常。
b)无放大作用。因N沟通MOS管的漏极电流应为 ,将 改为
c）无放大作用。因 ,直流工作状态不正常，应将 接在b极与 端
d）无放大作用。因对交流而言输入短路， 加不到e结上。应在b极和 间加电阻 .
已知共源极电路如图所示。其中，管子的 ＝0.7ms, ， 。
（1）求 和 ；
（2）求 ＝ 。
解：
（1）由等效电路图可得
=1000+ =1M
根据等效电路，利用求输出电阻的方法可得
（2）因 = =5 5=2.5K
所以 = =
10、场效应管电路如图所示，已知 ，场效应管的 试求该电路的交流输出电压uo的大小。
解：
（3分）
=-0.58mS*12k (1分)
v0=-0.58mS*12k* =-139.2mV(2分)
共射
共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。
共集
图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿＿＿沟道＿＿＿＿MOS管。
耗尽型,N沟道
下图中的FET管处于＿＿＿＿工作状态。
截止
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
可变电阻区
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。
饱和
三、单项选择题
第五章FET三极管及其放大管测验试题
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第五章FET三极管及其放大管
一、判断题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。（）。
√
场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（）
×
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（）
×
IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）
×
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）前往
×
互补输出级应采用共集或共漏接法。()