半导体器件(二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放)解读
二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED精讲
二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED精讲半导体的定义：导电性能介于金属导体和绝缘体之间的物质，一般是固体(如锗、硅和某些化合物)，其中杂质含量和外界条件的改变(如温度变化、受光照射等)都会使其导电性发生变化。
芯片半导体元件：二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。
半导体元器件介绍：二极管隔离① 二极管：二极管，（英语：Diode），电子元件当中，二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。
因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
三极管② 三极管：由三个电极组成的一种电子元件。
有电子管三极管和半导体三极管两种。
电子管三极管由屏极、栅极、阴极组成；半导体三极管由集电极、基极、发射极组成。
③ 场效应管：场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
大和小的晶闸管、二极管④ 晶闸管：晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。
它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
达林顿三极管⑤ 达林顿管达林顿管原理达林顿管又称复合管。
它将二只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管。
这等效于三极管的放大倍数是二者之积。
达林顿管的应用：1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。
半导体器件 分立器件 、微波二极管和晶体管
半导体器件是一种能够控制和放大电流的电子器件，是现代电子技术的核心组成部分。
其中，分立器件、微波二极管和晶体管是半导体器件的重要代表。
本文将分别介绍这三种器件的特点、原理和应用。
一、分立器件1.概述分立器件是指独立存在、不与其他器件直接耦合的半导体器件，包括二极管、三极管、场效应晶体管等。
它们具有较高的工作频率和功率，广泛应用于通信、计算机、电源等领域。
2.二极管二极管是一种常见的分立器件，具有正向导通、反向截止的特性。
它主要用于整流、限流、稳压等电路中，是电子设备中不可或缺的元件。
3.三极管三极管是一种具有放大功能的分立器件，常用于放大、开关、调节信号等电路中。
它具有<状态|三种工作状态>：放大、饱和和截止，是电子技术中的重要组成部分。
二、微波二极管1.概述微波二极管是一种特殊的二极管，能够在较高频率下工作。
它具有快速开关速度、低损耗、稳定性好的特点，在微波通信、雷达、太赫兹技术等领域有广泛应用。
2.特点微波二极管具有低噪声、高增益、快速响应等特点，适用于高频信号的检测、调制和整形。
它是微波领域中不可或缺的器件之一。
3.原理微波二极管的工作原理主要涉及微波的电荷输运、电磁场的作用等，是电磁波和电子运动相互作用的产物。
三、晶体管1.概述晶体管是一种半导体器件，具有放大、开关、调节信号等功能。
它取代了真空管，是现代电子技术中的重要组成部分。
2.种类晶体管按结构可分为双极型和场效应型两大类，其中双极型晶体管常用于低频放大、中频放大等电路中，而场效应型晶体管主要用于高频放大、功率放大等领域。
3.应用晶体管广泛应用于电视、收音机、计算机、通信设备等各类电子产品中，在现代科技的发展中发挥着不可替代的作用。
结语半导体器件分立器件、微波二极管和晶体管是现代电子技术中的重要组成部分，它们在不同领域具有重要的应用价值。
随着科技的不断进步，半导体器件将会迎来更广阔的发展空间，为人类生活和工作带来更多的便利和创新。
常用电子元器件介绍
1T=103G=106 M=109 K=1012 R 1.1.6. 电阻器的特性： 电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段 导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。 1.1.7. 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 1.1.8. 主要参数:标称阻值 额定功率 允许误差等级 阻值变化规律(电位器)
1.1.10.1. 直标法 将电阻器的标称值用数位元元元和文字元号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未 标偏差值的即为±20%. 1.1.10.2. 数码标记法 一般用三位元元数位元元元来表示容量的大小，单位元元元为欧姆()。前两位为有效数字， 后一位表示倍率。即乘以10i，i为第三位元数位，若第三位元数位9，则乘10-1。 如223J代表22103欧姆()＝22000欧姆 ()＝22千欧姆(K)，允许误差为5%；又如 479K代表4710-1欧姆()，允许误差为5%的电阻。这种表示方法最为常见。
为者常成，行者常至
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1.2.8. 标称容值的表示方法
1.2.8.1. 直标法
由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法。如果数字是0.001，那它代表的是0.001uF＝1nF，如果 是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。
1.2.8.2. 数码标记法
不标单位的直接标记法：用1~4位元元元元数位元元元表示，容量单位元元元为pF，如350为350pF，3为3pF， 0.5为0.5pF
稳压管的最主要的用途是稳定电压。在要求精度不高、电流变 化范围不大的情况下，可选与需要的稳压值最为接近的稳压管 直接同负载并联。在稳压、稳流电源系统中一般作基准电源， 也有在集成运放中作为直流电平平移。其存在的缺点是杂讯系 数较高，稳定性较差。
半导体元器件 分类
半导体元器件分类半导体元器件是现代电子技术中不可或缺的重要组成部分，广泛应用于各种电子设备中。
根据其功能和特点的不同，半导体元器件可以分为多个类别。
一、二极管类二极管是最简单的半导体元器件之一，它具有单向导电性。
常见的二极管有正向导通二极管和反向截止二极管两种类型。
正向导通二极管可以将电流从正极导向负极，常用于整流电路、电源等应用中。
反向截止二极管则是只允许电流从负极导向正极，常用于保护电路、反向电压保护等场景。
二、晶体管类晶体管是一种用来放大和控制电流的半导体元器件。
常见的晶体管有三极管和场效应晶体管（FET）。
三极管可以放大电流和电压信号，广泛应用于放大电路、开关电路等。
场效应晶体管则是通过控制栅极电压来调节源极与漏极之间的电流，常用于电压放大、电源管理等场景。
三、集成电路类集成电路是将大量的半导体元器件和电路集成在一片芯片上的器件。
根据集成度的不同，集成电路可以分为小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）等。
集成电路具有体积小、功耗低和性能稳定等优势，已经成为现代电子技术的核心。
四、功率器件类功率器件是用于控制大电流和高电压的半导体元器件。
常见的功率器件有功率二极管、功率晶体管和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。
功率二极管适用于高频率和高电压的应用，功率晶体管适用于高频率和大功率的应用，而IGBT则结合了MOSFET和二极管的优点，适用于高电压和大电流的应用。
五、传感器类传感器是一种能够将物理量、化学量和生物量等转化为电信号的半导体元器件。
常见的传感器有温度传感器、压力传感器、湿度传感器、光敏传感器等。
传感器广泛应用于工业自动化、环境监测、医疗设备等领域，为各种智能设备提供了数据采集和监测功能。
六、存储器类存储器是用来存储和读取数据的半导体元器件。
常见的存储器有随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）等。
RAM可实现数据的随机读写，常用于计算机内存等应用中。
电路课件第4章半导体二极管、三极管和场效应管
Part
04
场效应管
场效应管的结构与工作原理
结构
场效应管主要由源极、栅极和漏极三个电极组成，其中源极和漏极通常由N型或P型半导 体材料制成，而栅极则由绝缘材料制成。
工作原理
场效应管通过在栅极上施加电压来控制源极和漏极之间的电流，从而实现放大或开关功 能。
场效应管的类型与特性
类型
场效应管有多种类型，如NMOS、PMOS、CMOS等，每种类型具有不同的特性 和应用场景。
三极管的类型与特性
类型
根据材料和结构，三极管可分为 NPN、PNP和硅平面管等类型。
温度特性
三极管的工作受温度影响较大， 温度升高会导致三极管的性能下 降。
特性
不同类型三极管具有不同的特性， 如电流放大倍数、频率响应、功 耗等。
参数
三极管的主要参数包括电流放大 倍数、频率响应、功耗等，这些 参数决定了三极管的应用范围。
特性
场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大等特性，使其在模拟电路和数字 电路中都有广泛的应用。
场效应管的应用
01
02
03
放大器
场效应管可作为放大器使 用，用于放大微弱信号。
开关电路
由于场效应管具有开关特 性，因此可用于开关电路 中实现高速切换。
集成电路
在现代集成电路中，场效 应管已成为主要的元件之 一，用于实现各种逻辑功 能和信号处理。
二极管的类型与特性
类型
硅二极管、锗二极管、肖特基二极管、PIN二极管等。
特性
正向导通压降、反向击穿电压、温度系数等。
二极管的应用
整流
将交流电转换为直流电，如家用 电器中的电源整流器。
稳压
通过串联或并联方式稳定电路中 的电压，如稳压二极管。
半导体器件的基本概念和应用有哪些
半导体器件的基本概念和应用有哪些一、半导体器件的基本概念1.半导体的定义：半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，常见的有硅、锗、砷化镓等。
2.半导体的导电原理：半导体中的载流子（电子和空穴）在外界条件（如温度、光照、杂质）的影响下，其浓度和移动性会发生变化，从而改变半导体的导电性能。
3.半导体器件的分类：根据半导体器件的工作原理和用途，可分为二极管、三极管、晶闸管、场效应晶体管等。
二、半导体器件的应用1.二极管：用于整流、调制、稳压、开关等电路，如电源整流器、数字逻辑电路、光敏器件等。
2.三极管：作为放大器和开关使用，如音频放大器、数字电路中的逻辑门等。
3.晶闸管：用于可控整流、交流调速、电路控制等，如电力电子设备、灯光调节等。
4.场效应晶体管：主要作为放大器和开关使用，如场效应晶体管放大器、数字逻辑电路等。
5.集成电路：由多个半导体器件组成的微型电子器件，用于实现复杂的电子电路功能，如微处理器、存储器、传感器等。
6.光电器件：利用半导体材料的光电效应，实现光信号与电信号的转换，如太阳能电池、光敏电阻等。
7.半导体存储器：用于存储信息，如随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）等。
8.半导体传感器：将各种物理量（如温度、压力、光照等）转换为电信号，用于检测和控制，如温度传感器、光敏传感器等。
9.半导体通信器件：用于实现无线通信功能，如晶体振荡器、射频放大器等。
10.半导体器件在计算机、通信、家电、工业控制等领域的应用：计算机中的微处理器、内存、显卡等；通信设备中的射频放大器、滤波器等；家电中的集成电路、传感器等；工业控制中的电路控制器、传感器等。
以上就是关于半导体器件的基本概念和应用的详细介绍，希望对您有所帮助。
习题及方法：1.习题：请简述半导体的导电原理。
方法：半导体中的载流子（电子和空穴）在外界条件（如温度、光照、杂质）的影响下，其浓度和移动性会发生变化，从而改变半导体的导电性能。
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件半导体器件是指由半导体材料制成的用于电子、光电子、光学和微波等领域的电子元器件。
它具有半导体材料固有的特性，可以在不同的电压和电流条件下改变其电子特性，从而实现电子器件的各种功能。
常见的半导体器件有以下几种：1. 二极管（Diode）：二极管是最简单的半导体器件之一。
它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。
二极管具有单向导电性，可以将电流限制在一个方向。
常见的二极管应用包括整流器、稳压器和光电二极管等。
2. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种电子放大器和开关器件，由三层或两层不同类型的半导体材料构成。
晶体管可分为双极型（BJT）和场效应型（FET）两种。
它广泛应用于放大器、开关电路和逻辑电路等领域。
3. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：MOSFET是一种常用的场效应晶体管。
它具有低功耗、高开关速度和可控性强等特点，被广泛应用于数字电路、功率放大器和片上系统等领域。
4. 整流器（Rectifier）：整流器是一种将交流电转换为直流电的器件。
它主要由二极管组成，可以实现电能的转换和电源的稳定。
整流器广泛应用于电源供电、电动机驱动和电子设备等领域。
5. 发光二极管（LED）：发光二极管是一种能够将电能转换为光能的器件。
它具有高亮度、低功耗和长寿命等特点，被广泛应用于照明、显示和通信等领域。
6. 激光二极管（LD）：激光二极管是一种能够产生相干光的器件。
它具有高亮度、窄光谱和调制速度快等特点，广泛应用于激光打印、激光切割和光纤通信等领域。
7. 三极管（Triode）：三极管是晶体管的前身，它由三层不同类型的半导体材料构成。
三极管可以放大电流和电压，被广泛应用于放大器、调制器和振荡器等领域。
8. 可控硅（SCR）：可控硅是一种具有开关特性的器件。
它可以控制电流的导通和截止，广泛应用于交流电控制、功率调节和电能转换等领域。
9. 电压稳压器（Voltage Regulator）：电压稳压器是一种用于稳定输出电压的器件。
半导体器件的应用二极管三极管与集成电路
半导体器件的应用二极管三极管与集成电路半导体器件的应用：二极管、三极管与集成电路半导体器件是现代电子技术中不可或缺的关键元件，广泛应用于各种电子设备和系统中。
本文将探讨两种重要的半导体器件：二极管、三极管以及集成电路的原理和应用。
一、二极管1. 二极管的原理二极管是由正、负两种半导体材料构成的器件，具有单向导电性。
其原理基于PN结的特性，即由P型半导体和N型半导体材料按照一定方式组装。
2. 二极管的特性二极管具有正向导通和反向截止的特性。
在正向电压作用下，流过二极管的电流迅速增加，导通能力强；而在反向电压作用下，电流极小甚至截至，反向阻断能力强。
3. 二极管的应用(1) 整流器：二极管可以将交流电信号转换为直流电信号，广泛应用于电源和电子设备中。
(2) 信号识别：二极管可以用于信号的检测和识别，例如收音机中的检波器。
(3) 光电转换：光电二极管可以将光信号转换为电信号，应用于光通信、传感器等领域。
二、三极管1. 三极管的原理三极管是由两个PN结构组成的三端半导体器件。
由发射极、基极和集电极组成，其原理基于PNP或NPN型晶体管的特性。
2. 三极管的特性三极管具有放大、开关等特性。
在电路中，可以通过输入电流的微小变化控制输出电流的大幅度变化。
3. 三极管的应用(1) 放大器：三极管作为放大器可以放大小信号，应用于音频放大、射频放大等各个领域。
(2) 开关：三极管可以通过控制输入电流的开关状态来控制输出的通断。
在计算机、通信设备等电子系统中广泛应用。
(3) 频率调制与解调：在调制解调电路中，三极管可以实现将信息信号转换成载波信号和还原信息信号。
三、集成电路1. 集成电路的原理集成电路是将多个电子器件集成在一个芯片上的器件。
其原理是在半导体基片上形成多个晶体管、电阻、电容等元件，并通过金属互连实现电路功能。
2. 集成电路的特性集成电路具有体积小、功耗低、可靠性高等特点。
不仅可以实现各种逻辑功能，还可以通过模拟电路实现信号处理和调制等功能。
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半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型硅管B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
A ．1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( )。
A ．正向导通区B ．反向截止区C ．反向击穿区D ．不确定16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）A. 增大B. 减小C. 不变D. 等于零17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ） 。
A. 非饱和区B. 饱和区C. 截止区D. 击穿区18、稳压二极管稳压时，其工作在( )。
A ．正向导通区B ．反向截止区C ．反向击穿区 D.饱和区19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 （ ）A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻20、测得BJT 各电极对地电压为：V B =4.7V ，V C =4.3V ，V E =4V ，则该BJT 工作在（ ）状态。
A.截止B.饱和C.放大D. 无法确定21、FET 是（ ）控制器件。
A . 电流B .电压C .电场 D.磁场22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（ ）。
A.电阻大B. 功率大C. 电压高D.功率小23、二极管的电流方程是（ ）。
A ．u S e IB .T V uS e I C.)1( T V u S e I D . T V S e I24、FET 是（ ）控制器件。
A . 电流B .电压C .电场D .磁场25、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏26、测得工作在放大状态的BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ，-0.2V ，-3V ，则1、2、3脚对应的三个极是（ ）。
A .ebcB .ecbC .cbe D.bec27、稳压二极管是利用PN 结的（ ）。
A.单向导电性 B .反向击穿性C.电容特性D.正向特性28、测得工作在放大状态的BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ，-0.2V ，-3V ，则1、2、3脚对应的三个极是（ ）。
A .ebcB .ecbC .cbe D.bec29、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。
A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态30、 当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（ ）A ．集电极最大允许功耗ＰＣＭB ．集电极最大允许电流ＩＣＭC ．集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ D. Ｕ（ＢＲ）ＣE Ｏ31、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
A.正、反向电阻相等B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大32、电路如图1所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压u O =（）。
A .－2V B.0V C.6V D. 12V33、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。
A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态34、结型场效应管利用栅源极间所加的( )来改变导电沟道的电阻。
A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流35、场效应管是属于（）控制型器件。
A.电压B.电流C.电感D.电容36、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。
A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态37、测量某硅BJT 各电极的对地电压值为VU C6=，VU B2=，VU E3.1=，该管子工作在（）A.放大区B.截止区C.饱和区D.无法判断38、如图1所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。
A．1500 B.80 C.50 D.30 图1图139、共模抑制比CMR K 越大，表明电路（ ）。
A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.抑制温漂能力越强D.输入信号的差模成分越大二、填空题：40、根据是否掺入杂质，半导体可分为 半导体和 半导体两大类。
41、N 沟道场效应管中的载流子是 ，P 沟道场效应管中的载流子是 。
42、图1所示处于反向截止状态的PN 结，则a 、b 两区分别是PN 结的 区、 区。
43、PN 结是靠多数载流子的 运动和少数载流子的 运动形成的。
44、 PN 结中内电场阻止 的扩散，推动 的漂移运动。
45、二极管的特性是 ，场效应管是 控制型器件。
46、集成运放是多级 耦合放大器。
47、 BJT 工作在放大区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。
48、集成运放内部是一个具有高放大倍数的 耦合的放大电路，故它的主要缺点是 ，为了克服这一缺点，输入级一般采用 电路提高放大倍数，中间级一般采用 负载，放大管多用 ；为了提高功率，输出级常采用互补对称电路。
49、BJT 是 控制器件，FET 是 控制器件。
50、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。
51、设如图3电路中, D 1为硅二极管, D 2为锗二极管,则D 1处于 状态, D 2处于 状态, 输出电压U o 为 伏。
52、 BJT 工作在截止区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。
53、结型场效应管输入回路PN 结处于 状态，因此它的输入电阻比双极型三极管的输入电阻 。
54、晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区，即： 、 、 ； 要使三极管工作在放大区必须给发射结加 ，集电结加 。
55、测得工作在放大电路中的晶体管三个电极电位321,,U U U 分别为，图3V U V U V U 12,3.11,6321===，则此管是 型三极管，材料为 。
56、理想运放有“虚短”即指 和“虚断”即指 两个重要特性，“虚地”是 的特殊情况。
57、二极管最主要的特性是 。
58、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数 、 。
59、在室温下，某三极管的I CBO =8µA ，β=70，穿透电流为 mA 。
另一只三极管的电流值：I B = 20μA 时I C = 1.18m A 、I B = 80μA 时I C = 4.78m A ，该管的β = 。
60、整流二极管的整流作用是利用PN 结的 特性，稳压管的稳压作用是利用PN 结的 特性。
三、判断题：61、运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
（ ）62、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）63、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。
（ ）64、P 型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P 型半导体带正电。
（ ）65、本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ）66、N 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
（ ）67、P 型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
（ ）68、BJT 的β值越大，放大能力越强，但在选用BJT 时，并不是β值越大越好。
（ ）69、发射结处于反偏的BJT ，它一定工作在截止区。
（ ）70、BJT 是由两个PN 结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当BJT 使用。
（ ）71、BJT 的输入电阻r be 是对交流而言的一个动态电阻，在小信号情况下为常数。
（ ）72、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。
（ ）73、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。
（ ）74、处于放大状态的晶体管其基极电流同场效应管的栅极电流差不多。
（ ）75、三极管是双极型管，属于电流控制器件；场效应管是单极性管，属于电压控制器件。
（ ）76、在运放电路中，闭环增益Àf 是指广义的放大倍数。
（ ）7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。
（ ）80、小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA 的基础上增加1倍，它的两端压降也增加1倍。
（ ）81、双极型晶体管和场效应管都是电流控制型器件。
（ ）82、处于线性工作状态的实际集成运放，在实现信号运算时，两个输入端对地的直流电阻必须相等，才能防止输入偏置电流带来误差。
（ ）四、分析作图题：83、画出图中各电路的u 0波形。
设u i =10sin ωt(V),且二极管具有理想特性。
84、电路如图（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
u i u i分析作图题答案：8384、解: 解题要点：（1）U Z=(0—3V时，稳压管反向偏置，但没有击穿，所以U O=0V,U Z>3V 时，稳压管反向击穿，工作在稳压状态，它的阴极比阳极高出3V电压。