《光电子材料与器件》 题库
光电子器件材料考核试卷
4.光电探测器的灵敏度与光吸收系数成反比。（）
5.透明导电材料必须同时具备高电导率和低透光率。（）
6.光隔离器可以保证光信号在光纤通信系统中不会发生反射。（）
7.量子点的发光效率与其尺寸大小无关。（）
8.光波导可以用于实现光信号的传输和路由。（）
9.有机发光材料在光电子器件中的应用主要是制造LED。（）
3. A,B,C
4. A,B,C
5. B,D
6. A,B,C
7. A,B
8. A,B
9. C,D
10. B,D
11. A,D
12. A,B
13. A,B,C
14. A,C
15. B,C
16. A,D
17. A,B,C,D
18. A,B,C
19. A,B,C,D
20. A
三、填空题
1.硅锗(SiGe)
A.硅(Si)
B.砷化镓(GaAs)
C.聚合物
D.玻璃
18.在光电子器件中，以下哪些因素影响光电转换效率？()
A.光吸收系数
B.载流子寿命
C.载流子迁移率
D.器件结构
19.以下哪些材料适用于光电探测器？()
A.硅(Si)
B.砷化镓(GaAs)
C.硫化镉(CdS)
D.碲化镉(CdTe)
20.哪些材料在光电子器件中具有压电性质？()
16.用于光存储的有机发光材料，其特点是什么？()
A.高热稳定性
B.高电导率
C.可逆的光致变色性
D.高折射率
17.以下哪种材料适合用于光纤的制备？()
A.硅(Si)
B.硼硅玻璃
C.铝(Al)
光电子材料和器件全
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光耦合器
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光调制器
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波分复用器
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光电子材料和器件的分类
——光电子材料的分类 ——光电子器件的分类
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光电子材料的分类
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1、固体激光材料 2、光学功能材料 3、光纤材料 4、光储存材料 5、光显示材料
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平板显示：相对于CRTБайду номын сангаас言的,一般指LOGO
厚度小于屏幕对角线1/4的
显示器.
优点：
1、器件的核心层厚度很薄,厚度可以 小于1毫米 2、没有视角问题,可在很大的角度内, 显示画面不失真 3、低温特性好 4、器件为全固态结构,无真空、液体 物质,抗震性好
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光伏发电：根据光生伏打效应原理LOG,O利
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光电子器件的分类
1、光源 2、调制器 3、光波导器件 4、光电探测器件 5、光成像器件 6、显示器件
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光电子 的
应用
及
发展
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光电子的应用
1、景观照明 2、激光打标,焊接,开孔 3、高帧频CMOS相机爆炸、姿态 4、光纤陀螺 5、星图定位 6、红外热成像云爆、温压 7、光幕靶、天幕靶弹丸定位、测速
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光波导器件 光纤
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调制器：波导调制器 、半导体调制器LOGO
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光探测器件辐射与测量、光电检测：光电LO二GO 极管
、雪崩光电二极管、光电三极管、光敏电阻、光电 池、CCD器件.
光电子材料与器件考试试题
光电子材料与器件考试试题
一、选择题：
1. 下列哪种材料不属于光电子材料？
A. 硅
B. 红宝石
C. 铜
D. 石英玻璃
2. 以下哪种器件不属于光电子器件？
A. 光电二极管
B. 晶体管
C. 激光器
D. 光纤
3. 光电二极管是将光电效应和何种效应结合成的器件？
A. 霍尔效应
B. 热电效应
C. 压电效应
D. 光电效应
4. 下列哪种光电子材料是半导体？
A. 铬
B. 镓砷化镓
C. 银
D. 铝
5. 光纤是由哪种材料制成的？
A. 红宝石
B. 石英玻璃
C. 铜
D. 铁
二、填空题：
6. 光电子器件有什么特点？__________
7. 光电效应是指材料受到光照后产生__________的现象。
8. 透明度较好的材料是做__________的好材料。
9. 激光器是一种能产生__________ 的器件。
10. 在光电子器件中，常用的探测器件有__________和__________。
三、简答题：
11. 请简要解释光电效应的原理，并说明在光电子器件中的应用。
12. 什么是激光器？请说明其结构和工作原理。
13. 光电二极管的工作原理是什么？它在哪些领域有广泛的应用？
四、计算题：
14. 某光电子器件的能带宽度为1.5 eV，若输入的光子能量为2.5 eV，求该光子被吸收后产生的电子的动能。
15. 如果一个光电子器件的反射率为30%，则透射率是多少？
以上为光电子材料与器件考试试题，祝您好运！。
光电子材料与器件-2 MOCVD growth
5
Introduction
Why MOCVD ?
❖ Very high quality of grown layers (high growth rate and doping uniformity/reproducibility)
❖ High throughput and no ultra high vacuum needed (-compared to MBE) (Economically advantageous, high system up-time)
❖ Highest flexibility (Different materials can be grown in the same system)
❖ Growth of sharp interfaces possible very suitable for heterostructures, (e.g., multi quantum wells (MQW))
Some of the sources like AsH3 are very toxic.
4
Introduction
Some about the name of MOCVD
In the reference, MOCVD also have some other names. Different people prefer different name. All the names refer to the same growth method.
3
Introduction
Compare of epitaxial methods
Growth method
LPE (Liquid phase epitaxy)
光电子技术基础题库
光电子技术基础题库一．填空题1、光电子器件按功能分为光源器件、光传输器件、光控制器件、光探测器件、光存储器件，光源器件分为 光源和 光源。
2、某一半导体材料的禁带宽度为3.1 电子伏特，则该半导体本征吸收的长波极限为 纳米。
3、最早的电光源是炭弧光灯，最早的激光器是1960年由美国家的梅曼制作的激光器。
4、当受激辐射大于受激吸收的时候，物质对外表现为光 ，当受激辐射小于受激吸收时候，物质对外表现为光 。
5、激光器的基本结构包括 ， ， 。
6、受激辐射产生的光的特点是： 好， 好， 好。
7、发光的方式很多，但根据余辉的长短可将发光大致分成 和 两类。
8、光电探测器的物理效应可以分为三大类： 、和 。
9、太阳能电池是利用半导体的 原理直接把光能转化为电能的装置。
10、光纤由传导光的 和外层的 两同心圆形的双层结构组成，且12n n 。
外面再包以一次涂覆护套和二次涂覆护套。
11.根据液晶的分子不同可以将其分为 、 和 液晶。
12. 按照声波频率的高低以及声波和光波作用的长度不同，声光相互作用可以分为 衍射和 衍射 。
13. 在间接带隙半导体中，电子由价带顶跃迁到导带底时，需要同时吸收或发射 ，以补偿电子准动量的变化。
14.光波在光纤中传播有3种模式，导模（传输模），和。
15. 光在各向同性介质中传播时，复极化率的实部表示与频率的关系，虚部表示物质与频率的关系。
16、液晶显示所用的液晶材料是一种兼有和双重性质的物质，它的棒状结构在液晶盒内一般平行排列，但在电场作用下能改变其排列方向。
17、某一半导体材料的禁带宽度为2.6 电子伏特，则该半导体本征吸收的长波极限为纳米。
18、光纤通光电子器件按功能分为光源器件、光传输器件、光控制器件、光探测器件、光存储器件，光传输器件分为光学元件(如棱镜、透镜、光栅、分束器等)、和等。
19、受激辐射产生的光的特点是：好，好，好。
20、激光器按工作方式区分可分为和激光器。
21.光电子技术主要研究光与物质中的电子相互作用及其的相关技术，是一门新兴的综合性交叉学科。
(完整版)光电子技术题目与答案
6)光电二极管是指以光导模式工作的结型光伏探测器常见的光电二极管有Si光电二极管、PIN光电二极管、雪崩光电二极管等类型（写出两种）。
7)光热探测器由热敏元件、热链回路、大热容量的散热器三部分构成，常见的光热探测器有热敏电阻、热释电探测器（写出两种）。
缺点：显示视角小 响应速度慢 非主动发光
7)比较TN－LCD和STN－LCD的特点。
答：TN-LCD利用扭曲向列相液晶的旋光特性，液晶分子的扭曲角为90度，电光特性曲线不够陡峻，由于交叉效应，在采用无源矩阵驱动时，限制了其多路驱动能力。
STN-LCD的扭曲角在180-240度范围内，曲线陡度的提高允许器件工作在较多的扫描行数下，利用了超扭曲和双折射两个效应，是基于光学干涉的显示器件。
3)等离子体是以电子、离子及未电离的中性粒子的集合组成，整体呈中性的物质形态，是固、液、气外，物质的第4态。
4)试说明注入电致发光和高场电致发光的基本原理。
答：注入：利用少数载流子流入PN结直接将电能转换为光能
高场：将发光材料粉末与介质的混合体或单晶薄膜夹持于透明电极板之间，外施电压，由电场直接激励电子与空穴复合而发光。
4)光纤色散的主要危害是使脉冲信号展宽，限制了光纤的宽带或传输容量，多模光纤的色散主要有模色散、材料色散、波导色散
1)光束调制按其调制的性质可分为调幅，调频，调相，强度调制。要实现脉冲编码调制，必须进行三个过程：抽样、量化、编码。
2)光束扫描根据其应用的目的来可以分为模拟扫描、数字扫描两种；前者主要应用各种显示，后者主要应用于光存储。
2)磁光效应是指外加磁场作用所引起的材料光学各项异性，法拉第磁光效应的规律（1）对于给定的介质，光振动面的旋转角与样品的长度和外加的磁感应强度成正比（2）光的传播方向反转时，法拉第旋转的左右方向互换。
光电子器件能量转换效率考核试卷
8.抗反射涂层
9.温度、湿度、电压浪涌
10.散热材料（如铜、铝）
四、判断题
1. ×
2. √
3. ×
4. √
5. √
6. ×
7. ×
8. √
9. ×
10. √
五、主观题（参考）
1.影响因素包括材料特性、器件结构、工作温度和光照条件等。优化方法包括使用高效率材料、优化器件结构、控制工作温度和增强光照管理等。
2.工作原理是光生伏特效应。提高光吸收效率可通过使用抗反射涂层、光陷阱结构和量子点等技术实现，以增加光吸收面积和范围。
3.发光效率受量子效率影响，通过增加量子阱层数、优化掺杂浓度和改进封装技术可提升效率。
4.问题可能包括噪声、灵敏度低、响应速度慢等。解决策略包括使用高选择性材料、改进电路设计和增加信号处理算法等。
4.光电子器件的发光效率受到哪些因素的影响？( )
A.量子效率B.材料质量C.器件工作温度D.外部光强
5.以下哪些材料常用于光电子器件的制造？( )
A.硅B.砷化镓C.铝gallium arsenide (AlGaAs) D.铜锌锡硫
6.光电子器件中，哪些器件可以用于光通信？( )
A. LED B.光电二极管C.激光器D.光电开关
19.下列哪种光电子器件可以用于光纤通信系统的光源？( )
A. LED B.太阳能电池C.光电传感器D.激光器
20.下列哪种材料的光吸收系数越大，光电子器件的能量转换效率越高？( )
A.硅B.硅锗合金C.砷化镓D.铜锌锡硫
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
标准答案
一、单项选择题
光电子器件在光子集成电路的封装技术考核试卷
B.温度循环测试
C.湿度循环测试
D.磨损测试
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.光子集成电路中，光电子器件的波长主要取决于其______。（）
2.在光子集成电路封装中，______技术可以有效降低光损耗。（）
3.光电子器件的散热主要通过______实现。（）
A. X射线检测
B.声波检测
C.光学显微镜
D.热成像
12.以下哪些因素可能导致光电子器件在封装过程中出现裂纹？（）
A.热应力
B.机械应力
C.湿度变化
D.封装材料的收缩
13.光子集成电路中，以下哪些结构可以用于实现光路分离？（）
A.分束器
B.光栅
C.波导耦合器
D.耦合透镜
14.以下哪些技术可以用于提高光电子器件的封装精度？（）
19. ABC
20. ABC
三、填空题
1.材料的能带结构
2.光栅耦合
3.散热片
4.应力
5.全内反射
6.高温稳定性和良好的电导性
7.老化测试
8.透光性
9.硅化合物
10. X射线检测
四、判断题
1. ×
2. ×
3. √
4. √
5. ×
6. ×
7. √
8. √
9. ×
10. ×
五、主观题（参考）
1.光电子器件在光子集成电路中主要实现光信号的生成、调制、检测等功能。常见器件有激光二极管（用于光信号的发射）、光调制器（用于调制光信号强度或相位）、光电探测器（用于检测光信号）。
A.微电子机械系统（MEMS）
B.自动化装配
C.激光对准
《光电子材料与器件》-题库
《光电子材料与器件》题库选择题:1. 如下图所示的两个原子轨道沿z轴方向接近时，形成的分子轨道类型为( A )(A) *σ(B) σ(C) π(D) *π2. 基于分子的对称性考虑，属于下列点群的分子中不可能具有偶极矩的为（C）（A）C n（B）C n v（C）C2h（D）C s3. 随着温度的升高，光敏电阻的光谱特性曲线的变化规律为（B）。
（A）光谱响应的峰值将向长波方向移动（B）光谱响应的峰值将向短波方向移动（C）光生电流减弱（D）光生电流增强4. 利用某一CCD来读取图像信息时，图像积分后每个CCD像元积聚的信号在同一时刻先转移到遮光的并行读出CCD中，而后再转移输出。
则该CCD的类型为（B ）（A）帧转移型CCD （B）线阵CCD （C）全帧转移型CCD （D）行间转移CCD5. 对于白光LED器件，当LED基片发射蓝光时，其对应的荧光粉的发光颜色应该为（D）（A）绿光（B）紫光（C）红光（D）黄光6. 在制造高效率太阳能电池所采取的技术和工艺中，下列不属于光学设计的为（C）（A）在电池表面铺上减反射膜;（B）表面制绒;（C）把金属电极镀到激光形成槽内;（D）增加电池的厚度以提高吸收7. 电子在原子能级之间跃迁需满足光谱选择定则，下列有关跃迁允许的表述中，不正确的是（B ）：（A）总角量子数之差为1（B）主量子数必须相同（C）总自旋量子数不变（D）内量子数之差不大于28. 物质吸收一定波长的光达到激发态之后，又跃迁回基态或低能态，发射出的荧光波长小于激发光波长，称为（B）。
（A）斯托克斯荧光（B）反斯托克斯荧光（C）共振荧光（D）热助线荧光9. 根据H2+分子轨道理论，决定H原子能否形成分子的主要因素为H原子轨道的（A ）（A）交换积分（B）库仑积分（C）重叠积分（D）置换积分10. 下列轨道中，属于分子轨道的是（C）（A）非键轨道（B）s轨道（C）反键轨道（D）p 轨道11. N2的化学性质非常稳定，其原因是由于分子中存在（D ）（A）强σ 键（B）两个π键（C）离域的π键（D）NN≡三键12. 测试得到某分子的光谱处于远红外范围，则该光谱反映的是分子的（B ）能级特性。
光电子器件集成考核试卷
9.光电子器件的可靠性受到_______、_______和_______等因素的影响。
( )( )( )
10.光电子器件中，_______是一种基于电光效应工作的器件，用于实现光信号的调制。
( )
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
1.光电池是基于外光电效应工作的。（）
A.光电探测器
B.光调制器
C.光隔离器
D.发光二极管
6.光电子器件中，哪些器件可以用于光通信中的光放大？()
A.光电探测器
B.光放大器
C.光耦合器
D.光隔离器
7.下列哪些参数是评价激光器性能的重要指标？()
A.输出功率
B.波长稳定性
C.噪声
D.谐波失真
8.下列哪些光电子器件可以用于光信号解复用？()
C.光电晶体管
D.光电倍增管
17.下列哪种光电子器件主要用于光信号衰减？()
A.光电探测器
B.光放大器
C.光衰减器
D.光隔离器
18.在光电子器件中，下列哪个参数表示激光器的输出功率？()
A.输出功率
B.谐波失真
C.噪声
D.波长
19.下列哪种材料在光电子器件中常用于制造光电探测器？()
A.硅
B.砷化镓
光电子器件集成考核试卷
考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.光电子器件中，下列哪种器件是基于半导体材料制成的？()
B.光调制器
光电子器件制造中的光刻技术考核试卷
A.光源波长
B.光刻机焦距
C.光刻版质量
D.所有以上选项
8.下列哪个材料是用于制造光刻版的常用材料？（）
A.石英
B.硅
C.铜合金
D.不锈钢
9.光刻工艺中，以下哪个步骤用于去除未被曝光的光刻胶？（）
A.曝光
B.显影
C.烘干
D.蚀刻
10.以下哪个技术不属于光刻技术？（）
C.光刻机的光学系统
D.基片的表面质量
8.光刻版在光刻工艺中的作用包括以下哪些？（）
A.定义图案
B.传递光源能量
C.提供对准标记
D.所有以上选项
9.以下哪些因素会影响光刻工艺中的曝光均匀性？（）
A.光源功率分布
B.光刻机光学系统
C.光刻版的厚度
D.基片的表面形态
10.光刻胶的性质包括以下哪些？（）
A.粘度
2.描述光刻工艺的基本步骤，并解释每个步骤的目的。
3.试比较接触式光刻和投影式光刻的优缺点。
4.请阐述影响光刻工艺分辨率的主要因素，并说明如何提高分辨率。
标准答案
一、单项选择题
1. C
2. A
3. A
4. D
5. B
6. C
7. D
8. A
9. B
10. D
11. D
12. C
13. D
14. A
15. D
C.曝光
D.蚀刻
5.深紫外光刻技术中，常用的光源波长包括以下哪些？（）
A. 193nm
B. 248nm
C. 365nm
D. 13.5nm
6.以下哪些技术可用于光刻工艺中的对准？（）
光电子学考试试题及答案
光电子学考试试题及答案光电子学是研究光与电子的相互作用以及与光电器件相关的学科。
在光电子学考试中，考生需要了解光电子学的基本概念、原理以及应用，并能够运用所学知识解答各种相关问题。
以下是一系列光电子学考试试题及答案，供考生参考。
一、选择题1. 下列哪项不是光电子学研究的内容？A. 光的发射与吸收B. 光与电子的相互作用C. 光电器件的设计与制造D. 光电子设备的安装与维护答案：D2. 紫外光的波长范围是：A. 400-700 nmB. 700-1000 nmC. 1000-3000 nmD. 小于400 nm答案：D3. 光电二极管是通过什么效应工作的？A. 光电效应B. 热电效应C. 磁电效应D. 压电效应答案：A4. 光电堆是一种将光能转化为电能的器件，它的基本结构是：A. 二极管B. 场效应晶体管C. 光电子材料D. 光敏电阻答案：A5. 光纤是利用光的什么性质进行传输的？A. 折射B. 弯曲C. 散射D. 漫反射答案：A二、填空题1. 光电流的单位是_________。
答案：安培（A）2. 反射光谱仪是利用光的______________特性来进行分析的。
答案：反射3. 折射率是光在某种介质中的传播速度与光在真空中的传播速度的_________。
答案：比值4. 光电二极管的工作原理是利用光电效应将光能转化为______________。
答案：电能5. 激光是指具有_________、__________、__________的光。
答案：单色性、相干性、凝聚性三、简答题1. 请解释光电效应的基本原理。
光电效应是指当光照射到金属或半导体材料表面时，所产生的光生电流的现象。
光电效应的基本原理是光子能量转化为电子能量。
当光子的能量大于材料的逸出功时，光子与材料表面的电子碰撞，并使电子克服束缚力逸出材料表面，形成光生电子。
这些光生电子受到电场的作用，形成电流。
2. 请简述光纤的基本结构和工作原理。
光电材料与器件试卷
（第一题：光生伏打效应）光生伏打效应：是指物体由于吸收光子而产生电动势的现象，是当物体受光照时，物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。
严格来讲，包括两种类型：一类是发生在均匀半导体材料内部；一类是发生在半导体的界面。
虽然它们之间有一定相似的地方，但产生这两个效应的具体机制是不相同的。
通常称前一类为丹倍效应，而把光生伏打效应的涵义只局限于后一类情形。
当两种不同材料所形成的结受到光辐照时，结上产生电动势。
它的过程先是材料吸收光子的能量，产生数量相等的正﹑负电荷，随后这些电荷分别迁移到结的两侧，形成偶电层。
产生条件：光生伏打效应虽然不是瞬时产生的，但其响应时间是相当短的。
当太阳光或其他光照射半导体的PN结时，就会产生光生伏打效应。
光生伏打效应使得PN结两边出现电压，叫做光生电压。
使PN结短路，就会产生电流。
（第二题：激光的原理与特点）激光的原理：激光其实质就是受激辐射。
受激辐射是指处于高能级的电子在光子的“刺激”或者“感应”下，跃迁到低能级，并辐射出一个和入射光子同样频率的光子。
受激辐射的最大特点是由受激辐射产生的光子与引起受激辐射的原来的光子具有完全相同的状态。
它们具有相同的频率，相同的方向，完全无法区分出两者的差异。
这样，通过一次受激辐射，一个光子变为两个相同的光子。
这意味着光被加强了，或者说光被放大了。
这正是产生激光的基本过程。
光子射入物质诱发电子从高能级跃迁到低能级，并释放光子。
入射光子与释放的光子有相同的波长和相位，此波长对应于两个能级的能量差。
一个光子诱发一个原子发射一个光子，最后就变成两个相同的光子。
激光的特点：1、相干性好激光与普通光相比则大不相同。
因为它的频率很单纯，从激光器发出的光就可以步调一致地向同一方向传播，可以用透镜把它们会聚到一点上，把能量高度集中起来，这就叫相干性高。
一台巨脉冲红宝石激光器的亮度可达1015w/cm2•sr，比太阳表面的亮度还高若干倍。
南理工光电子器件习题集
《光电子器件》（第2版）习题集汪贵华编南京理工大学2014年3月1．什么是光谱响应特性曲线？什么是光谱匹配系数？其有何意义？ 2．什么是器件的最小可探测辐射功率和比探测率？它有何意义？ 3．一正方形半导体样品，边长1mm ，厚度为0.1mm ，用能量为3eV ，光强为0.96mW/cm 2的光照射在该正方形表面，其量子效率为1，设光生空穴全部被陷而不能运动，电子寿命τn =10-3s ，电子迁移率μn=100cm 2/V.S ，光照全部被半导体均匀吸收，求:（1） 样品中电子空穴对的产生率（/cm 3.S ）及每秒产生电子空穴对数（/s ）；（2） 定态时样品中的光电子数及浓度（个/整个样品，个/cm 3）； （3） 样品光电导率及光电导（Ω∙Ω11cm ）；（4） 若样品加30V 的电压在正方形侧面，求光生电流； （5） 光电导的增益。
4．填充下列表格：5．光敏电阻的暗电阻为600K，在200lx的光照下亮暗电阻之比为1：100，求该电阻的光电导灵敏度。
6．某光电导器件的特征曲线如图1，用该器件控制一继电器，使用30V 的直流电源，器件在400lx的照度下有10mA的电流即可使继电器吸合，无光照时释放，试画出控制电路，计算暗电流和所需串联电阻。
Array图1 光敏电阻随光照度的变化关系7．试述光生伏特效应。
要求画出能带图并推导有关公式。
8．用波长为0.83μm，强度为3mW的光照射在硅光电池，设其反射系数为15%，有效量子效率为0.8，并设这些光生载流子能到达电极。
（1）求光生电流；（2）当反向饱和电流为10-8A时，求T=300K时的开路电压。
（3）太阳能光电池效率低的原因是什么？论述提高太阳能光电池的效率的方法。
9．已知2CR太阳能光电池的参数为UOC=0.54，ISC=50mA，要用若干个这样的光电池合起来对0.5A，6V的蓄电池充电，应组成怎样的电路，需要多少个这样的电池（充电电源电压应比充电电池电压高1V左右）。
光电子器件在超短脉冲激光技术考核试卷
B.光谱仪
C.光栅
D.光开关
11.超短脉冲激光在通信领域的应用包括哪些？（）
A.光开关
B.光调制解调器
C.光放大器
D.光纤传感器
12.以下哪些技术可以用于超短脉冲激光的波长调谐？（）
A.光栅
B.声光调制器
C.电光调制器
D.倍频技术
13.超短脉冲激光在材料科学研究中的应用包括哪些？（）
A.超快光谱学
A.眼科手术
B.牙科治疗
C.癌症治疗
D.遥感探测
8.以下哪些因素会影响光电子器件的插入损耗？（）
A.器件的材料
B.器件的制造工艺
C.激光的功率
D.激光的波长
9.在超短脉冲激光技术中，以下哪些技术可以用于提高激光的光束质量？（）
A.光纤整形
B.自适应光学
C.波前传感器
D.脉冲整形
10.以下哪些器件可以用于超短脉冲激光的时域分析？（）
A.光纤耦合器
B.光栅
C.增益介质
D.涂层
5.以下哪个参数不是描述超短脉冲激光的关键参数？（）
A.脉冲宽度
B.中心波长
C.重复频率
D.输出功率
6.关于超短脉冲激光技术，以下哪个说法是错误的？（）
A.脉冲宽度越短，峰值功率越高
B.增加光纤长度可以提高激光脉冲的能量
C.超短脉冲激光在生物医学领域有广泛应用
D.光纤的数值孔径越小，传输效率越高
19.以下哪种光电子器件在超短脉冲激光技术中具有最高的峰值功率？（）
A.氩离子激光器
B.钛蓝宝石激光器
C.红宝石激光器
D.二极管激光器
20.在超短脉冲激光技术中，哪个参数可以影响光电子器件的热效应？（）
光电子技术试题库
选择题1.光通量的单位是〔 B 〕.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯2. 辐射通量φe的单位是〔B 〕A 焦耳(J)B 瓦特(W) C每球面度(W/Sr) D坎德拉(cd)3.发光强度的单位是〔 A 〕.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯4.光照度的单位是〔 D 〕.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯5.激光器的构成一般由〔A 〕组成A.鼓励能源、谐振腔和工作物质B.固体激光器、液体激光器和气体激光器C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料D. 电子、载流子和光子6.硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态X围较大。
适当偏置是〔D〕A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置7.2021年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖，提到光纤以SiO2为材料的主要是由于〔 A 〕A.传输损耗低B.可实现任何光传输C.不出现瑞利散射D.空间相干性好8.以下哪个不属于激光调制器的是〔 D 〕A.电光调制器B.声光调制器C.磁光调制器D.压光调制器9.电光晶体的非线性电光效应主要与〔 C 〕有关A.内加电场B.激光波长C.晶体性质D.晶体折射率变化量10.激光调制按其调制的性质有〔C 〕A.连续调制B.脉冲调制C.相位调制D.光伏调制11.不属于光电探测器的是〔 D 〕A.光电导探测器B.光伏探测器C.光磁电探测器D.热电探测元件D 摄像器件的信息是靠〔 B 〕存储A.载流子B.电荷C.电子D.声子13.LCD显示器，可以分为〔ABCD 〕A. TN型B. STN型C. TFT型D. DSTN型14.掺杂型探测器是由〔D 〕之间的电子-空穴对符合产生的，鼓励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。
A.禁带B.分子C.粒子D.能带15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及〔 B 〕A色性好B单色性好 C 吸收性强D吸收性弱16.红外辐射的波长为〔 D 〕.A 100-280nmB 380-440 nmC 640-770 nmD 770-1000 nm17.可见光的波长X围为〔 C 〕.A 200—300nmB 300—380nmC 380—780nmD 780—1500nm18.一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx，该灯的光通量为〔 A 〕.A .848lxB .212lxC .424lxD .106lx19.以下不属于气体放电光源的是〔D 〕.A .汞灯B .氙灯C .铊灯D .卤钨灯20.ＬＣＤ是〔Ａ〕A.液晶显示器B.光电二极管C.电荷耦合器件D.硅基液晶显示器21.25mm的视像管，靶面的有效高度约为10mm，假设可分辨的最多电视行数为400，那么相当于〔A 〕线对/mm.A.16B.25C.20D.1822.光电转换定律中的光电流与( B ).A温度成正比B光功率成正比C暗电流成正比D光子的能量成正比23.发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是( A )A超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度短B超声波频率高，光波平行声波面入射，声光作用长度短C超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度长D超声波频率低，光束与声波面间以一定角度入射，声光作用长度短24.光束调制中，下面不属于外调制的是( C )A声光调制B电光波导调制C半导体光源调制D电光强度调制25.激光具有的优点为相干性好、亮度高及( B )A多色性好B单色性好C吸收性强D吸收性弱26.能发生光电导效应的半导体是( C )A本征型和激子型B本征型和晶格型C本征型和杂质型D本征型和自由载流子型27.电荷耦合器件分( A )A线阵CCD和面阵CCD B线阵CCD和点阵CCDC面阵CCD和体阵CCD D体阵CCD和点阵CCD28.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和( C )A计算B显示C检测D输出29.光电探测器的性能参数不包括〔D〕A光谱特性B光照特性C光电特性 D P-I特性30.光敏电阻与其他半导体电器件相比不具有的特点是〔B〕A.光谱响应X围广B.阈值电流低C.工作电流大D.灵敏度高31.关于LD与LED以下表达正确的选项是〔C〕A. LD和LED都有阈值电流 B .LD调制频率远低于LED C. LD发光基于自发辐射D .LED可发出相干光32.光敏电阻的光电特性由光电转换因子描述，在强辐射作用下〔A 〕A. γ=0.5B.γ=1C. γ=1.5D. γ=233.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区B可见光及紫外光谱区C可见光区 D 可见光及红外光谱区34.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区B可见光及紫外光谱区C可见光区 D 可见光及红外光谱区35.光视效能K为最大值时的波长是〔A 〕A．555nm B.666nm C．777nm D.888nm36. 对于P型半导体来说，以下说法正确的选项是〔D〕A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶37. 以下光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压〔C〕A Si光电二极管B PIN光电二极管C 雪崩光电二极管D 光电三极管38. 对于光敏电阻，以下说法不正确的选项是：〔D〕A 弱光照下，光电流与照度之间具有良好的线性关系B 光敏面作成蛇形，有利于提高灵敏度C 光敏电阻具有前历效应D 光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动39. 在直接探测系统中, (B)A 探测器能响应光波的波动性质, 输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位B 探测器只响应入射其上的平均光功率C 具有空间滤波能力D 具有光谱滤波能力40. 对于激光二极管〔LD〕和发光二极管〔LED〕来说，以下说法正确的选项是〔D〕A LD只能连续发光B LED的单色性比LD要好C LD内部可没有谐振腔D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽41. 对于N型半导体来说，以下说法正确的选项是〔A〕A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶42. 依据光电器件伏安特性, 以下哪些器件不能视为恒流源: 〔D〕A 光电二极管B 光电三极管C 光电倍增管D 光电池43. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态X围较大。
光电子材料与器件
光电子材料与器件绪论1 例举信息技术与光电子技术所涵盖的几大方面：信息技术主要包括信息的产生、传输、获取、存储、显示、处理等六大方面；与之相对应的光电子技术主要包括光的产生与转化、光传输、光探测、光存储、光显示、光信息处理。
2 简述光电子技术的定义及其特征：光电子技术：是电子技术与光子技术相结合而形成的一门新兴的综合性的交叉学科，主要研究光与物质中的电子相互作用及其能量相互转换的相关技术。
光电子技术的特征：光源激光化、传输波导（光纤）化、手段电子化、现代电子学中的理论模式和电子学处理方法光学化。
3 简述信息技术的发展趋势及各阶段的主要特点：第一阶段——电子信息技术其特征是：信息的载体是电子；半导体，计算机等第二阶段——光电子信息技术其特征是：光子技术和电子技术相结合；激光器，光纤等第三阶段——光子信息技术其特征是：以光子作为信息的载体；全光通信，光计算机等4 简述光子传递信息的特点：（1）极快的响应时间，可用于超高速、宽带通信（2）传输信息容量大（3）信息传输过程中失真小（4）高抗干扰、高可靠性（5）光储存具有储存量大、速度快、密度高、误码率低的优点总之，超高速、抗干扰、大容量、高可靠性是光子技术的特点。
太阳能电池1、举例说明太阳能利用的优缺点优点：普遍（不受地域及技术条件限制，无需开采和运输）洁净（不产生废渣、废水、废气，无噪声，不影响生态）巨大（1.68×1024cal/年，相当于20万亿吨标准煤燃烧的热量）缺点：能流密度低（1kw/m2，需要相当大的采光集热面才能满足使用要求）不稳定（受时间，天气影响明显）大规模使用的成本和技术难度均很高（5～15倍）2、例举太阳能电池发展史中的里程碑事件1839年法国科学家E. Becquerel发现液体的光生伏特效应（简称光伏现象）1954年美国贝尔实验室三位科学家关于单晶硅太阳电池的研制成功，在太阳电池发展史上起到里程碑的作用3、光电效应包括哪几类？举出每类的代表性器件光电效应(photoelectric effect)：物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量而产生的电效应。
光电子技术题库(含答案)
选择题1.光通量的单位是（ B ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯2. 辐射通量φe的单位是（ B ）A 焦耳 (J)B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)3.发光强度的单位是（ A ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯4.光照度的单位是（ D ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯5.激光器的构成一般由（ A ）组成A.激励能源、谐振腔和工作物质B.固体激光器、液体激光器和气体激光器C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料D. 电子、载流子和光子6. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。
适当偏置是（D）A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置7.2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖，提到光纤以SiO2为材料的主要是由于（ A ）A.传输损耗低B.可实现任何光传输C.不出现瑞利散射D.空间相干性好8.下列哪个不属于激光调制器的是（ D ）A.电光调制器B.声光调制器C.磁光调制器D.压光调制器9.电光晶体的非线性电光效应主要与（ C ）有关A.内加电场B.激光波长C.晶体性质D.晶体折射率变化量10.激光调制按其调制的性质有（ C ）A.连续调制B.脉冲调制C.相位调制D.光伏调制11.不属于光电探测器的是（ D ）A.光电导探测器B.光伏探测器C.光磁电探测器D.热电探测元件D 摄像器件的信息是靠（ B ）存储A.载流子B.电荷C.电子D.声子13.LCD显示器，可以分为（ ABCD ）A. TN型B. STN型C. TFT型D. DSTN型14.掺杂型探测器是由（ D ）之间的电子-空穴对符合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。
A.禁带B.分子C.粒子D.能带15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及（ B ）A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱16.红外辐射的波长为（ D ）.A 100-280nmB 380-440 nmC 640-770 nmD 770-1000 nm17.可见光的波长范围为（ C ）.A 200—300nmB 300—380nmC 380—780nmD 780—1500nm18.一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx，该灯的光通量为（ A ）.A .848lxB .212lxC .424lxD .106lx19.下列不属于气体放电光源的是（ D ）.A .汞灯B .氙灯C .铊灯D .卤钨灯20.ＬＣＤ是（Ａ）A.液晶显示器B.光电二极管C.电荷耦合器件D.硅基液晶显示器21.25mm的视像管，靶面的有效高度约为10mm，若可分辨的最多电视行数为400，则相当于（ A ）线对/mm.A.16B.25C.20D.1822. 光电转换定律中的光电流与( B ) .A 温度成正比B光功率成正比C暗电流成正比D光子的能量成正比23. 发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是( A )A 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度短B 超声波频率高，光波平行声波面入射，声光作用长度短C 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度长D 超声波频率低，光束与声波面间以一定角度入射，声光作用长度短24.光束调制中，下面不属于外调制的是( C )A 声光调制B 电光波导调制C 半导体光源调制D 电光强度调制25.激光具有的优点为相干性好、亮度高及( B )A 多色性好B单色性好 C 吸收性强D吸收性弱26.能发生光电导效应的半导体是( C )A本征型和激子型B本征型和晶格型C本征型和杂质型D本征型和自由载流子型27.电荷耦合器件分( A )A 线阵CCD和面阵CCDB 线阵CCD和点阵CCDC 面阵CCD和体阵CCD D 体阵CCD和点阵CCD28.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和( C )A 计算B 显示C 检测D 输出29.光电探测器的性能参数不包括（D）A光谱特性 B光照特性 C光电特性 D P-I特性30.光敏电阻与其他半导体电器件相比不具有的特点是（B）A.光谱响应范围广B.阈值电流低C.工作电流大D.灵敏度高31.关于LD与LED下列叙述正确的是（C）A. LD和LED都有阈值电流 B .LD调制频率远低于LED C. LD发光基于自发辐射 D .LED 可发出相干光32.光敏电阻的光电特性由光电转换因子描述，在强辐射作用下（A ）A. γ=0.5B.γ =1C. γ=1.5D. γ=233.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区34.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区35.光视效能K为最大值时的波长是（A ）A．555nm B.666nm C．777nm D.888nm36. 对于P型半导体来说，以下说法正确的是（D）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶37. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压（C）A Si光电二极管B PIN光电二极管C 雪崩光电二极管D 光电三极管38. 对于光敏电阻，下列说法不正确的是：（D）A 弱光照下，光电流与照度之间具有良好的线性关系B 光敏面作成蛇形，有利于提高灵敏度C 光敏电阻具有前历效应D 光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动39. 在直接探测系统中, (B)A 探测器能响应光波的波动性质, 输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位B 探测器只响应入射其上的平均光功率C 具有空间滤波能力D 具有光谱滤波能力40. 对于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）来说，下列说法正确的是（D）A LD只能连续发光B LED的单色性比LD要好C LD内部可没有谐振腔D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽41. 对于N型半导体来说，以下说法正确的是（A）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶42. 依据光电器件伏安特性, 下列哪些器件不能视为恒流源: （D）A 光电二极管B 光电三极管C 光电倍增管D 光电池43. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。
光电子器件在光存储技术的革新考核试卷
B.光动力治疗
C.生物传感器
D.光谱分析
12.以下哪些技术可用于全息光存储？（）
A.激光干涉
B.数值孔径控制
C.光学衍射
D.相干光照明
13.以下哪些因素影响光电子器件的性能？（）
A.器件材料的带隙宽度
B.器件的掺杂浓度
C.器件的结构尺寸
D.器件的温度
14.以下哪些存储技术被认为是未来的发展方向？（")
2.光存储技术中，用于提高存储密度的关键技术是_______。
3.光电子器件在工作时，其效率受到_______和_______的影响较大。
4.目前商用的蓝光光盘，其存储层的材料主要是_______。
5.光电子器件在制造过程中，常采用_______技术来提高器件的性能。
6.光存储技术的存储介质中，具有较高折射率的材料可以提供更好的_______。
A.硅
B.砷化镓
C.硒化锌
D.铟镓砷
6.光存储技术的优点有哪些？（）
A.信息存储容量大
B.读写速度快
C.抗电磁干扰
D.成本低
7.以下哪些是光电子器件在光通信领域的应用？（）
A.光发射器
B.光接收器
C.光放大器
D.光调制器
8.光电子器件的制造过程中，以下哪些因素需要特别考虑？（）
A.材料的纯度
B.外延层的质量
1.光电子器件只能用于光信号的发射，不能用于接收。（）
2.光存储技术的存储容量与激光的波长成正比关系。（）
3.光电子器件在高温环境下性能会显著下降。（）
4.光盘存储技术中，CD-ROM的存储容量大于BD-ROM。（）
5.光电子器件在通信领域的应用主要是光纤通信。（）
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《光电子材料与器件》题库选择题:1. 如下图所示的两个原子轨道沿z轴方向接近时，形成的分子轨道类型为( A )(A) *σ(B) σ(C) π(D) *π2. 基于分子的对称性考虑，属于下列点群的分子中不可能具有偶极矩的为（C）（A）C n（B）C n v（C）C2h（D）C s3. 随着温度的升高，光敏电阻的光谱特性曲线的变化规律为（B）。
（A）光谱响应的峰值将向长波方向移动（B）光谱响应的峰值将向短波方向移动（C）光生电流减弱（D）光生电流增强4. 利用某一CCD来读取图像信息时，图像积分后每个CCD像元积聚的信号在同一时刻先转移到遮光的并行读出CCD中，而后再转移输出。
则该CCD的类型为（B ）（A）帧转移型CCD （B）线阵CCD （C）全帧转移型CCD （D）行间转移CCD5. 对于白光LED器件，当LED基片发射蓝光时，其对应的荧光粉的发光颜色应该为（D）（A）绿光（B）紫光（C）红光（D）黄光6. 在制造高效率太阳能电池所采取的技术和工艺中，下列不属于光学设计的为（C）（A）在电池表面铺上减反射膜;（B）表面制绒;（C）把金属电极镀到激光形成槽内;（D）增加电池的厚度以提高吸收7. 电子在原子能级之间跃迁需满足光谱选择定则，下列有关跃迁允许的表述中，不正确的是（B ）：（A）总角量子数之差为1（B）主量子数必须相同（C）总自旋量子数不变（D）内量子数之差不大于28. 物质吸收一定波长的光达到激发态之后，又跃迁回基态或低能态，发射出的荧光波长小于激发光波长，称为（B）。
（A）斯托克斯荧光（B）反斯托克斯荧光（C）共振荧光（D）热助线荧光9. 根据H2+分子轨道理论，决定H原子能否形成分子的主要因素为H原子轨道的（A ）（A）交换积分（B）库仑积分（C）重叠积分（D）置换积分10. 下列轨道中，属于分子轨道的是（C）（A）非键轨道（B）s轨道（C）反键轨道（D）p 轨道11. N2的化学性质非常稳定，其原因是由于分子中存在（D ）（A）强σ 键（B）两个π键（C）离域的π键（D）NN≡三键12. 测试得到某分子的光谱处于远红外范围，则该光谱反映的是分子的（B ）能级特性。
（A）振动（B）转动（C）电子运动（D）电声子耦合13．下列的对称元素中，所对应的对称操作属于虚动作的是（C ）（A）C3 （B）E（C）σh（D）C614. 某晶体的特征对称元素为两个相互垂直的镜面，则其所处的晶系为（C）（A）四方晶系（B）立方晶系（C）正交晶系（D）单斜晶系15. 砷化镓是III-V族化合物半导体，它的晶体结构是（D）。
（Ａ）NaCl 结构（B）纤锌矿结构（C）钙钛矿结构（D）闪锌矿结构16. 原子轨道经杂化形成分子轨道时，会发生等性杂化或非等性杂化。
下列物质中化学键属于不等性杂化的是（B）。
（A）CH4（B）H2O （C）石墨烯（D）金刚石17. 关于金属的特性，特鲁德模型不能成功解释的是（A ）（A）比热（B）欧姆定律（C）电子的弛豫时间（D）电子的平均自由程18. 下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中，正确的是（B ）。
（A）在绝缘体中，电子填满了所有的能带（B）在0 K下，半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的（C）半导体中禁带宽度比较大（D）绝缘体的禁带宽度比较小19. 在非本征半导体中，载流子（电子和空穴）的激发方式为（B）？（A）电（B）热（C）磁（D）掺杂20．在P型半导体材料中，杂质能级被称之为（C）。
（A）施主能级（B）深陷阱能级（C）受主能级（D）浅陷阱能级21. 对于自然界中鲜花的颜色，以下因素不起决定作用的是（B）。
（A）太阳光的强弱（B）光的吸收（C）光的反射（C）光的透射22. 下列有关载流子迁移率的说法，错误的是（C ）（A）迁移率的大小反映了施加电场影响载流子运动的强度（B）对于某一特定材料，迁移率由平均自由时间决定（C）轻掺杂材料中，晶格振动散射对迁移率的影响可以忽略（D）非轻掺杂材料中，高温时晶格振动散射是影响迁移率的主要因素23. 下列关于半导体材料中费米能级位置的正确的说法是（B ）（A）P型半导体中，费米能级靠近导带（B）在热平衡下，PN结两边的半导体具有同一条费米能级（C）N型半导体中，费米能级靠近价带（D）在外加电压下，PN结两边的半导体具有同一条费米能级24. 下列半导体对光的吸收作用中，吸收波长位于本征吸收波长阈值短波侧的是（D ）。
（A）激子吸收（B）自由载流子吸收（C）杂质吸收（D）基质吸收25. 高温下半导体材料中的杂质已完全电离，此时若升高温度，则材料的电阻率的变化趋势是（C ）。
（A）升高（B）不变（C）下降（D）先升高后下降26. 红宝石激光器属于（A ）A.固体激光器B.气体激光器C.液体激光器D.染料激光器27. 半导体激光器的缩写是（B ）A.LEDB.LDC.LCDD.ELD28 . 下列激光器属于气体激光器的是（ B ）A.掺钕钇铝石榴石激光器B. Ar+激光器C. GaAs半导体激光器D.光解离碘原子化学激光器29.激光与普通光源最大的区别在于（D ）A.方向性好B.相干性好C.单色性好D.光子简并度高30.下列不属于均匀加宽的类型是（B）A.碰撞加宽B.晶格缺陷加宽C.晶格振动加宽D.压力加宽31.哪种物质不是固体激光器常用的工作物质？（B）A．红宝石 B. 掺铽钇铝榴石 C. 钕玻璃 D. 掺钕钇铝石榴石32.下列的激光器中哪一个是气体激光器？（C ）A.红宝石激光器B.F-P激光器C. He-Ne激光器D.DFB激光器33.固体激光器与其他激光器相比的主要优点是？（D ）A、输出光束的质量好B、输出能量大，峰值功率高C、功耗低、转换效率高D、重量轻、体积小34.下列哪种激光器可以应用于光盘存贮？（B）A. 光纤激光器B.半导体激光器C. CO2激光器D. 染料激光器35.在光纤通信中最常用的激光器是？（C ）A.光纤激光器B.光纤激光器C.半导体激光器D.固体激光器36.LED光源在汽车高位刹车灯上的应用主要是利用了发光二极管（C）的特点。
A、供电电压小B、对环境污染小C、响应时间短D、稳定性好37. LED光源在理想情况下的发光寿命约为（B）。
A、2000000小时B、100000小时C、50000小时D、1000小时38. 下列哪一个不是高功率GaN基LED器件在蓝宝石衬底上生长的限制因素（C ）。
A、两种材料的晶格失配率和不同的热胀系数B、高的位错密度和应力残存C、对生长环境的温度要求很高D、蓝宝石差的导热性39. 下列哪一个不是垂直结构LED相对于水平结构的优势（ D ）。
A、避免了对LED器件表面的刻蚀B、提高了载流子的注入效率C、增大了器件的出光面积D、减小了对样品边缘的损伤40. 以Y AG固体激光光源的Micro-area激光剥离技术与传统的KrF激光剥离技术相比，优势在于（A）。
A、光斑能量呈现高斯分布B、具有高的转换效率C、寿命长D、谱线窄41. 现阶段荧光OLED期间电子空穴发生耦合是在（C ）层A、阴极B、阳极C、发光层D、传导电子发光层42、与荧光相比，下列有关磷光的说法不正确的是( A )：A、磷光的波长较荧光更长B、磷光的寿命比荧光长C、磷光是由三重态跃迁到基态是所发出的光D、磷光的衰减强烈的受温度影响43.下列哪一项不能作为OLED的阴极材料：（D ）A 低功函数金属B 镁铝合金C 锂铝合金D 金属Ni、Au、Pt44.选择发光材料时下列哪项不是应该满足的条件（B ）A．高量子效率的荧光特性，荧光光谱主要成分分布400-700nm可见光区域B．高量子效率的磷光特性，磷光光谱主要成分分布400-700nm可见光区域C．能够获得较高的电致发光效率和亮度D．好的成膜特性，在几十纳米的薄层中不产生针孔45.下面属于OLED显示器时的优势描述中哪一项是错误的（C ）A.技术优势——无辐射，超轻薄(可达1毫米以下)，柔软显示，屏幕可卷曲B .适应性强——能在-45℃～80℃正常显示C.成本优势——OLED制造工艺比较简单，批量生产时的成本要比LCD至少节省20%D.节能性强——利用背光源，因而更加节省能源46．N型半导体的多数载流子是（A ）：A:电子，B：空穴，C：电子和空穴，D：声子47．存在外场时对电流有贡献的是（A）：A：导带，B：价带，C：禁带，D：导带和价带48．以下属于固态照明的是（C）：（1）白炽灯，（2）节能灯，（3）蜡烛A：（1）、（2），B：（2）、（3），C:（1）、（3）,D：（1）、（2）、（3）49．下列不属于LED交通信号灯的优点的是（D）：A、没有强的反射，B、光直射下也足以分辨信号，C、效率高，D、发光功率大50. 明亮环境下人的视觉对555nm的绿光最灵敏，在这个波长上，1W光能能够产生多少lm的光度（A）？A.100 lmB. 200 lmC. 95lmD. 50lm51.下面哪一个不是电---光---电转换器件（ D ）。
A、光耦B、光电隔离器C、光电耦合器D、光纤耦合器52. 光电耦合器有如下的几个应用，除了（ D ）。
A、组成开关电路B、酒店的电卡C、逻辑电路组成D光路的分路53．CCD的感光范围是：（A、B ）。
（多选）A、可见光B、红外光C紫外光D、X射线54．下列哪一项不是CCD的特点：（ B ）。
A、体积小B、功率高C、可靠性高D、寿命长55．如下为CCD电荷转移的示意图，那么正确的电荷转移的顺序是（ B ）。
a b cd eA、a-d-b-e-cB、c-a-d-e-bC、b-a-d-e-cD、d-c-a-e-b56. 下列关于硅制备的说法错误的是（B ）A 硅的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成B 经过还原、提纯和精炼后得到的硅被称为冶金级硅C 多晶硅锭通过单晶拉制变为单晶硅D 单晶硅太阳能电池是目前发展最成熟的太阳能电池技术57. 以下对多晶硅的描述正确的是 BA 多晶硅的光学、电学性质比单晶硅优良B 制造多晶硅碇的主要方法是熔化浇铸技术C 多晶硅由晶面取向相同的晶粒结合而成D 多晶硅制造成本高于单晶硅58. 关于多元化合物太阳能电池的描述错误的是（A）A 大多数已经产业化B 砷化镓电池的理论效率远高于硅光电池C 硒光电池的光电转换效率低D 多元化合物电池指不是用单一元素半导体材料制成的电池59.以下对国内太阳能产业现状的描述错误的是（C）A 国内生产的太阳能电池产品90％靠出口B 我国太阳能资源较丰富的地区为西部地区C 我国多晶硅生产基地和太阳能光伏产业基地主要分布在西部地区D 国内生产太阳能的核心技术主要靠进口60.对比几种不同材质的太阳能电池，正确的是（C）A 单晶硅太阳能电池成本较低B 非晶硅电池成本较低C 多晶硅电池转换效率比单晶硅电池高D 砷化镓电池耐温性比硅光电池差61.目前全球光伏市场中，哪个国家占据最大份额（C）A．德国 B.美国 C.西班牙 D.日本62.下列对太阳能特点的描述中，对于其开发利用不利的是（D）A．用之不尽B. 资源丰富C. 无污染 D. 分散性63.到达地球的太阳辐射能主要去向是（B ）A．短波的直接反射 B.直接转化为热能 C.用于光合作用 D.被人类利用64.太阳能的优点之一是长久，那么太阳能可以维持多久（B ）A．6×109年 B. 6×1010年 C. 6×1011年 D. 6×1012年65. 由于太阳光光谱的能量分布较宽，为了使不同波长的光都能被太阳能电池有效吸收，可采取的对应措施是（D）A. 表面制绒减少反射B.聚光太阳能电池C. 追日系统 D 叠层太阳能电池66.下面哪一个不是液晶显示方式（C ）A．反射式B．透射式C. 背射式 D. 投影式67. 液晶显示和等离子体显示作为平板显示技术，都具有重量轻、无闪烁、无辐射、图象逼真、画质细腻等诸多优点，但下面性能中液晶显示要强于等离子体显示的是（ A ）A. 亮度B. 对比度C. 色彩数D. 响应速度68.下面那一项不属于热致液晶（D ）A.近晶相B.向列相C.胆甾相D.螺距相69. 显示用的液晶都是一些有机化合物，液晶分子的形状呈棒状很像“雪茄烟”，其长和宽的尺寸量级是（D ）。