(完整版)模拟电子技术基础胡宴如自测题答案分解
(完整版)《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第7章
第7章7.1 图P7.1所示桥式整流电容滤波电路中，已知R L =50Ω，交流电压有效值U 2=15V ，f=50HZ ，试决定滤波电容C 的大小并求输出电压U O （A V ）﹑通过二极管的平均电流I D （A V ）及二极管所承受的最高反向电压U RM 。
解：C ≥F μ1000~600501502)5~3R 2T 5~3L =⨯⨯=（）（U O(A V)=1.2U 2=1.2×15=18V通过二极管的平均电流为A R U I I L AV O AV O AV D 18.0502182121)()()(=⨯=== 二极管承受最高反向电压为V U U RM 2115222=⨯==7.2 图P7.2所示桥式整流电容滤波电路中，已知R L =50Ω，C=2200μF ，测得交流电压有效值U 2=20V ，如果用直流电压表测得输出电压U O 有下列几种情况：（1）28V;(2)24V ；（3）18V;（4）9V 。
试分析电路工作是否正常并说明故障原因。
解：（1）R L 开路，U O =1.4×20=28V(2)正常，U O =1.2×20=24V 图P7.1 图P7.2（3）C 开路U O =0.9×20=18V（4）因二极管开路电路变为半波整流同时C 开路，U O =0.45×20=9V7.3已知桥式整流电容滤波电路中负载电阻R L =20Ω，交流电源频率为50Hz ，要求输出电压U O （A V ）=12V ，试求变压器二次电压有效值U 2，并选择整流二极管和滤波电容。
解：变压器二次电压的有效值为V U U AV O 102.1122.1)(2===通过二极管的平均电流 A R U I L AV O AV D 3.02021221)()(=⨯== 二极管承受的最高反向电压为 V U U RM 1410222=⨯==所以，可选择I 1≥（2-3）I D （A V ）=（0.6~0.9）A 、U RM ＞14V 的二极管，查手册知，可用4只1N4001二极管组成桥式整流电路。
模拟电子技术基础胡宴如课后答案
U Imin − 6 − 6 = 10 ×10 −3 100 300
由此可求得 UImax=11V，UImin =9V，即允许的UI变化范围为 10V±1V。
1．15 稳压管稳压电路如图P1.15 所示，稳压管的参数
为UZ =6V，IZ =5mA，PZM=250mW,输入电压UI =20V，试分 析：（1）求UO、IDZ；（2）当RL开路、UI增加 10%时，稳压 管是否能安全工作？（3）当UI减小 10%，RL=1kΩ时，稳压 管是否工作在稳压状态？
I DZ
=
22 − 6 mA = 16mA ＜IZM,故稳压管仍能安全工作。 1
（3）当RL=1kΩ, UI=20×(1－10%)=18V时
I DZ
=
(18 − 6 1
−
6 )mA = 6mA >IZ ,故稳压管仍能工作在稳压状态。 1
1．16 图P1.16 所示电路中，ui=10sinωt(V)，稳压管参数为UZ1=UZ2=5V，UD(on)=0.7V
2
UA
=
5V
−
3 × [ 5V 3+2
− ( −5V
)]
=
−1V
这样V1的负极电位为－1V，正极电位为 0V，V1也正偏导通。V1导通后使UAO=UA=0，此时 V2 仍正偏导通。
1.4 二极管电路如图P1.4 所示，二极管导通电压UD(on)=0.7V, UI=6V试求电路中电流I1、 I2、IO和输出电压UO。
I2
=
− 3.7 − 1
(−9)
mA
=
5.3mA
I1 = I O+ I 2 = (−3.7 + 5.3)mA = 1.6mA
(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第八章 课后答案
.c
图 P8.3 99
1 1 = Hz = 971Hz 3 2πRC 2π × 8.2 × 10 × 0.02 × 10 −6 1 （2） Rt 应具有正温度系数， Rt 冷态电阻 < R F = 5kΩ 2
故正反馈过强，uo 为方波。
w
1+
.k
（2） Auf = 1 +
（3）RF 冷态阻值大于 20kΩ，则 1 +
因此可画出传输特性和 uO 波形分别如图解 P8.11(a)、(b)所示。
8.12 迟滞比较器如图 P8.12 所示，试计算门限电压 UTH、UTL 和回差电压，画出传输 特性；当 u I = 6 sin ωt (V ) 时，试画出输出电压 uO 的波形。
w
解：由图可得
.k
图 P8.12
w w
U TH = U TL
.c
图 P8.5
om
振荡频率。
图 P8.6
解：(a)同名端标于二次侧线圈的下端
(b)同名端标于二次侧线圈的下端
fo =
2π 140 × 10 −6 ×
(c)同名端标于二次侧线圈的下端
.k
−6
fo =
2π 560 × 10 × 200 × 10
w w
图 P8.7
w
8.7 根据自激振荡的相位条件，判断图 P8.7 所示电路能否产生振荡，在能振荡的电路
10 × 6V = −3V ；当 UREF=2V 时，得 20 20 + 10 U TL = × 2V − 3V = 0 20 uP = R1u I RU + 2 OL R1 + R2 R1 + R2
令 uP=UREF，则可求得下门限电压为
模拟电子技术胡宴如主编习题解答-第3章
第3章放大电路如图所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV ，U i =20mV ，R L =1k Ω，U o =。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =，求输出电阻R o 。
解：（1）求放大倍数 电压放大倍数为dBA dB A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(6020102.13====⨯==电流放大倍数为dBA dB A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--==功率放大倍数为dBA dB A I U I U Pi P A p p i i OO O P 4.364320lg 10lg 10)(43207260====⨯===（2）求输入和输出电阻Ω=Ω⨯-=-=Ω=Ω-==k k R U U R mV mV I U R L o t o o i i i 5.01)12.18.1()1(1200600/)2030(203．2在图所示放大电路中，已知三极管β=80，r bb’=200Ω，U BEQ =，试：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQ ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 、A us ；（3）图若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQVV V R R I V U mAmAI I mA mA R U U I VVV R R R U E C CQ CCCEQ CQBQ E BEQBQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.08092.192.12.27.092.492.416622416212=+⨯-=+-=====-=-==+⨯=+=β（2）画H 参数等效电路，求Au 、R i 、R o 、A us图的H 参数等效电路如图解所示，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U )(r r EQ T 'bb be 3192126812001 故962.16.0)144(2.13.42.1)3.1//16//62(////1443.1)1.5//3.4(8021'-=+-⨯=+==Ω==Ω=Ω==-=⨯-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β（3）当β=60，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第5章
图P5.2图P5.1第5章5.1写出图P5.1所示各电路的名称,分别计算它们的电压放大倍数和输入电阻。
解：(a)反相比例运算电路,Ω=-=-=k R A if uf 1,20120'(b) 同相比例运算电路, ∞→=+=',211201if uf R A(c)同相比例运算电路, Ω==++=k R A if uf 21,2012020)1201('5.2运算电路如图P5.2所示,试分别求出各电路输出电压的大小。
解: (a) V V U O 2.6)305.1102201(62=+-⨯-= (b) VV U O 8.2)24101022410242)(10241(=+⨯-++⨯+=(c)V V V U o 65.110201020601()102201(60=⨯⨯++++--=图P5.45.3运放应用电路如图P5.3所示,试分别求出各电路的输出电压U o 值。
解（a ） V V R RU A 515-=⨯-= V U U U RRU A A A O 012=-=--=（b ） V U A 2-=V U R R U A O 4211=-= 5.4图P5.4所示的电路中,当u I =1V 时，u o =-10V ,输入电阻为3 k Ω，试求电阻R F 。
R 1.R 2的值。
解：R 1=3 k Ω 10110-=-==I O uf u u A而由图可得Ω-=k R A Fuf 3 故Ω=Ω-⨯-=k k R F 30)3(10图P5.3图P5.6R 2=R 1∥R F =2.73 k Ω5.5 图P5.5是利用集成运算放大器构成的电流-电压转换器，试求该电路输出电压u o与输入电流i s 的关系式。
图P5.5解：u o=-i F R F =-i sR F u o 与i s 成正比。
5.6由集成运放组成的三极管电流放大系数β的测试电路如图P5.6所示，设三极管的U BE =0.7V 。
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 第四版)习题解答 第2章
《模拟电子技术》胡宴如主编耿苏燕版(第四版)习题解答第2章第2章1○2○3测得对地电位-8V，放大电路中某三极管三个管脚○-3V,-和3V、12V、，试判别此管的三个电极，并说明它是NPN管还是PNP管，是硅管还是锗管？解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。
3为基三极管工作在放大区时，UB值必介于UC和UE之间，故-对应的管脚○2脚电位与○3脚基极电位差为-，2脚为发射极，1脚为集电极，极，UB=-，○所以○则○该管为PNP锗管。
3脚电位为介于3V和12V之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚于○1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN硅管。
，故○对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP管，估算其β值。
图解：因为iB 49 ①、②、③脚分别为基极、集电极和发射极。
电流流向知是PNP管iC1mA100 图所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的IB、IC、UCE。
图解：IB?6V??51k?设三极管工作在放大状态，则IC=βIB=100×=10mA UCE=16V－10mA×1kΩ=6V于UCE=6V>UCE=，三极管处于放大状态，故假设成立。
因此三极管工作在放大状态，IB=，IC=10 mA，UCE=6V。
IB?(5?)V?56k?设三极管工作在放大状态，则得IC=βIB=100×=则UCE=-(5V－×3kΩ)=-(5V－) ＞0说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为IC?ICS?VCCRC3k?因此三极管的IB=，IC=，UCE=UCES≈发射结零偏置，故三极管截止，IB=0，IC=0，UCE=5V。
图所示电路中，三极管的输出伏安特性曲线如图所示，设UBEQ=0，当RB分别为300kΩ、150kΩ时，试用图解法求IC、UCE。
解：在输出回路中作直流负载线令iC=0，则uCE=12V，得点M；令uCE=0，则iC=12V/3k Ω=4mA，得点N，连接点M、N得直流负载线，如图解所示。
模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第三章 课后答案
Ri = R B1 // R B 2 // rbe = (62 // 16 // 1.3)kΩ = 1.2kΩ uo Ri 1.2 × (−144) = Au = = −96 u s Rs + Ri 0.6 + 1.2
− 60 × ( 4.3 // 5.1 ) = −140 1 Ri = ( 62 // 16 // 1 )kΩ = 0.93kΩ Ro = RC = 4.3kΩ Au =
.c
图 P3.3
om
（2）画 H 参数等效电路，求 Au、Ri、Ro
U BQ =
RB 2 16 × 24V VCC = = 4.92V RB1 + RB 2 62 + 16 U BQ − U BEQ 4.92 − 0.7 I CQ = = mA = 1.92 mA RE 2 .2 U CEQ = VCC − I CQ ( RC + RE ) = 24V − 1.92 × ( 4.3 + 2.2 )V = 11.5V
rbe = 200Ω + 81×
由图（c）可得
Au =
u o − β ( R B 2 // RC // R L ) − 80 × (100 // 3.9 // 10)kΩ = = = −157 ui rbe 1.4kΩ
w w
所以
w
求 Au、Ri、Ro。
3.6 放大电路如图 P3.6 所示，已知三极管的β=50，rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V，各电容
.c
om
求静态工作点 ICQ、UCEQ； （2）画出 H 参数小信号等效电路，求 Au、Ri、Ro； （3）求源电压增 益 Aus。 解： （1）求静态工作点
U BQ = I CQ ≈
大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如第四章
大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如第四章本文档是《大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如》第四章的答案总结。
本章主要讲述了模拟电路中的电源和放大器，其中包括电源电路、晶体管放大电路、运放放大器等内容。
通过学习本章，我们可以了解电源的概念和分类、晶体管的基本工作原理、放大器的基本设计与分析方法等。
以下是第四章的答案总结。
4.1 选择题1. 以下哪个不属于电源电路的分类？A. 线性电源B. 开关电源C. 斩波电源D. 数字电源正确答案：D2. 以下关于线性电源的说法正确的是？A. 输入电源和输出电源之间电压差不大B. 可以实现电压变换和电流放大C. 效率高，稳定性好D. 频率范围广正确答案：B3. 晶体管的三个电极分别为：A. 基极、发射极、集电极B. 基极、集电极、放射极C. 发射极、基极、集电极D. 集电极、发射极、基极正确答案：A4. 以下哪个不是晶体管的工作区间？A. 放大区B. 截止区C. 饱和区D. 前向偏置区正确答案：D5. 非饱和区的晶体管具有什么特性？A. 基极电流小，集电极电流接近最大值B. 基极电流大，集电极电流较小C. 基极电流接近最大值，集电极电流接近零D. 基极电流接近零，集电极电流接近最大值正确答案：D4.2 简答题1. 线性电源和开关电源有什么区别？线性电源是通过调整输入电源和输出电源之间的电压差来实现电压变换和电流放大的。
它的优点是稳定性好，频率范围广，但效率较低。
开关电源则是通过开关管的断续开关来实现电平变换，从而实现电压变换和电流放大。
它的优点是效率高，但稳定性较差，且频率范围比较窄。
2. 请简要说明晶体管的工作原理。
晶体管的三个电极分别为基极、发射极和集电极。
当给晶体管的基极-发射极之间施加正向电压时，使得基区变薄，电子从发射极流入基区，同时形成电子空穴对。
随着电子的注入，电子空穴对逐渐扩散到基区，最终达到发射区。
当注入的电子空穴对到达集电极，集电极就有大量电子空穴对的注入，形成集电流。
模拟电子技术基础(胡宴如)课后习题答案
1第1章 半导体二极管及其电路分析`1．1 某二极管在室温（300K ）下的反向饱和电流为0.1pA ，试分析二极管外加电压在0.5V~0.7V 之间变化时，二极管电流的变化范围。
解：由于 )1(−=TDU u S D eI i由题意知I S =0.1pA ，室温下U T ≈26mV ，故当U D =0.5V 时，得i D =0.1×10－12×（126500−e）A ≈22.5μA当U D =0.7V 时，得mA A ei D 3.49)1(101.02670012≈−××=−因此U D 在0.5~0.7V 之间变化时，i D 在22.5μA~49.3mA 之间变化。
1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压U D(on) =0.7V ，试分别求出R 为1k Ω、4k Ω时，电路中电流I 1、I 2、I O 和输出电压U O 。
解：（1）R=1k Ω假设二极管断开，可求得输出电压V V U O 5.41119'−=+×−=可见，电路中二极管的阳极电位高于阴极电位1.5V ，所以，二极管处于导通状态，故mAmA I I I mAmA I mAmA R U I VV U O L O O O 6.1)3.57.3(3.51)9(7.37.3)1/7.3(/7.3)7.03(212=+−=+==−−−=−=−==−=−−= （2）R=4k Ω假设二极管断开，可求得输出电压V V U O8.11419'−=+×−= 可见，电路中二极管阳极电位低于阴极电位，二极管处于截止状态，所以2mAI I mA mA R U I VUU I o L O O OO 8.18.1)1/8.1(/8.102'1=−=−=−==−===1.3 图P1.3所示各电路中，设二极管具有理想特性，试判断各二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压U AO 。
《模拟电子技术》胡宴如主编(第四版)习题集解答
第3章3.1放大电路如图P3.1所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV ，U i =20mV ，R L =1k Ω，U o =1.2V 。
求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =1.8V ，求输出电阻R o 。
解：（1）求放大倍数 电压放大倍数为dBA dB A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(6020102.13====⨯==电流放大倍数为dBA dB A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--==功率放大倍数为dBA dB A I U I U Pi P A p p i i OO O P 4.364320lg 10lg 10)(43207260====⨯===（2）求输入和输出电阻Ω=Ω⨯-=-=Ω=Ω-==k k R U U R mV mV I U R L o t o o i i i 5.01)12.18.1()1(1200600/)2030(203．2在图P3.2所示放大电路中，已知三极管β=80，r bb ’=200Ω，U BEQ =0.7V ，试：（1）求I CQ 、图P3.1I BQ 、U CEQ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 、A us ；（3）若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQVV V R R I V U mA mAI I mA mA R U U I VVV R R R U E C CQ CCCEQ CQBQ E BEQBQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.08092.192.12.27.092.492.416622416212=+⨯-=+-=====-=-==+⨯=+=β（2）画H 参数等效电路，求Au 、R i 、R o 、A us图P3.2的H 参数等效电路如图解P3.2所示，由已求I CQ 可得Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U )(r r EQ T 'bb be 3192126812001 故962.16.0)144(2.13.42.1)3.1//16//62(////1443.1)1.5//3.4(8021'-=+-⨯=+==Ω==Ω=Ω==-=⨯-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β（3）当β=60，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。
模拟电子技术基础课后答案（完整版）
第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（×）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（√ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（×）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（×）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦，则)V (2.11594TV T，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TVV，于是TV Vs eI I，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V ，于是s I I，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 第四版习题解答 第章
第5章5.1写出图P5.1所示各电路的名称,分别计算它们的电压放大倍数和输入电阻。
解：(a)反相比例运算电路,Ω=-=-=k R A if uf 1,20120'(b) 同相比例运算电路, ∞→=+=',211201if uf R A(c)同相比例运算电路, Ω==++=k R A if uf 21,2012020)1201('5.2运算电路如图P5.2所示,试分别求出各电路输出电压的大小。
解:(a) V V U O 2.6305.1102201(62=+-⨯-= (b) V V U O 8.224101022410242)(10241(=+⨯-++⨯+=(c)V V V U o 65.1)10201020601()102201(60=⨯⨯++++--=5.3运放应用电路如图P5.3所示,试分别求出各电路的输出电压U o 值。
解（a ） V V RRU A 515-=⨯-= （b ） V U A 2-=5.4图P5.4所示的电路中,当u I =1V 时，u o =-10V,输入电阻为3 k Ω，试求电阻R F 。
R 1.R 2的值。
解：R 1=3 k Ω 10110-=-==I O uf u u A而由图可得Ω-=k R A Fuf 3 故Ω=Ω-⨯-=k k R F 30)3(10 R 2=R 1∥R F =2.73 k Ω5.5 图P5.5是利用集成运算放大器构成的电流-电压转换器，试求该电路输出电压u o 与输入电流i s 的关系式。
图P5.5解：u o=-i F R F =-i sR F u o 与i s 成正比。
5.6由集成运放组成的三极管电流放大系数β的测试电路如图P5.6所示，设三极管的U BE =0.7V 。
求三极管的C 、B 、E 各极的电位值；若电压表读数为200mV ，试求三极管的β值。
解：根据“虚短”，由运放A 1可知U C =5V ；由运放A 2可知U B =0V ，U E =-0.7V 。
大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如第四章 (2)
大专模拟电子技术第六版课后答案胡宴如第四章第一题答案：可以通过对信号进行采样和保持(Sample and Hold)操作，将连续时间信号转换为离散时间信号。
采样和保持电路由采样开关和保持电容组成，采样开关将输入信号接通到保持电容上，然后关闭，使得信号被保持在保持电容上，以供后续处理。
采样和保持电路的工作原理如下：1. 当采样开关接通时，输入信号通过采样开关进入到保持电容上；2. 采样开关断开后，保持电容上的电荷保持不变，相当于将采样时刻的输入信号“冻结”在保持电容上；3. 后续的电路可以基于保持电容上的电荷值进行信号处理。
采样和保持电路常用于模数转换器输入端的采样操作，以及模拟信号在数字信号处理中的处理过程中。
采样和保持电路要求采样开关具有高速开关功能，以保证采样过程的准确性和稳定性。
答案：在模拟电子技术中，电压跟随器是一种常见的放大电路，用于将输入电压的大小和变化准确地复制到输出电压上。
电压跟随器可以通过一个差分放大器和一个输出放大器组成。
差分放大器用于将输入电压进行放大并进行差分运算，输出放大器将差分放大器的输出作为输入，并放大到输出端。
电压跟随器的工作原理如下：1. 输入电压通过差分放大器进行放大和差分运算，产生差分信号；2. 差分信号通过输出放大器进行放大，得到输出电压。
电压跟随器具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点，即输入电阻大，输出电阻小。
这使得电压跟随器能够有效地隔离输入和输出电路，防止相互影响，并保持输入电路的准确性和稳定性。
电压跟随器常用于信号放大和信号跟踪等应用中，特别适用于需要在输入和输出之间保持高阻抗的情况。
例如，电压跟随器可以用于传感器的信号放大和模拟信号的跟踪和复制等应用。
答案：欢迎指导编辑。
模拟电子技术基础胡宴如自测题答案分解
模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1.1填空题1•半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2•本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P型半导体，其多数载流子是空穴。
3.PN结在正偏时导通—反偏时截止，这种特性称为_单向导电—性。
4•当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5•整流电路是利用二极管的单向导电一性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6•发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7•光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8.测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Q,交流电阻等于 26 Qo1.2单选题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C ）oA .温度B .掺杂工艺 C.掺杂浓度 D .晶格缺陷2.PN结形成后，空间电荷区由（D ）构成。
A .价电子B .自由电子 C.空穴 D .杂质离子3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B）。
A .减小B .基本不变 C.增大4.流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C ）oA .增大B .基本不变 C.减小5.变容二极管在电路中主要用作（D ） o 、A .整流B .稳压 C.发光 D .可变电容器1.3是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（v ）2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（X ）3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
（X ）4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
（X ）1.4分析计算题1.电路如图T1 . 1所示，设二极管的导通电压 U D（on）=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压 U o= (6— 0.7)V= 5.3 V。
模拟的电子技术基础--胡宴如-自测题问题详解
模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
( ×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( ×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
模拟电子技术胡宴如主编耿苏燕版习题解答第7章.docx
第7 章图所示桥式整流电容滤波电路中，已知R L=50Ω，交流电压有效值U2=15V，f=50HZ，试决定滤波电容C的大小并求输出电压U O（AV）﹑通过二极管的平均电流I D（AV）及二极管所承受的最高反向电压U RM。
图（3 ~ 5） T（3 ~ 5) 1600 ~ 1000 F解： C≥2R L 2 50 50U O(AV)==× 15=18V通过二极管的平均电流为I D ( AV )1 1UO ( AV )18I O ( AV )2 R L0.18 A 2 2 50二极管承受最高反向电压为U RM2U 2 2 15 21V图所示桥式整流电容滤波电路中，已知 R L=50Ω，C=2200μF，测得交流电压有效值U2=20V，如果用直流电压表测得输出电压U O有下列几种情况：（ 1） 28V;(2)24V ；（ 3） 18V; （ 4） 9V。
试分析电路工作是否正常并说明故障原因。
图解：（ 1） R L开路， U O=× 20=28V(2)正常， U O=× 20=24V（3） C开路 U O=× 20=18V（ 4）因二极管开路电路变为半波整流同时 C 开路， U O=× 20=9V已知桥式整流电容滤波电路中负载电阻 R L=20Ω，交流电源频率为 50Hz，要求输出电压U O （AV） =12V，试求变压器二次电压有效值 U2，并选择整流二极管和滤波电容。
解：变压器二次电压的有效值为UO ( AV )12U 210V1.2 1.2通过二极管的平均电流ID ( AV )1UO ( AV )122 R L0.3A2 20二极管承受的最高反向电压为URM2U 2 2 10 14V所以，可选择 I 1≥（ 2-3 ）I D（AV） =（~）A、U RM＞14V 的二极管，查手册知，可用 4 只1N4001 二极管组成桥式整流电路。
由于一般要求R L C≥（ 3~5）T/2 ，现取 R L C≥ 4T/2 ，所以可得4T / 2 4 /( 2 50)C0.002F 2000 FR L20由于滤波电容 C 承受的最大电压为2U 2=14V，因此可选用2000μF、 25V 的铝电解电容器。
《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第3章
图P3.2的H参数等效电路如图解P3.2所示，由已求ICQ可得
故
（3）当β=60，说明ICQ、Au、Ri、Ro的变化。
因β改变时对ICQ影响很小，可认为ICQ=1.92mA不变，这样
故
3.3放大电路如图P3.3所示，已知三极管的β=100，rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V，试：（1）求静态工作点ICQ、IBQ、UCEQ；（2）画出H参数小信号等效电路，求Au、Ri、Ro；（3）求源电压增 益Aus。
图P3.12
解：（1）求UCQ2
由图P3.12可得ICQ2=Io/2=0.5mA
故
（2）求Aud, Auc, KCMR
3．13电路如图P3.13所示，VCC=VEE=20V，RL=10Ω，晶体管的饱和压降UCES=0V，输入电压ui为正弦信号。试：（1）求最大不失真输出功率、电源供给功率、管耗及效率：（2）当输入电压振幅Uim=10V时，求输出功率、电源供给功率、功率及管耗；（3）求该电路的最大管耗及此时输入电压的振幅。
解：（1）求静态工作点
放大电路的直流通路如图解P3.4（a）所示，由图可得
故
则
（2）求主要性能指标
作出图P3.4电路的交流通路和H参数等效电路如图解P3.4（b）、（c）所示。图（c）中
由图（c）可得
3.5共集电极放大电路如图P3.5所示，已知β=100,rbb’=200Ω，UBEQ=0.7V。试：（1）估算静态工作点ICQ、UCEQ；（2）求Au=uo/ui和输入电阻Ri；（3）us=2V，求输出电压uo和输出电阻Ro。
解：C点：uo=un=ui=1V
B点：反相端接地，开环uo=UOM=10V
中点：构成同相放大电路，
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模拟电子技术胡宴如（第3版）自测题第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。
A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D )。
、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。
(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
(×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
(b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U P<U N，所以二极管反向偏压而截止，U0＝10 V。
(c)令V1、V2均断开，U N1＝0V、U N2＝6V、U P＝10V，U P—U N1>Up—U N2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U0＝0.7 V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出u i、u0、i D的波形。
解：输入电压u i为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u0＝0，而流过二极管的电流i D＝u i／R，为半波正弦波，其最大值I Dm＝10 V ／1 kΩ＝10 mA；当u i为负半周时，二极管反偏截止，i D＝0，u0＝u i为半波正弦波。
因此可画出电压u0电流i D的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知U Z ＝5 V ，I Z ＝5 mA ，电压表中流过的电流忽略不计。
试求当开关s 断开和闭合时，电压表○V 和电流表○A1、○A2读数分别为多大?解：当开关S 断开，R 2支路不通，I A2＝0，此时R 1与稳压二极管V 相串联，因此由图可得Z A I mA K V R U U I >=Ω-=-=5.62)518(1211可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V 。
当开关S 闭合，令稳压二极管开路，可求得R 2两端压降为Z R U U R R R U <=⨯+=+=6.3185.025.012122故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R 1、R 2构成串联电路，电流表A 1、A 2的读数相同，即mA K V R R U I I A A 2.75.021821121=Ω+=+==）（而电压表的读数，即R 2两端压降为3.6 V 。
第2章 半导体三极管及其基本应用2．1 填空题1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。
4．当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压U BE 减小 。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA 变化到20μA 时，集电极电流从1mA 变为1.99 mA ，则交流电流放大系数β约为 99 。
6．某晶体管的极限参数I CM =20mA 、P CM =100mW 、U (BR)CEO =30V ，因此，当工作电压U CE =10V 时，工作电流I C 不得超过 10 mA ；当工作电压U CE =1V 时，I C 不得超过 20 mA ；当工作电流I C =2 mA 时，U CE 不得超过 30 V 。
7．场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类；对于MOSFET ，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。
8．U GS(off)表示 夹断 电压，I DSS 表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。
2．2 单选题1．某NPN 型管电路中，测得U BE =0 V ，U BC = —5 V ，则可知管子工作于( C )状态。
A ．放大B ．饱和C ．截止D ．不能确定2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B)。
A．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管3．输入( C)时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
A．正弦小信号B．低频大信号C．低频小信号D．高频小信号4．(D)具有不同的低频小信号电路模型。
A．NPN型管和PNP型管B．增强型场效应管和耗尽型场效应管C．N沟道场效应管和P沟道场效应管D．晶体管和场效应管5．当U GS＝0时，( B)管不可能工作在恒流区。
A．JFET B．增强型MOS管C．耗尽型MOS管D．NMOS管6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B)。
A．N沟道JFET B．增强~AI PMOS管C．耗尽型NMOS管D．耗尽型PMOS管2．3 是非题1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。
( ×) 2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
( √) 3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
( ×) 4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
( √) 5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
( √)2．4 分析计算题1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解：(a)U BE=U B—U E＝0.7—0＝0.7V，发射结正偏；U BC=U B—U C＝0.7—3＝—2.3 V，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
(b) U BE=U B—U E＝2—3＝—1V，发射结反偏；U BC=U B—U C＝2—5＝—3 V，集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。
(c) U BE=U B—U E＝3—2.3＝0.7V，发射结正偏；U BC=U B—U C＝3—2.6＝0.4V，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为PNP型晶体管U EB=U E—U B＝(—2)—(—2.7)＝0.7V，发射结正偏；U CB =U C —U B ＝(—5)—(—2.7)＝—2.3V ，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。
2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的I B 、I C 、U CE 。
解：(a)方法一：mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-= 设晶体管工作在放大状态，则有 I C ＝βI B ＝100×0.053＝5.3mAU CE ＝12—5.3×3＝—3.9 V<0说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降U CE(Sat)＝0.3 V ，则集电极电流为mA R U V I C sat CE CC CS 9.313.012)(=-=-= 因此可得晶体管的I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V 方法二：mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω-= mA R U V I Csat CE CC CS 9.313.012)(=-=-= mA I I CS BS 039.01009.3===β 因为I B >I BS ，所以晶体管处于饱和状态，因而有I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V(b) A mA K V I B μ4.80084.0510)7.06(==Ω-=设晶体管工作在放大状态，则有I C ＝100×0.008 4 mA ＝0.84 mAU CE ＝5 V —0.84×3＝2.48 V> U CE(Sat)说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
(c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则I B＝0，I C＝0，U CE＝5 V3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解：(a)将C1、C2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图(a)、(b)、(c)所示。
4．场效应管的符号如图T2．4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解：(a)为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝—I DSS(b)为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝0(c)为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝I DSS，且u G S≤0第3章放大电路基础3．1 填空题1．放大电路的输入电压U i＝10 mV，输出电压U0＝1 V，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。