低噪声放大器的设计制作与调试报告
低噪声放大器设计
低噪声放大器设计随着电子技术的不断发展，低噪声放大器（Low Noise Amplifier，简称LNA）在无线通信和微波领域的重要性不断提升。
低噪声放大器的主要作用是在前置放大器中放大微弱信号，同时将噪声压制到最小，以保证整个系统的性能。
低噪声放大器的噪声系数是衡量其性能的重要指标，通常用dB比值或者分贝数来表示，简称Nf。
低噪声放大器的设计要确保Nf足够低，才能在微弱信号中产生足够的增益且不引入过多的噪声。
因此，低噪声放大器的设计非常重要。
一、低噪声放大器设计的挑战在设计低噪声放大器时，需要面临几个挑战。
第一，如何处理噪声。
在放大器中，噪声来自于电阻、晶体管的温度、元器件的起伏等因素，噪声在传输信号时会被放大。
因此，设计低噪声放大器需要充分考虑噪声的来源，并采取合适的抑制措施，以保证系统的高效运作。
第二，如何改善热噪声。
热噪声是低噪声放大器中一个常见的问题，是由器件本身热引起的噪声。
为了减小热噪声，需要减小器件的温度，采用低噪声晶体管等高品质元器件来代替常规器件，并减小元器件之间的串扰。
第三，如何平衡增益和噪声。
低噪声放大器需要在增益和噪声之间进行权衡，在增益和噪声之间找到平衡点。
增加放大器的增益会对噪声产生影响，因此需要采用低失真、高效率的放大器设计来保证放大器的性能。
二、低噪声放大器的设计要点低噪声放大器的设计要点主要包括器件选择、电路结构、滤波器和匹配等。
器件选择是设计低噪声放大器时非常关键的一个方面，选择适当的低噪声、低电荷、高频率的晶体管材料，能提高系统的性能，也能减小噪声系数。
电路结构是设计低噪声放大器时的另外一个重要方面。
直接耦合放大器和共源放大器是常见的电路结构，其中直接耦合放大器简单、稳定，但增益和噪声系数会受到限制。
而共源放大器的增益和噪声系数的选择范围更大，但也更过程更为复杂。
此外，混频器的阻抗匹配和反馈网络设计也是设计低噪声放大器的重要方面。
滤波器也是设计低噪声放大器时需要重点考虑的方面之一。
实验低噪声放大器的设计制作与调试总结共78页
21、要知道对好事的称颂过于夸大，也会招来人们的反感轻蔑和嫉妒。——培根 22、业精于勤，荒于嬉；行成于思，毁于随。——韩愈
23、一切节省，归根到底都归结为时间的节省。——马克思 24、意志命运往往背道而驰，决心到最后会全部推倒。——莎士比亚
25、学习是劳动，是充满思想的劳动。——乌申斯基
谢谢！Biblioteka 实验低噪声放大器的设计制作与调试 总结
16、人民应该为法律而战斗，就像为 了城墙 而战斗 一样。 ——赫 拉克利 特 17、人类对于不公正的行为加以指责 ，并非 因为他 们愿意 做出这 种行为 ，而是 惟恐自 己会成 为这种 行为的 牺牲者 。—— 柏拉图 18、制定法律法令，就是为了不让强 者做什 么事都 横行霸 道。— —奥维 德 19、法律是社会的习惯和思想的结晶 。—— 托·伍·威尔逊 20、人们嘴上挂着的法律，其真实含 义是财 富。— —爱献 生
FHX35lg低噪声放大器设计
工作点，5GHz
圆图测量
测量噪声系数圆NFCIR，稳定性圆SCIR1,测
量类型为circle。
潜在不稳定区
Input Port
Swp Max 20GHz
NFCIR[1,0.45] Stable Device SCIR1 Stable Device
Swp Min 0.2GHz
说明:可重设频点的范围、步 长，以减少显示的曲线数。
DB(NF) Device DB(NFMin) Device
15 20
测量噪声参数
创建图表：Two
Port Noise Parameters，测 K、B1，测量类型为linear 在K参数曲线上标注出K＝1的频点
1.5
Stability Data
1
11.763 GHz 1
0.5
B1 Device K Device
SUBCKT ID=S3 NET=Output Matching Circuit
PORT P=1 Z=50 Ohm
CAP ID=C1 C=100 pF
IND ID=L1 L=2.33 nH
PORT P=2 Z=50 Ohm
IND ID=L1 L=2.18 nH
PORT P=2 Z=50 Ohm
IND ID=L2 L=2.73 nH
1.0
Swp Max 5GHz
2. 0
0.8
0 3.
噪声圆
0 4.
5.0
10.0
NFCIR[2,0.5] Stable Device GAC_MAX[1,2] Stable Device
0
0.2
S[2,2] Input Matching Circuit
低噪放设计
低噪声放大器设计报告学生姓名：李江江学号：2 单位：物理电子学院一、技术指标：频率：5.25 GHz~5.55 GHz 噪声系数：小于0.5 dB (纯电路噪声系数不考虑连接损耗)增益：大于20dB 增益平坦度：每10MHZ带内小于0.1dB输入输出驻波比：小于2.0 输入输出阻抗：50二、理论分析低噪声放大器(LNA)在接收机系统中处于前端,主要作用是放大接收到的微弱信号,降低噪声干扰。
LNA的设计对整个接收机性能至关重要,其噪声系数(NF)直接反映接收机的灵敏度。
随着通讯、雷达技术的发展,对微波低噪声放大器也提出了更为严格的要求。
利用微波电路CAD设计软件,结合可靠的LNA设计理论来进行电路设计，可以避开复杂的理论计算,极大地提高设计准确性和效率，有效缩短研制周期,降低成本。
( A D S ) 软件是A g i l e n t 公司在H P E E S O F 系列E D A 软件基础上发展完善的大型综合设计软件，它功能强大，能够提供各种射频微波电路的仿真和优化设计，广泛应用于通信、航天等领域，是射频工程师的得力助手。
本文着重介绍如何使用ADS 进行低噪声放大器的仿真与优化设计。
LNA的性能指标主要是噪声系数、增益、工作频带、电压驻波比和带内平坦度等，尤其是噪声系数和增益对整机性能影响较大。
要实现理想功率传输，必须使负载阻抗与源阻抗相匹配,这就需要插入匹配网络。
放大管存在最佳源阻抗Zsop,t LNA的输入端应按Zsopt进行匹配,此时放大器的噪声系数为最小。
而为了获得较高的功率增益和较好的输出驻波比,输出端则采用输出共轭匹配。
如果增益不够，则需要采用多级放大电路。
原则上前级放大器相对注重噪声系数性能，后级放大器则相对注重增益性能。
也就是说，输出端口和级间针对增益最大和平坦度进行匹配电路设计。
LNA低噪声放大器的主要指标如下：1.工作频率与带宽2.噪声系数3.增益4.放大器的稳定性5.输入阻抗匹配6.端口驻波比和反射损耗三、设计过程：（1）直流分析晶体管S 参数的测量并确定工作点。
低噪声放大器的设计制作与调试报告
微波电路 CAD 射频实验报告姓名班级学号实验一低噪声放大器的设计制作与调试一、实验目的（一）了解低噪声放大器的工作原理及设计方法。
（二）学习使用ADS软件进行微波有源电路的设计，优化，仿真。
（三）掌握低噪声放大器的制作及调试方法。
二、实验内容（一）了解微波低噪声放大器的工作原理。
（二）使用ADS软件设计一个低噪声放大器，并对其参数进行优化、仿真。
（三）根据软件设计的结果绘制电路版图，并加工成电路板。
（四）对加工好的电路进行调试，使其满足设计要求。
三、实验步骤及实验结果（一）晶体管直流工作点扫描1、启动软件后建立新的工程文件并打开原理图设计窗口。
2、选择File——New Design…进入下面的对话框；3、在下面选择BJT_curve_tracer，在上面给新建的Design命名，这里命名为BJT Curve；4、在新的Design中，会有系统预先设置好的组件和控件；5、如何在Design中加入晶体管；点击，打开元件库；6、选择需要的晶体管，可以点击查询；7、对41511的查询结果如下，可以看到里面有这种晶体管的不同的模型；8、以sp为开头的是S参数模型，这种模型不能用来做直流工作点的扫描；9、选择pb开头的模型，切换到Design窗口，放入晶体管，按Esc键终止当前操作。
10对41511的查询结果如下，可以看到里面有这种晶体管的不同的模型11、以sp为开头的是S参数模型，这种模型不能用来做直流工作点的扫描12、选择pb开头的模型，切换到Design窗口，放入晶体管，按Esc键终止当前操作。
图1 BJT Curve仿真原理图13、按Simulate键，开始仿真，这时会弹出一个窗口，该窗口会现实仿真或者优化的过程信息。
如果出现错误，里面会给出出错信息，应该注意查看。
14、仿真结束，弹出结果窗口，如下页图。
注意关闭的时候要保存为适宜的名字。
另外图中的Marker是可以用鼠标拖动的。
由于采用的是ADS的设计模板，所以这里的数据显示都已经设置好了。
低噪声放大器的设计与应用概要
低噪声放大器的设计与应用
放大器的应用在工业技术领域中得到了广泛的认可，在许多场合下需要将传感器得到的微弱电信号放大来驱动相应的执行机构。比如电子秤，压力传感器转化得到的电信号十分微弱，不足以驱动相应的显示功能和准确的被辨识，所以需要放大器将此微弱的电信号进行放大。
低噪声放大器原理结构图
隔 离 器
低 噪 声 管
放 大 管
放 大 管
隔 离 器
限 幅 组 件 ALC
放 大 管
检波组件
限幅运 算电路低噪声放大来自模块结构说明1、隔离器：主要用于高频信号的单向输入，对于反向的高频信号进行隔离，同时对各端口的驻波进行匹配。 2、低噪声管：ATF54143，利用管子的低噪声特性，减少模块的内部噪声，降低低噪声模块的噪声电平，使整机的接收灵敏度提高。 3、放大管：进一步放大高频信号 。 4、限幅组件：包含由PIN管组成压控的衰减电路（ALC）以及由HMC273组成的数控衰减电路（ATT）。 5、检波组件：由MAX-4003芯片构成的检波电路检测出模块的输出功率大小。 6、限幅运算电路：根据检波组件对高频信号检测出的直流电压进行运算，对限幅电路进行控制。
1989年，由混合微波集成电路技术制成的三阶InP基放大器在60-65GHz频段内，已达到噪声系数3.0dB，其相关增益为22dB。三年以后，使用0.1μm InP基HEMT制成的三阶放大器在60GHz下已达到1.6dB的噪声系数，其相关增益16dB。 进入90年代，随着晶体材料技术和微细加工技术的发展，毫米波MMIC进入实用化阶段。MMIC开始主要应用于军用系统，90年代以来，MMIC在商用产品中开拓了广阔的市场。这主要是商用无线通信市场，如低轨道卫星移动通信、环球定位卫星系统等。
方案设计
低噪声放大器的两种设计方法与低噪声放大器设计实例
低噪声放大器的两种设计方法与低噪声放大器设计实例低噪声放大器的两种设计方法低噪声放大器（LNA）是射频收发机的一个重要组成部分，它能有效提高接收机的接收灵敏度，进而提高收发机的传输距离。
因此低噪声放大器的设计是否良好，关系到整个通信系统的通信质量。
本文以晶体管ATF-54143为例，说明两种不同低噪声放大器的设计方法，其频率范围为2～2．2 GHz；晶体管工作电压为3 V；工作电流为40 mA；输入输出阻抗为50 Ω。
1、定性分析1.1、晶体管的建模通过网络可以查阅晶体管生产厂商的相关资料，可以下载厂商提供的该款晶体管模型，也可以根据实际需要下载该管的S2P文件。
本例采用直接将该管的S2P文件导入到软件中，利用S参数为模型设计电路。
如果是第一次导入，则可以利用模块S-Params进行S参数仿真，观察得到的S参数与S2P文件提供的数据是否相同，同时，测量晶体管的输入阻抗与对应的最小噪声系数，以及判断晶体管的稳定性等，为下一步骤做好准备。
1.2、晶体管的稳定性对电路完成S参数仿真后，可以得到输入／输出端的mu在频率2～2．2 GHz之间均小于1，根据射频相关理论，晶体管是不稳定的。
通过在输出端并联一个10 Ω和5 pF的电容，m2和m3的值均大于1，如图1，图2所示。
晶体管实现了在带宽内条件稳定，并且测得在2．1 GHz时的输入阻抗为16．827-j16．041。
同时发现，由于在输出端加入了电阻，使得Fmin由0．48增大到0．573，Γopt为0．329∠125．99°，Zopt=（30．007+j17．754）Ω。
其中，Γopt是最佳信源反射系数。
1.3、制定方案如图3所示，将可用增益圆族与噪声系数圆族画在同一个Γs平面上。
通过分析可知，如果可用增益圆通过最佳噪声系数所在点的位置，并根据该点来进行输入端电路匹配的话，此时对于LNA而言，噪声系数是最小的，但是其增益并没有达到最佳放大。
因此它是通过牺牲可用增益来换取的。
低噪声放大器实验
低噪声放大器实验（虚拟实验）一、实验目的（1）了解低噪声放大器的工作原理；（2）掌握双极性体管放大器的工程设计方法；（3）掌握低噪声放大器基本参数的测量方法；（4）熟悉Multisim软件的高级分析功能，分析高频电路的性能。
二、实验原理低噪声放大器是射频接收前端的关键器件，其主要作用是提供足够的增益将来自接收天线的微弱信号放大从而抑制后级电路的噪声影响。
相较于普通的放大器，LNA有较低的噪声系数、一定的功率增益、足够的线性范围、良好的噪声匹配特性。
一个双极性晶体管LNA的小信号模型如图1所示。
其主要参数有发射结的结电阻r b’e、发射结电容C b’e、集电结电容C b’c、基极电阻r bb’、g m U b’e、特征频率f T等。
图1为了改善噪声性能，LNA需设计匹配噪声匹配网络。
常见的匹配网络有并联共源结构、并‐串反馈式结构、共栅式结构、源极反馈式等。
三、实验内容（一）1MHz LNA1、电路结构1MHz LNA的电路图如图2所示。
根据电路原理图，选取相应的器件，构成试验电路。
在放大器的输入端加入输入信号U i后，在放大器的输出端便可得到一个与Ui相位相反幅值被放大了的输出信号U o，实现电压放大。
图2如图3所示，在器件工具条上选择左起第一个按钮，选择输入信号U i。
图3如图4所示，选择“AC Power”作为输入信号，置于晶体管U1的栅极与地之间。
图4双击AC_Power 图标，出现如图5所示的对话框。
改动对话框中的相关设置可以改变幅值频率偏置电压等。
Voltage(RMS)选择5mV，Frequency选择1MHz，设置完毕点击“OK”。
图52、直流分析在进行直流工作点分析时，电路中的交流源将被置零，电容开路，电感短路。
如图6所示，单击菜单Simulate→Analysis—DC Operating Point选项将弹出对话框。
该对话框有Output、Analysis Options、Summary 共三个选项，如图7所示。
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微波电路CAD射频实验报告姓名班级学号声放大器的设计制作与调试低噪实验一的验目一、实的工作原理及设计方法。
（一）了解低噪声放大器进行微波有源电路的设计，优化，仿真。
件ADS 软（二）学习使用的制作及调试方法。
器（三）掌握低噪声放大二、实验内容（一）了解微波低噪声放大器的工作原理。
（二）使用 ADS 软件设计一个低噪声放大器，并对其参数进行优化、仿真。
（三）根据软件设计的结果绘制电路版图，并加工成电路板。
（四）对加工好的电路进行调试，使其满足设计要求。
三、实验步骤及实验结果（一）晶体管直流工作点扫描1、启动软件后建立新的工程文件并打开原理图设计窗口。
2、选择 File——New Design…进入下面的对话框；3、在下面选择 BJT_curve_tracer，在上面给新建的 Design 命名，这里命名为BJTCurve；4、在新的 Design 中，会有系统预先设置好的组件和控件；5、如何在 Design 中加入晶体管；点击，打开元件库；6、选择需要的晶体管，可以点击查询；7、对 41511 的查询结果如下，可以看到里面有这种晶体管的不同的模型；8、以 sp 为开头的是 S 参数模型，这种模型不能用来做直流工作点的扫描；9、选择 pb 开头的模型，切换到 Design 窗口，放入晶体管，按 Esc 键终止当前操作。
10 对 41511 的查询结果如下，可以看到里面有这种晶体管的不同的模型11、以 sp 为开头的是 S 参数模型，这种模型不能用来做直流工作点的扫描12、选择 pb 开头的模型，切换到 Design 窗口，放入晶体管，按 Esc 键终止当前操作。
仿真原理图BJT Curve 1 图一个窗口，该窗口会现实仿真或者优化的键，开始仿真，这时会弹出13、按Simulate过程信息。
如果出现错误，里面会给出出错信息，应该注意查看。
、仿真结束，弹出结果窗口，如下页图。
注意关闭的时候要保存为适宜的名字。
另外14 的设计模板，所以这里的数据显示是可以用鼠标拖动的。
由于采用的是ADS图中的 Marker都已经设置好了。
一般情况下，数据的显示需要人为自行设置。
2 典型仿真结果图图数扫描参S（二）晶体管参 S S1、选定晶体管的直流工作点后，可以进行晶体管的参数扫描，本节中选用的是；、Ic=5mAVce=2.7V sp_hp_AT-41511_2_19950125，这一模型对应的工作点为数模型，在上面命名，S-Params…进入下面的对话框，在下面选择 ew Design2、选择File N；SP_of_spmod为：文件生成，窗口如下 3、然后新的 Design参数仿真模型S 3 图模型的晶体管，并连接电路如图。
地的设置按上面的 sp同上面对应操作，加入4、键即可调入。
图中的 Term 也是在仿真中要经常用到的组件，用以表示连接特征阻抗的端口。
由于 sp 模型本身已经对应于一个确定的直流工作点，因此在做 S 参数扫描的时候无需加入直流偏置。
5、观察 sp 模型晶体管的参数显示，在此例中，标定的频率适用范围为0.1~5.1GHz，在仿真的时候要注意。
超出此范围，虽然软件可以根据插值等方法外推除电路的特性，但是由于模型已经失效，得到的数据通常是不可置信的。
控件中作相应的修改。
、在本例中，要在6、修改好之后，点击7按键，进行仿真，弹出数据输出窗口，数据输出窗口如图所示，参数。
如图可见，晶体管的输入匹配并不好。
S图中以不同形式显示输出参数S 输出 4 图模型仿真设计（三）SP模型进行仿真， sp 构建原理图：很多时候，在对封装模型进行仿真设计前，通过预先对模型的设计，通常被作为电路设计的初级阶段。
可以获得电路的大概指标。
sp处的输入、输出匹配。
2GHz 在1、本节首先设计 sp_hp_AT-41511_2_19950125参数仿真工具栏，在左侧选择 S 2、建立新的工程文件，命名为spmod_LNA，放置，放置在原理图窗口点击在库中选出晶体管口点击端，设置接地点击，放置输入阻抗测试控件点击两个，放 Term2，Term1：示S 参数扫描控件的设置为需要值连接电路如下页图所置 S 参数扫描控件修改连接好的电路图5图点的输入阻抗2GHz 测试输入阻抗仿真，在数据输出窗口观察输入阻抗由列表中可得到。
j*6.8118.89＋，换算为实/虚部的形式为：20.083/19.829输入阻抗表图 6值图7 修改 MSub所示，修改参数为需要值，如图 7中输入匹配设计：在 MSub的综合工具，综合出匹配网络。
双击进行参数编辑，频率设置下面使用ADS 的输入阻抗。
Zload 设为前面仿真得到的晶体管，，为2GHzZin设置为需要匹配的目标值50在原理图窗口的最上一行，选择选定后，弹出窗口如图，匹配网络生成后，点击，综合完毕后，即可生成适合的匹配网络选择，所示。
进入匹配网络的子电路，如图 8匹配电路图8 图参数仿真结果9 S 图真结果仿 10输入阻抗、稳定系数、噪声系数图入匹配、由以上的仿真结果可见，基本上电路已经达到了比较好的性能，如：良好的输电路的增益也较高的增益、稳定系数和噪声系数都比较好。
另一方面，输出匹配还不太好，可能进一步的提高。
以下进行输出匹配设计，需要说明的几点：件实际上，输出匹配的设计同输入匹配一样，可以采用先计算输出阻抗再由软综合生成；，请注意。
在下面的设计中采用的方法并不是合适的方法，仅是为了介绍优化工具的使用，点击微对于输出及也使用单分支线的结构进行匹配选择调整。
和带线工具T形接头工具，连接电路如图元件的方向可以按，需要对微带和接头的参数进行调整（当然，实际制作电路的时候，由输入匹配的设计，可知输入匹配网络的线宽为 1.558mm 征阻抗对应的欧姆特不可能达到这样的精度），根据综合时的设置，这个宽度实际上就是 50线宽。
因此，在输出匹配电路中，将所有的宽度设置为此宽度。
如图。
，加点击优化工具栏为，加入优化控件点击S(1,1)保持附近的2GHz，同时附2GHz入优化目标控件，设置优化目标，在近降低S(2,2)”。
尽量小，由于是在当前的两个目标是在2GHz 附近，故相应参数设为”SP2优化前的电路图11 图工具中的更新数据选项更新优化后的电路，开始优化。
优化结束后，选择Simulate点击重新仿真即可得到优化后的），再点击参数。
使用将优化控件关闭（用于激活对象参数如图电路特性。
经过一次随机优化的 SS一次随机优化的参数如图12图恶化了。
大S(2,2)可见有了很的改善，但同时 S(1,1)，还可以对输入匹配网络进行优化，最 Weight反复调整优化方法、优化目标中的权重行优化，并通终得到合适的结果。
将噪声系数、放大器增益、稳定系数都加入优化目标中进。
如果电路稳定过对带内放大器增益的限制来满足增益平坦度指标，最终达到各个要求指标的值在整个频带内的某些频点在，难以达到优化目标，或者 S(1,1)低于系数变得很小( 0.9) 部分电路指标的优化可能导致其它0dB 以上，则需要加入负反馈，改善放大器的稳定性。
对某些指标的恶化，可以根据需要增加一些优化变量。
13 图整个实验原理图图14 整个实验优化结果四、实验心得通过本次实验，让我了解低噪声放大器的工作原理及设计方法。
使我了解了 ADS 软件设计低噪声放大器的流程和方法以及相关元件库文件和元件库的使用。
学习熟悉了使用 ADS 软件进行微波有源电路的设计，优化，仿真的全过程。
计的设荡器 VCO 实验二压控振一、实验目的（一）了解压控振荡器 VCO 的原理和设计方法（二）学习使用 ADS 软件进行 VCO 的设计，优化和仿真。
二、实验内容（一）了解振荡器的主要技术指标（二）使用 ADS 软件设计一个 VCO，并对其参数进行优化、仿真。
（三）观察不同的参数对 VCO 工作的影响三、实验步骤及实验结果1、启动 ADS 进入如下界面2、点击 File->New Project 设置工程文件名称（本例中为 Oscillator）及存储路径工程文件创建完毕后主窗口，同时原理图设计窗口打开。
3、设计振荡器这种有源器件，第一步要做的就是管子的选取，设计前必须根据自己的指标确定管子的参数，选好三极管和变容二极管；第二步是根据三极管的最佳噪音特性确定直流偏置电路的偏置电阻；第三步是确定变容二极管的 VC 特性，先由指标（设计的振荡器频率）确定可变电容的值，然后根据 VC 曲线确定二极管两端直流电压；第四步是进行谐波仿真，分析相位噪音，生成压控曲线，观察设计的振荡器的压控线性度。
4、设计指标：设计一个压控振荡器，振荡频率在 1.8GHz 左右。
第一步根据振荡频率确定选用的三极管，因为是压控振荡器，所以还需要一个变容二极管；第二步需要用到 ADS 的直流仿真；第三步通过 S 参数仿真确定变容二极管的 VC 曲线；第四步用 HB 模块来进行谐波仿真，计算相位噪音。
设计的振荡器采用 HP 公司生产的 AT41411 硅双极管[12]，变容二极管选MV1404。
AT41411 的主要指标有：低噪音特性：1GHz 噪音系数是 1.4dB，2GHz 噪音系数是1.8dB；高增益：1GHz 时增益为 18dB，2GHz 时增益为 13dB；截止频率：7GHz，有足够宽的频带；1.8GHz 时最佳噪音特性：Vce＝8V，Ic＝10mA；振荡器采用的初始电路如下图所示，图中的三极管、二极管以及电阻电容等器件在 ADS 的器件库中均可以找到。
初始振荡器电路1图，按“ctrl+F1”打开搜索对话 library5、在电路原理图窗口中点击，打开Component 公司的晶体管；就是我们在该项目中用到的 Agilent窗口；搜索器件“ph_hp_AT41411”这把搜索出来的器件拉到电路原理图中，按“Esc”键可以取消当前的动作。
选中晶体管，按可以旋转晶体管，把晶体管安放到一个合适的位置。
并放在适当的位置，同理类，然后在这个类里面选择 L_Probe选择 probe components。
R 里面选择 Time Domain”里面选择 V_DC，在lumped components可以在“Sources－。
OPTIM，这里需要两个，还有一类里面选择 GOAL个在 optim/stat/Yield/DOE 。
DC面选择一个－DC 里Simulation在上面的器件和仿真器都按照下图放好，并连好线。
需要的名字并在你需要的电路图上面点一下，就 NAME 钮出现对话框后，可以输入你按”节点。
会自动给电路节点定义名字，如下图中的“Vcb”，“Veb修改后的电路图2图来进行两个偏置电阻的优化，考虑到振荡器中GOAL 采用双电源供电的方法，设置两个时的最佳噪音特性，所以直三极管的工作状态最好是远离饱和区，还要满足三极管1.8GHz。