STM32F103ZET6核心板 REV1.0 (2014.10.17)
STM32学习笔记-STM32F103ZET6
STM32F103 系列芯片的系统架构：系统结构：在每一次复位以后，所有除SRAM 和FLITF 以外的外设都被关闭，在使用一个外设之前，必须设置寄存器RCC_AHBENR 来打开该外设的时钟。
GPIO 输入输出，外部中断，定时器，串口。
理解了这四个外设，基本就入门了一款MCU。
时钟控制RCC：-4~16M 的外部高速晶振-内部8MHz 的高速RC 振荡器-内部40KHz低速RC 振荡器，看门狗时钟-内部锁相环（PLL，倍频），一般系统时钟都是外部或者内部高速时钟经过PLL 倍频后得到- 外部低速32.768K 的晶振，主要做RTC 时钟源ARM存储器映像：数据字节以小端格式存放在存储器中。
一个字里的最低地址字节被认为是该字的最低有效字节，而最高地址字节是最高有效字节。
存储器映像与寄存器映射：ARM 存储器映像4GB0X0000 00000X1FFF FFFF0X2000 00000X3FFF FFFF0X4000 00000X5FFF FFFF寄存器名称相对外设基地址的偏移值编号位表读写权限寄存器位功能说明使用C语言封装寄存器：1、总线和外设基地址封装利用地址偏移（1）定义外设基地址（Block2 首地址）（2）定义APB2总线基地址（相对外设基地址偏移固定）（3）定义GPIOX外设基地址（相对APB2总线基地址偏移固定）（4）定义GPIOX寄存器地址（相对GPIOX外设基地址偏移固定）（5）使用 C 语言指针操作寄存器进行读/写//定义外设基地址#define PERIPH_BASE ((unsigned int)0x40000000) 1)//定义APB2 总线基地址#define APB2PERIPH_BASE (PERIPH_BASE + 0x00010000) 2)//定义GPIOC 外设基地址#define GPIOC_BASE (AHB1PERIPH_BASE + 0x0800) 3)//定义寄存器基地址这里以GPIOC 为例#define GPIOC_CRL *(unsigned int*)(GPIOC_BASE+0x00) 4)#define GPIOC_CRH *(unsigned int*)(GPIOC_BASE+0x04)#define GPIOC_IDR *(unsigned int*)(GPIOC_BASE+0x08)#define GPIOC_ODR *(unsigned int*)(GPIOC_BASE+0x0C)#define GPIOC_BSRR *(unsigned int*)(GPIOC_BASE+0x10)#define GPIOC_BRR *(unsigned int*)(GPIOC_BASE+0x14)#define GPIOC_LCKR *(unsigned int*)(GPIOC_BASE+0x18)//控制GPIOC 第0 管脚输出一个低电平5)GPIOC_BSRR = (0x01<<(16+0));//控制GPIOC 第0 管脚输出一个高电平GPIOC_BSRR = (0x01<<0);2、寄存器封装利用结构体、外设基地址和寄存器地址偏移typedef unsigned int uint32_t; /*无符号32 位变量*/typedef unsigned short int uint16_t; /*无符号16 位变量*//* GPIO 寄存器列表*/typedef struct{uint32_t CRL; /*GPIO 端口配置低寄存器地址偏移: 0x00 */uint32_t CRH; /*GPIO 端口配置高寄存器地址偏移: 0x04 */uint32_t IDR; /*GPIO 数据输入寄存器地址偏移: 0x08 */uint32_t ODR; /*GPIO 数据输出寄存器地址偏移: 0x0C */uint32_t BSRR; /*GPIO 位设置/清除寄存器地址偏移: 0x10 */uint32_t BRR; /*GPIO 端口位清除寄存器地址偏移: 0x14 */uint16_t LCKR; /*GPIO 端口配置锁定寄存器地址偏移: 0x18 */}GPIO_TypeDef;只要给结构体设置好首地址，就能把结构体内成员的地址确定下来，然后就能以结构体的形式访问寄存器。
红牛开发板stm32f103zet6用户手册
红牛开发板用户手册 CopyRight@20091.概述红牛STM32开发板是以意法半导体 (ST)公司推出的基于ARM Cortex-M3系列最高配置芯片STM32F103ZE为核心组成。
板上资源：●CPU：STM32F103ZET6;(LQFP144脚,片上集成512K flash、64KRAM、12Bit ADC、DAC、PWM、CAN、USB、SDIO、FSMC等资源)●板上外扩512K SRAM, 2M NOR FLASH （板上支持最大1024kSRAM，16M的NOR FLASH）满足大容量数据采集、处理及分析要求●板上外扩128M或256M NAND FLASH（标配128M）满足彩屏上丰富的图片存储、数据表格存储，文件管理等应用● 搭配2.8寸TFT真彩触摸屏模块或3.2寸TFT真彩触摸屏模块(由用户选择)，FSMC控制，彩屏模块上配置RSM1843（ADS7843、TSC2046脚对脚兼容）触摸控制器芯片，支持一个SD卡（SPI方式）可用于存储图片，支持一个AT45DBxxx 的DATA FLASH（可用于存储汉字库）● 一路CAN通信接口,驱动器芯片SN65VHD230● 两路RS232接口● 一路RS485通信接口● 一个SD卡座SDIO控制方式● 一个I2C存储器接口，标配24LC02(EEPROM)● 一个SPI存储器接口，标配AT45DB161D(DATA FLASH)● 一路ADC调节电位器输入● 三路ADC输入接线端子引出● 两路PWM输出接线端子引出● 两路DAC输出接线端子引出● 一个蜂鸣器、五个用户LED灯、一个电源指示灯，一个USB通信指示灯，● 四个用户按键，一个系统复位按键● 电源选择跳线，支持外接5V 电源供电，USB 供电或JLINK 供电 ● 板子规格尺寸:13CM X 10CM● 所有I/O 口通过2.54MM 标准间距引出,方便二次开发板上的全部硬件特性能快速帮助你评估STM32F103ZE 所有外设（USB 、motor control,、CAN,、SPI 、MicroSD card 、smartcard 、USART 、NOR Flash 、NAND flash 、 SRAM ）和开发你自己的应用项目。
STM32F103ZET6(中文)介绍
− 2个16位带死区控制和紧急刹车，用于电机 控制的PWM高级控制定时器
− 2个看门狗定时器(独立的和窗口型的) − 系统时间定时器：24位自减型计数器 − 2个16位基本定时器用于驱动DAC
■ 多达13个通信接口 − 多达2个I2C接口(支持SMBus/PMBus) − 多达5个USART接口(支持ISO7816，LIN， IrDA接口和调制解调控制) − 多达3个SPI接口(18M位/秒)，2个可复用为 I2S接口 − CAN接口(2.0B 主动) − USB 2.0全速接口 − SDIO接口
■ CRC计算单元，96位的芯片唯一代码
■ ECOPACK®封装
表1 器件列表
参考 STM32Байду номын сангаас103xC STM32F103xD STM32F103xE
基本型号
STM32F103RC 、 STM32F103VC 、 STM32F103ZC STM32F103RD 、 STM32F103VD 、 STM32F103ZD STM32F103RE 、 STM32F103ZE 、 STM32F103VE
本文档英文原文下载地址： /stonline/products/literature/ds/14611.pdf
参照2009年3月 STM32F103xCDE数据手册 英文第5版 （本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准）
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深圳市迪通科技有限公司 ＴＥＬ：０７５５－８３３１２９４７ ８３３１３９４１ ８３３１７４８８ＦＡＸ：０７５５－８３３１１５６８
深圳市迪通科技有限公司 ＴＥＬ：０７５５－８３３１２９４７ ８３３１３９４１ ８３３１７４８８ＦＡＸ：０７５５－８３３１１５６８
STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE数据手册
原子stm32f103zet6 晶振电容
原子stm32f103zet6 晶振电容The STM32F103ZET6 is a microcontroller from the STM32family manufactured by STMicroelectronics. One particular aspect related to this microcontroller is the crystal oscillator circuit and its corresponding capacitors, which are crucial for proper operation and reliable clock signal generation.In order to enable the crystal oscillator on theSTM32F103ZET6, you will need to connect two capacitors in parallel with the crystal. The value of these capacitors depends on the specific requirements of your crystal, so it is important to consult its datasheet for recommended values. Normally, crystals used with microcontrollers like the STM32F103ZET6 have a typical capacitance specified, which serves as a starting point.The function of these capacitors is to stabilize and adjust the oscillation frequency of the crystal. They form part of what is known as the load capacitance, which consists of both internal and external capacitances. The total loadcapacitance seen by the crystal should match its specified or recommended load capacitance value.It's worth noting that there are different types ofcrystals available on the market: parallel resonantcrystals and series resonant crystals. Each type has its own specific capacitor requirements. For example, parallel resonant crystals require two equal value capacitors connected in parallel with it, while series resonant crystals usually don't require any external capacitors.To choose suitable capacitors for your STM32F103ZET6crystal oscillator circuit, you can follow these general guidelines:1. Check the datasheet or specifications of your crystalfor its load capacitance requirement.2. If using a parallel resonant crystal, select two equal value capacitors within a close range of the recommended or specified load capacitance.3. Series resistance (ESR) characteristics of electrolytic capacitors should be considered if used.4. Ceramic capacitors are commonly used due to their low cost and various available options.5. Experiment with different capacitor values around the recommended or specified load capacitance to fine-tune the oscillator frequency if necessary.Remember that accurate clock signals are crucial for the proper functioning of a microcontroller, so it is important to pay attention to the crystal oscillator circuit and its associated capacitors. By choosing appropriate capacitors for your specific crystal, you will ensure stable and reliable clock signal generation for your STM32F103ZET6.我的问题是：原子stm32f103zet6 晶振电容STM32F103ZET6是STMicroelectronics生产的STM32系列微控制器之一。
MEMORY存储芯片STM32F103ZET6中文规格书
DS5792 Rev 13Absolute maximum ratingsStresses above the absolute maximum ratings listed in Table 7: Voltage characteristics , Table 8: Current characteristics , and Table 9: Thermal characteristics may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and functional operation of the device at these conditions is not implied. Exposure to maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.Table 7. Voltage characteristicsSymbol RatingsMin Max UnitV DD –V SS External main supply voltage (including V DDAand V DD)(1)1.All main power (V DD , V DDA ) and ground (V SS , V SSA ) pins must always be connected to the external powersupply, in the permitted range.–0.3 4.0V V IN (2)2.V IN maximum must always be respected. Refer to Table 8: Current characteristics for the maximumallowed injected current values.Input voltage on five volt tolerant pin V SS − 0.3V DD + 4.0 Input voltage on any other pinV SS − 0.34.0|ΔV DDx |Variations between different V DD power pins -50mV |V SSX − V SS |Variations between all the different ground pins (3)3.Include V REF- pin.-50V ESD(HBM)Electrostatic discharge voltage (human body model)see Section 5.3.12:Absolute maximum ratings (electrical sensitivity)-Table 8. Current characteristicsSymbol RatingsMax.UnitI VDD Total current into V DD /V DDA power lines (source)(1)1.All main power (V DD , V DDA ) and ground (V SS , V SSA ) pins must always be connected to the external powersupply, in the permitted range.150mA I VSS Total current out of V SS ground lines (sink)(1)150I IO Output current sunk by any I/O and control pin 25Output current source by any I/Os and control pin − 25I INJ(PIN)(2)2.Negative injection disturbs the analog performance of the device. See note 3 below Table 62 on page 108.Injected current on five volt tolerant pins (3)3.Positive injection is not possible on these I/Os. A negative injection is induced by V IN <V SS . I INJ(PIN) mustnever be exceeded. Refer to Table 7: Voltage characteristics for the maximum allowed input voltage values.-5/+0Injected current on any other pin (4)4.A positive injection is induced by V IN >V DD while a negative injection is induced by V IN <V SS . I INJ(PIN) must never be exceeded. Refer to Table 7: Voltage characteristics for the maximum allowed input voltage values.± 5ΣI INJ(PIN)Total injected current (sum of all I/O and control pins)(5)5.When several inputs are submitted to a current injection, the maximum ΣI INJ(PIN) is the absolute sum of thepositive and negative injected currents (instantaneous values).± 25Electrical characteristics STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xEDS5792 Rev 135.3 Operating conditions5.3.1General operating conditionsTable 9. Thermal characteristicsSymbol RatingsValue Unit T STG Storage temperature range –65 to +150°C T JMaximum junction temperature150°CTable 10. General operating conditionsSymbol ParameterConditionsMin Max Unitf HCLK Internal AHB clock frequency -0 72MHz f PCLK1Internal APB1 clock frequency -0 36f PCLK2Internal APB2 clock frequency -0 72V DDStandard operating voltage -2 3.6V V DDA (1)1.When the ADC is used, refer to Table 59: ADC characteristics .Analog operating voltage(ADC not used)Must be the same potential as V DD (2)2.It is recommended to power V DD and V DDA from the same source. A maximum difference of 300mVbetween V DD and V DDA can be tolerated during power-up and operation.2 3.6VAnalog operating voltage (ADC used)2.43.6V BATBackup operating voltage- 1.8 3.6V P DPower dissipation at T A = 85°C for suffix 6 or T A = 105°C for suffix 7(3)3.If T A is lower, higher P D values are allowed as long as T J does not exceed T J max (see Table 6.7: Thermalcharacteristics on page 132).LQFP144-666mW LQFP100-434LQFP64-444LFBGA100-500LFBGA144-500WLCSP64-400T AAmbient temperature for 6 suffix versionMaximum power dissipation -4085°C Low-power dissipation (4)4.In low-power dissipation state, T A can be extended to this range as long as T J does not exceed T J max (seeTable 6.7: Thermal characteristics on page 132).-40105Ambient temperature for 7 suffix versionMaximum power dissipation -40105°CLow-power dissipation (4)-40125T JJunction temperature range6 suffix version -40105°C7 suffix version-40125DS5792 Rev 13STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE Electrical characteristics5.3.2 Operating conditions at power-up / power-downThe parameters given in Table 11 are derived from tests performed under the ambienttemperature condition summarized in Table 10.5.3.3 Embedded reset and power control block characteristicsThe parameters given in Table 12 are derived from tests performed under ambient temperature and V DD supply voltage conditions summarized in Table 10.Table 11. Operating conditions at power-up / power-downSymbol ParameterConditionsMin Max Unit t VDDV DD rise time rate -0∞µs/VV DD fall time rate20∞Table 12. Embedded reset and power control block characteristicsSymbolParameterConditionsMin Typ Max UnitV PVDProgrammable voltage detector level selection PLS[2:0]=000 (rising edge) 2.1 2.18 2.26V PLS[2:0]=000 (falling edge)2 2.08 2.16PLS[2:0]=001 (rising edge) 2.19 2.28 2.37PLS[2:0]=001 (falling edge) 2.09 2.18 2.27PLS[2:0]=010 (rising edge) 2.28 2.38 2.48PLS[2:0]=010 (falling edge) 2.18 2.28 2.38PLS[2:0]=011 (rising edge)2.38 2.48 2.58PLS[2:0]=011 (falling edge) 2.28 2.38 2.48PLS[2:0]=100 (rising edge)2.47 2.58 2.69PLS[2:0]=100 (falling edge) 2.37 2.48 2.59PLS[2:0]=101 (rising edge) 2.57 2.68 2.79PLS[2:0]=101 (falling edge) 2.47 2.58 2.69PLS[2:0]=110 (rising edge) 2.66 2.78 2.9PLS[2:0]=110 (falling edge) 2.56 2.68 2.8PLS[2:0]=111 (rising edge) 2.76 2.883PLS[2:0]=111 (falling edge)2.66 2.78 2.9V PVDhyst (2)PVD hysteresis--100-mV V POR/PDR Power on/power down reset threshold Falling edge 1.8(1)1.The product behavior is guaranteed by design down to the minimum V POR/PDR value.1.88 1.96V Rising edge 1.84 1.922.0V PDRhyst (2)PDR hysteresis--40-mV T RSTTEMPO (2)2.Guaranteed by design.Reset temporization-12.54.5msElectrical characteristics STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xEDS5792 Rev 13DS5792 Rev 13STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE Electrical characteristicsTable 14. Maximum current consumption in Run mode, code with data processingrunning from FlashSymbolParameterConditionsf HCLK Max (1)1.Guaranteed by characterization results.UnitT A = 85°CT A = 105°CI DDSupply current in Run modeExternal clock (2), all peripherals enabled 2.External clock is 8 MHz and PLL is on when f HCLK > 8 MHz.72 MHz 6970mA48 MHz5050.536 MHz 3939.524 MHz272816 MHz2020.58 MHz 1111.5External clock (2), all peripherals disabled 72 MHz 3737.548 MHz2828.536 MHz 2222.524 MHz16.51716 MHz 12.5138 MHz88Table 15. Maximum current consumption in Run mode, code with data processingrunning from RAMSymbolParameterConditionsf HCLK Max (1)1.Guaranteed by characterization results at V DD max, f HCLK max.UnitT A = 85°CT A = 105°CI DDSupply current in Run modeExternal clock (2), all peripherals enabled 2.External clock is 8 MHz and PLL is on when f HCLK > 8 MHz.72 MHz 6667mA48 MHz43.545.536 MHz 333524 MHz2324.516 MHz16188 MHz 910.5External clock (2), all peripherals disabled 72 MHz 3333.548 MHz2323.536 MHz 1818.524 MHz1313.516 MHz 1010.58 MHz66.5。
STM32F103ZET6介绍
STM32F103ZET6介绍外观方面，STM32F103ZET6采用的是176引脚的LQFP封装，在封装上与其他系列的STM32微控制器保持了一致性。
该封装形式易于焊接和布局，便于将其集成到具体的应用中。
同时，该封装也提供了丰富的I/O引脚，满足了各种应用的需求。
关于性能，STM32F103ZET6内置了一颗ARM Cortex-M3内核，运行频率可高达72MHz。
该内核具备高性能、低功耗、高集成度等特点，能够满足日常应用中对处理器性能的要求。
此外，其还配备了256KB的闪存和64KB的SRAM，可以存储大量的应用程序和数据。
同时，该微控制器还支持多种外设接口，如USB、SPI、I2C等，便于与其他设备进行通信和扩展。
在应用场景方面，STM32F103ZET6适用于广泛的应用领域。
首先，在工业自动化领域，该微控制器的高性能和丰富的接口能够满足工业控制系统对处理能力和通信能力的要求。
其次，在消费电子领域，STM32F103ZET6可以用于电视机、空调、音响等产品中，通过各种接口实现与其他设备的连接和控制。
此外，在智能家居领域，该微控制器可以作为智能家居控制主板，实现对家居设备的管理和控制。
另外，在智能交通领域，STM32F103ZET6可以用于交通信号灯、ETC系统等设备，实现车辆和设备的智能化控制。
总之，STM32F103ZET6具有广泛的应用领域，并且能够满足不同领域中对处理器性能和通信能力的要求。
除了上述介绍的特点外，STM32F103ZET6还具有其他一些重要的特性。
首先，它支持多种电源模式，包括Halt、Stop、Standby等模式，以满足不同应用对功耗的要求。
其次，该微控制器具备强大的中断系统，可实现多个外设的优先级管理和中断处理。
此外，STM32F103ZET6还具备丰富的时钟系统和时钟源，能够满足不同应用对时钟稳定性和精确性的需求。
综上所述，STM32F103ZET6是一款性能卓越的32位ARM Cortex-M3微控制器。
STM32F103ZET6核心板用户手册
STM32F103ZET6核心板用户手册本板特色：用一个USB口实现供电、下载、串口调试三个功能，所有I/O 口均用丝印标注，芯片USB口单独引出，大小仅9cm×6cm，是STM32学习开发者的利器！板载资源：接口说明：3.3V供电口：用于核心板给外部模块提供3.3V电源VCC供电口：用于核心板给外部模块提供VCC电源（即USB口接入的电源）USB接口：STM32F103ZET6芯片的USB接口，可用于芯片与上位机进行USB通讯，也可以用于给板子供电。
USB转232接口：通过转换芯片将STM32的UART1接口转换为USB接口，用于给板子供电，进行一键下载，同时具有USB转串口功能。
JTAG接口：用于板子的JTAG仿真和下载。
启动方式选择跳线：即BOOT0和BOOT1跳线，跳线接R12一侧为低，接R13一侧为高，使用一键下载功能时须将BOOT0和BOOT1都接低。
CR1220电池座（背面）：用于安装CR1220型号的纽扣电池来给芯片的RTC供电。
一键下载功能使用说明：首先用USB线将板子的USB转232接口与电脑相连，第一次连接需要安装驱动程序。
驱动程序安装好后在设备管理器中可以看到设备名为Slicon Labs CP210x,打开mcuisp下载软件，进行如下设置，其中Port一栏就选刚才看到的Slicon Labs CP210x对应的端口号。
设置好后单击读器件信息，若成功则说明电脑与板子已正常连接。
选择要下载的程序文件，单击开始编程即可对将程序下载到板子中。
USB转串口功能使用说明：USB转232接口同时具有USB转串口功能，可以通过串口助手对板子进行调试。
首先用USB线将板子的USB转232接口与电脑相连，下载资料中提供的测试程序。
下载完成后，打开串口助手程序，单击串口配置，选择板子对应的端口进行配置。
配置完成后单击打开串口，正常情况下可以接收到板子发回的欢迎信息。
注意：某些串口助手在打开时会控制USB转串口芯片，导致板子无法使用复位按键进行硬复位。
TM32F103ZET6最小系统设计
TM32F103ZET6最小系统设计【摘要】STM32F103ZET6是意法半导体公司基于Cortex_M3内核设计，功能强大的一款优秀的工业级单片机。
本文基于此款芯片设计了最小系统板，并经过实测验证最小系统板的正确性，可以为相应的开发人员及电子爱好者开发设计相应的最小系统的作为理论支持。
【关键词】STM32；最小系统；数字与模拟；PCBCortex_M3内核主要是应用于低成本、低功耗的场合，并且具有极高的运算能力和极强的中断响应能力。
Cortex-M3处理器采用纯Thumb2指令的执行方式，使得这个具有32位高性能的ARM内核能够实现8位和16位的代码存储密度。
ARM Cortex-M3处理器是使用最少门数的ARM CPU，核心门数只有33K，在包含了必要的外设之后的门数也只有60K，使得封装更为小型，成本更加低廉。
Cortex-M3采用了ARM V7哈佛架构，具有带分支预测的3级流水线，中断延迟最大只有12个时钟周期，在末尾连锁的时候只需要6个时钟周期。
同时具有1.25DMIPS/MHZ的性能和0.19mW/MHZ的功耗。
STM32F103ZET6该芯片具有Cortex_M3内核、144管脚、64KB SRAM、512 KB FLASH、2个基本定时器、4个通用定时器、2个高级定时器、3个SPI、2个IIC、5个串口、1个USB、1个CAN、3个12位ADC、1个12位DAC、1个SDIO接口、1个FSMC接口以及112个通用IO口。
一、原理图设计一个最小的核心板原理图分为电源供电，外部时钟，启动方式，复位，下载五部分。
1.电源供电电源供电部分为主要模拟部分供电与数字部分供电，11个数字部分需要添加11个去耦电容（见图1.1）。
去耦电容的作用举个简单的例子。
你可以把总电源看作水库，我们大楼内的家家户户都需要供水，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。
实际水是来自于大楼顶上的水塔，水塔其实是一个暂存的作用。
STM32F103ZET6芯片在LED显示屏控制应用中的探索
STM32F103ZET6芯片在LED显示屏控制应用中的探索近十年来，以LED（light emiting diode，发光二极管）点阵器件而组成的显示屏作为一种新的信息显示载体，得到了社会生活中的广泛的应用。
其高亮度、耐冲击且寿命长等多种优点，被广泛应用于航天指挥大厅、奥运会体育赛事、交通信号指示等诸多领域。
LED点阵屏的核心技术主要集中在控制器系统上。
目前，大部分异步LED显示屏采用的是8位STC89C51单片机控制，由于受到单片机的处理速度、体系结构、存储空间、接口资源等诸多限制，在要求显示较多像素、动态显示效果丰富的情况下已难以达到预期显示效果。
针对以上情况，笔者研究开发了一种全新的，由32位高性能STM32F103ZET6微处理器为核心的LED显示屏控制系统设计方案，该方案以ARMCortex-M3内核芯片STM32F103ZET6作为主控芯片，以可编程逻辑器件M4A5-128/64完成数据的刷新，不但能实现传统的串口通信，还能实现以太网及在布线有难度的情况先实现USB口进行数据更新。
标签：LED显示屏；STM32F103ZET6；以太网；USB1 LED显示屏控制系统的研究现状与发展趋势LED显示屏具有发光亮度高，视角宽，驱动电压低等优点，自上世纪80年代问世以来便引起了人们的广泛关注，并逐步发展成为一个朝阳的产业。
LED 显示屏控制技术也随之发展起来，并随着IC技术的进步几经更新。
这期间主要经历了两个阶段，第一阶段是基于单片机MCS51为代表的LED显示屏控制系统。
第二阶段是基于ARM+CPLD的LED显示屏控制系統。
这两钟方式的控制系统的外围接口电路组成差别不大。
但是，当LED显示屏控制像素点超过1024X128容量时，特别是对于显示，如飞入、飘雪等特殊效果时，要求MCU运算速度快、代码执行效率高，51系列单片机硬件资源的有限性渐渐不能适应这种应用场合。
STM32系列微处理器是32位机，各种硬件资源相当丰富，因此在工程实践应用中逐渐有取代51系列单片的趋势。
红牛开发板stm32f103zet6用户手册
红牛开发板用户手册 CopyRight@20091.概述红牛STM32开发板是以意法半导体 (ST)公司推出的基于ARM Cortex-M3系列最高配置芯片STM32F103ZE为核心组成。
板上资源：●CPU：STM32F103ZET6;(LQFP144脚,片上集成512K flash、64KRAM、12Bit ADC、DAC、PWM、CAN、USB、SDIO、FSMC等资源)●板上外扩512K SRAM, 2M NOR FLASH （板上支持最大1024kSRAM，16M的NOR FLASH）满足大容量数据采集、处理及分析要求●板上外扩128M或256M NAND FLASH（标配128M）满足彩屏上丰富的图片存储、数据表格存储，文件管理等应用● 搭配2.8寸TFT真彩触摸屏模块或3.2寸TFT真彩触摸屏模块(由用户选择)，FSMC控制，彩屏模块上配置RSM1843（ADS7843、TSC2046脚对脚兼容）触摸控制器芯片，支持一个SD卡（SPI方式）可用于存储图片，支持一个AT45DBxxx 的DATA FLASH（可用于存储汉字库）● 一路CAN通信接口,驱动器芯片SN65VHD230● 两路RS232接口● 一路RS485通信接口● 一个SD卡座SDIO控制方式● 一个I2C存储器接口，标配24LC02(EEPROM)● 一个SPI存储器接口，标配AT45DB161D(DATA FLASH)● 一路ADC调节电位器输入● 三路ADC输入接线端子引出● 两路PWM输出接线端子引出● 两路DAC输出接线端子引出● 一个蜂鸣器、五个用户LED灯、一个电源指示灯，一个USB通信指示灯，● 四个用户按键，一个系统复位按键● 电源选择跳线，支持外接5V 电源供电，USB 供电或JLINK 供电 ● 板子规格尺寸:13CM X 10CM● 所有I/O 口通过2.54MM 标准间距引出,方便二次开发板上的全部硬件特性能快速帮助你评估STM32F103ZE 所有外设（USB 、motor control,、CAN,、SPI 、MicroSD card 、smartcard 、USART 、NOR Flash 、NAND flash 、 SRAM ）和开发你自己的应用项目。