东大19秋模拟电子技术基础A赵丽红离线作业参考答案
模拟电子技术基础 试题(A)附答案
第1页 共5页一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上）1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。
2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。
3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。
4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。
5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。
6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。
7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
8、放大电路的直流通路用于研究 。
9、理想运放的两个输入端虚短是指 。
10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。
若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。
11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。
12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。
13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。
14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。
二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上）min z I 时，稳压二极管 。
A ：稳压效果变差B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C ：反向截止D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。
A ：饱和状态B ：截止状态C ：放大状态D ：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。
(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
东大《模拟电子技术基础》考核作业答案
东大《模拟电子技术基础》考核作业答案1. 引言《模拟电子技术基础》考核作业是东大模拟电子技术基础课程的一项重要评估工具。
本文将为您提供这门考核作业的详细答案，帮助您更好地理解和掌握模拟电子技术基础的核心概念和知识点。
2. 题目一2.1 题目描述设计一个运算放大器电路，输入电压为1V，放大倍数为10。
2.2 答案解析根据题目要求，我们需要设计一个运算放大器电路，使得输入电压为1V，放大倍数为10。
首先，我们需要选择合适的运算放大器芯片，如AD620或LM741等。
然后，根据芯片的数据手册，配置电路元件，如电阻和电容等，以实现所需的放大倍数。
最后，将设计的电路进行布线和焊接，验证其性能。
3. 题目二3.1 题目描述设计一个低通滤波器，截止频率为1kHz。
3.2 答案解析在设计低通滤波器之前，我们首先需要选择合适的滤波器类型，如巴特沃斯低通滤波器或椭圆低通滤波器等。
然后，根据截止频率为1kHz的要求，选择合适的滤波器参数，如阻带衰减和通带波纹等。
接下来，根据滤波器参数计算出所需的电路元件数值，如电阻和电容等。
最后，将设计的电路进行布线和焊接，验证其性能。
4. 题目三4.1 题目描述设计一个单级放大器电路，输入电压为100mV，增益为20。
4.2 答案解析根据题目要求，我们需要设计一个单级放大器电路，使得输入电压为100mV，增益为20。
首先，选择合适的放大器芯片，如BJT（双极性晶体管）或MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）等。
然后，根据芯片的数据手册，配置电路元件，如电阻和电容等，以实现所需的增益。
最后，将设计的电路进行布线和焊接，验证其性能。
5. 结论通过以上对东大《模拟电子技术基础》考核作业的答案解析，我们可以发现模拟电子技术基础课程涵盖了运算放大器电路设计、低通滤波器设计、单级放大器电路设计等关键内容。
通过合理选择电路元件和正确配置参数，我们能够实现对输入信号的放大和滤波操作。
这些知识和技能对于电子工程师在实际工作中起到重要的作用。
最新模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
东大19秋模拟电子技术基础A赵丽红离线作业参考答案
东 北 大 学 继 续 教 育 学 院模拟电子技术基础 试 卷（作业考核 线下） A 卷（共 5 页）注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。
杜绝打印，抄袭作业。
一、(10分) 单项选择题。
（选一个正确答案填入括号里，每空1分）⒈ N 型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。
答（ D ）A 、电子B 、空穴C 、三价元素D 、五价元素2．其它条件不变，若放大器输入端电阻减小应引入 答（ D ）A 、电压负反馈B 、电流负反馈C 、串联负反馈D 、并联负反馈 3．正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 答（ B ）A 、B 、C 、4．在OCL 功率放大电路中输入信号为正弦电压，输出波形如图1所示，说明电路中出现的是答（ C ）A 、饱和B 、截止C 、交越5．在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入 答（ A ） A 、直流负反馈 B 、交流负反馈 C 、交流正反馈 D 、直流正反馈 6．当PN 结加正向电压时，其空间电荷区 答（ B ）1-=F A &&1=FA &&1|1|>>+F A &&0A 、变宽B 、变窄C 、基本不变 7．对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是 答（ A ）A 、输出电压与输入电压相位相同B 、输入电阻，输出电阻适中C 、电压放大倍数大于1D 、电流放大倍数大于1 8．在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ，则这只三极管属于A 、硅PNP 型B 、硅NPN 型C 、锗PNP 型D 、锗NPN 型 答（ B ）9．场效应管与双极型晶体管相比，具有 答（ A ）A 、更大的输入电阻B 、更小的输入电阻C 、相同的输入电阻 10．二极管电路如图2所示，设二极管均为理想的，则电压U o 为 答（ B ）A 、-10VB 、-5VC 、0VD 、+5V图2o二、(共10分) 填空题（每空2分）1．图3所示反馈电路的反馈是属于（2．功率放大电路如图4所示，输出电阻R L =8Ω，输入u i为正弦波。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
东大《模拟电子技术基础》考核作业答案
东大《模拟电子技术基础》考核作业答案一、简答题1. 什么是模拟电子技术？模拟电子技术是研究和应用模拟信号处理和电子电路的一门学科。
它主要涉及模拟信号的采集、传输、放大、滤波、变换和调制等技术，以及电子元器件的选择和电路设计等内容。
2. 请解释什么是放大器？放大器是一种电子电路，用于增大输入信号的幅度。
它通过改变信号的电压、电流或功率来实现信号的放大。
放大器一般由一个或多个电子器件（如晶体管、真空管）和相应的电路元件组成，可以放大各种类型的信号。
3. 请解释什么是反馈？反馈是指将放大器的一部分输出信号反向加入到输入信号中的一种技术。
反馈可以改变放大器的输入阻抗、输出阻抗、电压增益和频率响应等特性。
根据反馈方式的不同，可以分为正反馈和负反馈两种。
4. 什么是运放？运算放大器（Operational Amplifier，简称OP-AMP）是一种特殊的放大器，具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗等特点。
运放广泛应用于模拟电路中，可以实现各种基本放大器电路、滤波器、积分器、微分器等。
5. 请解释什么是反相放大器？反相放大器是一种使用运放的基本放大器电路，它通过反相输入端和输入电阻将输入信号反向输入到运放的反馈网络中，实现了信号的反相放大。
通常，反相放大器的电压增益由反馈电阻和输入电阻之比来决定。
二、计算题1. 请计算反向放大器的电压增益。
反向放大器的电压增益可以由以下公式计算：Av = -Rf / Rin其中，Av为电压增益，Rf为反馈电阻，Rin为输入电阻。
2. 假设反向放大器的反馈电阻为10kΩ，输入电阻为1kΩ，求其电压增益。
根据公式：Av = -10kΩ / 1kΩ = -10所以，该反向放大器的电压增益为-10。
三、设计题请设计一个反向放大器电路，使得其电压增益可调节为-10、-20和-50，并确保输入电阻大于1kΩ、输出电阻小于10kΩ。
以下是电路设计示意图：Rf+--->#####---|---> Vout| |Vin || |+------------------+| |++ | || | +-------|-------+Rin| +------ -|- +| +--|########| | GND+------+--------------|| +-------|-------+virtual ground |||-|GND电路参数应符合以下条件：1.反馈电阻Rf的值可调节为10kΩ、20kΩ和50kΩ；2.输入电阻Rin的值应大于1kΩ；3.输出电阻应小于10kΩ。
东大离线答案 模拟电子技术B赵丽红
6、图4中所示各电路中的场效应管有可能工作在恒流区的是 D 。
1 图2图4A (a)、(b)B (b)、（c）C (c)、（d）D (a)、（d）7、在输入量不变的情况下，若引入反馈后 C ，则说明引入的反馈是正反馈。
Ａ输入电阻增大Ｂ输出电阻增大Ｃ净输入量增大Ｄ净输入量减小8、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 A 。
A饱和状态 B截止状态C放大状态 D不能确定9、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 D 。
A可获得很大的放大倍数 B 可使温漂小C可以放大低频信号 D集成工艺难于制造大容量电容1课程名称模拟电子技术基础(共 3 页)(共 3 页)2、（本题10分）电路如图所示，其功能是实现模拟计算，求解微分方程。
（1）求出微分方程；（6分）（2）简述电路原理。
（4分）（1）设A 1、A 3的输出电压分别为u O 1、u O 3。
由于每个集成运放均引入了负反馈，根据“虚断” 和“虚短”可得下列关系式及微分方程：0)(d d )d (1 d 1)(I 41365742O 863O O 7865623I134O14O O 78656O3O323I 13O1=-++⋅+⋅+--=-=-+=--=⎰⎰u CR R R C R R R R R u R R R t u t u R R R R R R R u R R C R t u C R u u R RR R R u u R Ru R R u课程名称模拟电子技术基础 (共 3 页)3…………○…………密…………○…………封…………○………线……甲同学电路参数整的合理；：mS T 5.025.02=⨯=，mV U ipp 15105.1=⨯=，U opp 2.3=信号的频率KH mST f 5.011===3.21152.3-==mVV pp opp ）电路参数调整的不合理的同学，也就是乙同学，观察到的输出波形发生了饱和失真；调整）依题意有L L L6F I L11f 6i i i R u u iR R R R ==≈++L 61f 61i R R R R R u≈--。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
东北大学19春学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线作业3(答案)
东大19春学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线作业3
试卷总分:100 得分:100
[题目1]、集成运算放大器能处理（）
A、直流信号
B、交流信号
C、直流信号和交流信号
标准答案:C
[题目2]、在由运放组成的电路中，运放工作在非线性状态的电路是（）
A、反相放大器
B、差值放大器
C、有源滤波器
D、电压比较器
正确答案:D
[题目3]、集成运放的互补输出级采用共集接法的原因是( )。
A、频带宽
B、放大电压的能力强
C、带负载能力强
D、输入电阻大
标准答案:C
[题目4]、欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入( )
A、电压串联负反馈
B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈
D、电流并联负反馈
标准答案:C
[题目5]、要求输出电压幅值为±80的放大器，集成运放应选用（）。
A、通用型
B、高阻型
C、高压型
D、低功耗型
标准答案:C
[题目6]、欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入
A、电压串联负反馈
B、电压并联负反馈。
《模拟电子技术基础》A卷及答案
C多数载流子浓度减小D少数载流子浓度减小
2.某只硅稳压管的稳定电压Vz= 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（）。
A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v
11.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是C。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性
C.晶体管参数受温度影响D.电源电压稳定
12.对于结型场效应管，当| uGS|＞| UGS（off）|时，管子一定工作在C。
A、恒流区B、可变电阻区C、截止区D、击穿区
13.负反馈放大电路产生自激振荡条件是B。
A、AF=1B、 C、AF＞1D、以上均可以
9.测得晶体管三个电极的静态电流分别是0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的β为A。
A、60B、61C、100D、50
10.射极输出器的特点是C。
A、 ＜1，输入电阻小，输出电阻大
B、 ＞1，输入电阻大，输出电阻小
C、 ＜1且 ≈1，输入电阻大，输出电阻小
D、 ＞1，输入电阻小，输出电阻大
A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管
C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管
17．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。
A．输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大
18.在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应（D）。
3.根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB= -6.3v，VE= -7v，VC= -4v，可以判定此晶体管是（）管，处于（）。（）
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
）1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0，则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为（）'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为（）a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指（）a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为（）a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
模拟电子技术基础i》考核作业标准答案
东 北 大 学 继 续 教 育 学 院模拟电子技术基础I 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 4 页）注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。
杜绝打印，抄袭作业。
一、(10分)半导体器件的分析。
判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。
设图中的二级管都是理想的。
二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波，试画出u o 的波形。
（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。
三、单管放大电路的分析与计算。
(15分) 电路如图4所示，已知V CC =12V ，R bl =40kΩ，R b2=20kΩ，R c =R L =2kΩ，U BE =0.7V ，β=50，R e =2kΩ，U CES ≈0V 。
求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真? (3)计算i u A R ， 和oR 。
四、功率放大电路的分析与计算。
(15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L =8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V ，输入u i 为正弦波。
求：(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率？(2)此时的效率和管耗各是多少？30分） ），所以PN 结具有（ ）导电性。
图4阻容耦合放大u u o +_(-12V)2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
6、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
东大19春学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线作业1参考答案
18秋学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线作业1-0001
试卷总分:100 得分:0
一、单选题(共15 道试题,共60 分)
1.整流的目的是
A.将交流变为直流
B.将高频变为低频
C.将正弦波变为方波
正确答案:A
2.对甲乙类功率放大器，其静态工作点一般设置在特性曲线的（）
A.放大区中部
B.截止区
C.放大区但接近截止区
D.放大区但接近饱和区
正确答案:D
3.对于放大电路，所谓开环是指（）。
A.无信号源
B.无反馈通路
C.无电源
D.无负载
正确答案:B
4.
A.甲类
B.乙类
C.丙类
D.甲乙类
正确答案:B
5.选用差分放大电路的原因是（）。
A.克服温漂
B.提高输入电阻。
模拟电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。
东北大学智慧树知到“电气工程及其自动化”《模拟电子技术基础Ⅰ》网课测试题答案5
东北大学智慧树知到“电气工程及其自动化”《模拟电子技术基础Ⅰ》网课测试题答案（图片大小可自由调整）第1卷一.综合考核(共15题)1.在本征半导体中加入( )元素可以形成N型半导体。
A、四价B、五价C、二价D、三价正确答案：B2.为了稳定放大电路的输出电流，应引入()负反馈。
A.电压B.电流C.串联D.并联3.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
()A.正确B.错误4.若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
()A.正确B.错误5.欲得到电流电压转换电路，应在放大电路中引入()A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈6.PNP和NPN是一种对称结构。
因此将发射极与集电极对调使用，BJT仍然能正常放大信号。
() A.正确B.错误7.要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用()，第二级应采用共射电路。
A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路8.各种滤波电路的通带放大数值均大于1。
()A.正确B.错误9.整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。
()A.正确B.错误10.制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用()。
A.RC桥式正弦波振荡电路B.LC正弦波振荡电路C.石英晶体正弦波振荡电路11.在RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为C，则其振荡频率f0=1/RC。
()A.正确B.错误12.LC并联网络在谐振时呈()A.容性B.阻性C.感性13.阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡( )。
A、正确B、错误正确答案：A14.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是都使输出电压大于输入电压。
()A.正确B.错误15.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则( )。
A、输出电压约为2UDB、整流管将因电流过大而烧坏C、变为半波直流正确答案：B第2卷一.综合考核(共15题)1.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响( )。
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1 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院
模拟电子技术基础 试 卷（作业考核 线下） A 卷（共 5 页）
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一、(10分) 单项选择题。
（选一个正确答案填入括号里，每空1分）
⒈ N 型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。
答（ D ）
A 、电子
B 、空穴
C 、三价元素
D 、五价元素
2．其它条件不变，若放大器输入端电阻减小应引入 答（ D ）
A 、电压负反馈
B 、电流负反馈
C 、串联负反馈
D 、并联负反馈 3．正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 答（ B ）
A 、
B 、
C 、
4．在OCL 功率放大电路中输入信号为正弦电压，输出波形如图1所示，说明电
路
中
出
现
的
是
答（ C ）
A 、饱和
B 、截止
C 、交越
5．在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入 答（ A ） A 、直流负反馈 B 、交流负反馈 C 、交流正反馈 D 、直流正反馈 6．当PN 结加正向电压时，其空间电荷区 答（ B ）
1-=F A &&1=F
A &&1|1|>>+F A &&0。