模拟电子技术基础A答案赵丽红
模拟电子技术基础课后答案(共10篇)
模拟电子技术根底课后答案(共10篇)模拟电子技术根底课后答案〔一〕: 模拟电子技术根底第三版课后习题答案网上有很多课后题答案网站,我知道一个天天learn网站,我之前在上面找过英语的答案,没找过模电的,因为我模电买的参考书,上网找太费力了,你还不如去买本参考书了,理科的东西只看是不行的模拟电子技术根底课后答案〔二〕: 求模拟电子技术作业答案,单项选择题:1.差分式放大电路由双端输入变为单端输入时,其空载差模电压增益〔〕A.增加一倍B.不变C.减少一半D.减少一倍2.表征场效应管放大能力的重要参数是( ).A.夹断电压VpB.开启电压ViC.低频互(跨)导gmD.饱和漏电流IDss3.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用为〔〕.A.选频正反应B.选频负反应C.放大负反应D.稳幅正反应4.某传感器产生的是电压信号〔几乎不提供电流〕,经过放大后希望输出电压与信号成正比,放大电路应是〔〕电路.A.电流串联负反应B.电压串联负反应C.电流并联负反应D.电压并联负反应5.BJT的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态是〔〕A.截止或放大B.截止或饱和C.饱和或截止D.已损坏多项选择题:1.放大电路的三种组态中,只能放大电压或放大电流的是〔〕.A.共射组态B.共集组态C.共基组态D.02.直流稳压电源包括以下哪些电路〔〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔〕A.错误B.正确5.正弦振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的负反应放大电路.〔〕A.错误B.正确6.反相比例运算电路引入的是负反应,同相比例运算电路引入的是正反应.〔〕A.错误B.正确7.电流负反应可以稳定输出电流,电压反应可以稳定输出电压.( )A.错误B.正确2.直流稳压电源包括以下哪些电路〔BCD 〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔ABD 〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔CD 〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔AD 〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔A 〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔B 〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔A 〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔A 〕A.错误B.正确模拟电子技术根底课后答案〔三〕: 有没有《电工与电子技术根底》主编毕淑娥的课后练习答案我有不齐全的模拟电子技术根底课后答案〔四〕: 模拟电子技术根底题,1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在〔〕状态,但其两端电压必须〔〕,它的稳压值才有导通电流,否那么处于〔〕状态.A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,那么三个电极分别是〔〕,该管是〔〕型.A、〔B、C、E〕 B、〔C、B、E〕 C、〔E、C、B〕D、〔NPN〕E、〔PNP〕3、对功率放大器的要求主要是〔〕、〔〕.A、Uo高B、Po大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小很简单.1、B；C；F；2、C；D；3、B、E4、B、E；5、B、E〔重复了〕模拟电子技术根底课后答案〔五〕: 模拟电子技术晶体管放大电路问题来自课本,《模拟电子技术根底》第四版华成英童诗白主编1.第96页中图2.3.13〔d〕中1/h22〔即rce〕的电流方向如何请看97页式〔2.3.7b〕是不是可以判断.2.再看第103页图2.2.5〔a〕,如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,看是不是和1问的电流方向有点矛盾3.再看第194页图4.2.10〔b〕中rce1和rce2的电流方向,和上面的1/h22是一样吗如果一样,能推出第195页式(4.2.15)的结果吗1/h22 和rce1和rce2应该都是ce之间动态电阻.请问rce中的电流方向到底如何谢谢requis能答复得这么详细,不过对你的答复我有些疑问,以下为疑问和我的理解：1.首先1/h22e是个电阻量,它本身没有符号,流过它的电流方向要看它两端的电压方向,如果图中Uce真实方向如图中所示,电流确实向下.但是你注意第97页式2.3.6b和前一页图2.3.13〔c〕中的负载线,可以知道dic(即Ic)和duce(即Uce)这两者变化关系是相反的,即当Ic增加时Uce就会减小,也就是说Ic为正时Uce就为负,也就是说1/h22电流方向与Ic相反了.实际你可以从图2.3.13〔c〕中的负载线上直观的看到ic增大〔相当于dic为正〕,Q点上移,Uce减小,由ic-Uce曲线可知ic随Uce减小而减小.说明：Ic与rce电流相反.2.我2问中的图是103页图2.3.18,正常如果图中假设考虑rce的影响,放大倍数会出现形如Au=-(βrce//Rc//Rl)/rbe,试问：如果rce电流方向真的由上向下,Au式中的负号会出现吗同理3问中Au表达式中也有负号,用你说的电流方向是矛盾的.1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a／b的解释.我们可以知道1／h22为晶体管ce结动态电阻,或称交流内阻.形象的说,如果ib＝0,那么模型中的h12ib为零,等效去掉受控恒流源的时候,ce结就成为一个大电阻,在UBE的作用下产生一个微小的ic值.所以我们可以知道了,1／h22中真实的电流方向是与ic一致的,即图中为向下.因为它本身就是ic的一局部.这点在97页的h参数方程中,ic＝h21eib+h22eUbe,下文中也有说到“第二项由UBE产生一个电流,因而h22e为电导〞.2问：没搞明白,你说的页码跟图号都不对头,“如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,〞也没找到,略过.3问：rce1与1／h22e是一样的,所以电流方向自然一样.而rce2,从图4．2．10b中,或公式4．2．15中,都可以看出,rce1/rce2/RL是并联关系,所以其真实方向也是一致的.不要被图4．2．10a迷惑,那是直流电路,标的也都是直流态的方向.4.2.15公式,表示在RL大到不可忽略rce1/rce2的情况下的Au,这个时候实际上镜流源的意义已经失去.镜流源是为了在实用电路的交流模型中剔除掉Rc 电阻,使实用电路的交流模型能够与图2．3．13d一致〔2．3．13d并非实用电路的交流模型,这点要搞清楚〕.所以实际上4．2．15公式的Au,是不具有实用价值的,因为rce在实际中是不可控参量.所以实际电路,都把RL【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔六〕: 关于PN结的问题《模拟电子技术根底》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N 指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的自由电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——自由电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合模拟电子技术根底课后答案〔七〕: 某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应A．(A) 电压串联B．(B) 电压并联C．(C) 电流串联D．(D) 电流并联这是注册电气工程师考试的一道真题,按照一本参考书的理论解释所选答案绝非网上流传的答案,请高手帮助看看哪个才是正确答案,劳烦说明理由.1、要稳定电流,必须用电流反应.2、信号源内阻很大,可以把它视作一个恒流源,可以通过减小放大电路的输入电阻,以使得电路获得更大输入电流,应该使用并联反应.所以D是正确答案.这个题目你可以参考,童诗白的《模拟电子技术根底》第四版,P292页,写得非常清楚.前面的朋友答复的结果不准确.【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔八〕: 电路与模拟电子的简单问题求解判断〔1〕半导体三极管的集电极电流仅由多数载流子的扩散运动形成。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
(2020年7月整理)模拟电子试卷A及答案参考.doc
《模拟电子技术》考试试卷（A卷）试题总分： 100 分考试时限：120 分钟题号一二三四五六七八九十十一十二总得分一．填空题（共20分，每空1分）1．对数频率特性又称为。
多级放大电路总的对数增益（电压放大倍数）等于各级对数增益的，总的相位移等于各级相位移的。
2．在三极管共射基本放大电路中，影响其高频响应特性的主要是电容；影响其低频响应特性的主要是电容；3．产生正弦波振荡的条件是，其相应的幅值条件为，相位条件为。
而建立振荡时要求幅值条件满足。
4．使某一频率范围内的信号能通过，而此频率范围外的信号不能通过的滤波器被称为____________________，它可通过将低通滤波器和高通滤波器组合而成。
5．晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以控制的，所以场效应晶体管的输入阻抗。
6．当推挽功率放大器两只晶体三极管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性，故在两管交替工作时将产生。
7．稳压电路使直流输出电压在一定范围内不受、和温度的影响。
8．在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（）(错/对)9.在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）(错/对)二．选择题（共20分，每空2分）1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷2．如图所示电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V1=10V,则电流的大小将是（）；设电路中V1=5V保持不变，当温度为20℃时测得二极管的电压为VD=0.7V,当温度上升到40℃时，则VD大小为（）。
A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.VD=0.7VE.VD >0.7F.VD<0.7V3、不可以采用自给偏置方式的场效应管有（）。
A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管4、测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）。
模拟电子技术基础(A)参考答案及评分标准
“模拟电子技术基础”试卷（A ）参考答案及评分标准一、 填空题（每空1分，共20分）1、单向导电性；2、3；3、发射极正向偏置，集电极反向偏置；集电区面积做得大，基区很薄，发射区掺杂的杂质浓度高。
4、漂移；5、直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合；6、三极管极间电容及分布电容；耦合电容；8.提高源电压增益，稳定放大倍数； 8、带阻；带通；9、同相比例；微分；10、饱和失真；增大R b ，减小R c ；截止失真；减小R b ；11、差分放大电路；抑制零点漂移。
二、选择题（每小题2分，共20分）1、A ；2、B ；3、A 、B4、C ；5、A ；6、B ；7、C ；8、C ；9、A ；10、A 、D三、计算题1、解：分析估算如下：100BE1BE2CC =--=RU U V I R μ A （2分）βCC B1C0B2C0E1E2CC1C0I I I I I I I I I I I I R +=+=+==== （4分）1001C =≈⋅+=R R I I I ββμ A （2分）2、解：（1）静态分析：V7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β（4分）动态分析：Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r uββββ∥∥∥ （4分）（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，ef 'LR R R A u+-≈ ≈－1.92。
（4分）3、解：解：（1）Q 点：（5分）V56.4)(mA86.1 Aμ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ eb BEQ CC BQ =+-≈≈=≈++-=R R I V U I I R R U V I ββuA 、R i 和R o 的分析：Ω==-≈-=Ω≈=Ω≈++=k 3 95)( 952 952mV26)1( c o beL c be b i EQbb'be R R r R R A r R R I r r u∥∥ββ（2）设s U ＝10mV （有效值），则 （5分）mV 304 mV2.3 io s i s ii ≈=≈⋅+=U A U U R R R U u 若C 3开路，则mV 4.14mV6.95.1k 3.51])1([io is ii e L c e be b i ≈=≈⋅+=-=-≈Ω≈++=U A U U R R R U R R R A R r R R u s u∥∥β4、解应引入电压串联负反馈，如解图所示。
(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
东大19秋模拟电子技术基础A赵丽红离线作业参考答案
东 北 大 学 继 续 教 育 学 院模拟电子技术基础 试 卷（作业考核 线下） A 卷（共 5 页）注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。
杜绝打印，抄袭作业。
一、(10分) 单项选择题。
（选一个正确答案填入括号里，每空1分）⒈ N 型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。
答（ D ）A 、电子B 、空穴C 、三价元素D 、五价元素2．其它条件不变，若放大器输入端电阻减小应引入 答（ D ）A 、电压负反馈B 、电流负反馈C 、串联负反馈D 、并联负反馈 3．正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 答（ B ）A 、B 、C 、4．在OCL 功率放大电路中输入信号为正弦电压，输出波形如图1所示，说明电路中出现的是答（ C ）A 、饱和B 、截止C 、交越5．在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入 答（ A ） A 、直流负反馈 B 、交流负反馈 C 、交流正反馈 D 、直流正反馈 6．当PN 结加正向电压时，其空间电荷区 答（ B ）1-=F A &&1=FA &&1|1|>>+F A &&0A 、变宽B 、变窄C 、基本不变 7．对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是 答（ A ）A 、输出电压与输入电压相位相同B 、输入电阻，输出电阻适中C 、电压放大倍数大于1D 、电流放大倍数大于1 8．在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V 、3.5V 、6V ，则这只三极管属于A 、硅PNP 型B 、硅NPN 型C 、锗PNP 型D 、锗NPN 型 答（ B ）9．场效应管与双极型晶体管相比，具有 答（ A ）A 、更大的输入电阻B 、更小的输入电阻C 、相同的输入电阻 10．二极管电路如图2所示，设二极管均为理想的，则电压U o 为 答（ B ）A 、-10VB 、-5VC 、0VD 、+5V图2o二、(共10分) 填空题（每空2分）1．图3所示反馈电路的反馈是属于（2．功率放大电路如图4所示，输出电阻R L =8Ω，输入u i为正弦波。
东大离线答案 模拟电子技术B赵丽红
6、图4中所示各电路中的场效应管有可能工作在恒流区的是 D 。
1 图2图4A (a)、(b)B (b)、（c）C (c)、（d）D (a)、（d）7、在输入量不变的情况下，若引入反馈后 C ，则说明引入的反馈是正反馈。
Ａ输入电阻增大Ｂ输出电阻增大Ｃ净输入量增大Ｄ净输入量减小8、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 A 。
A饱和状态 B截止状态C放大状态 D不能确定9、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 D 。
A可获得很大的放大倍数 B 可使温漂小C可以放大低频信号 D集成工艺难于制造大容量电容1课程名称模拟电子技术基础(共 3 页)(共 3 页)2、（本题10分）电路如图所示，其功能是实现模拟计算，求解微分方程。
（1）求出微分方程；（6分）（2）简述电路原理。
（4分）（1）设A 1、A 3的输出电压分别为u O 1、u O 3。
由于每个集成运放均引入了负反馈，根据“虚断” 和“虚短”可得下列关系式及微分方程：0)(d d )d (1 d 1)(I 41365742O 863O O 7865623I134O14O O 78656O3O323I 13O1=-++⋅+⋅+--=-=-+=--=⎰⎰u CR R R C R R R R R u R R R t u t u R R R R R R R u R R C R t u C R u u R RR R R u u R Ru R R u课程名称模拟电子技术基础 (共 3 页)3…………○…………密…………○…………封…………○………线……甲同学电路参数整的合理；：mS T 5.025.02=⨯=，mV U ipp 15105.1=⨯=，U opp 2.3=信号的频率KH mST f 5.011===3.21152.3-==mVV pp opp ）电路参数调整的不合理的同学，也就是乙同学，观察到的输出波形发生了饱和失真；调整）依题意有L L L6F I L11f 6i i i R u u iR R R R ==≈++L 61f 61i R R R R R u≈--。
华北电力大学模拟电子技术基础习题
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2018.8.15目录第1章习题及答案1第2章习题及答案15第3章习题及答案37第4章习题及答案46第5章习题及答案55第6章习题及答案71第7章习题及答案87第8章习题及答案106第9章习题及答案118第10章习题及答案134模拟电子技术试卷1147模拟电子技术试卷2153模拟电子技术试卷3159第1章习题及答案1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价（2）P N结加正向电压时，空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C（2）A（3）A（4）C1.2.1写出图P1.2.1所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V（2）二极管截止U O2=2V（3）二极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V（2）二极管导通U O2=-1.3V（3）二极管截止U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所示，已知u i＝10s i nωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V时，D导通，u o=u i；当u i≤0V时，D截止，u o=0V。
u i和u o的波形如解图1.3.2所示。
模拟电子技术A答案
《模拟电子技术》A答案一、 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案。
每空1分，共14分）题号 1 2 3 4 5 6 7 答案BDADBAD二、 填空题（共8题，每空1分，共16分）1. 0.7V ；6V2. NPN ；发射极(e) ； 基极(b) ； 集电极(c) .3. 共集； 共基4. -2V ； 1mA5. -2.5； R g =1MΩ6. 变小（下降）；变宽7. 带通；带阻8. 6；70/3=23.33.9. 三、分析计算题（共70分） 16.（10分）解：（1）BEQ (1)CC CQ b eV U I R R ββ-=⋅++，onDQ V U I R-=（2分）（2）电路的微变等效电路如下，其中，d r 是二极管的交流等效电阻 ， TDQd U r I =be e d //[(1)()]i b R R r R r R β=++∥∥，c L be e d ()(1)()u R R A r R r R ββ=-++∥∥∥，o c R R =（6分）（3）||u A 增大，这是因为c L e d DQ d be d()(1)u u R R R R r A V I r A r r ββ≈-↑→↑→↓→↑++∥∥＞＞，，（2分）17．（12分）解：（1）BEQ 44445545125||10(10)0.6117 2.42.4121.2112CC EE E R C E e C E E e C C C V V U I I mAR R R I I I mA R I I I mA -----≈===++≈==⨯=∴=≈=（3分）22BEQ 23233BEQ 32322BEQ 3323()(1),,(1)1100.61002(1)10(1100) 4.6C c C B c B e B c e C c C B c e I R U I I R I R U I R R I R U I I mAR R k kβββββ--=++∴=++-⨯-∴===⨯≈++++⨯ (2分)或者：∵依题意，静态时0o u =，∴33/10/52C EE c I V R V k mA ==Ω= （2）12126200100 2.81T be be bb C U r r r k I β'==+=+⨯=Ω （1分）3326200100 1.52T be bb C U r r k I β'=+=+⨯=Ω（1分）12 5.6i be R r k ==Ω， （1分）； o c35k R R ==Ω， （1分）1223312111132'212'(1) 1.5101 4.6466.110466.1'//9.7910466.111100'9.79174.8222 2.810051.073466.1174.8( 1.073)187.5 L i i be e L c L u L be c u i u u u R R R r R k R R R k A R r R A R A A A βββ===++=+⨯=Ω⨯===Ω+=⋅=⨯⨯≈⨯=-=-≈-==⨯-=- (3分)18．（8分）解:该共源放大电路在全频段的微变等效电路如下:+-R 2k sU U U g U U（1） 3.3//10 2.481LR k '=≈Ω，()12.4g usm m Lg siR A g R R R '=⨯-⨯≈-+（1分）（2）g s -间等效电容：'(1')5(15 2.481)572gs gs m L gd C C g R C pF k pF pF=++=++⨯Ω⨯≈ （1分）上限频率 Zgs g s H H C R R f 69101.11072221')//(21⨯≈⨯⨯⨯≈=-ππ （2分）（3）由s C 决定的下限频率：11//0.166716s ss s m m s R R R k k g g R ===Ω≈Ω+，31195.5220.16671010L ss f Hz R Cs ππ-==≈⋅⨯⨯⨯（2分）（4）所以 612.495.5(1)(1)(1)(1) 1.110usmus L HA A f ff jj jj f f f -==-+-+⨯（2分）19．（10分）解：（1）D1、D2是用来克服交越失真。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（ 1）√ （2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、（ 1） A （2）C （ 3）C （4） B （ 5）A C 三、 U O1 ≈ 1.3VU O2＝ 0 U O3≈－ 1.3VU O4≈ 2VU O5≈ 2.3V U O6≈－ 2V四、 U O1 ＝ 6V U O2＝5V五、根据 P CM ＝ 200mW 可得： U CE ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ，U CE ＝ 30V 时 I C ≈ 6.67mA ， U CE＝ 20V 时 I C ＝ 10mA ， U CE ＝ 10V 时 I C ＝ 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mA UCEVCCI C R C 2VU O ＝ U CE ＝2V 。
2、临界饱和时 U CES ＝ U BE ＝0.7V ，所以VCCUCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BB U BE45.4kR bI B七、 T 1：恒流区； T 2：夹断区； T 3：可变电阻区。
习题u i /V10 1.1（1）A C （2）A （3） C （ 4）A1.2 不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系， 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
Otu o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。
Ot1.4 u i 和 u o 的波形如图所示。
u i /V5 3 O t-3u O /V3.7 Ot-3.7 1.5 u o 的波形如图所示。
u I1 /V3 0.3Otu I2 /V30.3 tOu O /V3.71 Ot1.6 I D ＝（ V － U D ） /R ＝2.6mA ， r D ≈ U T /I D ＝ 10Ω， I d ＝ U i /r D ≈ 1mA 。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电⼦技术基础》典型习题解答《模拟电⼦技术基础》典型习题解答模拟电⼦技术基础习题与解答1章绪论1.2.1在某放⼤电路输⼊端测量到输⼊正弦信号电流和电压的峰－峰值分别为5A µ和5 mV 。
输出端接2k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号峰－峰值为1V 。
试计算该放⼤电路的电压增益V A 、电流增益IA 、功率增益P A ，并分别换算成dB 数表⽰。
解：（1）电压增益20010513=?==-iO V V V A )(46200lg 20)(dB dB A V ==∴（2）电流增益 100105102/1/63=??===-iLO iO I I R V I I A )(40100lg 20)(dB dB A I ==∴（3）功率增益20000=?=I V P A A A )(43102lg 104dB A P =?=∴1.2.4 某放⼤器输⼊电阻,10Ω=k R i 如果⽤A µ1电流源驱动，放⼤电路短路输出电流为10,mA 开路输出电压为10V 。
求放⼤电路接Ωk 4负载电阻时的电压增益V A 、电流增益I A 、功率增益P A ，并分别转换成dB 数表⽰。
解：Ω=?==-k I V R OsOO O 11010103100010101064=?===-ii OO iOO VO I R V V V A)(62106.1lg 10)(106.12000800)(662000lg 20)(200010)14(101010101010)(58800lg 20)(80010)14(1041066334463333dB dB A A A A dB dB A R R R A I I A I I A dB dB A R R R A V V A P I V P V LO O ISiO V iOS IS V OL L VOiO V =?=?=?=====?+?=+===?=====?+??=+==∴--功率增益电流增益⽽电压增益第⼀章半导体器件的基础知识1.2 电路如图P1.2（a ）所⽰，其输⼊电压u I1和u I2的波形如图（b ）所⽰，⼆极管导通电压U D ＝0.7V 。
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。
）1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（）a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0，则在静态时该三极管处于（）a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为（）'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为（）a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指（）a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为（）a. －2.5Vb. －5Vc. －6.5Vd. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为（）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。
西南交1112考试批次模拟电子技术基础A习题与参考答案
模拟电子技术基础A第1次作业本次作业是本门课程本学期的第1次作业，注释如下：一、单项选择题(只有一个选项正确，共10道小题)1. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。
(A) 带负电(B) 带正电(C) 不带电正确答案：C解答参考：2.电路如图所示，二极管 D、D 为理想元件，判断 D、D的工作状态为（）。
(A)(B)(C)(D)正确答案：A解答参考：3.电路如图所示，RF 引入的反馈为 ( ) 。
(A) 串联电流负反馈(B) 串联电压负反馈(C) 并联电流负反馈(D) 并联电压负反馈正确答案：C解答参考：4. 自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置，此装置之所以能输出信号是因为（）。
(A) 有外加输入信号(B) 满足了自激振荡条件(C) 先施加输入信号激励振荡起来，后去掉输入信号正确答案：B解答参考：5.电路如图所示，二极管为理想元件，ui=6sint V，U=3V，当t =π/2瞬间，输出电压 uO 等于（）。
(A) 0 V(B) 6 V(C) 3 V正确答案：B解答参考：6. 电容滤波器的滤波原理是根据电路状态改变时，其（）。
(A) 电容的数值不能跃变(B) 通过电容的电流不能跃变(C) 电容的端电压不能跃变正确答案：A解答参考：7.放大电路如图所示，其中的晶体管工作在( )。
(A) 放大区(B) 饱和区(C) 截止区正确答案：B解答参考：8.整流电路如图所示，输出电流平均值I0=50mA，则流过二极管的电流平均值I D是（）。
(A) I D=50mA(B) I D=25mA(C) I D=12.5mA正确答案：B解答参考：9.直流电源电路如图所示，用虚线将它分成四个部分，其中滤波环节是指图中（）。
(A) (1)(B) (2)(C) (3)(D) (4)正确答案：C解答参考：10. 单相半波整流、电容滤波电路中，设变压器副边电压有效值为U2，则通常取输出电压平均值U0等于（）。
模拟电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。
数字电子技术基础I复习题赵丽红
数字电子技术基础Ⅰ复习题一．填空：（每二空1分,共12分）1．表示逻辑函数常用的方法有4种，它们是真值表发、逻辑函数式、逻辑图法、。
2．一个R A M芯片有10条地址线，四条I/O线，则此芯片有个字，每个字有位，此芯片能存储个二进制数码。
3．（51.25）D= B= O= H= 0101 0001.0010 01018421BCD。
4.J K触发器状态置1，J=1，K=0。
二．单项选择题。
选出一个正确答案，并将其标志填入题后的括号中。
（每题1分,共6分）1．你认为逻辑函数化简的结果是（ A ） A 唯一的； B 不是唯一的； C A和B全错2．可以有多个有效输入电平的编码器为（） A 二进制编码器； B 二---十进制编码器； C 优先编码器3．能够存储0、1的器件有（ c ） A TTL门； B CMOS传输门； C触发器4．用异步置0、置1端对触发器置0、置1时（） A 任何时刻均可； B CP=0时才行； C CP=1时才行5．触发器有两个稳态（ c ） A 一个是现态另一个是次态； B一个是Q =0、Q=1，另一个是Q =1、Q=0； C A和B提到的都不对6．用RAM2114（1024×4位）构成4096×12位RAM，需要（）A 4片；B 8片；C 12片三.化简与转换：（每题4分,共16分）1.用代数法化简下式：----4分F =A +A B C +A CD +C E +D EECD A ECD CD A E D E C CD A A ED E C CD A C B A ++=++=+++=++++=)1(2． 用卡诺图法化简下式：-----4分F （A ，B ，C ，D ）=Σm （0，2，3，4，5，6，11，12）+Σd （8，9，10，13，14，15）3． 将二进制数转换成八进制和十六进制数：----4分 （1010101011110011）2=(125363)8=(A A F 3)16 4．将下列十进制数转换成8421B C D 码：--4分（85467）10=(1000 0101 0100 0110 0111)8421四．运算及组合电路设计：（共18。
模拟电子技术基础课后答案
答：（1）带阻（2）低通（3）高通（4）带通
6-2在下列各种情况下，应分别采用哪种类型（低通、高通、带通、带阻）的滤波电路。
（1）希望抑制50Hz交流电源的干扰；
（2）希望抑制500Hz以下的信号；
（3）有用信号频率低于500Hz；
（4）有用信号频率为500 Hz。
解：根据二极管的伏安特性
当V＞＞VT时 则
若锗二极管的 ， ，则
若硅二极管的 ， ，则
2-4两个硅二极管在室温时反向饱和电流分别为2×10-12A和2×10-15A，若定义二极管电流I=0.1mA时所需施加的电压为导通电压，试求各VD（on）。若I增加到10倍，试问VD（on）增加多少伏。
解：根据二极管的伏安特性
解（a）图中理想二极管D2导通，D1截止
V=3V I=8mA
（b）图中理想二极管D1导通，D2截止
V=1V I=4mA
2-10假定题2-10图电路中的二极管是理想的，求图中标记的电压和电流值。
解：（a）图中理想二极管D1导通，D2导通
V=0
（b）图中理想二极管截止，D2导通
2-11假定题2-11图电路中的二极管是理想的，利用戴维南定理简化电路，并求图中标记的电压和电流值。
（4）变窄。
（5）导通，截止。
（6）单向导电性。
（7）反向击穿。
习题6
6-1设运放为理想器件。在下列几种情况下，他们分别属于哪种类型的滤波电路（低通、高通、带通、带阻）？并定性画出其幅频特性。
（1）理想情况下，当 和 时的电压增益相等，且不为零；
（2）直流电压增益就是它的通带电压增益；
（3）理想情况下，当 时的电压增益就是它的通带电压增益；
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模拟电子技术基础试卷（作业考核线上2） A 卷（共 6 页）
⒈ N型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。
答（ D ）
A、电子
B、空穴
C、三价元素
D、五价元素
2．其它条件不变，若放大器输入端电阻减小应引入答（ D ）
A、电压负反馈
B、电流负反馈
C、串联负反馈
D、并联负反馈
3．正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是答（B）
A、B、 C、
4．在OCL功率放大电路中输入信号为正弦电压，输出波形如图1所示，说明电路中出现的失真是答（C）
A、饱和
B、截止
C、交越
5．在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入答（ A ）
A、直流负反馈
B、交流负反馈
C、交流正反馈
D、直流正反馈
6．当PN结加正向电压时，其空间电荷区答（ B ）
A、变宽
B、变窄
C、基本不变
7．对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是答（A）
A、输出电压与输入电压相位相同
B、输入电阻，输出电阻适中
C、电压放大倍数大于1
D、电流放大倍数大于1
8．在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为 2.8V、3.5V、6V，则这只三极管属于
A、硅PNP型
B、硅NPN型
C、锗PNP型
D、锗NPN型答（ B ）
9．场效应管与双极型晶体管相比，具有答（ B ）
A、更大的输入电阻
B、更小的输入电阻
C、相同的输入电阻
课程名称：模拟电子技术基础 1。