半导体三极管教案设计

《半导体三极管》教案设计邯郸市涉县职业技术教育中心张晓刚

第二课时半导体三极管电流分配与放大原理

一、课前提问（约10分钟）

1.请举例说出三极管在实际生活中的应用？

2.请说出三极管的内部机构原理？

二、新课教学（约30分钟）

三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。

外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

1. 内部载流子的传输过程

发射区：发射载流子；

集电区：收集载流子；

基区：传送和控制载流子（以NPN为例）

图4 载流子的传输过程

以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管，或BJT (Bipolar Junction Transistor)。

2. 电流分配关系

I e=I b+I c

3. 三极管的三种组态

共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示。

共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。

共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。

课前提问，检查

学生对上节课知

识的掌握能力

第三学时 半导体三极管输入,输出的特性曲线

一、课前提问（约10分钟） 1.请说出三极管的内部电流分配关系？ 2.请说出三极管的电流放大原理？

二、新课教学（约30分钟） 1. 输入特性曲线

const V BE B CE V f i ==|)(

(1) 当时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。

(2) 当 时， ，集电结已进入反偏状态，开始收

集电子，基区复合减少，同样的 下， 减小，特性曲线右移。

(3) 输入特性曲线的三个部分：死区；非线性区；线性区 2. 输出特性曲线

课前提问，检查学生对上节课知识的掌握能力

v CE = 0V

v CE ≥ 1V

V

V CE 0=V

V CE 1≥V

V V V BE CE CB 0>-=BE V B

I 图 5 三极管的输入特性曲线

其输出特性曲线满足下面公式：

其中：放大区：i C 平行于v CE 轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，

集电结反偏。 截止区：i C 接近零的区域，相当i B =0的曲线的下方。此时，v BE 小于死区电压，集电结反偏。

饱和区：i C 明显受v CE 控制的区域，该区域内，一般v CE ＜0.7V (硅管)。此时，发

射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 三、课堂小结：（约5分钟）

通过本节课的学习，同学们能够掌握三极管的输入和输出特性曲线图的画法，并能利用本节课的知识总结出三极管的输出特性曲线的特点 四、课后作业

1.请分别画出三极管的输入和输出曲线。

2.请同学们利用本节课的知识总结出三极管的输出特性曲线的特点。

附：板书设计 主板书 副板书

const

i CE C B V f i ==|)(图 6 三极管的输出特性曲线

新授课：（约30分钟）

1. 输入特性曲线

2. 输出特性曲线

1.课前提问（约10分钟）

2.课堂小结（约5分钟）

第四学时半导体三极管的主要参数

一、课前提问（约10分钟）

1.请画出三极管的输入特性曲线？

2.请画出三极管的输出特性曲线？

二、新课教学（约30分钟）

三极管的参数是用来表征管子性能优劣相适应范围的，它是选用三极管的依据。了

解这些参数的意义，对于合理使用和充分利用半导体三极管达到设计电路的经济性和可

靠性是十分必要的。

1. 半导体三极管的电流放大系数

(1) 共发射极直流电流放大系数

(2) 共发射极交流电流放大系数

(3) 共基极直流电流放大系数

2. 半导体三极管的极间反向电流

(1) 集电极基极间反向饱和电流I CBO；

即发射极开路时，集电结的反向饱和电流。

课前提问，检查

学生对上节课知

识的掌握能力v CE = 0V v CE 1V