多晶硅原料处理过程中质量控制措施探讨

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多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析
要从制备工艺的角度分析。

多晶硅的制备工艺对产品质量具有决定性影响,其中晶体
生长和凝固过程是关键。

通过优化晶体生长的温度、速度等参数,可以控制晶体结构的质量,并减少缺陷的生成。

凝固过程中的气体退火、去除杂质等步骤也非常重要,可以通过
改变退火温度和时间,优化去除杂质的效果,提高晶体的纯度和均一性。

需要从材料选择的角度分析。

多晶硅产品的质量与原料的质量密切相关,在材料选择
上要注重原料的纯度和均匀性。

提高原料的纯度可以减少杂质对晶体结构的影响,而提高
原料的均匀性可以降低产品的非均匀性,提高产品的可靠性和一致性。

要从质量检测的角度分析。

建立完善的质量检测体系,对多晶硅产品的质量进行全面、准确的检测。

可以采用先进的检测设备和技术,如X射线衍射、电子显微镜等,对晶体的
晶格结构、杂质含量等进行检测,以及借助人工智能和大数据分析等技术,对产品的缺陷
进行预测和优化。

要从质量管理的角度分析。

建立健全的质量管理体系,制定严格的质量标准和流程,
确保产品的每一个环节都能够符合质量要求。

加强对生产过程的监控和控制,建立产品追
溯制度,及时发现和解决质量问题,避免不良产品进入市场。

多晶硅产品质量改善的方向包括优化制备工艺、选择高质量的原料、建立完善的质量
检测体系和质量管理体系等。

只有通过不断的优化和改进,才能提高多晶硅产品的质量,
满足市场需求,并推动相关行业的发展。

多晶硅晶体生产过程中晶体质量控制研究

多晶硅晶体生产过程中晶体质量控制研究

多晶硅晶体生产过程中晶体质量控制研究引言多晶硅晶体是当前光电子工业中最主要的材料之一,广泛用于太阳能电池、集成电路和光通信器件等领域。

多晶硅晶体的质量直接决定了其在工业中的应用效果,因此多晶硅晶体生产过程中的晶体质量控制至关重要。

本文将从多晶硅晶体生产中晶体表面质量、内部质量和纯度三个方面进行探讨。

一、晶体表面质量控制晶体表面质量是多晶硅晶体生产过程中非常关键的一个环节。

晶体表面的缺陷会直接影响晶体的电学性能,例如提高费米能级,降低开路电压和填充因子。

目前实践中,主要有以下三种方法来控制晶体表面质量。

1. 晶体熔体表面张力控制晶体熔体表面张力越小,晶体表面趋于平整,缺陷也就越少。

因此,降低晶体熔体表面张力可以有效的减少晶体表面缺陷。

为此,人们研究出了许多降低晶体熔体表面张力的方法,如添加氢气、 CO2 等气体到熔体中,改变熔体中的物质组成等方法。

2. 熔体流动控制通过优化熔体流动方式也可以控制晶体表面质量。

例如,通过对熔体加速度场和流场的调控,可以有效的降低晶体表面的扭曲变形和裂纹产生。

3. 熔体室结构设计控制晶体生长的过程中,熔体温度和质量流在熔体室内分布不均,会造成晶体表面的不均匀性。

因此,在熔体室结构设计方面需要加强热流和质量流的均匀性控制。

二、晶体内部质量控制除了表面缺陷,晶体内部缺陷同样会直接影响多晶硅晶体的电特性。

目前研究表明,多晶硅晶体内部的缺陷主要包括晶界、杂晶、夹杂物和位错等。

以下是一些有效的晶体内部缺陷控制方法。

1. 优化晶粒尺寸晶粒尺寸对多晶硅晶体内部缺陷的影响十分显著。

一般来说,晶粒尺寸越小,多晶硅晶体内部缺陷越少,因此,在生产过程中,我们应该尽可能的减少晶粒尺寸。

2. 优化晶体生长条件晶体生长条件会直接影响晶体内部缺陷。

例如,通过增加生长时间、降低生长速度、调整熔体温度等方法都可以有效地减少多晶硅晶体内部缺陷。

3. 增加晶体的长径比增加晶体的长径比是减少多晶硅晶体内部缺陷的一种有效手段。

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析多晶硅是一种重要的光伏材料,其质量的优劣直接影响到太阳能电池的效率和寿命。

为了进一步提高多晶硅产品的质量,以下将对多晶硅产品质量改善的方向进行分析。

一、原材料的筛选和优化多晶硅的质量很大程度上取决于原材料的质量。

对于硅矿石的筛选和优化可以从以下几个方面入手:1. 矿石的纯度:选用纯度高的矿石可以减少硅杂质的含量,提高多晶硅的纯度。

在矿石的筛选过程中,可以利用物理和化学方法来分离和去除杂质。

2. 矽含量:矽含量是多晶硅的主要组成成分,因此选用矽含量高的矿石可以提高多晶硅的产量和质量。

3. 矿石的细度:矿石的细度对多晶硅制备过程中的损失和能耗有着重要的影响。

选择细度适当的矿石可以提高多晶硅的产率和能效。

二、制备工艺的改进和优化多晶硅的制备工艺是影响产品质量的关键因素之一。

在制备工艺方面,可以从以下几个方面进行改进和优化:1. 熔体的净化:多晶硅的制备过程中,熔体的纯化是非常重要的一步。

采用高效的纯化方法可以有效地减少杂质的含量,提高多晶硅的纯度。

2. 温度和时间的控制:多晶硅制备的温度和时间对产品质量有着重要的影响。

通过调整温度和时间的参数,可以控制多晶硅的晶体结构和杂质含量,从而提高产品的质量。

三、设备的改进和更新1. 设备的自动化和智能化:采用自动化和智能化设备可以提高生产过程的稳定性和一致性,减少人为因素对产品质量的影响。

2. 设备的节能和环保性能:降低设备的能耗和排放是当前多晶硅制备过程中的一个重要方向。

更新设备可以提高能源利用率和环境友好性,降低制备成本和对环境的影响。

3. 设备的精度和稳定性:多晶硅制备过程需要非常精确的温度、压力和流量控制。

优化设备的精度和稳定性可以提高产品的一致性和稳定性,提高产品的质量。

要想提高多晶硅产品的质量,需要从原材料的筛选和优化、制备工艺的改进和优化,以及设备的改进和更新等方面入手。

只有综合优化这些方面,才能够进一步提高多晶硅产品的质量,满足不断提高的市场需求。

多晶硅还原生产常见问题及控制对策分析

多晶硅还原生产常见问题及控制对策分析

多晶硅还原生产常见问题及控制对策分析摘要:目前,通常使用改进的西门子方法生产多晶硅。

作为多晶硅生产的关键设备,回转窑主要由底盘、喷嘴、电极和电极冷却水输入/输出管、钟摆壳体冷却水输入/输出管等组成。

在实际生产中,由于重心偏移或沉积物生长过程中性能不佳,熔炉中的多晶硅棒经常会倾斜、断裂或断裂,因此多晶硅棒会落到内壁或外壳上从而导致生产被迫中断,直接对回转窑造成严重破坏,不仅严重影响到单回转窑的生产效率,而且还造成高温多晶棒之间的直接碰撞。

在此过程中,一些金属杂质混入硅条中,增加了多晶制成品污染的可能性,另一方面增加了员工的工作量。

关键词:多晶硅还原生产光伏产业改良西门子法引言太阳能光伏产业作为新能源产业体系结构中较为成熟的产业,将在碳中和的背景下进一步扩大,成为实现“双碳”目标的重要保障。

多晶硅是制造集成电路、太阳能光伏等的关键材料。

因此,多晶硅生产企业提供了机会,但也面临着越来越大的压力,因为市场对多晶硅质量的要求不断增加。

只有不断提高产品质量,实行节能减排的封闭循环,我们才能实现可持续发展。

1还原尾气回收工艺还原过程中产生的废气储存在氯-硅烷罐中,大多数氯-硅烷冷凝液在压力下冷却。

冷凝液的这一部分随吸收塔的加热液送入HCl脱盐塔,塔顶与HCl分离,送入加氢工艺;塔上的锅炉将液态硅烷的氯分离出来,并将其部分送到氯气储罐区,部分送到HCl吸收塔作为吸附剂。

废气还原冷却的非冷凝气体除了HCl和H2之外,还含有少量氯硅烷。

压缩机加压冷却后,进入吸收塔,将HCl气体和氯硅烷杂质吸收到非冷凝气体中,得到较纯的H2。

H2循环的这一部分仍然含有少量氯硅烷和少量氯氟烃,这些物质随后被吸附到吸附塔的活性碳上,然后用于还原和氢过程。

2多晶硅还原生产常见问题2.2还原生产有硅油产生多晶硅生产一旦开始,硅油往往更为常见,特别是当还原炉内部温度不是很高而产生石英板、底盘、风箱、炉管等矿床时。

硅油出现时,硅化合物丢失,这是多晶硅生产接收率下降的直接原因。

多晶硅生产过程的质量控制

多晶硅生产过程的质量控制

2018年07月多晶硅生产过程的质量控制任小红(内蒙古神舟硅业有限责任公司,内蒙古呼和浩特010010)摘要:任何产品的生产过程都不是一蹴而就的,多晶硅的生产也不例外。

多晶硅在生产制作时,往往有许多方面的制作因素,会对多晶硅的质量产生影响。

为了使多晶硅的质量得到更好的保障,本文对多晶硅生产过程中的几道工序进行了简单的阐述,对生产工序中影响多晶硅质量的问题进行了重点描述并提出了解决办法,希望可以为多晶硅生产过程中的质量控制提供一定的帮助。

关键词:多晶硅;生产过程;质量控制;1多晶硅生产过程中高纯氢气对质量的影响及措施在多晶硅的生产过程中,氢气是否纯正将会干扰多晶硅的质量。

在还原炉中,如果有少量的水或氧气混入氢气中,三氯氢硅水解或硅的氧化的现象就会产生,同时,在硅棒上,会附着一层二氧化硅氧化层。

“氧化夹层”就会形成,前提是我们放任被氧化的硅棒继续沉积硅,而且,就算进行酸洗也不会除去它。

在多晶硅拉制单晶硅时,由于这种“氧化夹层”的形成,“蛙跳”的现象就会出现。

在真空条件下,多晶硅拉制单晶硅时,会使融化的硅从熔区或坩埚中溢出,像火焰一样向外“放花”。

因此,如果想要预防氧化夹层的出现,在进行制氢工序时,就需要严格按照程序规范操作,严格控制氢气的露点和氧含量,使氢气中的氧和水含量符合要求。

此外,在生产的过程中,要严肃生产环境,对生产安全提高警惕,避免氢气泄漏而造成火灾状况的出现。

2多晶硅生产过程中精馏工序对质量的影响及措施在精馏工序中的还原工序和氢化工序中,除去杂质的的高纯三氯氢硅产品和四氯化硅产品将会被运用。

但由于粗三氯氢硅中分离难度较大的硼化合物、磷化合物的存在,因此,需要用多台精馏塔对粗三氯氢硅进行连续精馏才能提取到合格的纯三氯氢硅产品。

精馏工序对多晶硅生产过程中的质量控制至关重要,因此,精馏工序的制作程序需要得到监管和控制,以避免精馏工序在生产时出现问题。

在制作过程中,首先需要控制的就是精馏塔的压力,如果控制系统压力不稳定,塔板上的气液平衡组成就会被改变。

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析随着太阳能光伏产业的快速发展,多晶硅产品成为太阳能电池的重要原材料之一。

然而,多晶硅产品质量问题长期存在,生产制造过程中存在的缺陷和技术瓶颈制约了多晶硅产品的进一步应用及市场规模的扩大。

因此,需要采取措施加大改良力度,提高多晶硅产品的质量,从而推动行业的发展。

1. 生产制造的环节控制多晶硅产品的生产制造具有复杂性和长周期性,从原料准备到成品出厂需要经过多个环节,包括精炼、结晶、切割等过程。

因此,要保证多晶硅产品的品质需要在生产制造的每个环节中进行高效的控制和检测。

特别是在多晶硅的熔融与结晶过程中,要严格控制温度、压力等物理参数,以保证产物的存在形态均匀、晶体品质优良等方面达到预期目标。

2. 技术创新的推动要提高多晶硅产品的质量,需要加强技术创新和开发,尤其是在新工艺、新材料的研究和应用上。

例如,采用多晶合金晶体生长技术,利用微弱磁场引导晶体生长,可以提高多晶硅产品的晶化度和均匀度,从而提高产品的电池效率和抗氧化稳定性等制度要素。

3. 质量检测的技术升级作为重要的半导体原材料,多晶硅产品每个品种都应符合特定的质量标准和规范要求。

对于生产厂商来说,建立健全的质量保证体系和质量检测机制是核心,确保多晶硅的质量符合相关标准和要求,达到稳定的表现特性和可靠性等关键性能指标。

此外,针对市场上的多晶硅产品进行定期抽样检测,及时排查产品质量问题,纠正不合格的产品,提高行业整体的质量水平。

4. 智能化生产系统的落地随着物联网和大数据等技术的普及和发展,多晶硅制造业也应该尽快进行智能化改造,加快生产工艺和设备的数字化和网络化,建立先进的控制系统,实时监测过程数据,精细化地调整生产参数和质量标准等等。

通过智能化手段,提高生产效率和产能利用率,降低能耗和废品率,为提高多晶硅产品的质量提供有力的技术保障。

总之,要提高多晶硅产品的质量,需要在生产制造、技术创新、质量检测和智能化生产系统四个方面进行综合推进,打造高品质、高效益、高竞争力的多晶硅产业链,将太阳能光伏产业带向更美好的未来。

多晶硅原料处理过程中质量控制措施探讨

多晶硅原料处理过程中质量控制措施探讨

多晶硅原料处理过程中质量控制措施探讨摘要:多晶硅质量受多方面因素影响,本文结合生产实际,分别从提高原料纯度,加强分析手段、控制生产过程中的温度、合理选择混合气配比、保持设备洁净、强化精馏效果、提高质检工作人员业务素质和质量意识等方面进行了分析,以逐步提高多晶硅质量。

关键词:多晶硅生产工艺流程质量控制随着新能源及光伏产业的迅速发展,多晶硅产业也得以高速发展。

多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料,被称为“微电子大厦的基石”。

目前国际上主要采用传统工艺改良西门子法生产多晶硅,现结合公司生产实际,总结一下改良西门子工艺中多晶硅原料处理过程中质量控制措施。

1 多晶硅生产工艺流程简介多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来,目前国际上多晶硅生产主要采用改良西门子法、硅烷法和流化床法等方法,改良西门子法是最主要的方法,采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85%。

这种方法节能降耗作用显著、成本低、质量好,对环境不产生污染,因而具有明显的竞争优势。

多晶硅生产工艺流程如下:(1)石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅。

(2)进一步提纯,把工业硅粉碎并用无水氯化氢与之反应在一个流化床反应器中,生成拟溶解的三氯氢硅,同时形成气态混合物(H2,HCl,SiHCl3,SiCl4,Si)。

(3)第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯,需要分解:过滤硅粉,冷凝SiHCl3,SiC14,而气态H2,HCl返回到反应中或排放到大气中。

然后分解冷凝物SiHCl3,SiCl4,净化三氯氢硅(多级精馏)。

(4)净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺,以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。

2 多晶硅原料处理过程中质量控制措施2.1 提高原料纯度,加强分析手段,提高分析灵敏度决定产品质量的因素很多,其中原料,中间化合物如硅铁、液氯、氢气、三氯氢硅等的杂质的存在,对产品的质量起决定性作用。

多晶硅质量管控方案

多晶硅质量管控方案

多晶硅质量管控方案多晶硅质量管控方案模板如下:一、质量管理体系1.建立完善的质量管理体系,包括质量方针、质量目标、质量策划、质量控制、质量保证和质量改进等方面。

2.制定详细的质量管理计划,包括质量标准、检测方法、检测设备、检测人员等方面的要求。

3.建立质量管理组织架构,明确各部门和人员的职责和权限,确保质量管理工作的有效实施。

二、原料采购与验收1.制定原料采购标准,确保采购的原料质量符合要求。

2.对采购的原料进行验收,包括质量检测、规格核对等方面的工作,确保原料质量合格。

3.对于不合格的原料进行处理,避免其进入生产环节。

三、生产过程质量控制1.制定生产工艺流程和操作规程,明确各工序的质量控制指标和检测方法。

2.对生产过程进行实时监控,确保各工序的质量控制指标符合要求。

3.对生产过程中出现的质量问题进行调查分析,找出原因并采取有效措施进行改进。

四、成品检测与检验1.制定成品检测与检验标准,确保成品的质量符合要求。

2.对成品进行检测与检验,包括外观、性能等方面的检测。

3.对不合格的成品进行处理,避免其进入销售环节。

五、质量改进与提升1.建立质量改进机制,鼓励员工提出改进意见和建议。

2.对质量管理体系进行定期评估和审查,确保体系的有效性和适用性。

3.积极引进新技术、新工艺和新设备,提高生产效率和产品质量。

4.加强员工培训和教育,提高员工的质量意识和技能水平。

5.建立客户反馈机制,及时收集和处理客户反馈意见,不断改进产品质量和服务水平。

6.定期组织内部审核和外部审核,确保质量管理体系的有效性和符合性。

7.加强与供应商的合作与交流,共同提升产品质量和稳定性。

8.持续关注行业标准和法律法规的变化,及时调整质量管理体系和相关政策。

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析随着科技的不断发展,多晶硅产品在光伏、半导体等领域中得到了广泛应用,成为了新能源和新材料产业的重要基础材料。

随着市场的竞争日益激烈,多晶硅产品的质量问题也日益凸显,给企业带来了严峻的挑战。

为了提高多晶硅产品的质量,企业需要找到改善的方向,并采取切实有效的措施。

本文将分析多晶硅产品质量改善的方向,并提出相应的改进意见。

多晶硅产品的质量改善方向在于优化原材料的选择和生产工艺。

作为多晶硅产品的基础原料,硅材料的质量直接影响产品的性能和品质。

企业可以通过对原材料的筛选和采购工作加强管理,选择质量可靠的原材料供应商,确保原材料的稳定性和可靠性。

企业还可以对生产工艺进行改进和优化,提高生产线的自动化程度,降低生产过程中的人为误差和随机事件,从而提高产品的稳定性和一致性。

多晶硅产品的质量改善方向在于加强产品质量监控和检测手段。

企业可以通过建立完善的质量管理体系,加强对产品生产全过程的监控和控制,及时发现并处理生产过程中的质量问题,确保产品的质量稳定和一致。

企业还可以加大对产品质量检测手段的投入,引进先进的检测设备和技术,提高产品的质量可追溯性和检测精度,确保产品的合格率和合格品率。

多晶硅产品的质量改善方向在于加强人员培训和技术创新。

企业可以加强对生产人员的技能培训,提高员工的质量意识和技术水平,确保产品生产过程中的操作规范和合理。

企业还可以加大对技术创新的投入,提高产品的技术含量和附加值,提高产品的竞争力和市场占有率。

多晶硅产品的质量改善方向在于加强与客户的沟通和合作。

企业可以主动了解客户的需求和意见,根据客户的反馈和建议,调整产品的设计和生产方案,提高产品的质量和性能,满足客户的需求和期望。

企业还可以与客户建立长期稳定的合作关系,共同推动产品质量的改进和提升,实现互利共赢的局面。

多晶硅产品的质量改善方向涉及原材料选择、生产工艺优化、质量监控检测、人员培训技术创新和与客户沟通合作等多个方面。

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析多晶硅产品是现代工业生产中广泛应用的一种重要材料,它在光伏、半导体和电子等领域具有重要的应用价值。

随着市场需求越来越高,多晶硅产品的质量问题也日益受到关注。

为了提高多晶硅产品的质量,有必要进行深入的分析和探讨,寻找改善方向,以满足市场需求和提高竞争力。

一、多晶硅产品质量问题分析多晶硅产品在生产和加工过程中存在一些质量问题,主要表现在以下几个方面:1. 杂质含量高:多晶硅产品中的杂质含量高是一个常见的质量问题,这会影响产品的电学性能和光伏转换效率。

2. 晶界和缺陷多:多晶硅产品的晶界和缺陷对产品的性能和使用寿命都有影响,晶界和缺陷多会导致材料的强度和稳定性下降。

3. 结晶不完整:多晶硅产品的结晶不完整会影响产品的力学性能和加工性能,使产品难以满足工程要求。

4. 工艺参数控制不当:在多晶硅产品的生产过程中,工艺参数的控制不当也会导致产品质量的下降,包括温度、时间、气氛等因素的不合理设定。

以上问题导致多晶硅产品的质量无法达到市场需求的要求,影响了产品的竞争力和市场份额。

有必要对多晶硅产品的质量问题进行深入分析,找出改善方向,提高产品质量。

二、多晶硅产品质量改善方向分析针对多晶硅产品的质量问题,可以从以下几个方向进行改善:1. 原材料选择和净化多晶硅产品的质量问题部分源自原材料的质量,因此需要对原材料进行严格的选择和净化。

通过提高原材料的纯度,降低杂质含量,可以有效改善多晶硅产品的质量。

对原材料的熔炼和净化工艺进行优化,也能够提高产品的质量。

2. 工艺控制和优化在多晶硅产品的生产过程中,工艺参数的控制和优化对产品的质量至关重要。

合理设定熔炼温度、熔炼时间、熔炼气氛等工艺参数,可以有效降低晶界和缺陷的产生,提高产品的结晶完整性和力学性能。

优化成型和加工工艺,也能改善产品的质量和稳定性。

3. 检测手段和技术多晶硅产品的质量检测是保障产品质量的重要环节。

采用先进的检测手段和技术,可以及时、准确地发现产品的质量问题,为改进工艺提供重要数据支持。

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析多晶硅是一种重要的光伏材料,广泛用于太阳能电池板的制造。

随着太阳能产业的快速发展,多晶硅的需求量不断增加。

多晶硅产品的质量问题也一直是制约行业发展的重要因素之一。

为了改善多晶硅产品的质量,以下是一些建议。

加强原材料的筛选和管理。

多晶硅制备过程中,硅原料的质量对最终产品的质量影响很大。

在选材阶段应严格把控原材料的质量,确保其纯度和物化性能符合要求。

加强供应链管理,确保原材料的来源可追溯,避免使用来源不明或质量不可靠的原材料。

优化生产工艺。

生产工艺是影响多晶硅产品质量的关键因素。

通过优化工艺参数、增加工艺控制手段等方式,可以改善产品的结晶度、杂质含量等指标,提高产品的一致性和稳定性。

引进先进的生产设备和技术,提升生产效率的同时也能提高产品的质量。

加强质量检测和监控。

建立完善的质量检测体系,对多晶硅产品进行全面、精确的检测。

包括对原材料、中间产品和最终产品的检测,以确保产品符合规定的质量标准。

加强质量监控,及时发现和解决问题,防止不合格产品流入市场。

第四,加强人员培训和技术交流。

培养一支高素质的技术队伍,提高员工的专业水平和技能。

定期组织技术交流和培训活动,分享行业内的最新技术和经验,推动行业共同提高产品质量。

加强与科研机构和高校的合作,引入新技术,推动技术创新。

第五,加强质量管理和质量认证。

建立完善的质量管理体系,确保质量管理的全过程和各环节的可控性。

通过质量认证,提升产品的市场竞争力和可信度。

加强与客户的沟通和反馈,及时解答客户的质量问题和需求,改进产品设计和生产工艺。

加强行业监管和标准制定。

政府和行业协会应加强对多晶硅行业的监管,制定相关的标准和规范,明确产品的质量要求和检测方法。

加强对企业的监督检查,严厉打击假冒伪劣产品的生产和销售行为。

改善多晶硅产品的质量是一个全方位、系统化的工作。

需要共同努力,加强各个环节的管理和控制,推动行业质量水平的提高。

只有通过不断改善产品质量,才能推动多晶硅行业的可持续发展。

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析多晶硅是一种重要的半导体材料,广泛应用于光伏、集成电路、光电子器件等领域。

其产品质量直接影响着相关产业的发展和对外竞争力。

提高多晶硅产品的质量是当前需要解决的重要问题之一。

为了探讨多晶硅产品质量改善的方向,本文将从原材料控制、生产工艺优化、质量检测手段提升等方面展开分析。

一、原材料控制多晶硅的质量受到原材料的影响较大,主要包括硅石和还原剂。

硅石的纯度、颗粒大小、含杂质及颗粒分布对多晶硅的质量有直接影响,因此需要严格控制原材料的品质。

还原剂的选择和使用也是影响多晶硅质量的重要因素。

为了提高多晶硅产品的质量,需要加强原材料的采购管理,严格筛选合格的原材料供应商,确保原材料的稳定性和优质性。

二、生产工艺优化生产工艺是影响多晶硅产品质量的关键环节,工艺的合理性和稳定性决定了产品的质量优劣。

为了提高多晶硅产品的质量,生产工艺的优化是至关重要的。

需要对生产设备进行优化升级,提高设备的自动化程度和生产效率。

加强生产过程的监控和控制,确保每一个环节都符合标准要求,避免不合格品的产生。

生产工艺的改善还需结合实际情况,根据产品的特性进行灵活调整,确保产品的质量稳定和一致性。

三、质量检测手段提升质量检测是保证多晶硅产品质量的重要保障,检测手段的提升直接影响产品质量的可控性和可靠性。

为了提高多晶硅产品的质量,需要加强质量检测手段的研发和应用。

需要引进先进的检测设备和技术,提高质量检测的精度和准确性。

加强对质量检测人员的培训,提高检测人员的技术水平和专业能力。

建立健全的质量管理体系,规范质量检测流程和结果评定标准,确保质量检测的科学性和完整性。

提高多晶硅产品的质量需要从原材料控制、生产工艺优化、质量检测手段提升等多个方面入手。

只有加强对多晶硅产品质量的控制和提升,才能够确保产品的质量稳定和可靠,提升企业的核心竞争力。

期望相关企业能够重视产品质量改善的重要性,加强管理和技术创新,不断提高产品的质量和性能,为多晶硅产业的发展做出积极贡献。

多晶硅生产的质量控制

多晶硅生产的质量控制

多晶硅生产的质量控制(改良西门子法) 改良西门子法)乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 2011年 2011年6月多晶硅的质量是生产出来的, 多晶硅的质量是生产出来的,质量控制 致力于满足质量要求, 致力于满足质量要求,通过对生产过程的质 量控制,可以生产出稳定高质量的产品。

量控制,可以生产出稳定高质量的产品。

一、多晶硅生产质量控制的关键工序多晶硅产品质量重点关注: 多晶硅产品质量重点关注: 施主、受主、 施主、受主、碳、金属 表面质量(夹层、氧化、无定形硅) 表面质量(夹层、氧化、无定形硅)1、精馏工序影响多晶硅中磷、硼、碳、金属杂质含量 影响多晶硅中磷、 加压精馏效果显著 严格控制回流比和塔釜排料 对合成三氯氢硅进行预处理,预处理后质量水平 对合成三氯氢硅进行预处理,预处理后质量水平: B<20ppbw,C<2ppmw,P<3 ppbw < , < , < 合成、还原、氢化分线提纯、 合成、还原、氢化分线提纯、分线供料2、尾气回收工序 、影响回收氢的质量, 影响回收氢的质量,多晶硅中施主杂质含量 吸收塔(喷淋温度、喷淋量、吸收压力) 吸收塔(喷淋温度、喷淋量、吸收压力) 吸附柱(尾气量平稳、吸附柱再生温度和吹扫气量) 吸附柱(尾气量平稳、吸附柱再生温度和吹扫气量)3、还原工序 、硅芯安装石墨件等 耗材质量还原 工序炉壁、 炉壁、底盘 清洗、 清洗、烘干抽空、 抽空、置换3、还原工序 、影响多晶硅外观质量及多晶硅中杂质含量沉积 还原炉温度控制、三氯氢硅与氢气摩尔比,装拆炉、 还原炉温度控制、三氯氢硅与氢气摩尔比,装拆炉、 石墨件的质量控制非常重要4、整理工序 、硅芯检验:硅芯原料选取、拉制硅芯、加工硅芯、 硅芯检验:硅芯原料选取、拉制硅芯、加工硅芯、清 洗配对 多晶硅检验:破碎、分选过程检验, 多晶硅检验:破碎、分选过程检验,出入库产品检验二、质量检验质量检验为生产提供指导依据。

质量检验为生产提供指导依据。

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析多晶硅是一种重要的太阳能电池原材料,具有高导电性和良好的光电性能。

然而,多晶硅的品质一直是制约其在太阳能电池领域发展的重要因素之一。

为了促进多晶硅产业的健康发展,需要从以下几个方向进行产品质量改善。

1. 原料质量提升:多晶硅的制备过程需要高纯度硅粉作为原料。

因此,提高硅粉的纯度、粒度均匀性和物理化学性质都是改善多晶硅品质的关键。

同时,还需要保证原材料的稳定性和可靠性,避免不必要的生产损失。

2. 生产工艺优化:多晶硅的生产流程繁琐,且易受到环境因素的影响。

因此,需要通过生产工艺和设备的优化来提高多晶硅的品质和产量。

例如,在熔炼和晶化过程中,可以优化温度、时间、压力等参数,调整下料方式、升温速率等操作,以确保多晶硅的晶体结构均匀、纯度高、氧含量低。

此外,还需要严格控制水分、氧气、杂质等环境因素的影响。

3. 检测手段升级:传统的多晶硅品质检测主要依赖于化学分析和物理测试手段。

这种方法存在测试精度低、成本高、操作繁琐等问题。

为了提高产品质量的稳定性和可靠性,需要引入先进的非破坏性检测技术,如红外线、毫米波、X射线等技术来检测多晶硅的物理和化学性质,从而有效提高产品的质量。

4. 加强质量管理:多晶硅产品的质量管理是确保产品质量的重要保证。

需要建立全面的质量管理体系,包括品质控制、过程管理、管理统计、质量检测等环节。

此外,还需要加强供应链管理,建立供应商评估机制,确保原材料来源的可靠性和稳定性,加强与客户的沟通和协作,及时解决质量问题。

总之,提高多晶硅产品的质量是目前多晶硅产业发展的重点和难点,需要在多个方面进行改善和升级,从原材料到生产工艺、检测技术和质量管理多个环节入手,逐步提高产品的品质和性能,确保多晶硅在太阳能电池领域的应用效果和经济效益。

多晶硅片生产工艺控制

多晶硅片生产工艺控制

多晶硅片生产工艺控制随着科技不断进步,光伏产业在全球范围内得到了迅速的发展。

在光伏系统中,硅片是最为重要的组成部分之一。

而多晶硅片具有良好的光电性能、市场需求大等特点,因此成为了当前光伏硅片领域主流的产品。

对于多晶硅片生产过程的控制,是确保硅片质量和生产效率的重要环节。

一、硅矿料的准备硅矿料是多晶硅片的原材料,其品质直接关系到硅片的质量。

多晶硅片生产过程首先需要进行硅矿料的准备。

准备硅矿料时需要注意以下几个方面:1. 合理选择硅矿料。

硅矿料的品质直接关系到硅片的品质,因此应该选择质量最好的硅矿料进行生产。

2. 硅矿料的粒度要求较高。

硅矿料需要进行破碎、筛分等处理,以使其粒度适合生产多晶硅片的需要。

3. 对矿料进行清洗。

硅矿料需要进行去除石灰、氧化铁等杂质的过程,以防杂质对后续生产过程的影响。

二、多晶硅锭的形成多晶硅锭是多晶硅片的原材料。

在多晶硅片生产的过程中,多晶硅锭的形成是非常重要的环节。

多晶硅锭形成的关键有以下几个方面:1. 材料选取。

在多晶硅锭形成的过程中,选取好的硅材料能够让多晶硅锭成为高质量的硅片。

2. 制定控制参数。

在多晶硅锭的形成过程中,需要合理制定各种控制参数,如晶圆的放置方式、加热温度和时间等,以达到最佳效果。

3. 硅锭质量的控制。

在硅锭的形成过程中,需要对硅锭的质量进行精细的控制。

通过控制硅锭的大小和晶粒等参数,使多晶硅锭具有良好的品质和性能。

三、硅片的制备与加工在多晶硅锭形成后,需要进行硅片的制备与加工。

硅片的质量和性能很大程度上受到制备和加工过程的影响。

硅片制备和加工的关键在于:1. 合理的制备工艺。

需要掌握合理的硅片制备工艺,如分离、清洗、抛光、贴胶等。

只有通过合理的工艺,才能确保硅片具有良好的品质和性能。

2. 严格的生产管理。

在硅片的制备和加工中,需要执行严格的生产管理制度。

通过监控生产参数和产品质量,及时发现问题并进行处理。

四、检测和评估在多晶硅片的生产过程中,需要进行检测和评估。

成品车间多晶硅表面金属杂质含量的控制方法

成品车间多晶硅表面金属杂质含量的控制方法

成品车间多晶硅表面金属杂质含量的控制方法成品车间多晶硅表面金属杂质含量的控制方法一、引言多晶硅是一种重要的半导体材料,广泛应用于太阳能电池、集成电路等领域。

多晶硅的表面金属杂质含量对其电性能和可靠性具有重要影响,因此在生产过程中需要严格控制金属杂质的含量。

本文将介绍成品车间多晶硅表面金属杂质含量的控制方法。

二、原材料选择原材料的选择是控制多晶硅表面金属杂质含量的关键。

首先要选择纯度高、金属杂质含量低的硅源。

其次,要对原材料进行严格的检测和筛选,确保其满足生产要求。

同时,要加强供应商管理,与供应商建立长期稳定的合作关系,确保原材料的质量稳定可靠。

三、熔炼过程控制多晶硅的熔炼过程是金属杂质进入的主要途径。

为了控制金属杂质含量,需要在熔炼过程中加强控制。

首先要控制熔炼温度,避免过高温度导致金属杂质的气化和蒸发。

其次要控制熔炼时间,避免过长时间导致金属杂质的扩散和溶解。

此外,还可以采用熔炼过程中的气氛控制、熔炼剂的选择等方法,进一步降低金属杂质含量。

四、晶体生长过程控制晶体生长过程是多晶硅表面金属杂质含量的另一个重要环节。

在晶体生长过程中,要控制生长条件,如温度、压力、流速等。

同时,要对生长设备进行定期维护和清洁,避免金属杂质的污染。

此外,还可以采用控制晶体生长速率、生长界面的控制等方法,进一步降低金属杂质含量。

五、加工过程控制在多晶硅的加工过程中,也容易引入金属杂质。

因此,在加工过程中需要加强控制。

首先要保持加工设备的清洁,避免金属杂质的污染。

其次要加强操作规范,避免操作不当引入金属杂质。

此外,还可以通过控制加工温度、加工液的选择等方法,进一步降低金属杂质含量。

六、检测方法和设备为了准确评估多晶硅表面金属杂质含量,需要采用合适的检测方法和设备。

常用的检测方法包括电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)、光电子能谱法(XPS)等。

这些方法可以对多晶硅表面金属杂质进行定量分析,为控制金属杂质含量提供依据。

此外,还需要定期校准和维护检测设备,确保其准确性和可靠性。

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析多晶硅是一种重要的半导体材料,在光伏、半导体等领域得到广泛应用。

多晶硅材料的质量对器件性能有着关键的影响,因此如何提高多晶硅材料的质量成为了一个重要的研究领域。

本文将从多晶硅产品的质量指标、质量改善方向以及目前的研究进展三个方面进行分析。

一、多晶硅产品的质量指标多晶硅产品的质量指标主要包括晶体缺陷、杂质含量、晶格匹配度、晶体形貌等,具体包括以下几个方面:1. 晶体缺陷。

晶体缺陷是多晶硅产品中最严重的问题之一。

均匀的、无缺陷的晶体对器件的电性能、热性能和可靠性能都有着重要的影响。

多晶硅中存在的晶体缺陷主要包括晶界缺陷、位错、空位等。

2. 杂质含量。

杂质是影响多晶硅电性能和辐照等级的主要因素之一。

常见的杂质主要有B、C、N、O等元素,其中B等元素主要是由于杂质气体的存在,而C、N、O等元素主要是由于制备过程中控制不当产生的。

3. 晶格匹配度。

晶格匹配度是指多晶硅晶体中不同取向的晶粒间晶格面与晶界面的匹配程度。

晶格匹配度的提高可以改善晶界及取向等性能,并降低杂质的层排位。

4. 晶体形貌。

多晶硅晶体形貌的好坏主要取决于制备过程中的铸造温度、冷却速度等参数。

多晶硅晶体形貌主要体现为晶粒大小、晶粒分布的均匀性和晶粒表面的光滑程度等。

为了提高多晶硅产品的质量,需要从以下几个方面进行改善:1. 材料制备。

多晶硅材料的制备过程包括原料制备、熔化、晶体生长等环节,每个环节都会影响到材料的质量。

制备过程中需要严格控制温度、熔化速率等参数,以控制晶体缺陷和杂质含量。

2. 晶体缺陷控制。

晶体缺陷是多晶硅中最为严重的问题之一。

通过合理的混合、铸造工艺,可以降低晶界的密度和杂质的含量,从而控制晶体缺陷的产生。

4. 晶格匹配度提高。

晶格匹配度的提高对多晶硅电性能等方面都有着明显影响。

可以通过控制晶容量、晶种数、铸造温度、晶体生长速率等参数,提高晶格匹配度。

三、目前的研究进展近年来,人们对多晶硅材料的研究逐渐深入,不断提出新的方法和技术,以提高多晶硅材料的质量。

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析【摘要】多晶硅是太阳能行业中主要的原材料之一,其质量直接影响着光伏产业的发展。

本文从提升晶体质量、优化生产工艺、加强质量管理体系、技术装备升级和加强人员培训五个方面分析多晶硅产品质量改善的方向。

通过提升晶体质量,可以提高太阳能电池的转化效率。

优化生产工艺能够降低生产成本,提高生产效率。

加强质量管理体系可以提高产品稳定性和一致性。

技术装备升级可以提高生产线的自动化水平,减少人为因素。

加强人员培训是保证产品质量的重要保障。

通过以上方向的分析,可以有效提高多晶硅产品的质量,推动太阳能产业的可持续发展。

【关键词】关键词:多晶硅产品、质量改善、晶体质量、生产工艺、质量管理体系、技术装备、人员培训、分析、提升、优化、加强。

1. 引言1.1 多晶硅产品质量改善方向分析多晶硅是一种重要的半导体材料,在光伏产业和电子领域有着广泛的应用。

目前多晶硅产品的质量参差不齐,存在晶体质量差、工艺不稳定、管理混乱等问题,影响了产品的性能和市场竞争力。

为了提高多晶硅产品的质量,需要有针对性地进行改善。

多晶硅产品质量改善的方向包括提升晶体质量、优化生产工艺、加强质量管理体系、技术装备升级和加强人员培训。

提升晶体质量是改善多晶硅产品质量的关键,可以通过优化晶体生长过程、控制杂质含量等手段来提高晶体的纯度和均匀性。

优化生产工艺则包括改进多晶硅生产流程、提高工艺稳定性,以确保产品质量的稳定性和一致性。

加强质量管理体系也是重要的方向,可以建立健全的质量管理体系,制定明确的质量标准和流程,从而提高产品质量的可控性和可预测性。

技术装备的升级和改进也是必不可少的,可以引入先进的生产设备和技术,提高生产效率和产品质量。

加强人员培训也是关键,只有拥有高素质的技术人员和操作人员,才能保证生产过程的稳定性和质量的可控性。

通过以上方向的改善,可以全面提升多晶硅产品的质量,提高产品在市场上的竞争力。

是多晶硅产业发展中的重要课题,需要不断探索和改进。

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析

多晶硅产品质量改善方向分析多晶硅是光伏行业重要的原材料之一,它的质量直接影响到光伏产品的性能和使用寿命。

目前,多晶硅产品的质量问题依然比较突出,主要表现在晶体质量、杂质含量、结晶缺陷等方面。

为了提高多晶硅产品的质量,需要分析当前存在的问题,找出改善的方向,从多个方面入手,全面提升多晶硅产品的质量。

一、提高多晶硅制备工艺水平多晶硅制备的工艺是多晶硅产品质量的关键。

目前,多晶硅生产中存在的主要问题是晶体质量和晶体结构的均匀性。

针对这些问题,需要通过改进制备工艺,提高晶体的纯度和结晶质量。

要优化多晶硅制备的原料选择和预处理工艺。

多晶硅的原料主要是二氧化硅,通过冶炼、还原等工艺制备成多晶硅。

要从原料的选择、储存、干燥、过滤等方面入手,提高原料的纯度和稳定性。

要优化熔炼和结晶工艺,控制熔体的温度、压力、搅拌等参数,提高晶体的生长速度和均匀性,减少结晶缺陷和杂质的含量。

还可以引入先进的晶体生长技术,如等离子体辅助Czochralski法、气相沉积法等,提高晶体的纯度和均匀性。

二、加强多晶硅品质检测与控制多晶硅的质量问题主要体现在晶体的缺陷和杂质含量上,所以加强多晶硅品质检测与控制是非常重要的。

目前的多晶硅检测手段主要有X射线衍射、激光散射、电化学方法等。

这些方法可以用来检测多晶硅的成分、结构、杂质含量、晶体缺陷等,从而评估多晶硅的质量。

要加强对多晶硅产品的质量检测,在制备过程中加强对原料、中间产物和成品的检测,及时发现问题并进行调整。

特别是要建立一套完善的质量控制体系,制定严格的检测标准和质量指标,并通过现代化的检测设备和技术手段,提高多晶硅产品的质量控制水平。

三、开展多晶硅质量改进技术研究为了进一步提高多晶硅产品的质量,可以开展多方面的技术研究。

可以针对多晶硅的结晶缺陷和杂质含量,开展晶体缺陷修复技术和杂质去除技术的研究,以改善多晶硅的结晶质量。

可以联合院校、科研机构等,进行多晶硅材料的新工艺、新材料的研究,如引入新的原料、新的制备工艺,开发多晶硅的新产品和新工艺,提高多晶硅产品的技术含量和附加值。

多晶硅的先进控制

多晶硅的先进控制

多晶硅的先进控制一、引言多晶硅是一种重要的半导体材料,广泛应用于太阳能电池、集成电路等领域。

为了提高多晶硅的质量和产量,先进的控制技术在生产过程中扮演着重要角色。

本文将介绍多晶硅的先进控制技术,包括原料控制、熔炼过程控制和晶体生长过程控制。

二、原料控制多晶硅的原料主要是硅矿石,其质量对最终产品的质量有着重要影响。

先进的原料控制技术可以实时监测硅矿石的成分和杂质含量,并根据目标产品的要求进行自动调整。

例如,通过在线分析仪器可以实时检测硅矿石中的杂质含量,然后通过自动化系统对矿石的投入量进行调整,以保证最佳的原料质量。

三、熔炼过程控制多晶硅的熔炼过程是将硅矿石加热熔化、脱氧等步骤,控制熔炼过程对于提高多晶硅的质量和产量至关重要。

先进的熔炼过程控制技术可以实时监测炉内温度、压力、气氛成分等参数,并对加热功率、冷却速率等进行精确调控。

例如,通过传感器和自动化系统可以实时监测炉内温度分布情况,并根据设定的温度曲线自动调整加热功率,以保证炉内温度稳定在最佳范围。

四、晶体生长过程控制多晶硅的晶体生长过程是将熔融的硅液逐渐冷却凝固形成晶体的过程,也是影响产品质量的关键环节。

先进的晶体生长过程控制技术可以实时监测晶体生长速度、温度梯度、晶体质量等参数,并对温度控制、拉速控制等进行精确调节。

例如,通过光学传感器可以实时监测晶体生长界面的形貌变化,并通过自动化系统对温度梯度进行调整,以控制晶体生长速度和晶体质量。

五、先进控制技术的优势1. 提高产品质量:先进的控制技术可以实时监测关键参数,并进行精确调节,从而提高多晶硅的纯度、晶体结构均匀性等,提高产品质量。

2. 提高生产效率:通过自动化调节和优化控制,先进的控制技术可以提高生产过程的稳定性和一致性,提高生产效率和产量。

3. 降低生产成本:通过精确控制和优化调节,先进的控制技术可以减少能源消耗、原料浪费等,降低生产成本。

4. 提高安全性:先进的控制技术可以实时监测和控制生产过程中的温度、压力等关键参数,减少事故风险,提高生产安全性。

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多晶硅原料处理过程中质量控制措施探讨
摘要:多晶硅质量受多方面因素影响,本文结合生产实际,分别从提高原料纯度,加强分析手段、控制生产过程中的温度、合理选择混合气配比、保持设备洁净、强化精馏效果、提高质检工作人员业务素质和质量意识等方面进行了分析,以逐步提高多晶硅质量。

关键词:多晶硅生产工艺流程质量控制
随着新能源及光伏产业的迅速发展,多晶硅产业也得以高速发展。

多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料,被称为“微电子大厦的基石”。

目前国际上主要采用传统工艺改良西门子法生产多晶硅,现结合公司生产实际,总结一下改良西门子工艺中多晶硅原料处理过程中质量控制措施。

1 多晶硅生产工艺流程简介
多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来,目前国际上多晶硅生产主要采用改良西门子法、硅烷法和流化床法等方法,改良西门子法是最主要的方法,采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的85%。

这种方法节能降耗作用显著、成本低、质量好,对环境不产生污染,因而具有明显的竞争优势。

多晶硅生产工艺流程如下:(1)石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅。

(2)进一步提纯,把工业硅粉碎并用无水氯化氢与之反应在一个流化床反应器中,生成拟溶解
的三氯氢硅,同时形成气态混合物(H2,HCl,SiHCl3,SiCl4,Si)。

(3)第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯,需要分解:过滤硅粉,冷凝SiHCl3,SiC14,而气态H2,HCl返回到反应中或排放到大气中。

然后分解冷凝物SiHCl3,SiCl4,净化三氯氢硅(多级精馏)。

(4)净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺,以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。

2 多晶硅原料处理过程中质量控制措施
2.1 提高原料纯度,加强分析手段,提高分析灵敏度
决定产品质量的因素很多,其中原料,中间化合物如硅铁、液氯、氢气、三氯氢硅等的杂质的存在,对产品的质量起决定性作用。

因此,在制备过程中应尽量减少杂质的玷污,提高原料的纯度,加强化学、物理的分析检测,一般采用光普、极普、质普和气相色普等分析手段检测。

太阳能级多晶硅应重点加强其对原料三氯氢硅、氢气等的质量控制,控制三氯氢硅质量的主要措施有控制粗馏三氯氢硅≥98.5%、B<50 ppbw、P<5 ppbw、Fe<500 ppbw,控制精馏操作中回流比稳定在20以上,保证再沸器出口温度稳定,保证三氯氢硅的收率在75%左右。

另外氢气、氮气、氩气露点、氧含量、二氧化碳和一氧化碳含量也极大的影响多晶硅质量。

因此生产过程中要严格控制氢气、N2和氩气纯度,硅芯加热前要用充分的置换时间,把炉内空气和炉壁上的水分赶净,装炉前要认真对设备做检查防止漏水现象。

2.2 控制生产过程中的温度
实践证明在900 ℃~1000 ℃间,SiHCl3以热分解为主,1080 ℃~1200 ℃间以还原反应为主,1200 ℃以上副反应、逆反应同时发生。

温度在1080 ℃以下亦有SiHCl3还原反应会发生,生成的多晶硅质量不佳。

还原温度较低时,会形成暗褐色的无定形硅夹层,这种夹层中间常常有许多气泡和杂质,在拉单晶前无法用酸腐蚀掉,在拉单晶熔料时,轻者使硅棒液面波动,重者产生硅跳以至于无法使用。

为避免以上现象的出现应注意:启动后空烧半小时,温度在1080 ℃~1100 ℃进料,整个生产过程中温度也应稳定控制在1080 ℃。

2.3 合理选择混合气配比
在氢还原SiHCl3的过程中,用化学当量值进行氢还原时,产品是褐色粉末状非晶形硅析出,收率低。

当氢气与三氯氢硅为1∶1或1∶2时,除气固相反应外,还会发生气相反应,反应产物硅气相聚合后呈粉状飘落在炉膛内污染整个炉膛。

选择合适的配比既有利于提高硅的变化率,又有利于抑制B、P的析出。

目前国内生产多采用氢气比三氯氢硅为10∶1或7.5∶1。

一般选择配比5∶1较为经济,小于5∶1时,生长速度放慢,转化率降低。

2.4 保持设备洁净
多晶硅生产过程中,工艺卫生是不容忽视的重要环节,在生产实践中要树立“超纯”观念,养成严格的工艺卫生操作习惯,注意操作者、操
作环境及设备材料等方面对产品的污染和影响,多晶硅生产对设备洁净度要求很高,油、氯离子、氧化物或粉尘的介入将严重影响多晶硅的质量,造成其反应速度减慢,产量降低,甚至硅反应停止。

水和其他溶液在设备表面残留的氯离子、氧化物、灰尘其他杂质、污垢的存在,也会影响多晶硅的生产。

因此多晶硅设备要严格做好脱脂、酸洗、纯水冲洗和干燥等工作。

此外,生产过程中,设备材质缺陷或运行维护失当,易造成设备腐蚀或渗漏,期间也会引入大量的重金属杂质或油脂,引起二次污染,因此有必要加强设备运行维护和管理。

2.5 强化精馏效果
在工业生产中,原料的提纯是提高产品纯度的关键手段,精馏法是化学提纯领域的重点,如何提高精馏效果和改进精馏设备,是精馏提纯需要深入研究的问题,加压精馏、固体吸附等化学提纯方法是近年来产生的新方式。

在改进精馏设备方面,为强化汽、液传热、传质的效果,可以采用高效率的塔板结构如浮动塔板,柱孔式塔板的精馏塔等。

为了减少设备材质对产品的玷污,可采用含钼低磷不锈钢塔内壁喷涂或内衬F4~6及氟塑料材质,可以提高产品质量。

2.6 提高质检工作人员业务素质和质量意识,严把质量关
新形势下的生产对质检工作提出了更为严格的要求,因此应树立质量意识,摒弃传统的事后检验模式,从原材料入手,注重生产过程的质量控制,找出可能导致不良品的诸多因素进行监督和处理,健全组织
机构,扩大质量控制范围,加强生产现场的质量控制。

质量监督人员要深入现场,严把质量关,对生产全过程进行全方位的超前质量控制。

另外加强质量教育和培训工作,切实提高生产和质量人员的业务素质,从思想转变入手,狠抓质量宣传,提高全员质量意识,激发员工的工作积极性和主动性。

多晶硅产品质量的高低直接影响企业的竞争力,提高改良西门子法生产多晶硅产品的质量,是这个行业共同关注的焦点问题。

多晶硅生产是一个系统工程,因此应从生产的各个环节入手,分析质量影响的关键因素,严格规范作业,从而提高多晶硅生产水平和质量。

参考文献
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