Ⅲ族氮化物半导体材料

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全组分可调iii族氮化物半导体光电功能材料及其器件应用

、关键科学问题及研究内容关键科学问题及其科学内涵：根据本项目涉及的高Al组分AIGaN ,高In组分InGaN,及GaN、AIN同质外延衬底材料等III族氮化物半导体材料及其低维量子结构的共性特点，拟解决的关键科学问题凝练、归纳为：1、非平衡条件下全组分可调氮化物半导体的外延生长动力学与缺陷控制由于InN、GaN、AIN 晶格常数的较大差异,三者化学性质的明显差异导致高AI组分AIGaN、高In组分InGaN材料的制备均为非平衡条件下的外延生长, 生长窗口狭小, 难以生长出大面积、高质量的外延薄膜。

而迄今制备GaN 和AIN自支撑厚膜衬底材料的主流方法--HVPE 法是典型的非平衡态生长。

非平衡条件下全组分可调III 族氮化物半导体及其低维量子结构的外延生长存在一系列尚未认知的新颖和复杂特性,其缺陷控制规律也有待深入研究和掌握。

2、全组分可调氮化物半导体中的应力控制和极化调控AIGaN 基、InGaN 基半导体低维结构材料均为大失配应变体系,同时亦为具有很大自发极化和压电极化系数的强极化体系, 其制备过程中应力的控制不仅决定外延材料的质量和缺陷密度, 而且直接调控材料中的极化感应电场和能带弯曲,从而影响材料和器件的宏观光电性能。

另一方面,极化行为不仅可以调控AIGaN 基、InGaN 基低维结构材料的光学、电学性质,而且极化方向及其强弱亦会对材料的外延生长, 特别是生长过程中的原子迁移和键合产生重要影响。

而在GaN 和AIN 自支撑厚膜衬底的生长过程中,应力、包括热应力的控制和释放规律是其最核心的问题,是决定材料生长成败和材料质量的最主要因素。

3、高AI 、高In 组分氮化物半导体中的杂质行为调控和p 型掺杂半导体材料的p 型掺杂是实现其器件功能的基本环节。

在AIGaN 外延材料中，由于p 型掺杂原子离化能随Al 组分不断提高，导致高Al 组分AlGaN 材料P型杂质的困难。

而在高In组分InGaN和InN外延材料中，存在高达1018 cm-3以上的背景电子浓度，在其近表面区域还始终存在高电子浓度的表面电荷层，从而严重影响其p 型掺杂和检测。

iii族氮化物半导体准范德华外延研究

iii族氮化物半导体准范德华外延研究序在当今科技发展迅猛的时代，半导体材料的研究和应用已成为各行各业的热点之一。

而在半导体材料中，iii族氮化物半导体准范德华外延研究备受关注。

本文将从多个角度深入探讨这一主题。

一、iii族氮化物半导体准范德华外延研究的背景iii族氮化物半导体准范德华外延研究作为半导体材料研究的一个重要分支，受到了广泛的关注。

iii族元素包括镓、铝和铟，它们与氮元素结合形成的氮化物半导体具有较大的能隙，优良的热稳定性和耐辐照性能。

这些特性使得iii族氮化物半导体在光电子、通信、电力电子等领域有着广泛的应用前景。

对iii族氮化物半导体准范德华外延的研究具有重要的科学意义和应用价值。

二、iii族氮化物半导体准范德华外延研究的关键技术在iii族氮化物半导体准范德华外延研究中，关键技术包括外延生长技术、外延薄膜的物理、化学性质的表征和器件制备技术等。

在外延生长技术方面，主要有分子束外延、金属有机化学气相外延、氮化物化学气相外延等技术路线。

这些技术在实现iii族氮化物半导体准范德华外延研究中具有重要的作用。

iii族氮化物半导体准范德华外延薄膜的表征涉及到结构、形貌、光学、电学、磁学等多个方面。

常用的表征手段包括X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱等。

这些表征手段的综合应用可以全面了解iii族氮化物半导体准范德华外延薄膜的性能。

在器件制备技术方面，iii族氮化物半导体准范德华外延研究主要包括光电子器件和电力电子器件。

如光电子器件中的发光二极管、激光器、紫外探测器等，以及电力电子器件中的高电子迁移率晶体管、肖特基二极管等。

这些器件的研究和应用拓展了iii族氮化物半导体的领域。

三、iii族氮化物半导体准范德华外延研究的发展趋势随着科学技术的不断进步，iii族氮化物半导体准范德华外延研究也在不断取得突破。

未来的研究将主要围绕在外延技术的改进、薄膜性能的优化和器件制备的创新等方面展开。

iii族氮化物半导体准范德华外延研究

i. 理论基础在现代半导体器件领域，III族氮化物半导体材料因其优异的性能而备受关注。

其中，III族氮化物半导体准范德华外延研究更是成为国内外科研机构和企业的热点之一。

要深入了解这一领域的研究现状和前沿进展，我们首先需要了解III族氮化物半导体材料的基本特性和物理原理。

1. III族氮化物半导体的基本特性III族氮化物半导体是指由III族元素（如镓、铝、铟）和氮元素构成的化合物半导体材料。

它具有较大的带隙宽度、较高的电子饱和漂移速度和良好的光电特性，因此在光电子器件领域表现出出色的性能。

对III族氮化物半导体的研究，不仅可以推动光电子器件技术的发展，还有望在能源转换、光通信等领域有重要应用。

2. 准范德华外延技术准范德华外延技术是一种在晶体生长过程中控制材料质量和结构的关键技术。

通过准范德华外延技术，可以在衬底上沉积出具有较高结晶质量和较低晶格失配的III族氮化物外延层，从而获得高质量的半导体材料。

这对于制备高性能的光电子器件至关重要。

ii. 研究现状随着半导体器件领域的不断发展，III族氮化物半导体准范德华外延研究取得了许多重要进展。

通过对III族氮化物材料的结构优化和生长参数的精确控制，科研人员成功地实现了高质量、大尺寸的III族氮化物外延层的生长，并在此基础上制备了多种高性能光电子器件。

1. III族氮化物外延层的结构优化在III族氮化物外延层的研究中，科研人员通过优化生长温度、压力和气氛组成，成功地控制了外延层的结晶质量和晶格失配情况。

这些结构优化的工作为III族氮化物半导体材料的应用提供了重要基础。

2. 高性能光电子器件的制备利用准范德华外延技术生长得到的III族氮化物外延层，科研人员制备了多种高性能的光电子器件，如发光二极管（LED）、激光器等。

这些器件在光通信、照明等领域有着广泛的应用前景。

iii. 个人观点和展望III族氮化物半导体准范德华外延研究是一个具有重要科学意义和巨大应用潜力的领域。

ⅲ族氮化物发光二极管技术及其应用

ⅲ族氮化物发光二极管技术及其应用ⅲ族氮化物发光二极管（III-nitride light-emitting diode，简称LED）技术是一种利用ⅲ族元素（镓、铝、铟）和氮化物材料制造的发光二极管。

这种技术具有许多重要的应用，我将从技术原理和应用两个方面来详细解答。

首先，ⅲ族氮化物发光二极管技术的原理是基于ⅲ族元素和氮元素的化合物半导体材料。

这种材料具有直接能隙结构，能够发出可见光和紫外光。

通过在这种材料上引入杂质或者多量子阱结构，可以实现不同波长的发光。

此外，ⅲ族氮化物发光二极管还采用了多层结构和异质结构，以提高发光效率和光电性能。

在制备工艺上，需要采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）等先进工艺，以确保材料的高质量和均匀性。

其次，ⅲ族氮化物发光二极管技术在实际应用中具有广泛的领域。

首先，在照明领域，ⅲ族氮化物LED已经成为替代传统照明的重要光源，具有节能、环保、寿命长等优点，被广泛应用于家庭照明、商业照明、汽车照明等领域。

其次，在显示领域，ⅲ族氮化物LED被应用于高清晰度显示屏、室内外大屏幕显示等，具有色彩丰富、对比度高等优势。

此外，在生物医学领域，ⅲ族氮化物LED还被用于光疗、生物成像等应用，具有辐射波长可调、光学输出稳定等特点。

此外，ⅲ族氮化物LED还在通信、激光器、传感器等领域有着重要的应用价值。

总的来说，ⅲ族氮化物发光二极管技术以其独特的发光原理和广泛的应用前景，成为了当今光电领域的研究热点之一，其在节能环保、医疗健康、信息通信等方面的应用前景十分广阔。

随着技术的不断进步和创新，相信ⅲ族氮化物发光二极管技术将会在未来发展出更多的潜在应用。

Ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱特性的应用

2023-11-05•引言•ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱基础目录•ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱在物理性质研究中的应用•ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱在化学性质研究中的应用•ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱目录在生物医学中的应用•研究展望与挑战01引言03研究Ⅲ族氮化物半导体材料的拉曼光谱特性对深入了解其性质和应用具有重要意义研究背景与意义01Ⅲ族氮化物半导体材料在光电子器件、激光器、太阳能电池等领域具有广泛应用02拉曼光谱技术可用于研究材料结构、振动模式和相互作用等研究目的系统地研究Ⅲ族氮化物半导体材料的拉曼光谱特性，揭示材料结构、振动模式和相互作用等微观信息。

研究方法采用高分辨率拉曼光谱技术，系统地测量Ⅲ族氮化物半导体材料的拉曼散射光谱，结合理论计算和数据分析，深入研究材料的结构、振动模式和相互作用等特性。

研究目的和方法02ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱基础拉曼散射是光在物质中传播时，受到物质分子散射的结果，产生频率变化的光谱。

拉曼散射表示每个单位体积内散射光的强度，是物质的固有性质，与物质的分子结构、光学特性等有关。

拉曼散射截面受到仪器性能、光源稳定性、实验条件等因素影响，影响拉曼光谱的精度和细节。

拉曼光谱分辨率拉曼光谱原理ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱特性峰位与峰形ⅲ族氮化物半导体材料的拉曼光谱具有明显的峰位和峰形，通过对峰位的测量可以获得有关材料能级结构的信息，对峰形的分析可以获得有关材料晶体质量、缺陷类型和浓度的信息。

频率与强度拉曼光谱的频率与材料的电子结构和振动模式有关，可以用于研究材料的电子性质。

而拉曼光谱的强度则与散射截面和入射光强度有关，可以用于研究材料的振动模态和晶体质量。

偏振特性拉曼光谱的偏振特性与入射光的偏振态和材料的晶体结构有关，通过对偏振特性的测量和分析可以获得有关材料晶体结构、对称性和光学性质的信息。

性能优化与应用研究拉曼光谱可以用于研究ⅲ族氮化物半导体材料的性能优化和应用，例如通过掺杂、改性等方式改善材料性能，为新材料的设计和应用提供指导。

III族纳米氮化物的研究背景简介

AlN 玫瑰花状结构侧h面的 SEM 照片
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谢谢大家
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目前 AlN 纳米结构的主要制备方法
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直流电弧等离子体方法是一种重要的制备纳米材料的方法，特别是制备一些高熔点的化合物，如氮化物、碳化物、氧化物、硅化物等。电弧放电可以产生极高的温度，可以达到几千度以上，并且在电弧区内存在很大的温度梯度。而等离子体则是由电弧放电在阴阳两极之间产生的电子、离子、原子等混合气体，它是一种高活性、高电离程度、高温的气体，极具反应活性。过去，直流电弧等离子体方法被较多的应用在制备纳米粒子上，近几年，也有一些利用该方法制备出一维纳米结构的报导。利用直流电弧等离子体的这些特性，将金属铝、镓、钪、钇等熔化、蒸发，氮气或者氮气与氨气的混合气体电离。这些金属蒸气与反应气体电离后的活性粒子相互发生反应，成核，最后在基底上温度合适的位置生长出晶体。
氮化铝纳米材料的研究背景简介
• 在 III 族氮化物半导体材料中，AIN 与其它两种材料相比，其具有禁带最宽的直接带隙，带间跃迁发射波长可进入深紫外波段，使其成为制备紫外/深紫外光电子器件的理想材料。特宽带隙的 AIN 还可以作为其它发光体的基体材料。AlN 具有高的热导率(319W·m-1·K-1) ；低的介电常数 (1 MHz 下约为 8.0) ; 低的热膨胀系数 (293～773 K, 4.8 ×10- 6K-1)；高电阻(体电阻率大于1014Ω·cm)、低密度(理论密度 3.26 g·cm-3)；低的介电系数和介电损耗；高硬度；高强度; 高绝缘性和无毒害等等优异的物理化学特性, 被广泛用于高级陶瓷、复合材料和电子材料等领域。特别是电子工业方面有着广泛的应用：如切割工具, 高聚物和玻璃材料添加剂, 电子基片, 保护层材料, 光电应用,

ⅲ族氮化物发光

ⅲ族氮化物发光
ⅲ族氮化物是一类重要的半导体材料，具有优良的光电性能。

其中，氮化镓、氮化铝和氮化铟是最常见的三种材料。

由于它们具有宽带隙、高电子迁移率和较高的光致发光效率等特点，因此在光电器件领域得到了广泛应用。

ⅲ族氮化物材料在室温下有较强的紫外光发射，但是由于其固有的电子和空穴浓度不对称，导致难以实现宽光谱发射。

为了解决这个问题，研究者采用了多种方法来改善它们的光电性能，例如掺杂、压力调控、界面调控等。

其中，掺杂是最常用的方法之一。

通过掺杂，可以调节ⅲ族氮化物的导电性和光电性能，从而实现不同波长的发射。

例如，通过掺杂镓或铝等杂质，可以实现ⅲ族氮化物的紫外-可见光谱发射，而掺杂
铟可以实现红外光谱发射。

除此之外，压力调控也是一种有效的方法。

通过施加高压，可以改变ⅲ族氮化物的晶体结构和能带结构，从而实现更宽的光谱发射。

此外，界面调控也可以在ⅲ族氮化物发光中发挥作用。

通过改变ⅲ族氮化物和其他材料之间的界面结构，可以控制其能带结构和光学性质，从而实现定制的发光特性。

总的来说，ⅲ族氮化物具有优良的光电性能，尤其是在半导体激光器、LED等光电器件中得到了广泛应用。

在未来，随着对其物理特性的深入了解以及新技术的发展，ⅲ族氮化物的应用前景将更加广阔。

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Ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱特性的应用研究

Ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱特性的应用研究Ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱特性的应用研究引言：Ⅲ族氮化物半导体材料是目前研究领域中备受关注的材料之一，其在光电子器件、能源转换和生物医学应用等方面具有广泛的应用潜力。

拉曼光谱作为一种非常有效的表征手段，已被广泛应用于Ⅲ族氮化物半导体材料的研究中。

本文将深入探讨Ⅲ族氮化物半导体材料的拉曼光谱特性及其在各个领域的应用研究。

Ⅰ. Ⅲ族氮化物半导体材料概述Ⅲ族氮化物半导体材料由三个周期元素组成，即氮、铝、镓和铟。

具有优异的电学、光学和热学性质，被广泛应用于高亮度LED、高频运算电路和高功率电子器件等领域。

Ⅲ族氮化物半导体材料中最具代表性的是氮化镓（GaN）、氮化铝镓（AlGaN）、氮化铝（AlN）和氮化铟镓（InGaN）等，它们具有宽的能带隙和优异的载流子迁移率。

Ⅱ. 拉曼光谱原理及特点拉曼光谱是一种基于光的散射现象的光谱技术，利用物质与激光交互作用后，分子、晶格、电子等的振动、转动和电子激发能级等变化所致的光散射现象。

相对于传统的光谱技术，拉曼光谱具有非常高的精确性和灵敏性，能够提供准确的分子结构和原子振动信息。

Ⅲ. Ⅲ族氮化物半导体材料的拉曼光谱特性Ⅲ族氮化物半导体材料的拉曼光谱具有许多特征性峰，这些峰与晶格振动、电声子相互作用、内部应力以及掺杂原子等相关。

其中，常见的拉曼峰包括纵声子峰（E2）、横声子峰（A1(TO)、E1(TO)、E2(High)等）和二次光子峰（2E2H）等。

通过解析这些峰的位置、强度和形状等信息，可以更加深入地了解材料的结构和性质。

Ⅳ. Ⅲ族氮化物半导体材料的应用研究1. 光学特性研究：拉曼光谱可以用于研究Ⅲ族氮化物半导体材料的能带结构、晶格畸变、电声子相互作用和掺杂效应等，从而优化材料的光学性能。

2. 性能预测与参数提取：拉曼光谱可以通过分析拉曼散射截面和线宽等参数，预测材料的性能和探测其内部缺陷，从而为材料设计和工程应用提供重要参考。

Ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱特性的应用

Ⅲ族氮化物半导体材料拉曼光谱特性的应用Ⅲ族氮化物半导体材料是一类重要的宽禁带半导体材料，具有优异的光电特性和热稳定性。

由于其特殊的晶体结构、化学成分和光学性质，Ⅲ族氮化物半导体材料在光电子学、光电器件和能源领域具有广泛的应用前景。

拉曼光谱是一种非常有用的表征材料的光谱技术，可以提供关于原子振动模式、晶格动力学性质和材料结构的重要信息。

首先，拉曼光谱可以用于研究Ⅲ族氮化物半导体材料的晶格振动模式。

由于Ⅲ族氮化物半导体材料具有复杂的晶胞结构和大量原子振动模式，传统的晶格动力学计算方法往往难以提供全面准确的信息。

拉曼光谱可以直接探测到材料中原子的振动模式，为研究者提供了了解材料晶格动力学性质的方法。

通过拉曼光谱可以确定材料的晶格常数、晶格动力学参数、声子色散关系等重要信息，深入了解材料的结构和振动特性。

其次，拉曼光谱还可以用于研究Ⅲ族氮化物半导体材料中的无序、晶格缺陷和杂质等缺陷结构。

Ⅲ族氮化物半导体材料在制备过程中常常会引入一些无序性和缺陷。

这些无序性和缺陷会对材料的光学和电学性能产生显著影响，因此深入了解和控制这些缺陷结构对于提高材料性能至关重要。

拉曼光谱可以提供关于缺陷结构的信息，例如缺陷态的特征振动模式和缺陷浓度的相关参数。

通过研究拉曼光谱，可以了解材料中缺陷的类型、分布和能级等重要信息，为进一步提高材料质量和优化器件结构提供指导。

第三，拉曼光谱还可以用于研究Ⅲ族氮化物半导体材料的电子结构和载流子性质。

拉曼光谱可以提供有关材料极化性和电子-光子相互作用的信息，例如能带结构、载流子有效质量和亚带特征等。

通过拉曼光谱可以获得光-电子相互作用过程中的重要参数，例如载流子寿命、激子衰减速率和激子激发过程等，为研究光电器件性能和优化器件结构提供了有价值的指导。

最后，拉曼光谱还可以用于研究Ⅲ族氮化物半导体材料的应力效应和界面特性。

由于Ⅲ族氮化物半导体材料的晶格参数和热膨胀系数与其衬底材料存在较大差异，制备过程中会导致晶格应变和界面应力。

氮化物（AlN,TiN）—Al203复合材料TiC—AlNAl复合材料纳米AlN石蜡复合材料

氮化物（AlN,TiN）—Al203复合材料TiC—AlNAl复合材料纳米AlN石蜡复合材料氮化铝晶体的性质氮化铝晶体的化学性质在标准大气压下，AlN晶体在1700℃左右开始缓慢分解成Al蒸气和氮气，当温度达到2200℃时AlN迅速分解成Al蒸气和氮气，在不同温度下AlN分解后的分压如图3所示。

常压下AlN晶体很难以液相形式存在，在AlN达到熔点之前AlN已经开始分解，这是AlN晶体不能通过熔融法生长的原因，但有研究表明，100大气压下AlN液相可在2800℃出现。

AlN粉末在空气中很不稳定，容易与空气中的水蒸气和氧气反应生成氨气和氧化铝。

AlN具有很强的抗酸碱能力，酸性环境中AlN可以稳定存在，在碱性环境中AlN少量被腐蚀。

300℃时，AlN晶体在KOH和NaOH的1:1熔液中腐蚀3-5min，晶体表面可以观察到六方腐蚀坑等缺陷，但除此之外，未见大量腐蚀的迹象，实验上通过此方法区分AlN的极性面。

氮化铝晶体的物理性质AlN晶体有着优异的物理性质，如AlN晶体的宽带隙、高硬度、高热导率和较大的介电常数等，这些性质引起了大家的广泛关注，表1为AlN晶体的物理性质。

氮化铝晶体的应用AlN是III族氮化物(AlN、GaN、InN)半导体材料的典型代表之一，具有宽带隙(6.2eV)、高激子结合能(80meV)、高熔点(3800K)、高临界击穿场强(1.2-1.4mV·cm-1)、高硬度(维氏硬度1200kg·cm-2)、高热导率(3.4W·cm-1·K-1)、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异特性。

正是鉴于这些优异特性：氮化物半导体AlN、GaN、InN及其固溶体，如：AlGaN、GaInN等在电学、光学方面有着广泛的应用，三者形成的固溶体可以实现200-800nm任意波长的发光。

以AlN为衬底的深紫外器件在生物分子感应方面也具有重要应用，可以用于微型高效的生物病毒探测器和消毒器。

Ⅲ族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究的开题报告

Ⅲ族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究的开题报告1. 研究背景和意义氮族元素包括氮、磷、砷、锑和铋，它们的氮化物半导体在电子学和光电子学领域中具有重要的应用。

氮化镓（GaN）和氮化铝镓（AlGaN）等III族氮化物半导体材料具有优异的电学性能和光学性能，广泛应用于LED、LD、HBT、MOSFET、HEMT等领域。

其高功率、高集成度、高可靠性、短波长和高温工作等优势，使得III族氮化物半导体材料在现代光电子学领域具有广泛的应用前景。

然而，III族元素与氮元素之间的化学键能较大，导致其外延生长需要相对较高的温度和压力，以获得高质量的薄膜。

同时，氮化物半导体的外延生长受到金属元素的掺杂和控制，因此需要进行完整的表征和优化。

因此，本文将对III族氮化物半导体外延层薄膜的生长和表征方法进行研究，包括外延生长方法、生长条件的优化、薄膜结构的分析等方面，旨在为该材料的生长和应用提供参考和指导。

2. 研究内容本研究计划对III族氮化物半导体外延生长方法和表征方法进行详尽的研究和探索。

具体研究内容包括以下方面：（1）外延生长方法的研究：介绍当前常用的III族氮化物半导体外延生长方法，包括金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）和气相传输（HVPE）方法等，对比其优缺点，并重点对分子束外延方法进行研究和探讨。

（2）生长条件的优化：对外延生长所需的生长条件进行优化，包括生长温度、气体流量和时间等方面，以获得高质量的薄膜。

（3）薄膜结构的分析：通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等方法对薄膜结构进行分析，探讨其晶体结构、物理性质和电学性质，为外延生长和应用提供重要参考。

3. 研究方法和技术路线在上述研究内容的基础上，本研究采用以下方法和技术路线：（1）外延生长方法研究：采用分子束外延方法进行生长，对比常用的MOCVD和HVPE方法，探究其优缺点。

（2）生长条件的优化：对外延生长所需要的生长条件进行分析和优化，包括生长温度、气体流量和时间等方面，以获得高质量的薄膜。

Ⅲ族氮化物半导体材料

Ⅲ族氮化物半导体材料Zhe Chuan Feng Taiwan University ，ChinaⅢ-Nitride SemiconductorMaterials2006 ，428pp．HardcoverUSDl20.00ISBN 1-86094-636-4Imperial College PressⅢ族氮化物半导体材料(Al ，In，Ga)N，(包括GaN、InN 、AlN 、InGaN 、AlGaN 和AIlnGaN 等)是性能优良、适宜制作半导体光电子和电子器件的材料。

用这种材料研究发展的高功率、高亮度的蓝-绿-白发光管和蓝光激光器以及其他电子器件和光电子器件近几年来均有很大突破，有的已形成了产业。

预期在本世纪内氮化物基的发光管有可能置换传统的钨丝灯，这在照明领域是一次革命，将会极大地影响人们的生活。

此书共有12 章，每章作者均是该领域的专家。

全书内容包括了Ⅲ-N 科学和技术的基础和各个重要的方面，主要内容有：1 Ⅲ族氮化物材料的氢化物汽相外延； 2 Ⅲ族氮化物材料外延的平面MOVPE 技术；3 GaN 和相关材料外延的紧耦合喷头MOCVD 技术；4 Ⅲ-N 材料的分子束外延；5 非极性GaN 薄膜和异质结的生长和特性；6 InN 的高压CVD 生长、适时和非原位持性；7 对InN 新的认识；8AlxGal-xN 合金(x=O-1) 的生长和光/电特性；9 MOCVD lnGaN/GaN 量子阱结构的光学研究；1O 掺SiInGaN/GaN 量子阱结构的簇状纳米结构和光学特性；11 Ⅲ族氮化物的微结构和纳米结构；12 稀释氮化物半导体研究的新进展。

此书介绍了Ⅲ族氮化物材料的一些重要性能和关键生长技术，指出了21 世纪以来Ⅲ族氮化物半导体的最新进展和还有待研究解决的问题。

适合从事Ⅲ族氮化物领域的研究、教学、工程技术人员以及研究生、大学生阅读和参考。

孔梅影，研究员(中国科学院半导体研究所)Kong Meiying ，Professor(Institute of Semiconductors ，the Chinese Academy of Sciences)。