【CN109848195A】一种果园重金属污染土壤的客土修复方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910318414.1
(22)申请日 2019.04.19
(71)申请人 四川省生态环境科学研究院
地址 610041 四川省成都市武侯区人民南
路4段18号
(72)发明人 雍毅　沙涛　吴怡　侯江　黄祥　
孙永亮　刘恒博　
(74)专利代理机构 成都正华专利代理事务所
(普通合伙) 51229
代理人 郭艳艳
(51)Int.Cl.
B09C 1/00(2006.01)
(54)发明名称一种果园重金属污染土壤的客土修复方法(57)摘要本发明公开了一种果园重金属污染土壤的客土修复方法，该方法包括沟槽开挖作业、阻隔作业、覆土作业以及铺设灌溉系统等步骤。

其中，阻隔作业分为四周方向上的阻隔与垂直方向上的阻隔，可有效避免客土后的新土与原有污染土壤接触，防止因自然降雨淋洗冲刷、渗液、灌溉、地下水翻涌等自然或人为过程对客土后的未污染新土造成二次污染。

本发明中采用开挖沟槽的方式对果园中的污染土壤进行修复，可减少客土工程量，节约了大量开挖和运输成本，适用于果园重金属重度污染土壤的修复；同时，本发明通过在客土表面铺设灌溉系统，有效诱导果树根系向浅层土壤生长，降低了客土深度要求，有效降
低了客土成本。

权利要求书2页 说明书5页 附图2页CN 109848195 A 2019.06.07
C N 109848195
A
权　利　要　求　书1/2页CN 109848195 A
1.一种果园重金属污染土壤的客土修复方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1沟槽开挖作业：在被重金属污染的果园中划定开挖点(1)，然后挖走开挖点(1)表层深30～50cm的污染土壤，再在开挖点(1)底部挖设深度为0.5～1m的沟槽(2)，所述沟槽(2)沿开挖点(1)的长度方向挖设；
S2阻隔作业：
①四周方向上的阻隔：在开挖点(1)四周以及沟槽(2)侧壁铺设厚度为1～20mm的不透水层(3)，以阻挡污染土壤中的重金属向新土中扩散；所述不透水层(3)上端预留有向外侧翻转的翻边(31)，所述翻边(31)的宽度为5～10cm；
②竖直方向上的阻隔：在开挖点(1)的底部及沟槽(2)的底部设置阻隔层(4)，以避免地下水上涌对新土造成二次污染；所述阻隔层(4)包括两层包裹布(41)以及位于包裹布(41)之间的阻断材料层(42)，所述阻断材料层(42)的厚度为10～30cm；
S3覆土作业：在阻隔作业完成后，将未受污染的新土填埋到沟槽(2)和开挖点(1)内，逐层压实、覆盖，以减少地块下沉；所填埋的新土上表面距离开挖点上端面0～10cm；
S4铺设灌溉系统：客土完成后，在新土表面铺设灌溉系统(5)，用于诱导果树根系向浅层土壤生长。

2.根据权利要求1所述的果园重金属污染土壤的客土修复方法，其特征在于：S1中所述开挖点(1)的形状和面积与待修复的果园相当，所述沟槽(2)的侧壁向外倾斜15°～30°，并且沟槽(2)以1～2m的间距均匀排布在开挖点(1)底部。

3.根据权利要求1所述的果园重金属污染土壤的客土修复方法，其特征在于：所述不透水层(3)为HDPE膜，其厚度为1～5mm，或者是所述不透水层(3)为水泥硬化墙，其厚度为5～20mm。

4.根据权利要求1所述的果园重金属污染土壤的客土修复方法，其特征在于：所述阻隔层(4)中的包裹布(41)为土工布，阻断材料层(42)为鹅卵石或砾石。

5.根据权利要求4所述的果园重金属污染土壤的客土修复方法，其特征在于，所述阻隔层(4)的铺设方法为：将底层土工布铺设于开挖点(1)底部以及沟槽(2)底部，再在底层土工布上铺设一层厚度为10～30cm的鹅卵石或砾石，然后在鹅卵石表面覆盖上层土工布，完成阻隔层(4)的铺设。

6.根据权利要求1所述的果园重金属污染土壤的客土修复方法，其特征在于：所述阻隔层(4)中的包裹布(41)为土工布，阻断材料层(42)为膨润土；铺设于沟槽(2)内的阻隔层(4)中部设置有排水石笼(6)，所述排水石笼(6)竖直设置，其上端与阻隔层(4)的上层土工布相接，且阻隔层(4)的上层土工布由两侧向中间倾斜，其与所述排水石笼(6)之间的夹角为165°～175°；排水石笼(6)下端穿过阻隔层(4)的下层土工布伸入果园地块内部。

7.根据权利要求6所述的果园重金属污染土壤的客土修复方法，其特征在于：所述排水石笼(6)呈柱形或桶形，其由外侧的土工布(61)以及包裹于土工布(61)内的鹅卵石或砾石(62)组成。

8.根据权利要求1所述的果园重金属污染土壤的客土修复方法，其特征在于：所述灌溉系统(5)包括灌溉管和抽水泵，所述灌溉管的管体上设置有若干喷淋头，所述抽水泵与灌溉管相连接；所述灌溉管与所述沟槽(2)平行布置，且灌溉管与沟槽中线之间水平距离为0.5～1m。

2。