模拟电子的技术试卷三套(无答案)
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是。
2．三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置；工作在饱和区时发射结为偏置，集电结为偏置。
3．当输入信号频率为和时，放大倍数的幅值约下降为中频时的倍，或者是下降了，此时及中频时相比，放大倍数的附加相移约为。
4．为提高放大电路输入电阻应引入反应；为降低放大电路输出电阻，应引入反应。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可到达，但这种功放有失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反应；为了正常稳压，调整管必须工作在区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，那么这只三极管是( )。
A．型硅管 B．型锗管 C．型硅管 D．型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型管D．N沟道耗尽型管3．在图示2差分放大电路中，假设 = 20 ，那么电路的( )。
A．差模输入电压为10 ，共模输入电压为10 。
B．差模输入电压为10 ，共模输入电压为20 。
C．差模输入电压为20 ，共模输入电压为10 。
D．差模输入电压为20 ，共模输入电压为20 。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中为其输入电阻，为常数，为使下限频率降低，应( )。
A．减小C，减小 B．减小C，增大C．增大C，减小 D．增大C，增大6．如下图复合管，V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，那么复合后的 b 约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．307．桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即串并联选频网络和( )。
A．根本共射放大电路 B．根本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．某电路输入电压和输出电压的波形如下图，该电路可能是( )。
模拟电路考试试题10套和答案
坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。
6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。
8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。
二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。
(完整版)模拟电路试卷及答案(十套)
模拟综合试卷一. 填充题1集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a , b 。
2•通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b。
3. 在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4. 一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5. 工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6. 甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7. 若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压U ii =U2,则输出电压为—匚; 若山=1500皿U i2=500N,则差模输入电压u id为N,共模输入信号u ic为V8 .由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9. 晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10. 在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二. 选择题1 .晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的B，I CBO U BE的变化情况为（）。
)A.B 增加，I CBO 和u BE 减小B. B 和I CBC 增加，U BE 减小C.B 和U BE 减小，I CBO 增加D. B 、I CBC 和U BE 都增加 2. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A.输入电阻B. 输出电阻C.击穿电压D. 跨导 3.双端输出的差分放大电路主要（ ）来抑制零点飘移。
A.通过增加一级放大B.利用两个C.利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4•典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（A.变大B. 变小C.不变D. 无法判断5 •差分放大电路的共模抑制比K CM越大，表明电路（）A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.直流放大倍数越大D.抑制零漂的能力越强6•负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术试卷三套(无答案)
《模拟电子技术》考试试卷1一、填空题（20分，每题2分）1、半导体三极管按极性可分为_____型和_____型二类。
2、半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压U RM=_______U2，负载电压U O=_________U2。
3、如果温度升高三极管的输出特性曲线将向________移动。
4、抑制零点飘移的电路称为___________________________.。
5、乙类互补对称功率放大电路将产生__________失真，而________互补对称功率放大电路，可以消除这种失真。
6、CＷ79XX系列三端稳压器各脚功能是：①脚________；②脚________；③脚________。
7、当信号发生器电压调在1V，现在用40dB衰减其输出电压为______mV。
8、当示波器幅度旋钮位置V/div在0.5V时读数为4格，其电压的有效值为______V。
9、当示波器频率旋钮位置T/div在0.5ms时读数为2格，其周期为______Hz。
10、要抑制50Hz的工频信号的影响，应选择________ 滤波电路。
二、判断题（20分，每题2分，对的打√错的打╳）1、稳压二极管必需工作在正向导通状态。
（）2、在集成电路中采用直接耦合。
（）3、石英晶体振荡电路的优点是其振荡频率的稳定性很高。
（）4、尽管开关稳压电源的体积小、稳压范围宽但它的功率消耗很大。
（）5、在正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。
（）6、射极跟随器的放大倍数为1因此在电路不起任何作用。
（）7、在多级放大电路中前级放大的工作点宜设置在较低位置。
（）8、硅稳压管稳压电路只适用于负载小的场合且输出电压不能调节。
（）9、跟据集成运算放大器电路虚断原则得到i+=i-。
（）10、判断正负反馈时，我们采用瞬时极性法，（）当使净输入信号增强时即为负反馈。
三、简答题（25分，每题5分）1、电路如下图所示，二极管是导通还是截止，R=10K，试求出AO两点间的电压U AO？（设二极管的正向压降是0.7V）DO2、 如下图所示，稳压管D 1、D 2的稳定电压分别为8V 、6V ，设稳压管的正向压降是0.7V ， 试求U O 。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
电力电子技术模拟试题及答案3套
XX学院 20XX年秋季学期电力电子技术模拟试题3（开卷，时间：120分钟）（所有答案必须写在答题纸上）一、填空题（20分，每题1分）1.直流斩波电路完成的是直流到的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是电路和电路。
3.斩波电路有三种控制方式：、和。
其中最常用的控制方式是：。
4.脉冲宽度调制的方法是：不变，时间变化，即通过导通占空比的改变来改变变压比，控制输出电压。
5.脉冲频率调制的方法是: 时间不变，变化，导通比也能发生变化，从而达到改变输出电压的目的。
该方法的缺点是：的变化范围有限。
输出电压、输出电流中的不固定，不利于滤波器的设计。
6.降压斩波电路中通常串接较大电感，其目的是使负载电流。
7.升压斩波电路使电压升高的原因：电感L ，电容C 。
8.升压斩波电路的典型应用有和等。
9.升降压斩波电路和Cuk斩波电路呈现升压状态的条件是开关器件的导通占空比为；呈现降压状态的条件是开关器件的导通占空比为。
二、简答题（20分，每题2分）1. 复合斩波电路中的电流可逆斩波电路和桥式斩波电路在拖动直流电动机时，均能实现负载电流可逆的要求，那么二者有什么区别？2. 多相多重斩波电路有何优点？3. T型可逆斩波电路与H型可逆斩波电路相比各有何优缺点？4.桥式可逆斩波电路的两种控制方式，即双极式和单极式，各有何优缺点？5.什么是电压型逆变电路？什么是电流型逆变电路？二者各有什么特点。
6.在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，如果有一个晶闸管不能导通，此时的整流电压波形如何？如果有一个晶闸管被击穿而短路，其它晶闸管受什么影响？7.整流电路多重化的主要目的是什么？8.变压器漏感对整流电路有何影响？9.交交变频电路的主要特点和不足是什么？其主要用途是什么？10.单相交交变频电路和直流电动机传动用的反并联可控整流电路有什么不同？三、画图题（10分）11.画出RCD型缓冲电路的结构，并说明有、无缓冲电路时，器件关断时各应按照那条负载线转移，标出转移的方向，并说明理由。
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
2024电工证考试题模拟试题(精华版)
温馨提示：本套试卷为电工精选题库，总共300道题！题目覆盖电工常考的知识点。
题库说明：本套题库包含（选择题100道，多选题100道，判断题100道）一、单选题(共计100题,每题1分)1.部件测绘时，首先要对部件( )。
A.画零件图B.画装配图C.拆卸成零件D.分析研究答案:D2. 测量电动机线圈对地的绝缘电阻时,摇表的"L"."E"两个接线柱应( )。
A."E"接在电动机出线的端子,"L"接电动机的外壳B."L"接在电动机出线的端子,"E"接电动机的外壳C.随便接,没有规定答案:B3. 断路器的电气图形为( )。
答案:A4. 我国国标对35-110KV系统规定的电压波动允许值是( )。
A. 1.6%B.2%C. 2.5%答案:B5. PE线截面选择:当与相线材质相同时，应满足:相线截面≤16mm2时，PE线截面为( )。
A.16mm2B.相线截面的一半C.与相线相同D.4mm2答案:C6. 测量1Ω以下的电阻应选用( )。
A.直流单臂电桥B.直流双臂电桥C.万用表的欧姆档答案:B7. 强油风冷式变压器最高顶层油温一般不超过( )℃。
(为了减缓变压器油变质)A.70B.85C.95D.105答案:B8. 当电源电压由于某种原因降低到额定电压的( )及以下时，保证电源不被接通的措施叫做欠压保护。
A.75﹪；B.85﹪；C.90﹪；D.100﹪；答案:B9. 直流接触器一般采用( )灭弧装置。
A.封闭式自然灭弧.铁磁片灭弧.铁磁栅片灭弧等三种B.磁吹式C.双断口结构的电动力D.半封闭式绝缘栅片陶土灭弧罩或半封闭式金属栅片陶土灭弧罩答案:B10. 在供电系统中规定:相线Ll( )相序绝缘颜色为()。
A.黄色B.绿色C.红色D.蓝色答案:A11. 电流互感器二次侧K2端的接地属于( )接地。
《模拟电子技术》试卷(十套附答案)
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分）1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。
3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。
4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。
5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。
6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。
7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。
8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。
二、单项选择题（15分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。
[ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。
[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。
[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是 。
[ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。
[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。
[ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。
[ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 . 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV;共模输入电压u Ic=90μV 。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。
6．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78。
5％ ，但这种功放有 交越 失真.二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，—10 V ，-9。
3 V ，则这只三极管是（ A )。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管 D 。
PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为( D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高B 。
输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大 6。
RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D )。
A. 基本共射放大电路 B 。
基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7。
已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是（ A ）. A.积分运算电路 B.微分运算电路 C 。
过零比较器 D 。
滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时,其工作在（ C ），发光二极管发光时，其工作在（ A )。
北理工《模拟电子技术》期末考试精选题汇总【含答案解析】96
北京理工大学远程教育学院《模拟电子技术》模拟题第二套答案一、填空（2×10=20分）1 . N沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件UGS >Vth, UGD<Vth。
2．共集电极、共基极以及共发射极三种组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电极。
3．希望实现一个电压控制电流源用负反馈方法实现，则应选用串联电流负反馈。
4．要求乙类电路在理想情况下的最大输出功率为5W，则应选用PCM= 1W 。
5．理想运放的输入电阻无穷大，输出电阻 0 。
6. P型半导体多子是空穴。
7．乙类推挽的缺点是产生交越失真，克服的办法是用甲乙类电路。
8. N结的电击穿有齐纳击穿和雪崩击穿。
二、分析与计算（50分）1. 放大电路如图1所示，RG1=100K，RG2=50K，RD=3K，RL=3K；场效应管T的参数如下：Kn=0.25mA/V2，V th=2V，r ds=∞。
（I D=D D(D DD−D DD)2）1)计算晶体管T1的静态工作点IDQ，VGSQ和VDSQ；2)gm, 中频电压放大倍数A v，输入电阻R i和输出电阻R o；(1)D D =D DD DD2D D1+DD2=5DD DD =D D −D D =5D I D =D D (D DD −D DD )2=2.25DD V DDD =D DD −D DD D D =8.25D (2) D D =2D D (D DD −D DD )=1.5DD D D =−D D (D D //D D )=−2.25D D =D D1//D D2=33.3DD D =D D =3D2. （20分）放大电路如图2.2所示，（1）试说明电路引入的反馈类型；（2）如果R f =10K ，试确定电阻R 1，使得放大电路增益为-10。
（3）确定电路的输入电阻；（4）如果给电阻R 1串联一个电容C ，电路能否放大直流信号？给出下限频率的表达式。
(1) 电路引入了并联电压负反馈 (2) 根据虚短和虚断，可知D D =−D DD 1=−10D 1=D D /10=1D (3) 输入电阻为R 1（4）串联电容后将不能放大直流信号+V =+1RRRRC Cvv图RRvv图。
模拟电子技术试题及答案(共18套)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
模拟电子技术试卷
模拟电子技术试卷（第2套）一、填空题（除6题外，每空1分，共20分）1．稳压管是一种特殊的二极管，它工作在____________ 状态.2．甲类、乙类和甲乙类放大电路中，_______________电路导通角最大；_______________电路效率较高；_______________电路交越失真最大，为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。
3．直接耦合放大电路存在____________ 现象。
4．图1示电路，要求达到以下效果，应该引人什么反馈？（1）希望提高从b1端看进去的输入电阻，接Rf从_______到________；（2）希望输出端接上负载RL后，Uo（在给定Ui情况下的交流电压有效值）基本不变，接Rf从_______到________；（用A～F的字符表示连接点）。
5．集成运放内部一般包括四个组成部分，它们是______________，_ __________，______________和_______________。
6．在图2示差动放大电路中，假设各三极管均有β=50，U BE=0.7V。
求（1）I CQ1=I CQ2=__________mA；（2分）（2）U CQ1=U CQ2=__________V（对地）；（2分）（3）Ro = __________KΩ。
（2分）二、OCL 电路如图3所示，已知Vcc=12V ，R L = 8Ω ，vi 为正弦电压。
（10分） 1．求在Vces = 0的情况下，电路的最大输出功率Pmax 、效率η和管耗P T 。
2．求每个管子的最大允许管耗P CM 至少应为多少？三、某放大电路的频率响应如图4所示。
（12分） 1．该电路的中频放大倍数|A um | = ？2．该电路的增益频率响应 A U （j ω）表达式如何？3．若已知其输出电压最大不失真动态范围为Uom = 10V ，当输入信号)()10502sin(2)105.12sin(1.032V t t Ui ⨯⨯+⨯⨯=ππ时，试判断输出信号是否会失真？说明理由。
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
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《模拟电子技术》考试试卷1一、填空题（20分，每题2分）1、半导体三极管按极性可分为_____型和_____型二类。
2、半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压U RM=_______U2，负载电压U O=_________U2。
3、如果温度升高三极管的输出特性曲线将向________移动。
4、抑制零点飘移的电路称为___________________________.。
5、乙类互补对称功率放大电路将产生__________失真，而________互补对称功率放大电路，可以消除这种失真。
6、CＷ79XX系列三端稳压器各脚功能是：①脚________；②脚________；③脚________。
7、当信号发生器电压调在1V，现在用40dB衰减其输出电压为______mV。
8、当示波器幅度旋钮位置V/div在0.5V时读数为4格，其电压的有效值为______V。
9、当示波器频率旋钮位置T/div在0.5ms时读数为2格，其周期为______Hz。
10、要抑制50Hz的工频信号的影响，应选择________ 滤波电路。
二、判断题（20分，每题2分，对的打√错的打╳）1、稳压二极管必需工作在正向导通状态。
（）2、在集成电路中采用直接耦合。
（）3、石英晶体振荡电路的优点是其振荡频率的稳定性很高。
（）4、尽管开关稳压电源的体积小、稳压范围宽但它的功率消耗很大。
（）5、在正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。
（）6、射极跟随器的放大倍数为1因此在电路不起任何作用。
（）7、在多级放大电路中前级放大的工作点宜设置在较低位置。
（）8、硅稳压管稳压电路只适用于负载小的场合且输出电压不能调节。
（）9、跟据集成运算放大器电路虚断原则得到i+=i-。
（）10、判断正负反馈时，我们采用瞬时极性法，（）当使净输入信号增强时即为负反馈。
三、简答题（25分，每题5分）1、电路如下图所示，二极管是导通还是截止，R=10K，试求出AO两点间的电压U AO？（设二极管的正向压降是0.7V）DO2、如下图所示，稳压管D1、D2的稳定电压分别为8V、6V，设稳压管的正向压降是0.7V，试求U O。
3、简述示波器校正的过程。
4、判断下图是何种反馈类型。
+-u o+-u o5、下图中二个二极管的作用是什么？并画出u O与u i 的传输特性曲线。
5V四、选择题。
请将正确答案的序号填在横线上（10分，每题2分）1、二极管的反向电阻 。
A ．小 B ．中等 C ．大2、多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是 。
A ．输入级 B ．中间级 C ．输出级 D ．增益最高的一级3、在使用信号发生器时，要调出40KHz 的正弦波信号其频率旋钮位置应置于：A ．20~200HzB ．200 Hz ~2KHzC ．2KHz~20KHzD ．20KHz~200KHz4、晶闸管的导通条件为 。
A ．阳极和阴极加正向电压B ．控制极和阴极加正向电压C ．阳极和阴极加正向电压，同时控制极与阴极间加正向电压D ．阳极和阴极加正向电压，同时控制极与阴极间加反向电压5、理想运放的两个重要结论是 。
A ．虚地与反相B ．虚短与虚地C ．虚短与虚断D ．短路与断路五、计算题（25分）1、电路如图所示，试求出电路的输出电压u 0的值。
（10分）--4V 22、分压式共射放大电路如图所示，当U BEQ =0.7V,β=60,Ucc=12V 三极管为NPN 型硅管。
1)画出微变等效电路；2）估算静态工作点I BQ 、I CQ 和U CEQ ；3)估算空载电压放大倍数Au’以及输入、输出电阻r i 和r o 。
(15分)+_VCC uO《电子技术基础》考试卷2一、选择题：在每小题给出的四个选项中，选出符合题目要求的一项（字母）填在答案栏内。
（2*15=30%，答案写在其它地方不给分）1．在N 型半导体中，多数载流子为电子，N 型半导体（ ）A 、带正电B 、带负电C 、不带电D 、不能确定2．如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为 （ ）A 、放大状态B 、饱和状态C 、截止状态D 、不能确定3．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U 1=3V ，U 2=﹣3V ，U 3=﹣2.7V ，则可知该管为（ ）。
A. PNP 锗管B. NPN 硅管C. NPN 锗管D. PNP 硅管 4．二极管的反向电阻（ ）。
A ．小B ．大C ．中等D ．为零5．测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA ，3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为（ ）。
A ．70B ．40C ．50D ．606．两级放大电路，Au1= -40，Au2= -50，若输入电压U i =5mv ，则输出电压Uo 为（ ）A 、-200MvB 、-250mVC 、10VD 、100V7．检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（ ）。
A. I BQB. U BEC.I CQD. U CEQ8．为了提高放大电路的输入电阻和输出电阻，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电流串联B. 电流并联C. 电压串联D. 电压并联9．为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多采用( )A.直接耦合电路B. 差动放大电路C. 阻容耦合电路D.反馈放大电路10．集成运放在作放大电路使用时，其电压增益主要决定于（）。
A. 反馈网络电阻B. 平衡电阻C. 开环输入电阻D. 开环电压放大倍数11．多级直流放大电路各级都会产生零点漂移，但抑制零点漂移的重点放在（）A.中间级B.最末级C.第一级D.哪一级都行12．在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（）A.10VB.102VC. 10/2VD.20V13．桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为( )A.24VB.18VC.9VD.28.2V14．串联稳压电路一般由基准电压、比较放大、( )和( )四部分组成．（）A. 测量电桥，分压电路B. 调整电路，采样电路C. 运放电路，采样电路D. 运放电路，分压电路15．一个放大电路其输出电阻为1kΩ，负载电阻为4kΩ时，其输出信号电压为4V，当断开负载，其输出电压是（）。
A. 2VB. 8VC. 4VD. 5V二、填空题：把答案填在答案栏内。
（2*10=20%，答案写在其它地方不给分）。
1．PN结最重要的特性是____________________，它是一切半导体器件的基础。
2．晶体三极管在放大状态下，其集电极电流I C与基极电流I B的关系式为__________ 。
3．要使基本放大电路正常工作，三极管必须工作在___状态，否则输出信号将产生失真现象。
4．某电路三极管，测得管脚电压Va = -1V，V b = -3.2V, Vc = -3.9V, 这是_____管（硅、锗）。
5．稳压集成电路W7810输出电压____________V。
6．当运放工作在线性放大状态时，分析两个输入端之间的电压和流入两输入端的电流时，常用到的两个重要概念是____________。
7．运算放大电路的输出级多用____________放大电路，主要因为它具有较高的输入电阻和较低的输出电阻。
8．直流稳压电源一般由变压器、____________、滤波电路和稳压电路四部分组成。
9．稳压管稳压电路中需要接入电阻R，它的作用是____________。
10．某放大电路接入负载电阻R L=40Ω,其输出电压V OL=4V，断开负载后其输出电压V O=5V，则该电路输出阻抗Ro为 __________ 。
三、判断题：判断下列各题说法，在答案栏内打√（对）或×（错）。
（1*10=10%）1．稳压二极管工作在反向击穿状态（）2．N型半导体中是掺入了微量三价元素（如硼）（）3．若放大电路输入为单一频率的正弦波时，则输出波形就不会产生频率失真。
（）4．不论输入交流信号vi的幅度大小如何，都可以用h参数等效电路进行分析。
（）5．静态工作点设置不当，可能造成放大信号的截止失真或饱和失真。
（）6．负反馈放大器可以提高放大倍数的稳定性，所以，△Af/Af 比△A/A 小。
（）7．一个实际集成运放，其开环增益越高，输入阻抗越小，就越接近理想运放。
（）8．负反馈可以减小非线性失真，但对于信号源本身信号的非线性失真无法改善（）9．在串联反馈型稳压电路中，输出电压仅与基准电压有关，而与取样电阻无任何关系。
( )。
10．桥式整流电路由四个二极管组成，所以流过每个整流管的电流为流过负载电流的1/4，即Io/4。
（）四、简答题：（2*5=10%）1、直流电源应用电路：要求输出+5V，选用三端稳压电路的型号是什么？U C电压、U2电压的大小为何值？C1、C2电容作什么用？2. 试分析下图电路，说明电路是什么类型的反馈电路？假设集成运算放大器为理想运放，请写出电路的电压放大倍数A uf 的表达式 。
五、综合题：（2*15=30%）1、放大电路如图所示，已知晶体管的β=50，rbb=100Ω ，Rs=1k Ω 1）要使IcQ=0.5mA ，求Rb=？（5%） 2）求Au 。
（4%）3）该放大电路的Ri 和Ro 各为多少？（6%）2． 电路如图，设运放为理想运放，U 1=10mV ，U 2=91(mV)。
求输出电压U o1（7%），U o （8%）。
UoUo1CC o-V EEU1U2《电子技术基础I》试卷3一、选择题：在每小题给出的四个选项中，选出符合题目要求的一项（字母）填在答案栏内。
（2*15=30%，答案写在其它地方不给分）1．在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（）A、带正电B、带负电C、不带电D、不能确定2．如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、不能确定3．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（）。
A. PNP锗管B. NPN硅管C. NPN锗管D. PNP硅管4．当温度升高时，半导体三极管的参数将发生的变化是（）。
A. β减小，Iceo增加，U BE减小B.β增加，Iceo增加，U BE减小C.β增加，Iceo减小，U BE减小D.β增加，Iceo增加，U BE增加5．两个硅稳压管，U z1 = 6V，U z2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（）。
A. 15 VB. 6.7 VC. 9.7 VD. 3 V6. NPN型和PNP型晶体管的区别是（）。
A. 它们由两种不同的材料硅或锗构成B. 掺入的杂质不同C. P区和N区的排列位置不同D.分析的方法不同7．二极管的反向电阻（）。