晶体三极管的结构特性与参数(精)
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一、三极管的结构类型与工作原理
半导体三极管又称为晶体管、三极管、双极型晶体管、BJT 。它由2个背靠背的PN结组成,分为NPN型、PNP型。由制造的材料又分为硅三极管、锗三极管。
NPN型三极管:c:collector 集电极;b:base 基极;e:emitter 发射极
采用平面管制造工艺,在N+型底层上形成两个PN结。
工艺特点:三个区,二个结,引出三根电极杂质浓度(e区掺杂浓度最高,b区较高,c 区最低);面积大小( c区最大,e区大,b区窄)。
PNP型三极管:在P+型底层上形成两个PN结。
NPN管的工作原理:为使NPN管正常放大时的条件:射结正偏(VBE>0),集电结反偏(VCB>0)。
发射区向基区大量发射电子(多子),进入基区的电子成为基区的少子,其中小部分与基区的多子( 空穴)复合,形成IB电流,绝大部分继续向集电结扩散并达到集电结边缘。因集电结反偏,这些少子将非常容易漂移到集电区,形成集电集电流的一部分ICN。而基区和集电区本身的少子也要漂移到对方,形成反向饱和电流ICBO。
,,
晶体管的四种工作状态:
1、发射结正偏,集电结反偏:放大工作状态用在模拟电子电路
2、发射结反偏,集电结反偏:截止工作状态
3、发射结正偏,集电结正偏:饱和工作状态用在开关电路中
4、发射结反偏,集电结正偏:倒置工作状态较少应用
三种基本组态:集电极不能作为输入端,基极不能作为输出端。
1、共基组态(CB)
输入:发射极端:基极公共(此处接地) 。输出:集电极。
VBE>0,发射结正偏,VCB>0(∵VCC>VBB),集电结反偏。所以三极管工作在放大状态。
发射极组态(CE):
共集电极组态(CC):
共基组态时电流关系(放大状态):
,
,
称为共基极直流电流放大系数,0.98~0.998。
ICBO称为集电结反向饱和电流,其值很小,常可忽略。
其中穿透电流,。
当时,
称为共射极直流电流放大系数, 穿透电流ICEO ,其值较小,也常可忽略。所以有和
之间的关系:
共集组态时电流关系(放大状态):
无论哪种组态,输入电流对输出电流都具有控制作用,因此三极管是一种电流控制器件(CCCS)。并且共射和共集组态还具有电流放大作用。
二、三极管的伏安特性曲线
1、共射极输入特性
基极电流iB与发射结电压VBE之间的关系:
电路及三极管典型特性曲线:
与二极管的正向特性相似,但当C-E间的电压增加时,特性曲线右移,当VCE>1后,输入伏安特性曲线基本不变。
2、共射极输出特性
集电极电流iC与集-射间电压VCE之间的关系:
饱和区:发射结正偏,集电结正偏。
当集电结零偏(VCB=0)时称为临界饱和。VCES称饱和压降,ICS称集电极饱和电流,I BS称基极临界饱和电流。当iB>IBS时,三极管进入深饱和,晶体三极管进入饱和后
,管子就不具备有放大能力了。
饱和区模型:
临界饱和:VCES=0.7V,深度饱和:VCES≈0.3V 放大区:发射结正偏,集电结反偏。
特征是IC仅受iB控制,与VCE的大小基本无关。
PNP型三极管:
三、三极管的主要参数
1、电流放大倍数
共射极直流电流放大倍数:
共射极交流电流放大倍数:,,β典型值为50~200。
共基极直流电流放大倍数:
共射极交流电流放大倍数:,,α典型值为0.98~0.998。
2、极间反向电流
集电结
反向饱和电流ICBO是指发射极开路,集电极与基极之间加反向电压时的反向饱和电流(nA 级)。与单个PN结的反向电流一样,主要取决于温度和少子浓度。
穿透电流ICEO是指基极开路,集电极与发射极之间加反向电压时,从集电极穿过基区流入发射极的反向饱和电流。(f27)ICEO是衡量三极管性能稳定与否的重要参数之一,其值愈小愈好。ICBO和ICEO与温度密切相关。
3、极限参数
集电极最大允许电流ICM,当iC超过ICM时,电流放大倍数β将显著下降。
集电极最大允许功耗PCM,PCM表示集电结上允许的耗散功率的最大值。主要由管子所允许的温升及散热条件决定。当超过PCM时,管子可能烧毁。
反向击穿电压超过反向击穿电压时,管子将发生击穿。反向击穿电压的大小不仅与管子本身的特性有关,还与外电路的接法有关。
4、安全工作区与温度稳定性
安全工作区:
由三极管的三个极限参数:PCM、ICM和V(BR)CEO,在输出特性曲线上可画出安全工作区。
温度稳定性:
输入特性:温度上升时,发射结电压下降(负温度特性),温度系数约为-2.5mV/℃。
输出特性:温度上升时,输出特性曲线上移,间距增大。