低频电子线路复习题一

低频电子线路复习题一

1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是 [ ]

A.

NPN 型硅管 B.

PNP 型硅管 C.

NPN 型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V

1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]

A. 饱和

B. 放大

C. 截止 图1.2

D. 已损坏

1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]

A.I=2mA

B.I<2mA

C.I>2mA

D.不能确定

图1.3

1.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。当温度为20O C 时测得二极管的电压

U D =0.7V 。当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是

[ ]

A.仍等于0.7V

B.大于0.7V

C. 小于0.7V

D.不能确定

图1.4

1.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]

A.I CBO

B.I CES

C.I CER

D.I CEO

1.7二极管的主要特性是 [ ]

A.放大特性

B.恒温特性

C.单向导电特性

D.恒流特性

1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流I

CBO

将[ ]

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定

1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]

A.电流放大系数β

B.最大整流电流I

F

C.集电极最大允许电流I

CM D.集电极最大允许耗散功率P

CM

1.10 温度升高时，三极管的β值将

A.增大

B.减少

C.不变

D.不能确定

1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]

A. 电子

B. 空穴

C.离子

D. 杂质

1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]

A.正向电阻小反向电阻大

B. 正向电阻大反向电阻小

C.正向电阻反向电阻都小

D. 正向电阻反向电阻都大

1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和

电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]

A. 0.1 mA

B. 2.5mA

C. 5mA

D. 15 mA

图 1.13

1.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]

A. 电子

B. 空穴

C.离子

D. 杂质

1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]

A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；

B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；

C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；

D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。

1.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的[ ]

A.可变电阻区

B.截止区

C.饱和区

D.击穿区

1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是[ ]

A.电流放大系数β

B.跨导g

m =ΔI

D

/ΔU

GS

C.开启电压U

T D.直流输入电阻R

GS

1.18 下列选项中，不属场效应管直流参数的是[ ]

A.饱和漏极电流I

DSS B.低频跨导g

m

C.开启电压U

T D.夹断电压U

P

1.19 双极型晶体三极管工作时参与导电的是[ ]

A 多子

B 少子

C 多子和少子

D 多子或少子

1.20 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ ]

A 发射结正偏，集电结正偏

B 发射结正偏，集电结反偏

C 发射结反偏，集电结反偏

D 发射结反偏，集电结正偏

1.21 选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、……）。

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷）

2、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。(a.大于，b.小于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变)

3、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流I

CBO

，

正向结电压U

BE

。(a.变大，d.变小，c.不变)

4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e.增大，f.减小，g.不变)

1.22 用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空：

1、在本征半导体中，电子浓度空穴浓度；

2、在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；

3、在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。

1.23 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。

1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（）

2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（）