PSPICE仿真流程

PSPICE仿真流程

(2013-03-18 23:32:19)

采用HSPICE 软件可以在直流到高于100MHz 的微波频率范围内对电路作精确的仿真、分析和优化。

在实际应用中，HSPICE能提供关键性的电路模拟和设计方案，并且应用HSPICE进行电路模拟时，

其电路规模仅取决于用户计算机的实际存储器容量。

二、新建设计工程

在对应的界面下打开新建工程：

2）在出现的页面中要注意对应的选择

3）在进行对应的选择后进入仿真电路的设计：将生成的对应的库放置在CADENCE常用的目录

中，在仿真电路的工程中放置对应的库文件。

这个地方要注意放置的.olb库应该是PSPICE文件夹下面对应的文件，在该文件的上层中library 中

的.olb中的文件是不能进行仿真的，因为这些元件只有.olb，而无网表.lib。

4）放置对应的元件：

对于项目设计中用到的有源器件，需要按照上面的操作方式放置对应的器件，对于电容，

电阻电感等分离器件，可以在libraries中选中所有的库，然后在滤波器中键入对应的元件

就可以选中对应的器件，点击后进行放置。

对分离元件的修改直接在对应的元件上面进行修改：电阻的单位分别为：k m;

电容的单位分别为：P n u ;电感的单位分别为：n 及上面的单位只写量级不写单位。

5）放置对应的激励源：

在LIBRARIES中选中所有的库，然后键入S就可以选中以S开头的库。然后在对应的

库中选中需要的激励源。

激励源有两种一种是自己进行编辑、手工绘制的这个对应在库中选择：

另外一种是不需要自己进行编辑：

该参数的修改可以直接的在需要修改的数值上面就行修改，也可以选定电源然后点击右键后进行对应的修改。

6）放置地符号：

地符号就是在对应的source里面选择0的对应的标号。

7）直流电源的放置：

电源的选择里面应该注意到选择source 然后再选定VDC或者是其它的对应的参考。

8）放置探头：

点击对应的探头放置在感兴趣的位置处。

6 对仿真进行配置：

1）对放置的项目的名称进行设置，也就是设置仿真的名称。

2）对仿真进行配置：

对仿真的配置主要是对两个对应的选项进行操作，

Analysis中的对应操作：

这个里面主要对应analysis type 以及的操作，对应扫描频率，需要注意MEG的频率单位。

在configuration Files里面要注意category 中应该选择library,在filename 中选择对应的IC的库文件，

选定后再选择add as global 按键，然后点击确认就可以了。

7 对电路进行仿真：

点击3 就可以对电路进行仿真，仿真完成后会自动的出现仿真结果的图示。

8 在波形图中的分析：

对于该目录中的内容可以进行不同的测量和分析。

常见问题：

1、网表错误

（1）检查元器件命名是否重名

（2）参数是否不合法

（3）通过PSPICE->CREAT NETLIST生成网表，根据错误提示，定位错误

（4）信号线连接问题

（5）信号源

2、仿真不收敛

（1）检查电路是否连接错误

（2）激励是否合适

（3）修改仿真步长、及simulation setting->options中各精度参数

_ ABSTOL = 0.01μ (Default=1p)

_ VNTOL = 10μ (Default=1μ)

_ GMIN = 0.1n (Default=1p)

_ RELTOL = 0.05 (Default=0.001)

_ ITL4 = 500 (Default=10)

3、没有元件模板

下载的模型文件，要在simulation setting中添加。

4、floating pin

（1）缺少命名"0"的GND

（2）元件管脚浮空，根据情况接到固定电平

Hspice 简明手册

Hspice是一个模拟电路仿真软件，在给定电路结构和元器件参数的条件下，

它可以模拟和计算电路的各种性能。用Hspice分析一个电路，首先要做到以下三点：

（1）给定电路的结构（也就是电路连接关系）和元器件参数（指定元器件的参数库）；

（2）确定分析电路特性所需的分析内容和分析类型（也就是加入激励源和设置分析类型）；

（3）定义电路的输出信息和变量。

Hspice规定了一系列输入，输出语句，用这些语句对电路仿真的标题，电路连接方式，

组成电路元器件的名称，参数，模型，以及分析类型，以及输出变量等进行描述。

一、 Hspice输入文件的语句和格式

Hspice输入文件包括电路标题语句，电路描述语句，分析类型描述语句，输出描述语句，

注释语句，结束语句等六部分构成，以下逐一介绍：

1 电路的标题语句：

电路的标题语句是输入文件的第一行，也成为标题行，必须设置。它是由任意字母和

字符串组成的说明语句，它在Hspice的title框中显示。

2 电路描述语句

电路描述语句由定义电路拓扑结构和元器件参数的元器件描述语句，模型描述语句和

电源语句等组成，其位置可以在标题语句和结束语句之间的任何地方。

（1）电路元器件

Hspice 要求电路元器件名称必须以规定的字母开头，其后可以是任意数字或字母。

除了名称之外，还应指定该元器件所接节点编号和元件值。

电阻，电容，电感等无源元件描述方式如下：

R1 1 2 10k (表示节点1 与2 间有电阻R1,阻值为10k 欧)

C1 1 2 1pf (表示节点1 与2 间有电容C1,电容值为1pf)

L1 1 2 1mh (表示节点1 与2 间有电感L1,电感值为1mh)

半导体器件包括二极管，双极性晶体管，结形场效应晶体管，MOS 场效应晶体管等，

这些半导体器件的特性方程通常是非线性的，故也成为非线性有源元件。在电路CAD工具

进行电路仿真时，需要用等效的数学模型来描述这些器件。

（a）二极管描述语句如下：

DXXXX N+ N- MNAME

D 为元件名称，N+和N-分别为二极管的正负节点，MNAM

E 是模型名，后面为可选项：

AREA 是面积因子，OFF时直流分析所加的初始条件，IC=VD 时瞬态分析的初始条件。

（b）双极型晶体管

QXXXX NC NB NE MNAME

Q 为元件名称，NC NB NE 分别是集电极，基极，发射极和衬底的节点。缺省时，NS 结地。

后面可选项与二极管的意义相同。

（c）结型场效应晶体管

JXXXX ND NG NS MNAME

J为元件名称，ND NG NS为漏，栅，源的节点，MNAME 是模型名，后面为可选项与二极管的意义相同。

（d）MOS 场效应晶体管

MXXXX ND NG NS NB MNAME

M为元件名称，ND,NG,NS,NB 分别是漏，栅，源和衬底节点。MNAME 是模型名，L 沟道

长，M为沟道宽。

（2）元器件模型

许多元器件都需用模型语句来定义其参数值。模型语句不同于元器件描述语句，它是以"."

开头的点语句，由关键字.MODEL,模型名称，模型类型和一组参数组成。电阻，电容，二极管，

MOS 管，双极管都可设置模型语句。这里我们仅介绍MOS 管的模型语句，

其他的可参考Hspice帮助手册。