半导体物理简单名词解释

《半导体物理》基本名词解释

极性半导体：含有离子键成分

本征半导体：不含杂质的半导体

本征激发：电子从价带跃迁到导带

禁带宽度：脱离共价键所需要的最低能量

缺陷分类：点缺陷（空位、间隙原子）线缺陷（位错）面缺陷（层错、晶粒间界）

弗兰克尔缺陷：空位与间隙成对出现

肖特基缺陷：只有空位

杂质原子分类：替位式、间隙式

施主杂质：释放电子而产生导电电子并形成正电中心

受主杂质：接受电子而产生导电空穴并形成负电中心

施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态

受主能级：被受主杂质束缚的空穴的能量状态

施主杂质电离能：被俘获的电子摆脱束缚成为自由电子所需要的能量

受主杂质电离能：被俘获的空穴摆脱束缚从而参与导电所需要的能量

N型半导体：主要依靠导带电子导电的半导体

P 型半导体：主要依靠价带空穴导电的半导体

浅能级杂质：在半导体禁带中产生能级距带边较近的杂质，对载流子浓度和导电类型影响大深能级杂质：施主能级距离导带底远，受主能级距离价带顶远，对载流子复合作用大

补偿作用：施主杂志和受主杂质同时存在有相互抵消的作用

双性行为：杂质既能表现为施主杂质又能表现为受主杂质（Si在GaAs中）

等电子陷阱：等电子杂质因电负性的差将俘获某种载流子而成为带点中心

能态密度（状态密度）：单位能量间隔内的状态数目

费米分布函数：能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率

费米能级（化学势）：标志了电子的填充水平

简并系统：服从费米统计率的电子系统

非简并系统：服从玻尔兹曼统计率的电子系统，重掺杂半导体

简并化条件：0-2k0T

多数载流子：n型半导体的电子，p型半导体的空穴

少数载流子：n型半导体的空穴，p型半导体的电子

漂移运动：载流子在外加电场作用下所作的定向运动

散射几率：一个电子在单位时间内受到的散射次数

平均自由时间：一个电子在连续两次散射之间自由运动的时间

平均自由程：一个电子在连续两次散射之间自由运动的路程

载流子的主要散射机制：电离杂质散射、晶格振动散射、其他因素（等同能谷间散射、中性

杂质、位错）

非平衡载流子复合率：单位时间、单位体积内净复合消失的电子-空穴对数

准费米能级：非平衡态时，分别就价带和导带中的电子而言，各自处于平衡状态，用来描述对应状态的费米能级。

陷阱效应：杂质能级积累非平衡载流子的作用

等电子陷阱（杂质）：等电子杂质因电负性的差将俘获某种载流子而成为带点中心

直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子与空穴的直接复合

间接复合：电子和空穴通过禁带的复合中心进行复合

自建电场：掺杂不均匀引起浓度梯度，造成扩散电流形成自建电场

丹倍效应：电子和空穴的扩散不同步，使之趋向同步的效应

双极扩散：概括了丹倍电场影响的扩散

功函数：真空能级与费米能级之差

电子亲和能：真空能级与导带底之差

接触电势差：金属与半导体由接触而产生的电势差

表面势：随着金属与半导体之间的距离减小，半导体表面形成一定厚度的空间电荷层，形成电场，使半导体表面和内部之间存在电势差

肖特基势垒：肖特基接触产生的势垒，其高度严重依赖外加电压

耿氏效应：n型砷化镓在高压下产生高频电流的现象

负微分电导效应：电子在等同能谷间跃迁产生的负电导效应

镜像力：金属与半导体接触时，半导体中的电荷在金属表面感应出带电符号相反的电荷，同时半导体中的电荷要受到金属中感应电荷的库伦吸引力

隧道效应：能量低于势垒顶的电子有一定几率穿过势垒的效应

欧姆接触：电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触，形成欧姆接触的主要形式有适当功函数的金属与半导体接触、反阻挡层多子陷阱、金属与重掺杂n型半导

体通过隧道效应形成隧穿电流

耗尽层近似：假设空间电荷层的空穴都已全部耗尽，电荷全部由已电离的受主杂质构成

平带电压：对于非理想的MIS结构，当金属和半导体存在功函数或绝缘体内存在电荷时，为使半导体表面恢复平带而在金属上所加的电压

阈值电压：MIS结构的半导体表面发生强反型时，金属极板上所加的电压

扩散长度：非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离

牵引长度：非平衡载流子在电场作用下寿命て时间内飘移的距离

德拜长度：正离子的电场所能影响到电子的最远距离

寿命：非平衡载流子的平均生存时间

复合概率：单位时间内非平衡载流子的复合几率

深耗尽状态：少子产生跟不上电压的变化，反型层来不及建立，耗尽层向半导体内延申，产生大量受主负电荷以满足电中性条件

CCD：电荷耦合器件