电子电力技术考试试题02
电子电力技术考试试题
电子电力技术考试试题一、选择题（每题 2 分，共 40 分）1、下列不属于电力电子器件的是（）A 晶闸管B 晶体管C 电阻D 场效应管2、电力电子器件一般工作在（）状态。
A 导通B 截止C 开关D 放大3、晶闸管导通的条件是（）A 阳极加正电压，阴极加负电压，门极加正电压B 阳极加正电压，阴极加负电压，门极加负电压C 阳极加正电压，阴极加正电压，门极加正电压D 阳极加正电压，阴极加正电压，门极加负电压4、以下哪种电力电子器件属于电流驱动型器件（）A IGBTB GTOC MOSFETD SCR5、电力电子技术中，用于实现交流变直流的电路称为（）A 整流电路B 逆变电路C 斩波电路D 变频电路6、在单相桥式全控整流电路中，带电阻负载，控制角α的移相范围是（）A 0°～90°B 0°～180°C 90°～180°D 0°～360°7、三相桥式全控整流电路带电阻负载，当控制角α=30°时，输出电压的平均值为（）A 234U₂B 117U₂C 135U₂D 217U₂8、下列属于无源逆变电路的是（）A 直流斩波电路B 晶闸管相控整流电路C 交直交变频电路D 电压型逆变电路9、电流型逆变电路的特点是（）A 直流侧串联大电感B 直流侧并联大电容C 交流侧电流为正弦波D 交流侧电压为正弦波10、以下哪种斩波电路的输入输出电流均连续（）A 降压斩波电路B 升压斩波电路C 升降压斩波电路D Cuk 斩波电路11、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的特点是（）A 驱动功率大B 开关速度慢C 通态压降高D 输入阻抗高12、电力电子器件在实际应用中，需要考虑的参数有（）A 额定电压B 额定电流C 通态压降D 以上都是13、电力电子装置中，用于缓冲电路中电压和电流变化的元件是（）A 电阻B 电容C 电感D 二极管14、软开关技术的主要目的是（）A 降低开关损耗B 提高开关频率C 减小电磁干扰D 以上都是15、下列哪种控制方式常用于交流调速系统（）A 恒压频比控制B 矢量控制C 直接转矩控制D 以上都是16、在电力电子系统中，用于检测电流的传感器通常是（）A 电压互感器B 电流互感器C 霍尔传感器D 光电传感器17、电力电子系统中的保护电路通常包括（）A 过压保护B 过流保护C 短路保护D 以上都是18、下列哪种电路可以实现直流电压的升压变换（）A 降压斩波电路B 升压斩波电路C 反激式变换电路D 正激式变换电路19、对于 PWM 控制技术，以下说法错误的是（）A 可以改变输出电压的幅值B 可以改变输出电压的频率C 可以改变输出电压的相位D 可以实现能量的双向流动20、电力电子技术在下列哪个领域应用广泛（）A 电力系统B 交通运输C 工业控制D 以上都是二、填空题（每题 2 分，共 20 分）1、电力电子技术包括、、三个部分。
电力电子技术期末考试题与答案
电力电子复习**：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7. 肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__ 电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电子技术期末考试题及答案
电子技术期末考试题及答案【篇一：电力电子技术期末考试试题及答案】第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流ih与擎住电流il在数值大小上有il__大于__ih 。
10.晶闸管断态不重复电压udsm与转折电压ubo数值大小上应为，udsm_大于__ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.gto的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.mosfet的漏极伏安特性中的三个区域与gtr共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力mosfet的通态电阻具有__正__温度系数。
15.igbt 的开启电压uge （th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力mosfet 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
《 电工电子技术基础 》 (2)选择题 客观题 期末试卷 试题和答案
2017-2018学年度第二学期期末考试 17级《电工电子技术基础》（机考）试卷2017-2018学年度第二学期期末考试17级《电工电子技术基础》试卷本卷适用班级：17汽修32班班级：姓名：学号：您的姓名： [填空题] *_________________________________班级 [填空题]_________________________________学号 [填空题]_________________________________判断题1. 交流电的周期越长，说明交流电变化得越快。
[判断题] *对错(正确答案)2. 在纯电感正弦交流电路中，电压有效值不变，增加电源频率时，电路中电流将增大。
[判断题] *对错(正确答案)3. 在RL串联正弦交流电路中，有Z=R+XL。
[判断题] *对错(正确答案)4. 交流电路的阻抗随电源频率的升高而增大，随频率的下降而减小。
[判断题] *对(正确答案)错5. 已知某电路上电压u=311sin(314t-45°)，电流i=14.14sin(314t+15°)，此电路属容性电路。
[判断题] *对错(正确答案)6. 无功功率是无用的功率。
[判断题] *对错(正确答案)7. 当负载作星形连接时，必须有中线。
[判断题] *对(正确答案)错8. 当三相负载愈接近对称时，中线电流就愈小。
[判断题] *对(正确答案)错9. 三相负载的相电流是指电源相线上的电流。
[判断题] *对错(正确答案)10. 三相不对称负载星形连接时，为了使各相电压保持对称，必须采用三相四线制供电。
[判断题] *对(正确答案)错11. 三相对称负载星形连接时可以采用三相三线制供电。
[判断题] *对(正确答案)错12. 负载作三角形连接时，线电流是相电流的倍。
[判断题] *对(正确答案)错13. 一个三相四线制供电电路中，若相电压为220V，则电路线电压为311V。
电力电子技术期末考试试题及答案 (2)
电力电子技术试题电力电子技术问答分析题1、晶闸管两端并联R、C吸收回路的主要作用有哪些？其中电阻R的作用是什么？R、C回路的作用是：吸收晶闸管瞬间过电压，限制电流上升率，动态均压作用。
R的作用为：使L、C形成阻尼振荡，不会产生振荡过电压，减小晶闸管的开通电流上升率，降低开通损耗。
、2、实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件？直流侧必需外接与直流电流Id同方向的直流电源E，其数值要稍大于逆变器输出平均电压Ud，才能提供逆变能量。
逆变器必需工作在β<90º（α>90º）区域，使Ud< 0,才能把直流功率逆变为交流功率返送电网。
3、晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求？A:触发信号应有足够的功率。
B触发脉冲应有一定的宽度，脉冲前沿尽可能陡，使元件在触发导通后，阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。
C：触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范围必须满足电路要求。
4、单相桥式半控整流电路，电阻性负载。
当控制角α=90º时，画出：负载电压u d、晶闸管VT1电压u VT1、整流二极管VD2电压u VD2，在一周期内的电压波形图。
6、什么是逆变失败？逆变失败后有什么后果？形成的原因是什么逆变失败指的是：逆变过程中因某种原因使换流失败，该关断的器件末关断，该导通的器件末导通。
从而使逆变桥进入整流状态，造成两电源顺向联接，形成短路。
逆变失败后果是严重的，会在逆变桥与逆变电源之间产生强大的环流，损坏开关器件。
产生逆变失败的原因：一是逆变角太小；二是出现触发脉冲丢失；三是主电路器件损坏；四是电源缺相等。
8、指出下图中①～⑦各保护元件及VD、Ld的名称和作用。
①星形接法的硒堆过电压保护；②三角形接法的阻容过电压保护；③桥臂上的快速熔断器过电流保护；④晶闸管的并联阻容过电压保护；⑤桥臂上的晶闸管串电感抑制电流上升率保护；⑥直流侧的压敏电阻过电压保护；⑦直流回路上过电流快速开关保护；VD是电感性负载的续流二极管；L d是电动机回路的平波电抗器；9、为使晶闸管变流装置正常工作，触发电路必须满足什么要求？A、触发电路必须有足够的输出功率；B、触发脉冲必须与主回路电源电压保持同步；C、触发脉冲要有一定的宽度，且脉冲前沿要陡；D、触发脉冲的移相范围应能满足主电路的要求；10、下图为一单相交流调压电路，试分析当开关Q置于位置1、2、3时，电路的工作情况并画出开关置于不同位置时，负载上得到的电压波形。
电力电子技术考试试卷
电力电子技术试题库答案一、填空题（每空1分，共20分）1．电力电子技术是利用（电力电子器件）对电能进行（控制、转换和传输）的技术.2、晶闸管是一种既具有（开关作用），又具有（整流作用）的大功率半导体器件。
3．电力电子技术研究的对象是（电力电子器件的应用）、（电力电子电路的电能变换原理）和电力电子装置的开发与应用。
.4. 电力二极管的主要类型有（普通二极管），（快恢复二极管）和肖特基二极管。
5、电力二极管的主要类型有普通二极管，（快恢复二极管）和（肖特基二极管）。
6、晶闸管的正向特性又有（阻断状态）和（导通状态）之分。
7、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的（导通），而不能控制器件的（关断）。
8、电流的波形系数Kf指（电流有效值）和（电流平均值）比值。
9、电力晶体管是一种（耐高压）、（大电流）的双极型晶体管。
10、晶闸管有三个电极，分别是阳极，（阴极）和（门极或栅极）。
二、判断题（每题1分，共10分）1、晶闸管的门极既可以控制它的导通，也可以控制它的关断。
（错）2、晶闸管的门极既不能控制它的导通，也不能控制它的关断。
（错）3、晶闸管的门极可以控制它的导通，但不能控制它的关断。
（对）4、晶闸管的门极不可以控制它的导通，但能控制它的关断。
（错）5、额定电流为100A的晶闸管，允许通过的最大平均电流为157A。
（对）6、在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。
（对）7、在室温下门极断开时，晶闸管从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为掣住电流。
( 错)8、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流。
（对）9、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为维持电流。
（错）10、反励式变换器是指开关管导通时电源将电能转换为磁能储存在电感中，开关管截止时再将磁能转换为电能传送给负载。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子器件中，以下哪个不是晶闸管的别称？A. SCRB. GTOC. TRIACD. DIAC2. 以下哪个是电力电子变换器的主要功能？A. 信号放大B. 功率放大C. 电压转换D. 电流转换3. PWM（脉冲宽度调制）技术主要用于控制什么？A. 电压B. 电流C. 频率D. 功率4. 以下哪个不是电力电子变换器的拓扑结构？A. 单相全桥B. 三相半桥C. 推挽变换器D. 串联稳压器5. 以下哪个是电力电子变换器的控制方式？A. 线性控制B. 开关控制C. 脉冲控制D. 模拟控制二、简答题（每题10分，共30分）6. 简述电力电子技术在现代电力系统中的应用。
7. 解释什么是软开关技术，并说明其优点。
8. 描述PWM控制技术在电力电子变换器中的应用。
三、计算题（每题25分，共50分）9. 给定一个单相桥式整流电路，输入电压为220V（有效值），负载电阻为100Ω。
计算输出直流电压的平均值和纹波系数。
10. 假设有一个三相全控桥式整流电路，输入电压为380V（线电压），负载为50Ω。
计算在全导通状态下的输出直流电压。
答案一、选择题1. 答案：B（GTO是门极可关断晶闸管的缩写）2. 答案：C（电力电子变换器主要用于电压转换）3. 答案：D（PWM技术主要用于控制功率）4. 答案：D（串联稳压器不是电力电子变换器的拓扑结构）5. 答案：B（电力电子变换器的控制方式主要是开关控制）二、简答题6. 答案：电力电子技术在现代电力系统中的应用包括但不限于：- 电力系统的稳定与控制- 电能质量的改善- 可再生能源的接入与利用- 电动汽车的充电技术- 高效照明与节能技术7. 答案：软开关技术是一种减少开关器件在开关过程中损耗的技术。
它通过在器件两端电压或电流为零时进行开关操作，从而减少开关损耗，提高效率。
其优点包括：- 降低开关损耗- 减少电磁干扰- 提高系统效率- 延长器件寿命8. 答案：PWM控制技术在电力电子变换器中的应用主要包括：- 调节输出电压的大小- 控制输出功率- 实现负载的调速- 提高系统的动态响应三、计算题9. 答案：对于单相桥式整流电路，输出直流电压的平均值为：\[ V_{DC} = \frac{2V_m}{\pi} = \frac{2 \times 220}{\pi}\approx 140V \]纹波系数为：\[ \text{Ripple Factor} = \frac{I_{max} - I_{min}}{I_{DC}} \]其中 \( I_{DC} \) 为直流电流，\( I_{max} \) 和 \( I_{min} \) 分别为纹波电流的最大值和最小值。
电力电子技术试题(卷)20套与答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _小于__Ubo 。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
15.IGBT 的开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在__开关__状态。
2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，普通由__操纵电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有_一般二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。
的__多元集成__结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下落__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
的通态压落在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术试题及答案王兆安二十
电力电子技术试题及答案王兆安二十考试试卷( 20 )卷一、填空题（本题共5小题，每空1分，共10分）1、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
2、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________，当它带阻感负载时， α的移相范围为________。
3、在有源逆变电路中，当控制角0< α < π /2时，电路工作在________状态； π /2< α < π时，电路工作在________状态。
4、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为________，当直流侧为电流源时，称此电路为________。
5、在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断，这种生成SPWM波形的方法称________，实际应用中，采用________来代替上述方法，在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°2、三相全控桥式整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（）A.U2B.U2C.2U2 D.U23、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下4、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（）。
A、0.45U2；B、0.9U2；C、1.17U2； D、2.34U2；5、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（）.A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路6、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
电力电子技术第五版试题与答案4套
《电力电子技术》试题⑴一、填空（30分）1、双向晶闸管的图形符号是 ______ ，三个电极分别是_______, ____ 和______ ;双向晶闸管的的触发方式有、、、.O2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 _________ °三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为_________ O （电源相电压为U2）3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用________________ 触发；二是用__________________ 触发。
4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达 __________ 度；实际移相才能达________ 度。
5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有 _________、________ 、 _________ 、 ___________ °6、软开关电路种类很多，大致可分成 _______ 电路、______ 电路两大类。
7、变流电路常用的换流方式有 _________ 、_______ 、_______、________ 四种。
8、逆变器环流指的是只流经 ________ 、_______ 而不流经_________ 的电流，环流可在电路中加________ 来限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有 _____________ 、 ______________________ 、 ___________ °10、绝缘栅双极型晶体管是以 _________________ 作为栅极，以__________________ 作为发射极与集电极复合而成。
三、选择题（每题2分10分）1、a为___ 度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0 度。
B、60 度。
C、30 度。
D、120 度。
2、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C=0，改变_____ 的大小，使触发角a =90o，可使直流电机负载电压U d=0 O达到调整移相控制围，实现整流、逆变的控制要求。
高职单招电子电工考试题及答案
高职单招电子电工考试题及答案考试题目一：基础电路知识1. 请简述电流、电压和电阻的基本概念，并给出它们的单位。
2. 电阻是电流通过时阻碍电流流动的物理量，请解释什么是欧姆定律，并写出它的数学表达式。
3. 请解释串联电路和并联电路的区别，并举例说明。
4. 什么是电容？请简要介绍电容的基本特性和应用。
5. 简述直流电路和交流电路的区别，以及常见的直流和交流电源应用场景。
考试题目二：电子元器件1. 请解释什么是二极管，并说明其工作原理和应用场景。
2. 请介绍三极管的结构和工作原理，并举例说明其应用。
3. 请解释什么是场效应管（FET），并说明其工作原理和应用。
4. 请简述什么是集成电路（IC），并介绍其分类和应用领域。
5. 简要介绍常见的传感器元器件及其应用场景。
考试题目三：数字电路1. 请介绍基本的数字逻辑门电路（与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门）及其真值表。
2. 简要说明二进制数制和BCD码的概念，并给出一个示例。
3. 请解释什么是触发器，并介绍常见的触发器类型及其应用。
4. 请简述译码器和编码器的作用，并介绍常见的译码器和编码器类型。
5. 请解释什么是计数器，并介绍常见的计数器类型及其应用场景。
考试题目四：模拟电子技术1. 简述直流放大电路和交流放大电路的基本原理及其区别。
2. 请解释什么是运放，并介绍常见的运放电路及其应用。
3. 请介绍常见的信号调理电路（滤波器、放大器、混频器等）及其应用场景。
4. 简要说明什么是功率放大电路，并举例介绍不同类型的功率放大电路。
5. 请解释什么是自动控制系统，并介绍常见的控制电路及其原理。
考试题目五：电工安全与维护1. 请简述电工常见的安全操作规程和防护措施，以确保电气安全。
2. 请介绍常见的电气事故原因，并提出预防措施。
3. 简要说明电工常见的故障检修方法和步骤。
4. 请解释什么是接地保护，以及接地保护的作用和常见的接地方法。
5. 简述电工维护工作的重要性，以及常见的电工维护工作内容和方法。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1B 、2C 、3D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大B 、越小C 、不变D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）、GTR D 、A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A 、IPMB 、MOSFETC 、IGBTD 、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过才导通D、超过才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区 B、负阻区 C、饱和区 D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术期末考试试题与答案
电力电子技术期末考试试题与答案一、选择题1.( ) 电力电子系统中常用的功率开关电路是：A. 逆变器B. 斩波电路C. 升压电路D. 降压电路答案：A2.( ) 电压型逆变器输出波形为：A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案：B3.( ) 单相桥式整流电路输出脉动系数为：A. 0.364B. 0.482C. 0.482D. 0.600答案：B4.( ) 三相全控桥式整流电路的输出电压为：A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案：C5.( ) 交流电调速系统常用的功率器件有：A. 可控硅B. 普通二极管C. 晶闸管D. 三极管答案：A二、填空题1.( ) 电压型逆变器的开关器件为 _______________。
答案：晶闸管或IGBT2.( ) 三相全控桥式整流电路中，每个器件的导通时间为单个周期的_______________。
答案：1/63.( ) 恒压恒频空调控制器常用的控制算法为 _______________。
答案：PID算法三、简答题1.( ) 请简述电力电子系统的优点并举例说明。
答：电力电子系统在工业、交通、军事等领域的应用越来越广泛。
其优点主要包括：•可以实现能量的调节、转换和控制，提高能源利用效率；•可以精确控制电机的运行状态，实现电动机的调速和起停；•可以实现高效、精确、稳定的电力输出，并且对电网负荷的影响小。
其中，逆变器是电力电子系统中最常用的功率开关电路之一。
逆变器能将直流电转换为交流电，广泛应用于交流调速、UPS、电动汽车、太阳能发电、工业控制等领域。
2.( ) 请简述电力电子系统的应用场景并阐述其在场景中的作用。
答：电力电子系统广泛应用于以下场景中：•钢铁、冶金、矿山等重工业领域：逆变器、斩波电路、大电流直流电源等电力电子装置用于铁水炉、转炉、熔炼炉、轧钢机、提升机等电动机的调速和控制。
电力电子技术也被应用于高温热处理设备、水处理设备、氢氧化钠电解等场景中。
电力电子技术考试重点试题及答案解析
电压，并形成足够的 门极触
发 电流，晶闸管才能导通。
45、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时单相桥式半控整流桥，，
与 三相桥式半控整流桥 电路会出现失控现象。
46、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为 150
HZ；而三相全控桥整流电路，
输出到负载的平均电压波形脉动频率为 300
反，才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网。
42、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组 整流 状
态、 逆变 状态、反组 整流状态，逆变状态。
43、有源逆变指的是把直流 能量转变成 交流 能量后送给 电网的 装置。
44、给晶闸管阳极加上一定的 正向 电压；在门极加上正向门极
21、在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是 0
，负载是阻感性时移相范围是
。
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22、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有 避雷器；阻容吸收；硒堆；压敏电阻；整流式阻容吸收等几
种。
23、。晶闸管的维持电流 IH 是指在温 40 度以下 温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大通态电流下降到刚
极的，另一个是共 阳 极的元件，且要求不是 不在同一桥臂上
的两个元件。
37、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 控制角 角，用 α 表示。
38、一般操作引起的过电压都是瞬时尖峰电压，经常使用的保护方法是阻容保护、
而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有
压敏电阻
流方向也 相反 ，因此变压器的铁心不会被 磁化
。
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考试题
课程电力电子技术
学院电气工程学院考试日期2015年1月7日
专业班号
姓名学号期中期末
一、填空（28分）
1．（4分）采用电力电子技术可实现的电力变换通常可分为四大类，它们分别是：，，，。
2．（1分）同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流IL在数值大小上有ILIH。
3．（5分）晶闸管的电气图形符号是，门极可关断晶闸管的电气图形符号是，电力晶体管的电气图形符号是，绝缘栅双极型晶体管的电气图形符号是，电力场效应晶体管的电气图形符号是。
4．（3分）三相桥式全控整流电路，带电阻负载时，其角的移ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ范围为；带阻感负载（电感极大）时，其角的移相范围为，其交流侧电流中所含谐波的次数为。
5．（2分）在电流波形发生畸变时描述系统的功率因数可表示为： 其中 的含义是： 的的含义是：。
6．（2分）把直流电逆变成交流电的电路称为逆变电路。当交流侧和电网连接时，这种逆变电路称为，如果变流电路的交流侧不与电网连接，而直接接到负载，即把直流电逆变为某一频率或可调频率的交流电供给负载，
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称为。
7．（3分）中点钳位型三电平逆变电路，直流侧电压为Ud，则其输出相电压中的电平分别，和。
8．（4分）根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为和。一般为综合两种方法的优点，在低频输出时
采用方法，在高频输出时采用方法。
9．（4分）零电压开关是指：；零电流开关又是指。
5．（4分）简述PWM控制技术的理论基础——面积等效原理的基本内容。
6．（6分）在PWM控制中，什么是占空比？什么是载波比？
7．（4分）软开关技术解决了电力电子电路中的什么问题？软开关电路是通过怎样的思路解决这些问题的？
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西安交通大学考试题
三、综合（32分）
1．（8分）单相半波可控整流电路对电阻性负载供电，已知U2=220V，要求输出直流平均电压Ud=80V，平均电流Id=50A，试计算晶闸管的控制角α，导通角θ各为何值?并选取用晶闸管额定电压电流参数。
二、简答（40分）
1．（6分）电力电子器件是如何定义的？同处理信息的电子器件相比，它的特点是什么？
2．（6分）什么叫做多相多重斩波电路？什么叫做相数？什么叫做重数？试绘制由基本升压斩波电路构成的二相二重斩波电路。
3．（6分）绘制升降压斩波电路的电路图，分析其工作原理，并推导输入输出电压关系式。
4．（8分）单相交流调压电路带阻感负载，如果控制角α大于负载阻抗角φ，稳态时α的移相范围是多少电角度？如果控制角α小于负载阻抗角φ，稳态时晶闸管VT1和晶闸管VT2的导通时间分别是多少电角度？α小于φ的情况下，对晶闸管驱动脉冲宽度有何要求？为什么？
3．（10分）一台输出电压为10V，输出电流为50A的开关电源：
1）如果采用全桥整流电路，并采用通态压降为0.98V的快恢复二极管，整流电路整体工作效率是多少？
2）如果采用全波整流电路，并采用通态压降为0.64V的肖特基二极管，整流电路整体工作效率是多少？
注：本题计算中忽略器件开关损耗。
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2．（14分）三相半波可控整流电路给电动机负载供电，设交流电源相电压U2=220V，R∑=0.2Ω，L→∞。试求当电动机在提升重物时，负载电流Id=200A，反电势ED=180V时，变流器的控制角应为何值?变流器处于何种工作状态?又当电机在降落重物时起制动作用的负载电流Id=200A,与电机转速相对应的ED=180V,试求此时变流器的控制角应为何值?并求此时交流电网吸收的功率，电阻R∑上消耗的功率，电势ED给出的功率。