材料物理性能期末复习考点教学内容
材料物理性能总复习
奈曼-柯普定律
化合物分子热容等于构成此化合物各元素原子热容之和。
杜隆珀替定律
恒压下元素的原子热容等于25J/(K.mol)。
经典热容理论：模型过于简单，不能解释低温下热容减小的现象
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2、经典热容理论
• 爱因斯坦热容理论假设：每个原子皆为一个独立的振子，原子之间彼此无关。
高温部分符合较好，但低温部分的理论值比实验值下降得过快。
磁性是一切物质的基本属性，从微观粒子到宏观物体以至于宇宙间的天体都存在着磁的现象。 磁性是磁性材料的一种使用性能，磁性材料具有能量转换、存储或改变能量状态的功能。
材料的磁学性能
01
02
1、基本磁参量的概念与定义以及影响因素
磁矩
磁化强度
磁导率
方向与环形电流法线的方向一致，其大小为电流与封闭环形面积的乘积IΔS，与电流I和封闭环形面积ΔS成正比
6、半导体的载流子浓度、迁移率及其电阻率 本征半导体 本征载流子浓度与温度T和禁带宽度Eg 有关： 随温度增加，载流子浓度增加； 禁带宽度大时，载流子浓度小； μn 和μp 分别表示在单位场强下自由电子和空穴的平均漂移速度（cm/s），称为迁移率。 杂质半导体 多子导电
温 度 升 高
半导体载流子浓度、迁移率及其电阻率与温度的关系
n -- 单位体积内载流子数目 q -- 为每一载流子携带的电荷量
E -- 为外电场电场强度
μ为载流子的迁移率，其含义为单位电场下载流子的平均漂移速度。
J -- 为电流密度
2、导电性本质因素
决定材料导电性好坏的本质因素有两个：
载流子浓度
载流子迁移率
温度、压力等外界条件，以及键合、成分等材料因素都对载流子数目和载流子迁移率有影响。任何提高载流子浓度或载流子迁移率的因素，都能提高电导率，降低电阻率。
材料物理性能复习资料整理
材料在外力作用下发生形状和尺寸的变化，称为形变。
材料承受外力作用、抵抗变形的能力及其破坏规律，称为材料的力学性能或机械性能。
材料在单位面积上所受的附加内力称为应力。
法向应力导致材料伸长或缩短，而剪切应力引起材料的切向畸变。
应变是用来表征材料在受力时内部各质点之间的相对位移。
对于各向同性材料，有三种基本类型的应变：拉伸应变ε，剪切应变γ和压缩应变Δ。
若材料受力前的面积为A0，则σ0=F/A0称为名义应力。
若材料受力后面积为A，则σT=F/A称为真实应力。
对于理想的弹性材料，在应力作用下会发生弹性形变，其应力与应变关系服从胡克（Hook）定律（σ=Eε）。
E是弹性模量，又称为弹性刚度。
弹性模量是材料发生单位应变时的应力，它表征材料抵抗形变能力（即刚度）的大小。
E越大，越不容易变形，表示材料刚度越大。
弹性模量是原子间结合强度的标志之一。
泊松比：在拉伸试验时，材料横向单位面积的减少与纵向单位长度的增加之比值。
粘性形变是指粘性物体在剪切应力作用下发生不可逆的流动形变，该形变随时间增加而增大。
材料在外应力去除后仍保持部分应变的特性称为塑性。
材料发生塑性形变而不发生断裂的能力称为延展性。
在足够大的剪切应力τ作用下或温度T较高时，材料中的晶体部分会沿着最易滑移的系统在晶粒内部发生位错滑移，宏观上表现为材料的塑性形变。
滑移和孪晶：晶体塑性形变两种基本形式。
蠕变是在恒定的应力σ作用下材料的应变ε随时间增加而逐渐增大的现象。
位错蠕变理论：在低温下受到阻碍而难以发生运动的位错，在高温下由于热运动增大了原子的能量，使得位错能克服阻碍发生运动而导致材料的蠕变。
扩散蠕变理论：材料在高温下的蠕变现象与晶体中的扩散现象类似，蠕变过程是在应力作用下空位沿应力作用方向（或晶粒沿相反方向）扩散的一种形式。
晶界蠕变理论：多晶陶瓷材料由于存在大量晶界，当晶界位相差大时，可把晶界看成是非晶体，在温度较高时，晶界粘度迅速下降，应力使得晶界发生粘性流动而导致蠕变。
大学《材料物理性能》复习核心知识点、习题库及期末考试试题答案解析
大学《材料物理性能》复习核心知识点、习题库及期末考试试题答案解析目录《材料物理性能》习题库（填空、判断、选择、简答计算题） (1)《材料物理性能》复习核心知识点 (15)清华大学《材料物理性能》期末考试试题及答案解析 (25)上海交通大学《材料物理性能》期末考试试题 (31)《材料物理性能》习题库（填空、判断、选择、简答计算题）一、填空1．相对无序的固溶体合金，有序化后，固溶体合金的电阻率将。
2．马基申定则指出，金属材料的电阻来源于两个部分，其中一个部分对应于声子散射与电子散射，此部分是与温度的金属基本电阻，另一部分来源于与化学缺陷和物理缺陷而与温度的残余电阻。
3．某材料的能带结构是允带内的能级未被填满，则该材料属于。
4．离子晶体的导电性主要是离子电导，离子电导可分为两大类，其中第一类源于离子点阵中基本离子的运动，称为或，第二类是结合力比较弱的离子运动造成的，这些离子主要是，因而称为。
在低温下，离子晶体的电导主要由决定。
5．绝缘体又叫电介质，按其内部正负电荷的分布状况又可分为，，与。
6．半导体的导电性随温度变化的规律与金属，。
在讨论时要考虑两种散射机制，即与。
7．超导体的三个基本特性包括、与。
金属的电阻8．在弹性范围内，单向拉应力会使金属的电阻率；单向压应力会使率。
9．某合金是等轴晶粒组成的两相机械混合物，并且两相的电导率相近。
其中一相电导率为σ1，所占体积分数为φ，另一相电导率为σ2，则该合金的电导率σ = 。
10．用双臂电桥法测定金属电阻率时，测量精度不仅与电阻的测量有关，还与试样的的测量精度有关，因而必须考虑的影响所造成的误差。
11．适合测量绝缘体电阻的方法是。
12．适合测量半导体电阻的方法是。
13．原子磁矩包括、与三个部分。
14．材料的顺磁性来源于。
15．抗磁体和顺磁体都属于弱磁体，可以使用测量磁化率。
16．随着温度的增加，铁磁体的饱和磁化强度。
17．弹性的铁磁性反常是由于铁磁体中的存在引起所造成的。
材料科学与工程材料物理期末考试复习重点及答案
材料物理第四章材料强化比较材料强化的方法加工硬化适用材料：位错能够滑移的塑性材料原理：塑性变形时由于位错增殖，提高材料密度，使位错间相互作用力增大，使对位错进行滑移的阻力也增大，起到强化作用加工技术：冷加工（低温下使金属发生形变），轧制、锻造、冲压、拉拔等。
冷加工既经济又方便，可用退火消除冷加工产生塑性变形；通过控制变形量控制加工硬化的程度。
（通过每次增加一点应力以使金属发生塑性形变从而提高到屈服强度的方式，高温下失去强化效果）随变形强度↑→强硬度↑→塑韧性↓的现象性能变化：抗张强度、屈服强度和硬度有所增加，但是塑性和金属形变的总的性能下降，同时物理性能如电导率、密度等也都有所下降。
固溶强化通过形成固溶体合金，可是实现固溶强化的目的。
（高温不明显损害固溶强化效果）原理：溶质原子进入溶剂，造成晶格畸变，从而使位错滑移困难，基体的变形抗力随之提高（有些固溶体会出现明显的屈服点和应变时效现象）。
效果：溶质、溶剂原子尺寸差别越大，固溶强化效果越好（差别大的尺寸的溶质原子进入溶剂后，造成晶格畸变大，位错滑移越困难）；添加的合金元素越多，固溶强化效果越好。
加工技术：形成固溶体合金性能变化：合金的屈服强度、抗拉强度、硬度等会超过纯金属；几乎所有合金的塑性都低于纯金属，铜锌合金除外；合金的电导率大大低于纯金属；改善合金的抗蠕变性能。
弥散强化将多相组织混合在一起所获得的材料强化效应。
（特别适应高温材料）原理：添加合金元素的量大于固溶度，析出新相形成两相合金，两相界面上的原子排列无晶格完整性，阻碍位错的滑移，从而实现材料强化。
加工技术：通过使金属间化合物在塑性基体中弥散分布或共晶反应能够获得弥散强化的材料。
固态相变强化通过控制固态相变来强化材料的方法，可以多次采用；而通过控制凝固过程实现材料强化的方法，只能在材料冶炼制备中采用一次。
原理：通过控制第二相或析出物的析出获得所需的强化性能。
加工技术：利用时效强化、共析反应或非平衡态的马氏体相变等固态相变来强化材料。
材料物理性能复习重点
1.热容：热容是使材料温度升高1K所需的热量。
公式为C=ΔQ/ΔT=dQ/dT (J/K)；它反映材料从周围环境中吸收热量的能力，与材料的质量、组成、过程、温度有关。
在加热过程中过程不同分为定容热容和定压热容。
2.比热容：质量为1kg的物质在没有相变和化学反应的条件下升高1K所需的热量称为比热容每个物质中有两种比热容，其中c p＞c v，c v不能直接测得。
3.摩尔热容：1mol的物质在没有相变或化学反应条件下升高1K所需的能量称为摩尔热容，用Cm表示，单位为J/(mol·K)4.热容的微观物理本质：材料的各种性能（包括热容）的物理本质均与晶格热振动有关。
5.热容的实验规律：1.对于金属:2.对于无机材料（了解）1.符合德拜热容理论，但是德拜温度不同，它取决于键的强度、材料的弹性模量、熔点等。
2.对于绝大多数氧化物，碳化物，摩尔热容都是从低温时一个最低值增到到1273K左右近似于3R，温度进一步升高，摩尔热容基本没有任何变化。
3.相变时会发生摩尔热容的突变4.固体材料单位体积热容与气孔率有关，多孔材料质量越小，热容越小。
因此提高轻质隔热砖的温度所需要的热量远低于致密度的耐火砖所需的热量。
6.经典理论传统理论不能解决低温下Cv的变化，低温下热容随温度的下降而降低而下降，当温度接近0K时热容趋向于07.量子理论1.爱因斯坦模型三个假设：1.谐振子能量量子化2.每个原子是一个独立的谐振子3.所有原子都以相同的频率振动。
爱因斯坦温度：爱因斯坦模型在T >> θE 时，Cv，m=3R,与实验相符合，在低温下，T当T << θE时Cv，m比实验更快趋于0，在T趋于0时，Cv,m也趋于零。
爱因斯坦模型不足之处在于：爱因斯坦模型假定原子振动不相关，且以相同频率振动，而实际晶体中，各原子的振动不是彼此独立地以同样的频率振动，而是原子间有耦合作用，点阵波的频率也有差异。
温度低尤为明显2.德拜模型德拜在爱因斯坦的基础上，考虑了晶体间的相互作用力，原子间的作用力遵从胡克定律，固体热容应是原子的各种频率振动贡献的总和。
江大材料物理性能复习资料复习课程
江大材料物理性能复习资料第一章 材料的热学性能1.热容的概念(P42)：热容是分子或原子热运动的能量随温度变化而变化的物理量，其定义是物体温度升高1K 所需增加的能量。
温度不同，物体的热容不一定相同，温度T 时物体热容为：)/()(K J TQ C T T ∂∂=（简单点就直接用这个吧：T Q C ∆∆=） PS ：物理意义：吸收热量提高点阵振动能量，对外做功，加剧电子运动 比热容（单位质量）：T m Q C ∆•∆=2.晶体热容的经验定律(P42)：杜隆—珀替定律：恒压下元素的原子热容为25J/(K ·mol)奈曼—柯普定律：化合物热容等于构成此化合物各元素原子热容之和3.从材料结构比较金属、无机非金属、高聚物的热容大小(P46)：A 金属：a 纯金属：热容由点阵振动和自由电子运动两部分组成：T T C C C e V L V V γα+=+=3b 合金金属：符合奈曼—柯普定律∑==+++=n i im i nm n m m m C x C x C x C x C 12121B 无机非金属：a 符合热容理论，一般都是从低温时的一个低数值增加到1273K 左右近似于 25J/(K ·mol)的数值；b 无机材料热容与材料结构关系不大，但单位体积热容与气孔率有关，多孔质轻热容小；c 当材料发生相变：一级相变：体积突变，有相变潜热，温度Tc 热容无穷大，不连续变化；二级相变：无体积图2-5 热焓、热容与加热温度的突变，无相变潜热，在转变点热容达到有限极大值(P47C高聚物：多为部分结晶或无定型结构，热容不一定符合理论式，热容相对较大，且由化学结构决定，温度升高链段振动加剧，改变链运动状态（主链、支链（链节、侧基））。
4.从材料结构比较金属、无机非金属、高聚物的热传导机制(P53)：A金属：有大量自由电子，且电子质轻，实现热量迅速传递，热导率一般较大。
纯金属温度升高使自由程减小作用超过温度直接作用，热导率随温度上升而下降；合金热传导以自由电子和声子为主，因异类原子存在，温度本身起主导作用，热导率随温度上升增大。
材料物理性能期末复习重点-田莳
1.微观粒子的波粒二象性在量子力学里，微观粒子在不同条件下分别表现出波动或粒子的性质。
这种量子行为称为波粒二象性。
2.波函数及其物理意义微观粒子具有波动性，是一种具有统计规律的几率波，它决定电子在空间某处出现的几率，在t时刻，几率波应是空间位置（x,y,z,t)的函数。
此函数称波函数。
其模的平方代表粒子在该处出现的概率。
表示t时刻、（x、y、z）处、单位体积内发现粒子的几率。
3.自由电子的能级密度能级密度即状态密度。
dN为E到E+dE范围内总的状态数。
代表单位能量范围内所能容纳的电子数。
4.费米能级在0K时，能量小于或等于费米能的能级全部被电子占满，能量大于费米能级的全部为空。
故费米能是0K时金属基态系统电子所占有的能级最高的能量。
5.晶体能带理论假定固体中原子核不动，并设想每个电子是在固定的原子核的势场及其他电子的平均势场中运动，称单电子近似。
用单电子近似法处理晶体中电子能谱的理论，称能带理论。
6.导体，绝缘体，半导体的能带结构根据能带理论，晶体中并非所有电子，也并非所有的价电子都参与导电，只有导带中的电子或价带顶部的空穴才能参与导电。
从下图可以看出，导体中导带和价带之间没有禁区，电子进入导带不需要能量，因而导电电子的浓度很大。
在绝缘体中价带和导期隔着一个宽的禁带Eg，电子由价带到导带需要外界供给能量，使电子激发，实现电子由价带到导带的跃迁，因而通常导带中导电电子浓度很小。
半导体和绝缘体有相类似的能带结构，只是半导体的禁带较窄(Eg小)，电子跃迁比较容易1.电导率是表示物质传输电流能力强弱的一种测量值。
当施加电压于导体的两端时，其电荷载子会呈现朝某方向流动的行为，因而产生电流。
电导率是以欧姆定律定义为电流密度和电场强度的比率：κ=1/ρ2.金属—电阻率与温度的关系金属材料随温度升高，离子热振动的振幅增大，电子就愈易受到散射，当电子波通过一个理想品体点阵时(0K)，它将不受散射；只有在晶体点阵完整性遭到破坏的地方，电子被才受到散射(不相干散射)，这就是金属产生电阻的根本原因。
材料物理复习大纲
材料物理复习大纲【一、力学】1 材料力学性能概论材料的力学性能是关于材料强度的一门学科，即关于材料在外加载荷（外力）作用下或载荷和环境因素（温度、介质和加载速率）联合作用下表现的变形、损伤与断裂的行为规律及其物理本质和评定方法的一门学科。
2 弹性极限e：不产生永久变形的最大应力比例极限p：保持弹性比例关系的最大应力值。
略小于e；3 弹性模量的影响因素（1）结合键材料熔点与弹性模量的一致性关系（2）原子结构：对金属来说，原子结构对其弹性模量影响很大弹性模量的周期性变化（3）温度：随温度升高，弹性模量降低。
（4）相变：相变影响晶体结构，从而影响弹性模量。
相变包括：多晶型转变、有序化转变、铁磁性转变、超导态转变等。
陶瓷的弹性模量E与气孔率P的关系可表示为：E = E0e-bP式中，E0是气孔率为零时的弹性模量，b为与陶瓷制备工艺有关的常数。
对连续基体内的闭气孔，经验公式为：E = E0 + P2)4 陶瓷材料的弹性模量特点特点一：陶瓷材料的弹性模量一般高于金属。
特点二：陶瓷材料的弹性模量，不仅与结合键有关，还与陶瓷相组成及气孔率有关。
（金属材料的弹性模量是一个非常稳定的力学性能指标）对两相陶瓷复合物，两相弹性模量分别为E1，E2，体积百分数分别为V1，V2当应力平行于层面，各层应变相等，复合陶瓷的平均弹性模量为：a)E4c2A2A瑞利散射当a0?λ时σ=4，即当散射中心的线度远小于入射光的波长时，散射强度与波长的4次方成反比。
瑞利散射不改变原入射光的频率。
I s∝1/λ41)非弹性散射：由于入射光子与介质发生非弹性碰撞而使频率发生改变的光散射。
a)拉曼散射：是分子或点阵振动的光学声子（即光学模）对光波的散射。
b)布里渊散射：是点阵振动引起的密度起伏或超声波对光波的非弹性散射，即点阵振动的声学声子（即声学模）与光波之间的能量交换结果。
一、透射光强公式、影响陶瓷材料不透明性的主要因素、乳浊机理、获得致密的半透明陶瓷所采取的措施1.透射光强公式2.影响陶瓷材料不透明性的主要因素：反射和散射1)材料中的夹杂物、掺杂、晶界等对光的折射性能与主晶相不同，因而在不均匀界面上形成相对折射率，反射和散射增大。
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材料物理性能期末复习考点一名词解释1.声频支振动：震动着的质点中所包含的频率甚低的格波，质点彼此之间的相位差不大，格波类似于弹性体中的应变波，称声频支振动。
2.光频支振动：格波中频率甚高的振动波，质点间的相位差很大，临近质点的运动几乎相反，频率往往在红外光区，称光频支振动。
3.格波：材料中一个质点的振动会影响到其临近质点的振动，相邻质点间的振，动会形成一定的相位差，使得晶格振动以波的形式在整个材料内传播的波。
4.热容：材料在温度升高和降低时要时吸收或放出热量，在没有相变和化学反应的条件下，材料温度升高1K时所吸收的热量。
5.一级相变：相变在某一温度点上完成，除体积变化外，还同时吸收和放出潜热的相变。
6.二级相变：在一定温度区间内逐步完成的，热焓无突变，仅是在靠近相变点的狭窄区域内变化加剧，其热熔在转变温度附近也发生剧烈变化，但为有限值的相变。
7.热膨胀：物体的体积或长度随温度升高而增大的现象。
8.热膨胀分析：利用试样体积变化研究材料内部组织的变化规律的方法。
9.热传导：当材料相邻部分间存在温度差时，热量将从温度高的区域自动流向温度低的区域的现象。
10.热稳定性（抗热震性）：材料称受温度的急剧变化而不致破坏的能力。
11.热应力：由于材料的热胀冷缩而引起的内应力。
12.材料的导电性：在电场作用下，材料中的带电粒子发生定向移动从而产生宏观电流13.载流子：材料中参与传导电流的带电粒子称为载流子14.精密电阻合金：需要电阻率温度系数TRC或者α数值很小的合金，工程上称其为精密电阻合金15.本征半导体：半导体材料中所有价电子都参与成键，并且所有键都处于饱和（原子外电子层填满）状态，这类半导体称为本征半导体。
16. n型半导体:掺杂半导体中或者所有结合键处被价电子填满后仍有部分富余的价电子的这类半导体。
17. p型半导体：在所有价电子都成键后仍有些结合键上缺少价电子，而出现一些空穴的一类半导体。
18.光致电导：半导体材料材料受到适当波长的电磁波辐射时，导电性会大幅升高的现象。
19.光致电导的基本条件：是电磁波的光子能量要〉=半导体的能带间隙值。
20.光生伏特效应：一些半导体材料受到电磁照射时，所产生的非平衡载流子呈现特殊的空间分布，从而形成两个电极，它们之间建立一个电场，具有电位差的现象21.超导现象：材料的电阻率随温度变化，某些材料随温度下降电阻率突然减小到零的现象，将具有超导现象的材料称为超导材料。
超导材料有很强的抗磁性。
23.超导材料超导的条件：1）温度条件温度低于某个临界温度T《T0 2）磁场条件：外不辞长不超过某个强度H〈HC 3）电流密度小于临界值24.磁场强度：为了描述磁性介质的磁化状态定义单位体积磁性材料内原子磁矩的矢量总和。
25.磁极化强度J为单位体积内的磁偶极子矢量总和26.磁化率材料在磁场中磁化的难易程度M/H27.磁畴：铁磁体的自发磁化分为若干区域28.磁致伸缩：在磁场中磁化时，铁磁体的长度或者体积发生变化的现象29畴与畴之间的边界称为畴壁。
30.磁滞回线：对反磁化过程的宏观描述，两条反磁化曲线组成的闭合回线31.矫顽力：铁磁体磁化到饱和以后，使它的磁化强度或磁感应强度降低到0所需要的反向磁场32.剩余磁感应强度：铁磁体磁化到饱和并去掉外磁场后，在磁化方向保留的Mr 或B r称剩磁。
Mr剩余磁化强度，Br剩余磁感应强度。
33.趋肤效应：铁磁体的表面磁场高，向铁磁体的内部磁场逐渐减小的现象34.磁电阻效应：材料的电阻随外加磁场的变化而变化。
按照电阻效应的机理和大小，分为正常磁电阻效应OMR、各向异性磁电阻效应AMR、巨磁电阻效应GMR35.介电常数的温度系数：温度每变化1℃时，电介质介电常数的相对变化率36.电介质的极化强度P：电介质单位体积内的点偶极矩的矢量总和37.介质的击穿：当电场强度超过某一临界值后，电介质由介电状态变为导电状态的现象。
击穿时电压为击穿电压。
相应的电场强度称为击穿电场强度。
38.移峰效应：在铁电体中引入某种添加物生成固溶体，改变原来的晶胞参数和离子间的相互联系，使居里点向低温或高温方向移动。
39.压峰效应：降低居里点处的介电常数的峰值。
40.铁电体的非线性是指介电常数随外加电场强度非线性的变化41.压电效应的形成：对压电晶体在一定方向上施加机械应力时，在其两端表面上会出现数量相等，符号相反的束缚电荷；作用力相反时，表面荷电性质亦反号，而且在一定范围内电荷密度与作用力呈正比，为正压电效应；反之，在一定方向的电场作用下，则会产生外形尺寸的变化，在一定范围内，其形变与电场强度成正比，为逆压电效应，统称为压电效应。
42.材料对光的吸收：当光通过材料时，出射光强相对于入射光强被减弱的现象43.直接带隙半导体：导带底和价带顶都位于k空间原点（k=0），电子要跃迁到导带上只需要吸收能量，这样的半导体44.间接带隙半导体：电子跃迁不止要吸收能量，还要改变动量的半导体。
45.弹性散射：散射前后光的波长（或光子能量）不发生变化的散射。
发生变化的散射称非弹性散射。
46.拉曼散射:光通过材料时由于入射光和分子运动相互作用而使频率发生变化的散射。
分共振拉曼散射和表面增强拉曼散射。
47.材料的光发射：材料将以某种方式吸收能量转化为光能即发射光子的过程48.光的全反射：当入射光的角度达到或超过某一角度时，折射光消失，入射光被全部反射回来的现象49.光电效应：材料在光照射后释放出电子的效应，发射出来的电子叫做光电子。
只有当入射光的频率高于极限频率时，材料才会发射光电子，产生光电效应50.光生载流子：如果能量大于带隙宽度的光照射到半导体上，则电子被激发而从价带跃迁到导带，形成电子—空穴对。
如果这些电子—空穴对摆脱库伦力的相互作用而成为自由电子，则在导带和价带内将形成可以产生电流的过剩自由电子和自由空穴，这些就被称为光生载流子。
51.太阳能光电池产生电动势的基本条件：达到热平衡时，由于产生电流的载流子浓度增加，所以半导体电导率增加52.形状记忆效应：金属材料在发生较大变形后，经加热到某一温度上能够回复到变形前形状的现象53.相变伪弹性：去除应力后，部分或全部应变因应力诱发马氏体逆变为母相而恢复的现象54.变温马氏体转变：在变温条件下，马氏体生成量是温度的函数55.腐蚀率：单位时间内单位面积上的腐蚀量56.侵蚀率：单位时间内侵入的深度57.高温腐蚀：金属材料和它接触的环境介质在高温条件下发生的界面反应58.极化：由于电极上通过电流而使电极电位发生变化的现象。
阳极极化：阳极通过电流电位向正的方向变化。
阴极极化：阴极通过电流电位向负的方向变化59. 最大磁导率：在B-H起始磁化曲线上，B与H比值的最大值；60. 起始磁导率：磁化曲线上起始点的斜率61. 温度敏感性是指导电性对温度非常敏感，一般变现为导电性随温度升高呈指数规律增强。
62.杂质敏感性表现为导电性对杂质异常敏感，几乎是所有材料性能中对于杂质最敏感的性能。
63.光照敏感性是指半导体受到电磁波辐射，导电性大幅度增加，具有所谓的光致导电效应64.抗磁性：某些材料受到外磁场作用后，感生出和外磁场相反的磁化强度，磁化率小于0的材料。
超导态的超导体一定是抗磁性材料65.顺磁性：许多材料在放入外磁场中，感生出和外磁场相同方向的磁性，磁化率大于0，但其数值也很小的材料66.铁磁材料具有磁性转变温度：居里温度Tc。
一般自发磁化随环境温度的升高而逐渐减小，超过居里温度时全部消失，这时材料表现出顺磁性，只有当温度小于居里温度时，组成铁磁性材料的原子磁矩在磁畴内才平行或反平行排列，材料具有自发磁化67.铁磁性和亚铁磁性材料的磁性转变温度称为居里点Tc，反铁磁性材料的磁性转变温度称为奈尔点T N二填空1，在不发生相变的条件下物质的热熔随温度的变化规律分三个区域：1区（接近0K），C V,M正比于T，0K时，C V,M=0； 2区（低温区），C V,M正比于 T的三次方; 3区（高温区），C V,M变化很平缓，近于恒定值3R。
AL2O3=3R*5 MgO=3R*22，元素的热容定律：恒压下元素的原子热容为25J/(MOL*K)；化合物的热容定律：1MOL物质中的原子数为2NA，故摩尔热熔为2*25J/(MOL*K),三原子固体化合物的摩尔热熔是高温材料的选材依据之一，熔点高，材料间原子结合力越强，ΘD越高。
4，热分析方法包括：差热分析，差示扫描量热法，热重法。
5，相邻两个片状畴的磁矩夹角为180度时，它们的边界称为180度畴壁。
片状畴与三角畴之间磁矩相互垂直，他们的边界称为90度畴壁6，对于各向同性的立方系晶体，各方向的膨胀特性相同，对于各向异性的晶体，各晶轴方向的线膨胀系数不同。
7，物体的热膨胀系数与定热容成正比，在低温下随温度的增加而急剧增加，高温下趋于平稳。
原子间结合力越强的材料热膨胀系数越小，熔点高的物质膨胀系数小，键强度越高，膨胀系数越小。
相同成分的材料，晶体＞非晶体，多晶单＞晶，层间＞层内，固溶体＞化合物8，热导率：晶体结构越复杂，晶格振动的非线性程度越大。
热导率尖晶石＞莫来石，层内＞层间，单晶体＞多晶体，晶体＞非晶态材料，非晶态材料随温度的升高热导率增大。
9，电阻率：合金＞纯金属；非晶体＞晶体；尺寸越小电阻率越高；本征半导体随温度的升高而呈指数增加。
10.固体中的导热主要依靠晶格振动的格波和自由电子的运动实现。
11.热阻分为两部分：晶格振动形成的热阻和杂质缺陷形成的热阻，温度不高不低情况下，缺陷热阻随温度的升高依1/T的规律下降，声子热阻随温度的升高依T的平方规律上升；纯金属声子热导占主要地位，热导率随温度的升高降低，合金缺陷热阻主导地位，热带导随温度的升高而升高。
12.材料的热冲击损坏两种类型：抵抗材料发生瞬时断裂的抗击冲击断裂性，和抵抗在热冲击循环作用下，才老表面开裂剥落并不断发展，最终碎裂或变质的尺寸越小，传热通道越短；材料的表面热散速率h越大，内外温差越大，热应力越大。
14.材料中的微裂纹产生及扩展跟弹性应变能和裂纹扩展的断裂表面能有关，弹性应变能释放率越小，断裂表面能越大，抗热冲击损伤性越好15..参照材料导电性的高低，习惯上将材料划分为导体，半导体和绝缘体16.影响材料电导率的主要因素是材料中载流子的体积密度与迁移率；半导体材料的载流子为导带的电子与价带的空穴；对于金属而言，参与导电的自由电子仅仅是处于费米面附近的电子17.纯金属与合金材料的导电性随温度的变化显示两种不同的类型一类遵循马提申规则，另一类是偏离该规则的规律性18.半导体在导电性方面独特的性质：温度敏感性、杂质敏感性、光照敏感性。
半导体导电性随温度升高呈指数规律增加19.施主能及Ed针对n型半导体，受主能级Ea针p型半导体。